JPH08293486A - 真空処理方法及び装置 - Google Patents
真空処理方法及び装置Info
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- JPH08293486A JPH08293486A JP9824395A JP9824395A JPH08293486A JP H08293486 A JPH08293486 A JP H08293486A JP 9824395 A JP9824395 A JP 9824395A JP 9824395 A JP9824395 A JP 9824395A JP H08293486 A JPH08293486 A JP H08293486A
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- Japan
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- insulating film
- vacuum processing
- sample
- wafer
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】停電あるいは誤動作により電源が遮断された場
合等の異常時においてもスル−プットの低下を防止する
のに好適な真空処理方法および装置を提供する。 【構成】静電吸着電極１２と直流電源１３の間にスイッ
チ１５を設け、正常時にはプラズマ６を生成した状態で
スイッチ１５を端子１７と接続することにより静電吸着
電極１２を抵抗１８を介して接地し、異常時にはスイッ
チ１５を端子１９と接続して静電吸着電極１２と直流電
源１３を遮断するようにスイッチ１５を操作する。下部
電極７にはウエハ１裏面と処理室２７を連通するＨｅガ
ス抜き孔２９とこの孔２９を非通電時開放するＯリング
を有する蓋３１と、Ｈｅガス２０の排気管３２を非通電
時開放するバルブ３３を介して冷却ガス導入配管２３と
が処理室の間に設けてある。異常時には蓋、バルブを開
き、ウエハ裏面、冷却ガス導入配管２３内に残留するＨ
ｅガスを差圧により処理室に排出する。
合等の異常時においてもスル−プットの低下を防止する
のに好適な真空処理方法および装置を提供する。 【構成】静電吸着電極１２と直流電源１３の間にスイッ
チ１５を設け、正常時にはプラズマ６を生成した状態で
スイッチ１５を端子１７と接続することにより静電吸着
電極１２を抵抗１８を介して接地し、異常時にはスイッ
チ１５を端子１９と接続して静電吸着電極１２と直流電
源１３を遮断するようにスイッチ１５を操作する。下部
電極７にはウエハ１裏面と処理室２７を連通するＨｅガ
ス抜き孔２９とこの孔２９を非通電時開放するＯリング
を有する蓋３１と、Ｈｅガス２０の排気管３２を非通電
時開放するバルブ３３を介して冷却ガス導入配管２３と
が処理室の間に設けてある。異常時には蓋、バルブを開
き、ウエハ裏面、冷却ガス導入配管２３内に残留するＨ
ｅガスを差圧により処理室に排出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空処理方法および装
置に係り、特に半導体素子基板（基板）等の試料を静電
吸着力により支持した状態で裏面に伝熱ガスを導入し
て、温度制御しながら処理するのに好適な真空処理方法
および装置に関する。
置に係り、特に半導体素子基板（基板）等の試料を静電
吸着力により支持した状態で裏面に伝熱ガスを導入し
て、温度制御しながら処理するのに好適な真空処理方法
および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術としては、例えば、特開昭６０
−１１５２２６号公報記載のように処理中の基板を均一
に冷却するために静電吸着とガス冷却を併用する方法が
提案されている。
−１１５２２６号公報記載のように処理中の基板を均一
に冷却するために静電吸着とガス冷却を併用する方法が
提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記従来技術では、処
理中に停電あるいは誤動作により異常が生じて電源が遮
断された場合に、基板裏面に残留する冷却ガス（伝熱ガ
ス）が基板と絶縁膜の表面粗さ程度の隙間から処理室に
排出されてガス圧力が減少するが、この時間は非常に長
く、この間、基板を支持するために絶縁膜の抵抗を高く
して静電吸着力の減少を遅くする必要がある。
理中に停電あるいは誤動作により異常が生じて電源が遮
断された場合に、基板裏面に残留する冷却ガス（伝熱ガ
ス）が基板と絶縁膜の表面粗さ程度の隙間から処理室に
排出されてガス圧力が減少するが、この時間は非常に長
く、この間、基板を支持するために絶縁膜の抵抗を高く
して静電吸着力の減少を遅くする必要がある。
【０００４】このために、正常時においても除電時間が
長くなり、スル−プットが低下するという問題があっ
た。
長くなり、スル−プットが低下するという問題があっ
た。
【０００５】逆に、絶縁膜の抵抗を低くして静電吸着力
をすみやかに低減すると正常時の除電時間は短くできる
が、しかし、異常時においてガス圧力により基板が浮き
上がって電極上でずれたり、電極から落下して搬送が困
難となり、基板を装置外に取り出すために処理室を大気
開放する必要が生じ、スル−プットが低下するという問
題があった。
をすみやかに低減すると正常時の除電時間は短くできる
が、しかし、異常時においてガス圧力により基板が浮き
上がって電極上でずれたり、電極から落下して搬送が困
難となり、基板を装置外に取り出すために処理室を大気
開放する必要が生じ、スル−プットが低下するという問
題があった。
【０００６】本発明の目的は、正常時にはすみやかに残
留吸着力を低減でき、異常時には基板等の試料（ウエ
ハ）裏面の伝熱ガスが処理室に排出されるまで残留吸着
力によりウエハを支持することで、ウエハの浮き上がり
による電極上でのずれ、電極からの落下を防止して、高
いスル−プットで処理できる真空処理方法および装置を
提供することにある。
留吸着力を低減でき、異常時には基板等の試料（ウエ
ハ）裏面の伝熱ガスが処理室に排出されるまで残留吸着
力によりウエハを支持することで、ウエハの浮き上がり
による電極上でのずれ、電極からの落下を防止して、高
いスル−プットで処理できる真空処理方法および装置を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記した問題を解決する
ために、電極にウエハ裏面と処理室を連通する伝熱ガス
抜き孔を設けるとともにこの孔を非通電時開放する蓋を
設け、さらに伝熱ガス導入配管と処理室を非通電時に連
通するバルブを設ける。
ために、電極にウエハ裏面と処理室を連通する伝熱ガス
抜き孔を設けるとともにこの孔を非通電時開放する蓋を
設け、さらに伝熱ガス導入配管と処理室を非通電時に連
通するバルブを設ける。
【０００８】次に、静電吸着電極の残留吸着力の減少の
時定数をコントロ−ルする方法としては、以下の二つの
方法が考えられる。
時定数をコントロ−ルする方法としては、以下の二つの
方法が考えられる。
【０００９】まず、一つ目は、直流電源と絶縁膜とスイ
ッチにより構成された静電吸着回路と並列に抵抗を設け
る。そして、正常時には処理終了後ウエハを解放する際
にプラズマを生成した状態で絶縁膜を抵抗を介して接地
し、異常時には直流電源と絶縁膜を遮断するようにスイ
ッチを動作する。
ッチにより構成された静電吸着回路と並列に抵抗を設け
る。そして、正常時には処理終了後ウエハを解放する際
にプラズマを生成した状態で絶縁膜を抵抗を介して接地
し、異常時には直流電源と絶縁膜を遮断するようにスイ
ッチを動作する。
【００１０】次に、二つ目は、静電吸着回路に抵抗とコ
ンデンサの並列回路を直列に設け、さらにスイッチを介
して並列に抵抗を設ける。そして、正常時には処理終了
後ウエハを解放する際にプラズマを生成した状態で絶縁
膜を抵抗を介して接地し、異常時には直流電源と絶縁膜
を抵抗とコンデンサの並列回路を介して接続するように
スイッチを動作する。
ンデンサの並列回路を直列に設け、さらにスイッチを介
して並列に抵抗を設ける。そして、正常時には処理終了
後ウエハを解放する際にプラズマを生成した状態で絶縁
膜を抵抗を介して接地し、異常時には直流電源と絶縁膜
を抵抗とコンデンサの並列回路を介して接続するように
スイッチを動作する。
【００１１】
【作用】処理中に停電あるいは誤動作により電源が遮断
される等の異常が発生するとウエハ裏面への伝熱ガスの
供給が停止されるとともに、ウエハ裏面と処理室を連通
する蓋と伝熱ガス導入配管と処理室を連通するバルブが
開くのでウエハ裏面と伝熱ガス導入配管に残留する伝熱
ガスが処理室との差圧により処理室に排出される。異常
時にはこのように動作するので、ウエハ裏面と伝熱ガス
導入配管を処理室と同圧力まで排出する時間を、従来技
術に比べて短くできる。したがって、この時間だけ残留
吸着力によりウエハを支持すれば良いことになり、絶縁
膜の抵抗を従来技術より低くすることができ、正常時に
ウエハを解放する際にスル-プットが低下しないように
残留吸着力をすみやかに低減できる。
される等の異常が発生するとウエハ裏面への伝熱ガスの
供給が停止されるとともに、ウエハ裏面と処理室を連通
する蓋と伝熱ガス導入配管と処理室を連通するバルブが
開くのでウエハ裏面と伝熱ガス導入配管に残留する伝熱
ガスが処理室との差圧により処理室に排出される。異常
時にはこのように動作するので、ウエハ裏面と伝熱ガス
導入配管を処理室と同圧力まで排出する時間を、従来技
術に比べて短くできる。したがって、この時間だけ残留
吸着力によりウエハを支持すれば良いことになり、絶縁
膜の抵抗を従来技術より低くすることができ、正常時に
ウエハを解放する際にスル-プットが低下しないように
残留吸着力をすみやかに低減できる。
【００１２】次に、上記の二つの方法について静電吸着
電極の残留吸着力の減少の時定数を考える。
電極の残留吸着力の減少の時定数を考える。
【００１３】まず、一つ目では正常時の残留吸着力の減
少の時定数は、絶縁膜の抵抗と絶縁膜とウエハの隙間の
静電容量の積、異常時には絶縁膜とウエハの接触抵抗と
隙間の静電容量の積となる。したがって、通常は、絶縁
膜の抵抗に比べて絶縁膜とウエハの接触抵抗の方が高
く、正常時に比べて異常時の残留吸着力の減少の時定数
を長くすることができる。
少の時定数は、絶縁膜の抵抗と絶縁膜とウエハの隙間の
静電容量の積、異常時には絶縁膜とウエハの接触抵抗と
隙間の静電容量の積となる。したがって、通常は、絶縁
膜の抵抗に比べて絶縁膜とウエハの接触抵抗の方が高
く、正常時に比べて異常時の残留吸着力の減少の時定数
を長くすることができる。
【００１４】次に、二つ目では正常時の残留吸着力の減
少の時定数は、一つ目と同じである。しかし、異常時の
時定数は、可変抵抗とコンデンサの並列回路の可変抵抗
を絶縁膜の抵抗よりも高く、しかもコンデンサの静電容
量を絶縁膜とウエハの隙間の静電容量より大きくするこ
とにより、並列回路の可変抵抗の抵抗値とコンデンサの
静電容量の積となり絶縁膜の抵抗、ウエハの種類等に無
関係に任意の値に調整できることになる。
少の時定数は、一つ目と同じである。しかし、異常時の
時定数は、可変抵抗とコンデンサの並列回路の可変抵抗
を絶縁膜の抵抗よりも高く、しかもコンデンサの静電容
量を絶縁膜とウエハの隙間の静電容量より大きくするこ
とにより、並列回路の可変抵抗の抵抗値とコンデンサの
静電容量の積となり絶縁膜の抵抗、ウエハの種類等に無
関係に任意の値に調整できることになる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の第１の実施例を適用した、い
わゆる、有磁場マイクロ波エッチング装置の構成につい
て図１および図２により説明する。なお、ウエハ１の静
電吸着は、モノポ−ル方式を適用している。
わゆる、有磁場マイクロ波エッチング装置の構成につい
て図１および図２により説明する。なお、ウエハ１の静
電吸着は、モノポ−ル方式を適用している。
【００１６】図１において、ウエハ１のエッチングは、
放電管２内に導入したプロセスガス３をマイクロ波４と
ソレノイド５による磁場の相互作用によりプラズマ６化
し、さらに、下部電極７に高周波電源８により高周波を
印加して、ウエハ１に入射するイオンのエネルギ−を制
御しながら行う。ウエハ１のエッチングが終了すると該
エッチング済みウエハ１は、ウエハ押し上げ装置９の作
動により下部電極７から搬送装置に（図示省略）渡され
た後、該搬送装置により他の場所に搬送される。また、
下部電極７上には、電極１０表面にＡｌ2Ｏ3を主成分と
した絶縁膜１１を設けた静電吸着電極１２が固定されて
おり、さらに、下部電極７と直流電源１３の間に高周波
を遮断するフィルタ１４を介してスイッチ１５が設けて
あり、スイッチ１５を端子１６と接続することにより静
電吸着電極１２に直流電圧を印加でき、端子１７と接続
