JPH0549904A - 真空処理方法及び装置 - Google Patents
真空処理方法及び装置Info
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- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/006—Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
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Abstract
ング温度よりもさらに低い所定温度の冷媒で試料台を冷
却し、該試料台に試料を保持して、試料の裏面と試料台
の試料設置面との間に伝熱ガスを供給し、該伝熱ガス圧
力を制御して試料を所定の処理温度に合わせる。 【効果】装置を大掛かりにすることなく、試料温度を素
速く調整できる。
Description
に係り、特に半導体素子基板等の試料を異なる温度に制
御して真空処理するのに好適な真空処理方法及び装置に
関するものである。
処理するものとしては、特開昭59−76876号公報
に記載のような、真空容器中に配置された電極上に被エ
ッチング材(以下、「基板」と呼ぶ。)を配置し、真空
容器内に反応性ガスを導入するとともに該電極に電圧を
印加してガス放電を生じさせ、この放電ガスによって基
板をエッチングする際に、該エッチングを二つ以上の異
なる電極温度で行うようにしたものが知られている。
理する際に、MoSi2 とレジストとのエッチング選択比お
よび生産性という点から考えて基板温度を上げて(本従
来技術では60℃)エッチングを行ない、オーバーエッ
チングという点から考えて基板温度を下げて(本従来技
術では30℃)処理するというものである。具体的手段
としては、電極を高温の電極と低温の電極とに分け、高
温の電極側で基板のエッチングを行ない、該エッチング
が終ったら、低温の電極に該基板を移し換えてオーバー
エッチングを行なう。または、電極は1つで、基板を同
一電極上に配置したまま該電極の温度を高温と低温とに
切り換え可能とし、処理時の基板温度を高くして基板の
エッチングを行ない、その後、該エッチングが終ったら
基板温度を低くして基板のオーバーエッチングを行なう
というものである。
昭56−48132号公報がある。
の温度を二つ以上の異なる温度にするまでの時間や装置
の小型化という点について配慮されていなかった。すな
わち、複数の電極とする場合は、電極数が増えて装置が
大掛りとなると共に、所定の処理条件、すなわち、所定
温度にするまでの時間が掛っていた。また、同一の電極
で電極温度を所定温度まで変化させるには、電極の熱容
量が大きいために、やはり時間を要していた。
高速に制御することのできる真空処理方法及び装置を提
供することにある。
料を処理する装置において、エッチング温度よりもさら
に低い所定温度の冷媒で試料台を冷却する手段と、前記
試料台の試料設置面に前記試料を保持する手段と、該試
料設置面に保持された前記試料の裏面と前記試料台の試
料設置面との間に伝熱ガスを供給し、該伝熱ガス圧力を
前記試料の所定処理温度に合わせて制御する手段とを有
する装置とし、減圧下で試料を処理する方法において、
エッチング温度よりもさらに低い所定温度の冷媒で試料
台を冷却する工程と、前記試料台の試料設置面に前記試
料を保持する工程と、該試料設置面に保持された前記試
料の裏面と前記試料台の試料設置面との間に伝熱ガスを
供給し、該伝熱ガス圧力を前記試料の所定処理温度に合
わせて制御する工程と、前記所定温度に制御された試料
を処理する工程とを有する方法とすることにより、達成
される。
の冷媒により冷却される。試料は、冷却された試料台の
試料設置面に、例えば、静電吸着等により保持される。
このように保持された試料の温度は、次のようにして所
定の処理温度に制御される。
に、伝熱ガス、例えば、ヘリウムガス(GHe)等の熱伝
導性の良好なガスが供給される。該ガスの供給により試
料設置面と試料の裏面との間のガスの圧力は上昇する。
該ガスの圧力は、伝熱ガスの供給量を調節して行われ、
試料温度が所定の処理温度となるようなガス圧力で安定
させる。例えば、試料の処理温度がさらに低くなる場
合、伝熱ガスの供給量をさらに増加させる。これにより
試料設置面と試料の裏面との間のガス圧力は、初めの処
理温度に対応するガス圧力以上となる。これにより、熱
を伝えるガス分子の数が多くなり、より試料を冷却する
ことができる。該ガス圧力は、後の処理温度に対応する
ガス圧力に調節される。また、逆に、試料の処理温度が
高くなる場合、伝熱ガスの供給量を減少させる。これに
より試料設置面と試料の裏面との間のガス圧力は、初め
の処理温度に対応するガス圧力以下となる。これによ
り、熱を伝えるガス分子の数が少なくなり、試料の冷却
を抑えることができる。該ガス圧力は、後の処理温度に
対応するガス圧力に調節される。また、この場合、試料
温度の追従性を良くするために、試料台の試料設置面と
試料の裏面との間の伝熱ガスを排気し、伝熱ガスの供給
を停止またはその供給量を減量させる。これにより試料
設置面と試料の裏面との間のガス圧力はより速く低下す
る。その後、試料設置面と試料の裏面との間の伝熱ガス
の排出は停止される。
を保持した状態、つまり、試料設置面と試料の裏面との
間の隙間を小さくした状態(言い替えれば、伝熱ガスの
平均自由行程よりも該隙間を狭くした状態)で該隙間の
伝熱ガスのガス圧力を変えることで、試料と試料台との
間の熱通化率を変えることができ、試料台の温度はその
ままとし、試料の温度のみを異なる温度に高速に制御す
ることができる。
図により説明する。第1図はこの場合、平行平板式のド
ライエッチング装置を示す。真空処理室1の下部には、
試料6を配置するための試料台5が設けてある。試料台
5は、絶縁部材9によって真空処理室1から電気的に絶
縁されている。試料台5の上面には、誘電体膜7が形成
されている。試料6は、図示を省略した搬送装置によっ
て試料台5に搭載または試料台5から取り除かれる。試
料6は誘電体膜7を介して試料台5上に搭載される。試
料6周辺および試料台5側面には、該部分を覆うように
絶縁リング8が設置してある。真空処理室1内には、試
料台5に対向して上部電極2が設けてある。上部電極2
には、ガス導入管3を介して真空処理室1内に処理ガス
を導入するためのガス導入路が設けてある。また、真空
処理室1には、真空処理室1内を減圧排気するための真
空排気装置(この場合、ターボ分子ポンプ26およびメカ
ニカルブースターポンプ27とから成る)が、この場合、
真空処理室1の側面部に設けた排気口4を介して接続さ
れている。
電源12が接続され、また高周波遮断回路13を介して直流
電源14が接続されている。また、試料台5内には、冷媒
を循環するための流路が形成してあり、該流路には図示
を省略した温調機との間で冷媒を移送するための配管10
が接続してある。この循環される熱媒体は、一定温度に
制御されて試料台5に送られる。
体膜7を貫通して伝熱ガスの流路が形成してあり、該流
路には伝熱ガス供給ライン15が接続してある。伝熱ガ
ス、例えば、Heガスは、伝熱ガス供給ライン15に設け
られた流量制御器16および供給バルブ17を介して、誘電
体膜7上の試料6の裏面に供給される。試料6が配置さ
れる範囲の誘電体膜7には、伝熱ガスを通り易くした溝
が設けてある。該溝は、試料6の外周には達しない範囲
内に設けてある。これにより、試料6裏面の伝熱ガスの
圧力は、伝熱ガスライン15の圧力とほぼ同圧となるよう
にしてある。また、試料裏面の伝熱ガス圧力は真空処理
室1内の圧力よりも高くし、圧力差を設けることが望ま
しい。伝熱ガスライン15を通って供給された伝熱ガス
は、試料6と試料台5の試料設置面との間、すなわち、
試料6裏面と試料台5に形成された誘電体膜7の上との
間を通り、最終的には真空処理室1内に流出し排気され
る。
ルブ17との間には、絶対圧真空計18を設けると共に、伝
熱ガス排気ライン19を接続してある。伝熱ガス排気ライ
ン19には、排気バルブ20が設けてある。伝熱ガス排気ラ
イン19は、この場合、真空処理室1内を減圧排気する真
空排気装置に接続してある。
にモニタできるように絶対圧真空計18に接続してあると
共に、流量制御弁16,供給バルブ17および排気バルブ20
を制御可能にそれぞれに接続してある。制御装置25は、
また、伝熱ガス圧力と試料温度との関係を記憶してお
り、絶対圧真空計18による伝熱ガス供給ライン15の圧力
によって流量制御器16,供給バルブ17および排気バルブ
20を制御可能となっている。制御装置25に記憶される伝
熱ガス圧力と試料温度との関係は、前もって調べておい
た値で、この場合、試料台5を所定の一定温度の冷媒で
冷却し、該冷却された試料台5上に試料6を保持させ
て、該試料裏面に伝熱ガスを供給して調べた値である。
イパスラインで、22はバイパスライン21に設けたバルブ
で、23は伝熱ガス供給ライン15の供給バルブ17と流量制
