JP2008187063A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
試料台またはその上に配置された試料の温度を広い範囲で短時間に変化させ処理の効率を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
真空排気手段を有する真空容器内に配置された処理室と、この処理室内に配置されその上部の載置面に処理対象の試料が載置される試料台と、この処理室内に処理用のガスを供給する供給手段と、この試料台内部に配置され内部を通流する冷媒が蒸発する複数の冷媒流路と、圧縮機と凝縮器と膨張弁と前記複数の冷媒通路とをこの順で管路により連結して構成された冷凍サイクルとを備えて前記試料台の温度を調節しつつ前記試料をプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記複数の冷媒流路の異なる流路に選択的に前記冷媒を通流させて前記試料台の冷却を調節する。
【選択図】図1
Description
(特許文献1)あるいは特開2005−89864号公報(特許文献2)に記載のものが知られている。これらの従来技術は、直膨式の試料台の冷却装置を備えることにより、処理時における入熱が増大した場合でも半導体ウエハの温度を高効率かつ高速に所望の値に調節しようとする技術である。
100およびこの内部の下部に配置された試料台2と、この試料台2を構成要素として有して試料台2の温度を調節するための冷媒を試料台2に供給する冷凍サイクル102およびこれらの動作の制御装置101により構成されている。より詳細には、試料台2の金属等の高い熱伝導性及び導電性を有する基材内には冷媒が内部を通流する冷媒の流路が形成され、その上方に配置され内部にヒータ5が配置されている。
101は、フィートフォワード制御やフィードバック制御により試料Wまたは試料台2の温度を使用者の所望の値に調節するために、温度センサ11からの出力や通信可能に配置された図示しない記憶装置に収納されたデータ,演算器による演算結果等に基づいて検出した動作指令の信号を上記各箇所に発信する。
14を配置している。この気化器14は、試料台2から排出されて気化が不十分であった冷媒を圧縮機8へ流入前に気化させる。これにより、液状態の冷媒による圧縮機8の破損と冷凍サイクル102の出力低下を防ぐようにした。気化器14の例としてはヒータ付のサクションタンクなどが考えられる。
23にUHFまたはVHF帯の周波数の電力がアンテナ電源21から供給されて処理室
100内にアンテナ23から電界が供給され、この電界により処理室100内に供給された処理用ガスを用いてプラズマが生成される。
−50〜70℃程度である。
−20〜150℃程度の範囲で任意に調節することが求められる。この場合には、上記冷媒R410の温度範囲の例のものよりも高温を実現することが必要となる。
24は、その上面に略円形の絶縁体膜1が配置されその外周側の上部基材24上面に試料Wの外周を囲むサセプタリング24aが配置されている。
102や各電源に発信することで、圧縮機8,膨張弁10,ヒータ5の動作を調節して、冷媒の流量,蒸発温度、及びヒータ5の加熱量を調節して行われる。本実施例では、エッチング初期のステップ502においてはW−Bが低くされており、この際には冷媒副流路4のみが選択されてこれに冷媒の供給を行うことで試料Wの温度が調節される。
図3に本発明の実施例の変形例を示す。図3は、図1に示す実施例の変形例に係るプラズマ処理装置の試料台の構成の概略を示す断面図である。
2 試料台
3 冷媒主流路
4 冷媒副流路
5 ヒータ
6 供給口
7 排出口
8 圧縮機
9 凝縮器
10 膨張弁
11 温度センサ
12 流量弁
13 冷媒用温度センサ
14 気化器
15 圧力調節弁
20 真空排気系
21 アンテナ電源
22 バイアス電源
100 処理室
101 制御装置
W 試料
Claims (9)
- 真空排気手段を有する真空容器内に配置された処理室と、この処理室内に配置されその上部の載置面に処理対象の試料が載置される試料台と、この処理室内に処理用のガスを供給する供給手段と、この試料台内部に配置され内部を通流する冷媒が蒸発する複数の冷媒流路と、圧縮機と凝縮器と膨張弁と前記複数の冷媒通路とをこの順で管路により連結して構成された冷凍サイクルとを備えて前記試料台の温度を調節しつつ前記試料をプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、
前記複数の冷媒流路の異なる流路に選択的に前記冷媒を通流させて前記試料台の冷却を調節するプラズマ処理装置。 - 真空排気手段を有する真空容器内に配置された処理室と、この処理室内に配置されその上部の載置面に処理対象の試料が載置される試料台と、この処理室内に処理用のガスを供給する供給手段と、この試料台内部に配置され内部を通流する冷媒が蒸発する複数の冷媒流路と、圧縮機と凝縮器と膨張弁と前記複数の冷媒通路とをこの順で管路により連結して構成された冷凍サイクルとを備えて前記試料台の温度を調節しつつ前記試料をプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、
前記試料の異なる処理で複数の冷媒流路のうちの少なくとも1つの流路に選択的に前記冷媒を通流させるプラズマ処理装置。 - 前記プラズマから試料に供給される熱量に応じて前記異なる流路に選択的に冷媒を通流させる請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記異なる処理によって異なる前記プラズマから試料に供給される熱量に応じて前記選択的な前記冷媒の通流を行う請求項2にプラズマ処理装置。
- 前記選択的に前記冷媒が通流する冷媒流路の冷媒による熱通過が他の冷媒流路の熱通過と異なった請求項1乃至4のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記選択的に前記冷媒が通流する冷媒流路は、その内壁面と前記載置面との距離が他の少なくとも1つの冷媒流路と異なった請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- 前記選択的に前記冷媒が通流する冷媒流路は、その断面積が他の少なくとも1つの冷媒流路と異なった請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- 真空排気手段を有する真空容器内に配置された処理室と、この処理室内に配置されその上部の載置面に処理対象の試料が載置される試料台と、この処理室内に処理用のガスを供給する供給手段と、この試料台内部に配置され内部を通流する冷媒が蒸発する冷媒流路と、圧縮機と凝縮器と膨張弁と前記冷媒通路とをこの順で管路により連結して構成された冷凍サイクルとを備えて前記試料台の温度を調節しつつ前記試料をプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、
前記冷媒流路が異なる断面積を有する複数の凹みを備えて構成され、これらの凹みに選択的に前記冷媒を通流させて前記試料台の冷却を調節するプラズマ処理装置。 - 前記試料台内部に供給される前記冷媒の温度と前記試料台から排出される前記冷媒の温度との差を検出した結果に基づいて前記冷媒流路への冷媒の供給量を調節する請求項1乃至8に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007020305A JP4969259B2 (ja) | 2007-01-31 | 2007-01-31 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007020305A JP4969259B2 (ja) | 2007-01-31 | 2007-01-31 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008187063A true JP2008187063A (ja) | 2008-08-14 |
JP4969259B2 JP4969259B2 (ja) | 2012-07-04 |
Family
ID=39729895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007020305A Expired - Fee Related JP4969259B2 (ja) | 2007-01-31 | 2007-01-31 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4969259B2 (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100129 |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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