JP4906425B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4906425B2 JP4906425B2 JP2006202715A JP2006202715A JP4906425B2 JP 4906425 B2 JP4906425 B2 JP 4906425B2 JP 2006202715 A JP2006202715 A JP 2006202715A JP 2006202715 A JP2006202715 A JP 2006202715A JP 4906425 B2 JP4906425 B2 JP 4906425B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refrigerant
- sample
- sample stage
- space
- plasma processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
108から試料台2上方の空間に導入される。
108と真空容器4内の試料台2上方で試料載置面と対抗して配置され電界供給手段3を構成する円板状の導電性部材から構成されたアンテナ105の下面との間の空間であって上記円板の面方向に延在する空間106内に導入され、この空間106内でガスが面方向に分散して複数の貫通孔108から試料載置面の方向(下方)に略均等に流入する。
17が配置されている。この拡散空間17は、分散板43と試料台2の下面を構成する部材との間に形成された空間となっている。この拡散空間17に流入し拡散した冷媒は、略円板形状の分散板43上面と分散板とを連通して分散板43を貫通する複数の冷媒導入孔18を通して分散板43上面と試料台2内部の円筒形空間の上面との間に形成された第2の空間に流入する。なお、図1,図2において、符号26に代表される破線の矢印は、冷媒の流れる方向を示している。
(High Aspect Ratio Contact) エッチングでは、高速加工が要求されるため、特に大電力の高周波電力を被加工試料7に印加する必要がある。このような高アスペクトの深孔形成の際に本発明を適用することで、高精度で均一な温度制御が可能となり、高速加工と加工精度の向上を図ることができる。
19と試料載置面との間の試料台2の部材の厚さを、構造的な強度の低下を抑えつつ実効的に薄くすることができ、熱容量を低くおさえることができる。この熱容量を低くすることで、冷媒温度の変化に高速に対応して試料温度を制御することが可能となる。
31により分散空間19及び分散板43、さらに下方の拡散空間17を貫通して上部材
2a及び下部材2bとを締結し、これらを連結する構成となっている。このような構成により、試料台2の構造的強度が増加される。
33,分散板43を貫通して、分散空間19上方の上部材2aにねじ込まれる。
19上面を構成する試料台2の上部材2aの各々の放射状冷却溝32の凹み内表面と衝突し、この上部材2aと熱交換する。この結果、蒸発して気化した冷媒が生じるが、この熱交換した冷媒が上部材2a表面に滞留していると他の液状態の冷媒の熱交換を阻害してしまい熱交換の効率を低下させてしまうため、効率よく熱交換後の冷媒を試料台2の外周側の冷媒流出口13に排出する必要がある。
19に面する下表面の略円形またはリング状の領域に放射状冷却溝32を備えている。さらに、その放射状冷却溝32の外周側の略リング状の領域の試料台2の下表面に放射状冷却溝36を複数備えている。すなわち、本実施例で冷媒の搬送通路を同心状に2重に配置している。また、これら中心側の領域と外周側の領域の冷媒溝の間に、リング状の溝であるスリット35が配置されており、両者の間の熱の伝達を抑制してこれらの領域での上下方向の熱の伝達が大きくなるように構成されている。
24を併用することでより広域な温度分布制御が可能なことは言うまでもない。
20…ヒーター、21…温度センサ、22…温度制御装置、23…内側ヒーター、24…外側ヒーター、25,35…スリット、26…冷媒の流れ、27…ヒーター電源、28…低域通過フィルタ、29…冷却溝、30…固定用梁、31…梁固定用ボルト、32,36…放射状冷却溝、33…梁固定用ボルト孔、34,37…開口、38…リング状仕切り、43…分散板、44…外周空間。
Claims (7)
- 真空容器と、この真空容器内部に配置されて上部に試料が載置される試料載置面を有した試料台とを備え、前記処理室内にプラズマを形成して前記試料載置面上に載置された試料を処理するプラズマ処理装置であって、
前記試料台は、その内部に蒸発してこの試料台の温度を調節するための冷媒が供給される蒸発器として冷凍サイクルの一部を構成して配置され、
前記試料台内部に配置され内部に冷媒が供給されて分散するとともに蒸発する分散空間と、前記試料載置面と対向して配置された前記分散空間の天井面と、前記分散空間の下方に配置されその上面の複数箇所に前記冷媒が前記前記天井面へ向かって流出する複数の冷媒導入孔を有した円板状部材とを備え、
前記円板状部材がその内部に前記冷媒導入孔と連通して配置され前記冷媒が供給されて拡散する拡散空間を有し、前記分散空間は前記天井面と前記円板状部材の上面との間に挟まれた高さの小さな空間であって前記流出した冷媒が前記天井面に吹き付けられ分散しつつ蒸発する分散空間であり、
この分散空間の外周側に位置して前記円板状部材の外周を囲んで配置され前記分散空間で分散した冷媒が流入する高さの大きなリング状空間とを有し、前記リング状空間の下部でこれに連通して配置され前記冷媒が排出される排出口とを備えたプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置であって、前記天井面に配置され前記冷媒がその内側に導入される複数の凹み部を備えたプラズマ処理装置。
- 請求項2に記載のプラズマ処理装置であって、前記冷媒導入孔から供給される前記冷媒が前記凹み部の内部に直接的に導入されるプラズマ処理装置。
- 請求項2または3に記載のプラズマ処理装置であって、前記複数の凹み部が前記試料台の中心側から外周側に放射状に延びる複数の溝により構成されたプラズマ処理装置。
- 請求項4に記載のプラズマ処理装置において、前記放射状に延びる溝はその前記試料台外周側の幅が中心側の幅より大きな形状を有し、この溝内に供給された前記冷媒が前記試料台の中心側から外周側に向けて移動するプラズマ処理装置。
- 前記1乃至5のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記試料載置面とこの上に載せられた前記試料との間に熱伝達ガスを供給するための供給経路を備えたプラズマ処理装置。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記試料台の内部で熱交換した後に外部に排出された前記冷媒を圧縮する圧縮機と、この圧縮機からの前記冷媒を凝縮する凝縮器とを有し、前記試料台を前記凝縮器から排出された冷媒が蒸発する蒸発器として備えた冷凍サイクルを備えたプラズマ処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006202715A JP4906425B2 (ja) | 2006-07-26 | 2006-07-26 | プラズマ処理装置 |
US11/512,081 US7771564B2 (en) | 2006-07-26 | 2006-08-30 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006202715A JP4906425B2 (ja) | 2006-07-26 | 2006-07-26 | プラズマ処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008034408A JP2008034408A (ja) | 2008-02-14 |
JP2008034408A5 JP2008034408A5 (ja) | 2009-07-09 |
JP4906425B2 true JP4906425B2 (ja) | 2012-03-28 |
Family
ID=38984961
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006202715A Expired - Fee Related JP4906425B2 (ja) | 2006-07-26 | 2006-07-26 | プラズマ処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7771564B2 (ja) |
JP (1) | JP4906425B2 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040149219A1 (en) * | 2002-10-02 | 2004-08-05 | Tomohiro Okumura | Plasma doping method and plasma doping apparatus |