御器16との間に接続した排気ラインで、24は排気ライン
23に設けたバルブである。バイパスライン21および排気
ライン23は、装置停止時等において、伝熱ガス供給源
(図示省略)の元バルブから供給バルブ17までの間の伝
熱ガス供給ライン15内に残留した伝熱ガスを排出するた
めのものである。
して使われる。図示を省略した搬送装置によって、試料
6は試料台5に配置される。真空処理室1内には、所定
流量の処理ガスがガス導入管3を介して供給される。ま
た、真空処理室1内は真空排気装置によって排気口4よ
り真空排気され、真空処理室1内の圧力は、真空処理室
1に設けられた絶対圧真空計(図示省略)および排気系
に設けられた制御弁(図示省略)により、所定の真空度
に制御される。その後、高周波電源12によって整合回路
11を介して高周波電力が試料台5に供給されると共に、
直流電源14によって高周波遮断回路13を介して直流電圧
が試料台5に供給される。この高周波電力の印加によっ
て真空処理室1内に放電が起こり、処理ガスがプラズマ
化されて、試料6のエッチング処理が始まる。
が発生し、試料6が誘電体膜7上に保持される。試料6
が誘電体膜7を介して試料台5に保持されると、伝熱ガ
ス供給ライン15を介して試料6裏面に伝熱ガスが供給さ
れる。一方、試料台5は一定温度の冷媒によって冷却さ
れている。これにより、プラズマ処理による試料6への
入熱は、試料6裏面の伝熱ガスおよび誘電体膜7を介し
て試料台5に伝熱し、そして試料台5に循環している冷
媒を介して、温調機(図示省略)で除去される。ここ
で、本実施例のように、試料6を静電吸着した場合は、
試料6と誘電体膜7との隙間を十分小さくでき、試料6
裏面の伝熱ガス圧力は、1Torr前後から10Torr前後の
範囲で使用することができる。すなわち、試料6裏面と
誘電体膜7上面との隙間の大部分(溝等を除く部分)は、
伝熱ガスの平均自由行程よりも狭く、この部分における
隙間は伝熱ガスの分子流領域となる。このため、伝熱量
は伝熱ガスの分子の数、すなわち、伝熱ガスの圧力で決
まり、第2図に示すように熱通過率は、試料6裏面の伝
熱ガス圧力にほぼ比例する結果と成る。したがって、試
料台の温度は温調機の性能によるが、温調機の最大能力
で試料台5の温度を下げておけば、試料6に入熱する熱
量に対しては、 (試料6の入熱量)=(試料6裏面の伝熱ガスの熱通過
率)×(試料6温度−試料台5温度) となる。ここで、試料台5に形成された誘電体膜7と試
料台5との温度差は無視できる程度である。
熱通過率との関係を用いることによって、試料の温度を
適切に制御することができる。例えば、試料台5は−6
0℃の冷媒によって冷却しておき、試料6を−30℃に
冷却して処理する場合、前もって実験により計測値また
は比例式を求め制御装置25に記憶させておく。これに
よって、この場合、−30℃という試料温度に対応する
伝熱ガスの圧力に、伝熱ガス供給ライン15から供給する
伝熱ガスの圧力が等しくなるように、制御装置25によっ
て絶対圧真空計18からの圧力値を読み取りながら流量制
御器16を制御し、伝熱ガス流量を調整して圧力を所定の
圧力値にする。これにより、試料6は設定された温度に
制御される。
面の伝熱ガス圧力が1〜10Torrの場合、熱通過率は、
50〜500程度で、時定数は20〜2秒程度であっ
た。また、試料温度を変化させる場合、圧力の制御時間
+時定数時間程度で、変化させたい温度の70%位に達
する。したがって、試料温度を所定温度に素速く変える
方法として、まず、低い温度に調整する場合、制御装置
25によって、排気弁20を閉じ、供給弁17を開いて流量制
御器16から伝熱ガスを最大流量流し、試料6裏面の伝熱
ガスの圧力の立上がりを早くして、伝熱量を大きくす
る。(なお、通常バルブ22および24は閉じたままであ
る。)その後、伝熱ガスの圧力を所定の圧力に戻し安定
させる。これにより素速く試料温度を所定温度まで下げ
ることができる。この温度での処理後または、処理中の
ある時間で、試料6をさらに低い温度に変える場合は、
上記と同様に行ない、さらに低い温度での所定の圧力で
安定させれば良い。
は、試料6裏面の伝熱ガスの圧力を下げる必要がある
が、静電吸着された試料6の裏面の伝熱ガス圧力は、試
料6裏面と誘電体膜7との隙間が小さくガスが逃げにく
くなっているため、伝熱ガスの供給を停止しても、圧力
降下は小さい。したがって、制御装置25によって流量制
御器16を絞り込むと共に、一旦、排気バルブ20を開にし
て伝熱ガス供給ライン15内の伝熱ガスを排気する。その
