JP2613296B2 - 真空処理方法及び装置 - Google Patents
真空処理方法及び装置Info
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- JP2613296B2 JP2613296B2 JP1242249A JP24224989A JP2613296B2 JP 2613296 B2 JP2613296 B2 JP 2613296B2 JP 1242249 A JP1242249 A JP 1242249A JP 24224989 A JP24224989 A JP 24224989A JP 2613296 B2 JP2613296 B2 JP 2613296B2
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- Japan
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- sample
- temperature
- wafer
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空処理方法及び装置に係り、特に半導体
素子基板等の試料を真空下で処理するのに好適な真空処
理方法及び装置に関するものである。
素子基板等の試料を真空下で処理するのに好適な真空処
理方法及び装置に関するものである。
半導体素子基板（以下ウェハと略）等の試料を真空下
で処理する技術としては、従来、例えば、特開昭62−29
0133号公報に記載のように、一定温度に保持されたステ
ージ上に少なくとも一対の電極を有する静電チャックを
置き、該電極間に電圧を印加して被エッチング物を該ス
テージに静電的に吸着させ、該電圧を変化させて該被エ
ッチング物と該ステージ間の熱的コンタクトの度合を変
えることにより該被エッチング物の温度を制御する技術
が知られている。
で処理する技術としては、従来、例えば、特開昭62−29
0133号公報に記載のように、一定温度に保持されたステ
ージ上に少なくとも一対の電極を有する静電チャックを
置き、該電極間に電圧を印加して被エッチング物を該ス
テージに静電的に吸着させ、該電圧を変化させて該被エ
ッチング物と該ステージ間の熱的コンタクトの度合を変
えることにより該被エッチング物の温度を制御する技術
が知られている。
〔発明が解決しようとする課題〕 上記従来技術では、つまり、被エッチング物とステー
ジとの接触度合いにより、その間の熱的コンタクトの度
合が変化させられ、それにより被エッチング物の温度が
制御される。
ジとの接触度合いにより、その間の熱的コンタクトの度
合が変化させられ、それにより被エッチング物の温度が
制御される。
ここで、変化し得る熱的コンタクトの範囲は狭く、し
かも、その絶対値も小さい。このため、真空処理される
試料の温度を広範囲で高精度に制御する必要があるもの
においては、上記従来技術のような技術の適用は極めて
困難である。
かも、その絶対値も小さい。このため、真空処理される
試料の温度を広範囲で高精度に制御する必要があるもの
においては、上記従来技術のような技術の適用は極めて
困難である。
本発明の目的は、真空処理される試料の温度を広範
囲，高精度に制御できる真空処理方法及び装置を提供す
ることにある。
囲，高精度に制御できる真空処理方法及び装置を提供す
ることにある。
上記目的を達成するために、真空処理方法を、所定温
度の試料台への該試料台に設置された試料への固定力を
調節して上記試料裏面の伝熱ガス圧力を調節し、該伝熱
ガス圧力の調節により上記試料の温度を制御する方法と
し、真空処理装置を、所定温度の試料台に設置されて真
空処理される試料を上記試料台に固定する手段と、該固
定手段による上記試料の固定力を調節する手段と、上記
試料裏面に伝熱ガスを供給する手段とを具備したものと
したものである。
度の試料台への該試料台に設置された試料への固定力を
調節して上記試料裏面の伝熱ガス圧力を調節し、該伝熱
ガス圧力の調節により上記試料の温度を制御する方法と
し、真空処理装置を、所定温度の試料台に設置されて真
空処理される試料を上記試料台に固定する手段と、該固
定手段による上記試料の固定力を調節する手段と、上記
試料裏面に伝熱ガスを供給する手段とを具備したものと
したものである。
所定温度の試料台に試料が設置される。該設置された
試料は、固定手段により試料台に固定される。該固定手
段による試料台への試料の固定力は、固定力調節手段に
より調節される。一方、伝熱ガス供給手段により伝熱ガ
スが試料裏面に供給される。試料台への試料の固定力調
節により該試料裏面の伝熱ガス圧力、即ち、試料台と試
料間の熱通過率が調節され、これにより試料の温度が制
御される。つまり、試料台と試料間の熱的コンタクトに
比べその間の熱通過率の変化し得る範囲は広く、その絶
対値も大きいため、試料の温度は、広範囲，高精度に制
御される。
試料は、固定手段により試料台に固定される。該固定手
段による試料台への試料の固定力は、固定力調節手段に
より調節される。一方、伝熱ガス供給手段により伝熱ガ
スが試料裏面に供給される。試料台への試料の固定力調
節により該試料裏面の伝熱ガス圧力、即ち、試料台と試
料間の熱通過率が調節され、これにより試料の温度が制
御される。つまり、試料台と試料間の熱的コンタクトに
比べその間の熱通過率の変化し得る範囲は広く、その絶
対値も大きいため、試料の温度は、広範囲，高精度に制
御される。
以下、本発明の一実施例を第１図，第２図により説明
する。第１図で、本装置は、マグネトロン１で発生した
マイクロ波とソレノイド２の磁場の相乗作用により処理
室３内に導入したプロセスガスをプラズマ化し電極４上
のウェハ５をエッチングする。
する。第１図で、本装置は、マグネトロン１で発生した
マイクロ波とソレノイド２の磁場の相乗作用により処理
室３内に導入したプロセスガスをプラズマ化し電極４上
のウェハ５をエッチングする。
一方、ウェハ５の、この場合、冷却は、直系電源６に
よりプラズマを介して電極４表面のアルミナ等の絶縁膜
７に電圧を印加してウェハ５を静電吸着した状態で裏面
に伝熱ガス供給装置８より、MFC9とバルブ10を介してHe
ガスを導入して行われる。なお、電極４には、例えば、
冷媒供給装置（図示省略）から冷媒が供給される。これ
により電極４は、冷媒の寒冷を利用して所定温度に冷却
される。
よりプラズマを介して電極４表面のアルミナ等の絶縁膜
７に電圧を印加してウェハ５を静電吸着した状態で裏面
に伝熱ガス供給装置８より、MFC9とバルブ10を介してHe
ガスを導入して行われる。なお、電極４には、例えば、
冷媒供給装置（図示省略）から冷媒が供給される。これ
により電極４は、冷媒の寒冷を利用して所定温度に冷却
される。
なお、伝熱ガス配管の途中にウェハ５の伝熱ガス圧力
を検出するためのパラトロン圧力計等の圧力センサ11を
設けている。
を検出するためのパラトロン圧力計等の圧力センサ11を
設けている。
第２図により、この場合のウェハ温度の制御方法につ
いて説明する。第２図で、圧力センサ11によりエッチン
グ処理中のウェハ５裏面のHeガス圧力12を検出してこの
値と設定値Ｐを比較し、この偏差13をPID14を介して直
流電源６に加えて絶縁膜７に印加する電圧を操作、つま
り、静電吸着力を調節することにより、裏面圧力12は設
定値Ｐに一致するように調節される。
いて説明する。第２図で、圧力センサ11によりエッチン
グ処理中のウェハ５裏面のHeガス圧力12を検出してこの
値と設定値Ｐを比較し、この偏差13をPID14を介して直
流電源６に加えて絶縁膜７に印加する電圧を操作、つま
り、静電吸着力を調節することにより、裏面圧力12は設
定値Ｐに一致するように調節される。
これによって、裏面圧力12とウェハ５への入熱量によ
り決まるエッチング処理中のウェハ温度15は所定温度に
制御される。
り決まるエッチング処理中のウェハ温度15は所定温度に
制御される。
次に本発明の第２の実施例を第３図，第４図により説
明する。本実施例は圧力センサ11の代りに処理中のウェ
ハ温度を裏面との接触により直接検出する光ファイド温
度計，熱電対等の温度センサ16を設けたものである。
明する。本実施例は圧力センサ11の代りに処理中のウェ
ハ温度を裏面との接触により直接検出する光ファイド温
度計，熱電対等の温度センサ16を設けたものである。
第４図により、この場合のウェハ温度の制御方法につ
いて説明する。温度センサ16によりエッチング中のウェ
ハ５の温度を検出してこの値と設定値Ｔを比較し、この
偏差13′をPID14を介して直流電源６に加えて絶縁膜７
に印加する電圧を操作することにより、上記一実施例で
のようにしてウェハ温度15′は所定温度、つまり、設定
値Ｔに一致するように制御される。
いて説明する。温度センサ16によりエッチング中のウェ
ハ５の温度を検出してこの値と設定値Ｔを比較し、この
偏差13′をPID14を介して直流電源６に加えて絶縁膜７
に印加する電圧を操作することにより、上記一実施例で
のようにしてウェハ温度15′は所定温度、つまり、設定
値Ｔに一致するように制御される。
上記各実施例ではウェハ温度をウェハ裏面のHeガス圧
力により制御するので電極とウェハ間の熱通過率は変化
範囲，絶対値とも大きくウェハ温度を広範囲，高精度に
制御することができる。また、このように、ウェハ温度
を広範囲，高精度に制御できるために、ウェハ温度の制
御操作を容易化でき、誤操作，誤制御の発生を防止する
ことができる。また、これと共に、ウェハのエッチング
特性（溝形状性，均一性等）が向上し、歩留りを向上さ
せることができる。
力により制御するので電極とウェハ間の熱通過率は変化
範囲，絶対値とも大きくウェハ温度を広範囲，高精度に
制御することができる。また、このように、ウェハ温度
を広範囲，高精度に制御できるために、ウェハ温度の制
御操作を容易化でき、誤操作，誤制御の発生を防止する
ことができる。また、これと共に、ウェハのエッチング
特性（溝形状性，均一性等）が向上し、歩留りを向上さ
せることができる。
なお、本発明は、上記各実施例に、特に限定されな
い。冷却または加温された所定温度の試料台に設置され
た試料を真空下で処理するものであれば、充分に適用で
きる。また、上記各実施例で試料は静電吸着力により試
料台に固定されるが、その他の固定力、例えば、機械的
または磁気的固定力，真空吸着力等により試料台に固定
されるものであっても良い。
い。冷却または加温された所定温度の試料台に設置され
た試料を真空下で処理するものであれば、充分に適用で
きる。また、上記各実施例で試料は静電吸着力により試
料台に固定されるが、その他の固定力、例えば、機械的
または磁気的固定力，真空吸着力等により試料台に固定
されるものであっても良い。
本発明によれば、所定温度の試料台に設置されて真空
処理される試料温度を広範囲にしかも高精度に制御する
ことができる効果がある。
処理される試料温度を広範囲にしかも高精度に制御する
ことができる効果がある。
第１図は、本発明の一実施例のエッチング装置の構成
図、第２図は、第１図装置でのウェハ温度の制御チャー
ト図、第３図は、本発明の第２の実施例のエッチング装
置の構成図、第４図は、第３図装置でのウェハ温度の制
御チャート図である。 ４……電極、５……ウェハ、６……直流電源、７……絶
縁膜、８……伝熱ガス供給装置、11……圧力センサ、17
……温度センサ
図、第２図は、第１図装置でのウェハ温度の制御チャー
ト図、第３図は、本発明の第２の実施例のエッチング装
置の構成図、第４図は、第３図装置でのウェハ温度の制
御チャート図である。 ４……電極、５……ウェハ、６……直流電源、７……絶
縁膜、８……伝熱ガス供給装置、11……圧力センサ、17
……温度センサ
Claims (2)
- 【請求項１】所定温度の試料台に設置された試料を真空
下で処理する方法において、 前記試料台への前記試料の静電吸着力による固定力を調
節して前記試料裏面の伝熱ガス圧力の調節により前記試
料の温度を制御することを特徴とする真空処理方法。 - 【請求項２】所定温度の試料台に設置された試料を真空
下で処理する装置において、 前記試料を前記試料台に静電吸着力により固定する試料
固定手段と、前記試料裏面に伝熱ガスを供給する手段
と、 前記試料裏面の伝熱ガス圧力又は前記試料温度により前
記試料固定手段の固定力を調節する手段とを 具備したことを特徴とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1242249A JP2613296B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 真空処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1242249A JP2613296B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 真空処理方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03105917A JPH03105917A (ja) | 1991-05-02 |
| JP2613296B2 true JP2613296B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=17086464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1242249A Expired - Lifetime JP2613296B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 真空処理方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2613296B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10240356A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-09-11 | Anelva Corp | 基板処理装置の基板温度制御法と基板温度制御性判定法 |
| JP2000021869A (ja) | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0727959B2 (ja) * | 1986-02-20 | 1995-03-29 | 富士通株式会社 | ウエハ−保持機構 |
| JPS62290133A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-17 | Fujitsu Ltd | ドライエツチング方法 |
| JPS63229716A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-26 | Fujitsu Ltd | ドライエツチング方法 |
-
1989
- 1989-09-20 JP JP1242249A patent/JP2613296B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03105917A (ja) | 1991-05-02 |
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