することにより静電吸着電極１２を抵抗１８を介して接
地でき、端子１９と接続することにより静電吸着電極１
２を他の回路と遮断できるようにしてある。
放電管２内に導入したプロセスガス３をマイクロ波４と
ソレノイド５による磁場の相互作用によりプラズマ６化
し、さらに、下部電極７に高周波電源８により高周波を
印加して、ウエハ１に入射するイオンのエネルギ−を制
御しながら行う。ウエハ１のエッチングが終了すると該
エッチング済みウエハ１は、ウエハ押し上げ装置９の作
動により下部電極７から搬送装置に（図示省略）渡され
た後、該搬送装置により他の場所に搬送される。また、
下部電極７上には、電極１０表面にＡｌ2Ｏ3を主成分と
した絶縁膜１１を設けた静電吸着電極１２が固定されて
おり、さらに、下部電極７と直流電源１３の間に高周波
を遮断するフィルタ１４を介してスイッチ１５が設けて
あり、スイッチ１５を端子１６と接続することにより静
電吸着電極１２に直流電圧を印加でき、端子１７と接続
することにより静電吸着電極１２を抵抗１８を介して接
地でき、端子１９と接続することにより静電吸着電極１
２を他の回路と遮断できるようにしてある。
【００１７】一方、エッチングされるウエハ１の冷却
は、スイッチ１５を端子１６と接続して絶縁膜１１とウ
エハ１間に直流電圧を印加した後、前述した方法により
プラズマ６を生成することにより生じる静電吸着力によ
りウエハ１を支持した状態で、Ｈｅガス２０をマスフロ
−コントロ−ラ２１により流量を調整して、バルブ２２
を開いて冷却ガス導入配管２３を通してウエハ１裏面に
導入することにより行う。そして、処理が終了するとＨ
ｅガス２０をバルブ２４を開いて真空ポンプ２５により
排気し、圧力計２６により検出される圧力が処理室２７
内と同圧力になるとスイッチ１５を端子１７と接続する
ことにより、絶縁膜１１の両端を接地して残留吸着力を
低減する。その後、プラズマ６を消滅して、ウエハ１の
搬送を行う。
は、スイッチ１５を端子１６と接続して絶縁膜１１とウ
エハ１間に直流電圧を印加した後、前述した方法により
プラズマ６を生成することにより生じる静電吸着力によ
りウエハ１を支持した状態で、Ｈｅガス２０をマスフロ
−コントロ−ラ２１により流量を調整して、バルブ２２
を開いて冷却ガス導入配管２３を通してウエハ１裏面に
導入することにより行う。そして、処理が終了するとＨ
ｅガス２０をバルブ２４を開いて真空ポンプ２５により
排気し、圧力計２６により検出される圧力が処理室２７
内と同圧力になるとスイッチ１５を端子１７と接続する
ことにより、絶縁膜１１の両端を接地して残留吸着力を
低減する。その後、プラズマ６を消滅して、ウエハ１の
搬送を行う。
【００１８】また、下部電極７には、ウエハ１裏面と処
理室２７を連通する絶縁パイプ２８により電極１０と絶
縁されたＨｅガス抜き孔２９とこの孔２９を非通電時開
放するＯリング３０を有する蓋３１が設けてあり、さら
に、Ｈｅガス２０の排気管３２を非通電時開放するバル
ブ３３が冷却ガス導入配管２３と処理室２７の間に設け
てある。正常時は、例えばソレノイドを用いたアクチュ
エ−タ３４により蓋３１は、下部電極７に押し付けられ
て、Ｈｅガス抜き孔２９は封止されており、さらに、バ
ルブ３３も閉じており、冷却ガス導入配管２３と処理室
２７は遮断されている。しかし、停電等の異常時には逆
に蓋３１、バルブ３３が開き、ウエハ１裏面、冷却ガス
導入配管２３内に残留するＨｅガス２０を処理室２７と
の差圧により処理室２７に排出する。
理室２７を連通する絶縁パイプ２８により電極１０と絶
縁されたＨｅガス抜き孔２９とこの孔２９を非通電時開
放するＯリング３０を有する蓋３１が設けてあり、さら
に、Ｈｅガス２０の排気管３２を非通電時開放するバル
ブ３３が冷却ガス導入配管２３と処理室２７の間に設け
てある。正常時は、例えばソレノイドを用いたアクチュ
エ−タ３４により蓋３１は、下部電極７に押し付けられ
て、Ｈｅガス抜き孔２９は封止されており、さらに、バ
ルブ３３も閉じており、冷却ガス導入配管２３と処理室
２７は遮断されている。しかし、停電等の異常時には逆
に蓋３１、バルブ３３が開き、ウエハ１裏面、冷却ガス
導入配管２３内に残留するＨｅガス２０を処理室２７と
の差圧により処理室２７に排出する。
【００１９】また、下部電極７は、サ−キュレ−タ３５
により冷媒３６を循環することにより所定の温度に温調
されている。
により冷媒３６を循環することにより所定の温度に温調
されている。
【００２０】次に、本発明の第１の実施例について正常
時、異常時のウエハ１裏面のＨｅガス２０の圧力と静電
吸着電極１２の残留吸着力の関係について図３、図４に
より説明する。
時、異常時のウエハ１裏面のＨｅガス２０の圧力と静電
吸着電極１２の残留吸着力の関係について図３、図４に
より説明する。
【００２１】まず、正常時については、図３に示すよう
にエッチング処理が終了するとウエハ１裏面のＨｅガス
２０をバルブ２４を開いて真空ポンプ２５により強制的
に排気するのでウエハ１裏面のＨｅガス２０の圧力は、
ｔ1秒後に処理室２７と同圧力となる。その後、プラズ
マ６を生成した状態でスイッチ１５を端子１７と接続す
ることにより、絶縁膜１１の両端を接地して残留吸着力
をｔ2秒で減少させ、ウエハ１を搬送する。なお、Ｈｅ
ガス２０を排気する時間ｔ1は非常に短く、排気の開始
と同時にスイッチ１５を端子１７と接続して残留吸着力
を除電することにより、さらにスル−プットの向上を図
ることができる。
にエッチング処理が終了するとウエハ１裏面のＨｅガス
２０をバルブ２４を開いて真空ポンプ２５により強制的
に排気するのでウエハ１裏面のＨｅガス２０の圧力は、
ｔ1秒後に処理室２７と同圧力となる。その後、プラズ
マ６を生成した状態でスイッチ１５を端子１７と接続す
ることにより、絶縁膜１１の両端を接地して残留吸着力
をｔ2秒で減少させ、ウエハ１を搬送する。なお、Ｈｅ
ガス２０を排気する時間ｔ1は非常に短く、排気の開始
と同時にスイッチ１５を端子１７と接続して残留吸着力
を除電することにより、さらにスル−プットの向上を図
ることができる。
【００２２】次に、異常時については、図４に示すよう
にウエハ１の処理中に異常が発生すると蓋３１、バルブ
３３が開き、ウエハ１裏面、冷却ガス導入配管２３内に
残留するＨｅガス２０が処理室２７との差圧により処理
室２７に排出され、正常時の排気時間ｔ1より長いｔ3秒
後に処理室２７と同圧力となる。よって、この間プラズ
マ６が消滅してもウエハ１が裏面のＨｅガス２０の圧力
により浮き上がらないようにスイッチ１５を端子１９と
接続して絶縁膜１１と直流電源１３を遮断して吸着力を
残留させる。
にウエハ１の処理中に異常が発生すると蓋３１、バルブ
３３が開き、ウエハ１裏面、冷却ガス導入配管２３内に
残留するＨｅガス２０が処理室２７との差圧により処理
室２７に排出され、正常時の排気時間ｔ1より長いｔ3秒
後に処理室２７と同圧力となる。よって、この間プラズ
マ６が消滅してもウエハ１が裏面のＨｅガス２０の圧力
により浮き上がらないようにスイッチ１５を端子１９と
接続して絶縁膜１１と直流電源１３を遮断して吸着力を
残留させる。
【００２３】次に、正常時、異常時の残留吸着力を測定
した結果を図５に示す。測定は、抵抗が約５×１０7Ω
の絶縁膜１１を用いて行った。この結果より、正常時の
残留吸着力は、約７秒後に約０．０２Ｎ／cm2まで低減
できており、スル−プットが低下するという問題を生じ
なかった。また、異常時の残留吸着力は、印加電圧に依
存するがプラズマ６が消滅して約１０秒後においても約
０．４Ｎ／cm2の吸着力が残留しており、この間にウエ
ハ１裏面、冷却ガス導入配管２３に残留するＨｅガス２
０を処理室２７に排出でき、ウエハ１の浮き上がりによ
るウエハ１のずれ、落下によりスル−プットが低下する
という問題を生じなかった。
した結果を図５に示す。測定は、抵抗が約５×１０7Ω
の絶縁膜１１を用いて行った。この結果より、正常時の
残留吸着力は、約７秒後に約０．０２Ｎ／cm2まで低減
できており、スル−プットが低下するという問題を生じ
なかった。また、異常時の残留吸着力は、印加電圧に依
存するがプラズマ６が消滅して約１０秒後においても約
０．４Ｎ／cm2の吸着力が残留しており、この間にウエ
ハ１裏面、冷却ガス導入配管２３に残留するＨｅガス２
０を処理室２７に排出でき、ウエハ１の浮き上がりによ
るウエハ１のずれ、落下によりスル−プットが低下する
という問題を生じなかった。
【００２４】しかし、異常時にプラズマ６が消滅した際
の残留吸着力は、絶縁膜１１の抵抗が低いほど速く減少
する傾向にあり、適用できる絶縁膜１１の抵抗には下限
がある。
の残留吸着力は、絶縁膜１１の抵抗が低いほど速く減少