後、所定の圧力となる伝熱ガス流量を供給し、より低い
圧力で安定に保つ。これにより素速く試料温度を所定温
度まで上げることができる。なお、この場合は、試料6
への入熱を利用して温度上昇させる。
も、試料台の温度を変えることなく、試料6裏面の伝熱
ガス圧力を制御することによって、試料6の温度を任意
に、かつ高速に制御できる。これにより、処理中に試料
温度を高速に制御できるので、例えば、エッチングの終
点付近で、被エッチング材と下地との選択比を大きくす
る必要がある場合等、その時点で試料の温度を下げ選択
比を大きくできる等の効果がある。
温度を変化させる従来技術に比べ、十分早く試料温度を
制御できるので、低温技術を用いてより微細化された集
積回路を製作するための枚葉式ドライエッチングに好適
である。
る複数の試料台で試料を処理する必要がないため、試料
の搬送時間等が不要となりスループットが向上する。ま
た、試料台および冷却装置等が少なくて済むため、装置
が大掛かりにならず経済的である。
合においても良好に適用し得る。 (1)試料の温度を変更、制御して真空処理する場合。
ここで、真空処理としては、プラズマを利用して試料を
エッチング処理,CVD処理,クリーニング処理,アッ
シング処理,防食処理およびスパッタ処理するものに限
定されず、例えば、イオン打込み処理,真空蒸着処理,
MBE処理等のプラズマを利用しない他の真空処理も全
て含まれる。 (2)処理温度が異なる試料を同一の試料台に順次設置
し連続して真空処理する場合。例えば、0℃以下の異な
る処理温度で試料をμmオーダ以下の高精度プラズマエ
ッチング処理する場合。
4図により説明する。第3図はこの場合、マイクロ波プ
ラズマエッチング装置を示す。本図において第1図と同
符号は同一部材を示し、説明を省略する。本図が第1図
と異なるところは、真空処理室内でプラズマを発生させ
るための手段にマイクロ波を用いた点と、試料温度を計
測して伝熱ガス圧力を制御するフィードバック制御とし
た点である。
して設けた絶縁窓31を介して導波管32が取り付けてあ
る。導波管32の端部には、マイクロ波を発振するための
マグネトロン33が取り付けてある。試料台5上側の真空
処理室30外周には、真空処理室30内に磁界を発生させる
ためのソレノイドコイル34が設けてある。35は真空処理
室30内に処理ガス導入するためのガス導入管である。試
料台5には、試料6裏面から試料6の温度を検出する温
度検出センサ28(例えば、熱伝対,蛍光温度検出器等)
が設けてある。温度検出センサ28は、制御装置29に接続
してある。制御装置29は、温度検出センサ28からの検出
信号を受けて、流量制御器16を制御する。その他は前記
一実施例と同じ。
ロン33によってマイクロ波を発振させると共に、ソレノ
イドコイル34によって磁界を発生させることにより、真
空処理室30内に処理ガスのプラズマが発生する。プラズ
マ発生後は、前記一実施例と同様に試料台5に直流電圧
を印加し、試料6を静電吸着させて試料台5に保持す
る。なお、マイクロ波エッチング装置における試料台5
への高周波電力の印加は、試料6へのプラズマ中のイオ
ンの入射を制御するのに用いられる。試料台5に保持さ
れた試料6の裏面には、前記一実施例と同様に伝熱ガス
が供給される。
28によって検出した試料6の温度検出信号を入力し、試
料6の温度が所定の設定温度となるように流量制御器16
を制御して試料6裏面の伝熱ガス圧力を制御する。流量
制御器16の制御は、試料温度との関係で前記一実施例と
同様に制御される。
室温に比べて低い所定温度に設定してプラズマ処理する
場合(ケースI)には、a−b間は伝熱ガス流量を最大
にして圧力を上げ試料を速く冷却する。試料温度がほぼ
所定温度に達したb−c間では、伝熱ガス流量を下げて
安定させる。プラズマ処理を始めたc−d間では、プラ
ズマ処理による試料への入熱があるため、試料温度を検
出しながら伝熱ガス圧力を制御する。この場合、伝熱ガ
ス圧力は徐々に高くなる。
所定温度で試料をプラズマ処理する場合(ケースII)に
は、前述のケースIの場合と同様に行なえば良い。d−
e間はa−b間と同様に、e−f間はb−c間と同様
に、f−g間はc−d間と同様に行なう。
合(ケースIII)には、g−h間は伝熱ガスの供給を止
めると共に残留伝熱ガスを排気して試料の冷却を防ぎ、
真空処理室内の輻射熱等によって試料を昇温させる。ま
た、室温よりも高い温度に設定してあるこのような場合
は、プラズマからの入熱を利用して速く昇温させる。試
料温度がほぼ所定温度に達したh−i間では、伝熱ガス
流量を安定させる。プラズマ処理を始めたi−j間は、
前述のc−d間の制御と同様に行なう。プラズマ処理が
終り試料を室温に戻す必要がある場合はj−k間のよう
に伝熱ガスの圧力を上げて試料を冷却すれば良い。
様の効果があると共に、試料温度を検出しながら伝熱ガ
ス圧力を制御しているので、さらに精度の良い温度制御
が可能となる。
いて、直接に試料6の温度を測定するようにしたが、例
えば、誘電体膜7の体積固有抵抗値が温度によって変化
することを利用して、高周波遮断回路13と直流電源14と
の間に電流検出器を設け、電流検出器からの検出値が所
定値になるように伝熱ガス圧力を制御する、間接的な温
度測定による制御としても良い。
せることなく試料の温度のみを変化させることができる
ので、試料温度を異なる温度に高速に制御できる効果が
ある。
板式のドライエッチング装置を示す構成図である。
伝熱ガス圧力と該伝熱ガスの熱通過率との関係および、
伝熱ガス圧力と時定数との関係を示す図である。
クロ波エッチング装置を示す構成図である。
との関係を示した図である。
管、15…伝熱ガス供給ライン、16…流量制御器、18…絶
対圧真空計、25,29…制御装置、28…温度検出センサ。
Claims (8)
- 【請求項1】減圧下で試料を処理する方法において、エ
ッチング温度よりもさらに低い所定温度の冷媒で試料台
を冷却する工程と、前記試料台の試料設置面に前記試料
を保持する工程と、該試料設置面に保持された前記試料
の裏面と前記試料台の試料設置面との間に伝熱ガスを供
給し、該伝熱ガス圧力を前記試料の所定処理温度に合わ
せて制御する工程と、前記所定温度に制御された試料を
処理する工程とを有することを特徴とする真空処理方
法。 - 【請求項2】前記伝熱ガス圧力は、予め設定された試料
の処理温度と伝熱ガス圧力との関係によって制御される
請求項1記載の真空処理方法。 - 【請求項3】前記伝熱ガス圧力は、前記試料の温度を測
定し、該測定値によって制御される請求項1記載の真空
処理方法。 - 【請求項4】前記試料は、静電吸着により前記試料台に
保持される請求項1記載の真空処理方法。 - 【請求項5】減圧下で試料を処理する装置において、エ
ッチング温度よりもさらに低い所定温度の冷媒で試料台
を冷却する手段と、前記試料台の試料設置面に前記試料
を保持する手段と、該試料設置面に保持された前記試料
の裏面と前記試料台の試料設置面との間に伝熱ガスを供
給し、該伝熱ガス圧力を前記試料の所定処理温度に合わ
せて制御する手段とを具備したことを特徴とする真空処
理装置。 - 【請求項6】前記制御手段は、前記伝熱ガス圧力と前記
試料温度との関係を記憶している請求項5記載の真空処
理装置。 - 【請求項7】前記試料台は前記試料の温度を検出する手
段を有し、前記制御手段は該検出手段からの試料温度に
よって前記伝熱ガス圧力を制御する請求項5記載の真空
処理装置。 - 【請求項8】前記試料台は、前記試料の配置面に絶縁膜
を有し、直流電圧が印加される請求項5記載の真空処理
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3160203A JP2630118B2 (ja) | 1990-07-02 | 1991-07-01 | 真空処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17275790 | 1990-07-02 | ||
JP2-172757 | 1990-07-02 | ||
JP3160203A JP2630118B2 (ja) | 1990-07-02 | 1991-07-01 | 真空処理方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0549904A true JPH0549904A (ja) | 1993-03-02 |
JP2630118B2 JP2630118B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=26486757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3160203A Expired - Lifetime JP2630118B2 (ja) | 1990-07-02 | 1991-07-01 | 真空処理方法及び装置 |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP2630118B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100391863B1 (ko) * | 1996-10-29 | 2003-10-17 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 시료탑재대의온도제어장치및방법 |
US6695946B2 (en) * | 2001-04-18 | 2004-02-24 | Applied Materials Inc. | Cooling system |
JP2008112751A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-15 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャックの診断方法、真空処理装置及び記憶媒体 |
JP2017011255A (ja) * | 2015-06-23 | 2017-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング処理方法及びプラズマ処理装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02110927A (ja) * | 1989-09-27 | 1990-04-24 | Hitachi Ltd | 真空処理装置の試料保持方法 |
JPH02110926A (ja) * | 1989-09-27 | 1990-04-24 | Hitachi Ltd | 試料の温度制御方法及び装置 |
JPH02110925A (ja) * | 1989-09-27 | 1990-04-24 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
JPH02119131A (ja) * | 1989-09-27 | 1990-05-07 | Hitachi Ltd | 試料の温度制御方法及び装置 |
-
1991
- 1991-07-01 JP JP3160203A patent/JP2630118B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02110927A (ja) * | 1989-09-27 | 1990-04-24 | Hitachi Ltd | 真空処理装置の試料保持方法 |
JPH02110926A (ja) * | 1989-09-27 | 1990-04-24 | Hitachi Ltd | 試料の温度制御方法及び装置 |
JPH02110925A (ja) * | 1989-09-27 | 1990-04-24 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
JPH02119131A (ja) * | 1989-09-27 | 1990-05-07 | Hitachi Ltd | 試料の温度制御方法及び装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100391863B1 (ko) * | 1996-10-29 | 2003-10-17 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 시료탑재대의온도제어장치및방법 |
US6695946B2 (en) * | 2001-04-18 | 2004-02-24 | Applied Materials Inc. | Cooling system |
JP2008112751A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-15 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャックの診断方法、真空処理装置及び記憶媒体 |
JP2017011255A (ja) * | 2015-06-23 | 2017-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング処理方法及びプラズマ処理装置 |
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JP2630118B2 (ja) | 1997-07-16 |
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