JP4906425B2 (ja) * | 2006-07-26 | 2012-03-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
DE102007026349A1 (de) * | 2007-06-06 | 2008-12-11 | Aixtron Ag | Aus einer Vielzahl diffusionsverschweißter Scheiben bestehender Gasverteiler |
CN101842877B (zh) * | 2007-10-31 | 2012-09-26 | 朗姆研究公司 | 用于半导体处理室的温度控制模块及控制元件温度的方法 |
JP2009204288A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Nishiyama Corp | 冷却装置 |
JP5382602B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2014-01-08 | 住友電気工業株式会社 | ウエハ保持体および半導体製造装置 |
JP5210706B2 (ja) | 2008-05-09 | 2013-06-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR101514098B1 (ko) * | 2009-02-02 | 2015-04-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치와 온도 측정 방법 및 장치 |
US8042351B2 (en) | 2009-11-13 | 2011-10-25 | Echostar Technologies Llc | Systems and methods for providing air conditioning to an electronic component in a satellite antenna installation |
JP5401286B2 (ja) * | 2009-12-04 | 2014-01-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料台の温度制御機能を備えた真空処理装置及びプラズマ処理装置 |
US9978565B2 (en) * | 2011-10-07 | 2018-05-22 | Lam Research Corporation | Systems for cooling RF heated chamber components |
KR101276262B1 (ko) * | 2011-11-21 | 2013-06-20 | 피에스케이 주식회사 | 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법 |
JP5863582B2 (ja) * | 2012-07-02 | 2016-02-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、及び温度制御方法 |
WO2014116392A1 (en) * | 2013-01-25 | 2014-07-31 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with concentric cooling base |
TW201518538A (zh) * | 2013-11-11 | 2015-05-16 | Applied Materials Inc | 像素化冷卻溫度控制的基板支撐組件 |
US9034771B1 (en) * | 2014-05-23 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Cooling pedestal for dicing tape thermal management during plasma dicing |
KR101563495B1 (ko) * | 2014-07-31 | 2015-10-27 | 한국에너지기술연구원 | 광-전자적 측정 시에 샘플의 온도를 제어하는 장치 및 이를 이용한 태양전지 측정 장치 |
CN107078092B (zh) | 2014-10-30 | 2021-02-05 | 东京毅力科创株式会社 | 基板载置台 |
JP6982394B2 (ja) * | 2017-02-02 | 2021-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 被加工物の処理装置、及び載置台 |
CN107841727A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-03-27 | 北京创昱科技有限公司 | 一种冷却构件及真空镀膜设备 |
JP7066438B2 (ja) * | 2018-02-13 | 2022-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 冷却システム |
JP7101024B2 (ja) * | 2018-04-03 | 2022-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 温調システム |
JP7112915B2 (ja) * | 2018-09-07 | 2022-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 温調システム |
JP7458156B2 (ja) * | 2019-08-22 | 2024-03-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2512783B2 (ja) * | 1988-04-20 | 1996-07-03 | 株式会社日立製作所 | プラズマエッチング方法及び装置 |
EP0491503A3 (en) * | 1990-12-19 | 1992-07-22 | AT&T Corp. | Method for depositing metal |
KR100188454B1 (ko) * | 1991-05-28 | 1999-06-01 | 이노우에 아키라 | 기판 처리 장치 |
US5427670A (en) * | 1992-12-10 | 1995-06-27 | U.S. Philips Corporation | Device for the treatment of substrates at low temperature |
JPH09157846A (ja) * | 1995-12-01 | 1997-06-17 | Teisan Kk | 温度調節装置 |
US5748435A (en) * | 1996-12-30 | 1998-05-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling backside gas pressure beneath a semiconductor wafer |
JP3965258B2 (ja) * | 1999-04-30 | 2007-08-29 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用のセラミックス製ガス供給構造 |
US6474986B2 (en) * | 1999-08-11 | 2002-11-05 | Tokyo Electron Limited | Hot plate cooling method and heat processing apparatus |
US6450805B1 (en) * | 1999-08-11 | 2002-09-17 | Tokyo Electron Limited | Hot plate cooling method and heat processing apparatus |
KR20010111058A (ko) * | 2000-06-09 | 2001-12-15 | 조셉 제이. 스위니 | 전체 영역 온도 제어 정전기 척 및 그 제조방법 |
JP2002134417A (ja) * | 2000-10-23 | 2002-05-10 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
US6581275B2 (en) * | 2001-01-22 | 2003-06-24 | Applied Materials Inc. | Fabricating an electrostatic chuck having plasma resistant gas conduits |
US6656838B2 (en) * | 2001-03-16 | 2003-12-02 | Hitachi, Ltd. | Process for producing semiconductor and apparatus for production |