する傾向にあり、適用できる絶縁膜１１の抵抗には下限
がある。
【００２５】次に、第２の実施例を適用したエッチング
装置の構成について図６により説明する。第１の実施例
と異なるのは、直流電源１３、スイッチ１５、絶縁膜１
１により構成される静電吸着回路に可変抵抗３７とコン
デンサ３８の並列回路を直列に設け、異常時にスイッチ
１５により直流電源１３と絶縁膜１１を並列回路を介し
て接続するようにしたところである。
装置の構成について図６により説明する。第１の実施例
と異なるのは、直流電源１３、スイッチ１５、絶縁膜１
１により構成される静電吸着回路に可変抵抗３７とコン
デンサ３８の並列回路を直列に設け、異常時にスイッチ
１５により直流電源１３と絶縁膜１１を並列回路を介し
て接続するようにしたところである。
【００２６】次に、正常時、異常時の残留吸着力を測定
した結果を図７に示す。測定は、抵抗が第１の実施例で
は適用できないさらに低い約５×１０5Ωの絶縁膜１１
を用い、可変抵抗３７の抵抗を１×１０7Ω、コンデン
サ３８の静電容量を３×１０~6Ｆとして行った。本実施
例では、絶縁膜１１の抵抗を第１の実施例に比べてさら
に低くできるので正常時の残留吸着力を瞬時に約０．０
２Ｎ／cm2まで低減でき、スル−プットをさらに向上で
きた。また、異常時の残留吸着力は、印加電圧に依存す
るが約１０秒後においても約０．４Ｎ／cm2の吸着力が
残留しており、第１の実施例と同様の効果が絶縁膜１１
の抵抗、ウエハ１の種類によらず得られた。 また、異
常時にプラズマ６が消滅した際の残留吸着力の減少の時
定数は、絶縁膜１１の抵抗により変化することができ、
抵抗値を最適化して、ウエハ１を裏面のＨｅガス２０が
排出されるまで浮き上がらないよう支持しても同様の効
果が得られる。
した結果を図７に示す。測定は、抵抗が第１の実施例で
は適用できないさらに低い約５×１０5Ωの絶縁膜１１
を用い、可変抵抗３７の抵抗を１×１０7Ω、コンデン
サ３８の静電容量を３×１０~6Ｆとして行った。本実施
例では、絶縁膜１１の抵抗を第１の実施例に比べてさら
に低くできるので正常時の残留吸着力を瞬時に約０．０
２Ｎ／cm2まで低減でき、スル−プットをさらに向上で
きた。また、異常時の残留吸着力は、印加電圧に依存す
るが約１０秒後においても約０．４Ｎ／cm2の吸着力が
残留しており、第１の実施例と同様の効果が絶縁膜１１
の抵抗、ウエハ１の種類によらず得られた。 また、異
常時にプラズマ６が消滅した際の残留吸着力の減少の時
定数は、絶縁膜１１の抵抗により変化することができ、
抵抗値を最適化して、ウエハ１を裏面のＨｅガス２０が
排出されるまで浮き上がらないよう支持しても同様の効
果が得られる。
【００２７】以上の実施例では、絶縁膜を接地し除電す
るようにしているが、ウエハを接地して除電するように
しても良い。
るようにしているが、ウエハを接地して除電するように
しても良い。
【００２８】また、以上の実施例では、ウエハ１の静電
吸着方法としてモノポ−ル方式について説明したが、ダ
イポ−ル方式についても同様に適用できる。
吸着方法としてモノポ−ル方式について説明したが、ダ
イポ−ル方式についても同様に適用できる。
【００２９】つまり、処理中に停電あるいは誤動作によ
り異常が生じて電源が遮断された場合、ダイポールへ通
電する静電吸着用の電源も遮断される。
り異常が生じて電源が遮断された場合、ダイポールへ通
電する静電吸着用の電源も遮断される。
【００３０】この電源の遮断により、静電吸着力の発生
が停止される。そして、その後の吸着力の残留期間中
に、上記したモノポール方式での場合と同様にしてウエ
ハ裏面の伝熱ガスが排出される。
が停止される。そして、その後の吸着力の残留期間中
に、上記したモノポール方式での場合と同様にしてウエ
ハ裏面の伝熱ガスが排出される。
【００３１】その後、絶縁膜やウエハが接地されて除電
される。
される。
【００３２】このようなダイポール方式でも、上記モノ
ポール方式での効果と同様の上記効果が得られる。
ポール方式での効果と同様の上記効果が得られる。
【００３３】更に、以上の実施例では、試料を真空処理
する装置として、有磁場マイクロ波エッチング装置を例
に採り説明したが、特にこれに限定されるものではな
い。
する装置として、有磁場マイクロ波エッチング装置を例
に採り説明したが、特にこれに限定されるものではな
い。
【００３４】つまり、他方式のエッチング装置や、プラ
ズマＣＶＤ装置，減圧ＣＶＤ装置，スパッタ装置，ＭＢ
Ｅ装置等の真空成膜装置や、イオン注入装置や、電子ビ
ーム照射・処理装置等の試料を真空処理する装置にも適
用できる。
ズマＣＶＤ装置，減圧ＣＶＤ装置，スパッタ装置，ＭＢ
Ｅ装置等の真空成膜装置や、イオン注入装置や、電子ビ
ーム照射・処理装置等の試料を真空処理する装置にも適
用できる。
【００３５】尚、これらの真空処理装置では、試料は、
冷却、または加熱されることで、真空処理期間中に所定
温度に制御される。
冷却、または加熱されることで、真空処理期間中に所定
温度に制御される。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、正常時、停電あるいは
誤動作により電源が遮断された場合等の異常時において
もスル−プットの低下を防止できる真空処理方法および
装置を提供することができる。
誤動作により電源が遮断された場合等の異常時において
もスル−プットの低下を防止できる真空処理方法および
装置を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施例を適用した有磁場マイク
ロ波エッチング装置の全体構成を示した図である。
ロ波エッチング装置の全体構成を示した図である。
【図２】図１の静電吸着電極の冷却ガス抜き孔近傍を示
した図である。
した図である。
【図３】本発明の第１の実施例の正常時の残留吸着力と
ウエハ裏面のガス圧力の関係を示した図である。
ウエハ裏面のガス圧力の関係を示した図である。
【図４】本発明の第１の実施例の異常時の残留吸着力と
ウエハ裏面のガス圧力の関係を示した図である。
ウエハ裏面のガス圧力の関係を示した図である。
【図５】本発明の第１の実施例の正常時、異常時の残留
吸着力の測定結果を示した図である。
吸着力の測定結果を示した図である。
【図６】本発明の第２の実施例を適用した有磁場マイク
ロ波エッチング装置の全体構成を示した図である。
ロ波エッチング装置の全体構成を示した図である。
【図７】本発明の第２の実施例の正常時、異常時の残留
吸着力の測定結果を示した図である。
吸着力の測定結果を示した図である。
１１…絶縁膜、 １２…静電吸着電極、１３…直流電
源、１５…スイッチ、１８…抵抗、２９…Ｈｅガス抜き
孔、３１…蓋、３２…排気管、３３…バルブ、３４…ア
クチュエ−タ、３７…可変抵抗、３８…コンデンサ。
源、１５…スイッチ、１８…抵抗、２９…Ｈｅガス抜き
孔、３１…蓋、３２…排気管、３３…バルブ、３４…ア
クチュエ−タ、３７…可変抵抗、３８…コンデンサ。
Claims (5)
- 【請求項１】試料を、絶縁膜との間に発生させた静電吸
着力により支持した状態で前記試料裏面に伝熱ガスを導
入して処理する真空処理方法において、 正常時には前記絶縁膜を接地して除電するステップと、 異常時には吸着力を残留させ、該残留期間中に前記試料
裏面の伝熱ガスを排出し、そして、前記絶縁膜を接地し
て除電するステップとを有することを特徴とする真空処
理方法。 - 【請求項２】請求項第１項記載の真空処理方法におい
て、異常時にスイッチにより前記絶縁膜と静電吸着用の
直流電源を遮断して吸着力を残留させることを特徴とす
る真空処理方法。 - 【請求項３】請求項第１項記載の真空処理方法におい
て、異常時にスイッチにより絶縁膜と静電吸着用の直流
電源を抵抗とコンデンサの並列回路を介して接続して吸
着力を残留させることを特徴とする真空処理方法。 - 【請求項４】試料を、絶縁膜との間に発生させた静電吸
着力により支持した状態で前記試料裏面に伝熱ガスを導
入して処理する真空処理装置において、 前記試料裏面、前記伝熱ガスの導入配管をそれぞれ前記
試料が処理される処理室と連通する非通電時開放する蓋
とバルブを設け、 静電吸着用の直流電源とスイッチと前記絶縁膜により構
成される静電吸着回路と並列に抵抗を設けたことを特徴
とする真空処理装置。 - 【請求項５】請求項第４項記載の真空処理装置におい
て、前記静電吸着回路に抵抗とコンデンサの並列回路を
直列に設けたことを特徴とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9824395A JPH08293486A (ja) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | 真空処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9824395A JPH08293486A (ja) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | 真空処理方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08293486A true JPH08293486A (ja) | 1996-11-05 |
Family
ID=14214528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9824395A Pending JPH08293486A (ja) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | 真空処理方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08293486A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003088338A1 (fr) * | 2002-04-17 | 2003-10-23 | Tokyo Electron Limited | Dispositif et procede de traitement au plasma |
| KR100431332B1 (ko) * | 2002-08-06 | 2004-05-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 설비의 냉각 가스 공급 장치 |
| KR100619581B1 (ko) * | 1999-07-28 | 2006-09-01 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 공정챔버의 정전기제거장치 |
| JP2006269854A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Tokyo Electron Ltd | 被処理基板の除電方法，基板処理装置，プログラム |
| JP2012204769A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Panasonic Corp | ドライエッチング装置 |
| KR101490415B1 (ko) * | 2008-02-15 | 2015-02-09 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 |
| KR20190031661A (ko) * | 2017-09-18 | 2019-03-27 | 주식회사 이에스티 | 대상체 들뜸 방지용 정전척 |
| JP2020161590A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電吸着装置及び除電方法 |
-
1995
- 1995-04-24 JP JP9824395A patent/JPH08293486A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4699061B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理基板の除電方法，基板処理装置，プログラム |
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| WO2020195959A1 (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電吸着装置及び除電方法 |
| KR20210137187A (ko) * | 2019-03-26 | 2021-11-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 정전 흡착 장치 및 제전 방법 |
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