US6506291B2 (en) * | 2001-06-14 | 2003-01-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with multilevel heat transfer mechanism |
KR100389449B1 (ko) * | 2001-06-26 | 2003-06-27 | 주성엔지니어링(주) | 대칭형 유로블럭을 가지는 진공판 |
US20030168174A1 (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-11 | Foree Michael Todd | Gas cushion susceptor system |
US7195693B2 (en) * | 2002-06-05 | 2007-03-27 | Advanced Thermal Sciences | Lateral temperature equalizing system for large area surfaces during processing |
WO2004025199A1 (ja) * | 2002-09-10 | 2004-03-25 | Tokyo Electron Limited | 処理装置,および,処理装置のメンテナンス方法 |
US7347901B2 (en) * | 2002-11-29 | 2008-03-25 | Tokyo Electron Limited | Thermally zoned substrate holder assembly |
JP2005079539A (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-24 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2005085803A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Shinwa Controls Co Ltd | サセプタ |
JP4191120B2 (ja) | 2004-09-29 | 2008-12-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP4906425B2 (ja) * | 2006-07-26 | 2012-03-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
-
2006
- 2006-07-26 JP JP2006202715A patent/JP4906425B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-30 US US11/512,081 patent/US7771564B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008034408A (ja) | 2008-02-14 |
US7771564B2 (en) | 2010-08-10 |
US20080023147A1 (en) | 2008-01-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4906425B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
TWI445124B (zh) | A substrate stage, a substrate processing apparatus, and a substrate to be processed | |
US20110180233A1 (en) | Apparatus for controlling temperature uniformity of a showerhead | |
US20080053958A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
US20080289767A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
US20160169593A1 (en) | Apparatus for controlling temperature uniformity of a substrate | |
JP2008187063A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH01251735A (ja) | 静電チャック装置 | |
JP2008186856A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
US20080073032A1 (en) | Stage for plasma processing apparatus, and plasma processing apparatus | |
US20030089457A1 (en) | Apparatus for controlling a thermal conductivity profile for a pedestal in a semiconductor wafer processing chamber | |
JP5416748B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2005089864A (ja) | プラズマ処理装置 | |
US8034181B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP2010272873A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
US11244839B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
US20040085706A1 (en) | Electrostatic chuck, supporting table and plasma processing system | |
JP3910925B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2011040528A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2002305188A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
JP2010010231A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR20210004056A (ko) | 샤워 헤드 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템 | |
JPH1022263A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
US11869799B2 (en) | Temperature adjustment system | |
CN112750676A (zh) | 一种等离子体处理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090513 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090513 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090513 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110330 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110405 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110603 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110802 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111003 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111213 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120110 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150120 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |