JP2020013931A - 載置台及び電極部材 - Google Patents

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Abstract

【課題】被処理体及びエッジリングを載置する載置台において抜熱量を調整することを提供する。【解決手段】被処理体及びエッジリングを載置する載置台であって、前記載置台の内部にて流体を流す第１の流路及び第２の流路と、前記第１の流路の入口と前記第２の流路の入口とを連結する分岐部と、前記第１の流路の出口と前記第２の流路の出口とを連結する合流部と、前記分岐部又は前記合流部の少なくともいずれかに設けられ、前記第１の流路と前記第２の流路とに連通する開口部を有する部材と、を備える載置台が提供される。【選択図】図３

Description

本開示は、載置台及び電極部材に関する。
特許文献１は、載置台内の流路を、流路配管に設けた開閉弁の操作で切り替える。特許文献２は、載置台内の中央部と外周部の流路に流れる熱媒体の量又は混合比を制御する。これらの文献では、載置台に載置されるウエハの載置面の中央部と周辺部の温度を制御することを提案している。
特開２００６−２８６７３３号公報 特開２００９−１１７４４３号公報
本開示は、被処理体及びエッジリングを載置する載置台において抜熱量を調整することができる技術を提供する。
本開示の一の態様によれば、被処理体及びエッジリングを載置する載置台であって、前記載置台の内部にて流体を流す第１の流路及び第２の流路と、前記第１の流路の入口と前記第２の流路の入口とを連結する分岐部と、前記第１の流路の出口と前記第２の流路の出口とを連結する合流部と、前記分岐部又は前記合流部の少なくともいずれかに設けられ、前記第１の流路と前記第２の流路とに連通する開口部を有する部材と、を備える載置台が提供される。
一の側面によれば、被処理体及びエッジリングを載置する載置台において抜熱量を調整することができる。
一実施形態に係る載置台を含む基板処理装置の一例を示す図。 一実施形態に係る載置台の流路の一例を示す図。 一実施形態に係る微調整部材及び粗調整部材の配置の一例を示す図。 一実施形態に係る微調整部材の一例を示す図。 一実施形態に係る粗調整部材の一例を示す図。
以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
［基板処理装置の全体構成］
まず、図１を参照しながら基板処理装置１の全体構成の一例について説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す断面図である。なお、本実施形態では、基板処理装置１がＲＩＥ（Reactive Ion Etching）型の基板処理装置である例について説明する。ただし、基板処理装置１は、プラズマエッチング装置やプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置等であってもよい。
図１において、基板処理装置１は、金属製、例えば、アルミニウム又はステンレス鋼製の接地された円筒型の処理容器１０を有する。該処理容器１０の内部には、ウエハＷを載置する円板状の載置台１１が配置されている。載置台１１は、基台１１ａと静電チャック２５を有する。静電チャック２５は、基台１１ａの上部に配置されている。基台１１ａは、例えばアルミニウムからなり、絶縁性の筒状保持部材１２を介して処理容器１０の底から垂直上方に延びる筒状支持部１３に支持されている。
処理容器１０の側壁と筒状支持部１３の間には排気路１４が形成され、排気路１４の入口又は途中に環状のバッフル板１５が配設されている。処理容器１０の底部には排気口１６が設けられ、排気口１６に排気管１７を介して排気装置１８が接続されている。排気装置１８は、ドライポンプ及び真空ポンプを有し、処理容器１０内の処理空間を所定の真空度まで減圧する。また、排気管１７は可変式バタフライバルブである自動圧力制御弁（automatic pressure control valve）（以下、「ＡＰＣ」という）を有し、ＡＰＣは自動的に処理容器１０内の圧力制御を行う。さらに、処理容器１０の側壁には、ウエハＷの搬入出口１９を開閉するゲートバルブ２０が取り付けられている。
載置台１１には、第１の整合器２２ａを介して第１の高周波電源２１ａが接続されている。また、載置台１１には、第２の整合器２２ｂを介して第２の高周波電源２１ｂが接続されている。第１の高周波電源２１ａは、所定周波数（例えば１００ＭＨｚ）のプラズマ発生用の高周波電力を載置台１１に供給する。第２の高周波電源２１ｂは、第１の高周波電源２１ａよりも低い所定周波数（例えば、１３ＭＨｚ）のイオン引き込み用の高周波電力を載置台１１に供給する。これにより、載置台１１は、下部電極としても機能する。
処理容器１０の天井部には、上部電極としても機能するシャワーヘッド２４が配設されている。これにより、載置台１１とシャワーヘッド２４の間に、第１の高周波電源２１ａ及び第２の高周波電源２１ｂからの２周波の高周波電圧が印加される。なお、シャワーヘッド２４は、ウエハＷを載置する載置台１１と対向する電極部材に相当する。
静電チャック２５は、載置台１１の上面に設けられ、ウエハＷを静電吸着力で吸着する。静電チャック２５は、円板状の中央部２５ａと、中央部２５ａを囲むように形成された環状の外周部２５ｂとを有する。中央部２５ａは、外周部２５ｂに対して図中上方に突出し、円板状の中央部２５ａの上面には、ウエハＷが載置される。外周部２５ｂの上面には、中央部２５ａを環状に囲むエッジリング３０が載置される。中央部２５ａは、導電膜からなる電極２６を一対の誘電膜の間に挟み込むことによって構成される。
外周部２５ｂは、導電膜からなる電極２９を一対の誘電膜の間に挟み込むことによって構成される。電極２９は、エッジリング３０の下側にてリング状に配置されている。電極２６には、直流電源２７が接続されている。電極２９には、直流電源２８が接続されている。直流電源２７および直流電源２８は、供給する直流電圧のレベルおよび極性の変更が可能である。直流電源２７は、制御部４３からの制御により、電極２６に直流電圧を印加する。直流電源２８は、制御部４３からの制御により、電極２９に直流電圧を印加する。静電チャック２５は、直流電源２７から電極２６に印加された電圧によりクーロン力等の静電力を発生させ、静電力により静電チャック２５にウエハＷを吸着保持する。また、静電チャック２５は、直流電源２８から電極２９に印加された電圧によりクーロン力等の静電力を発生させ、静電力により静電チャック２５にエッジリング３０を吸着保持する。
載置台１１の内部には、例えば、円周方向に延在する冷媒流路３１ａ、３１ｂが設けられている。冷媒流路３１ａは載置台１１の中央側に配置され、冷媒流路３１ｂは載置台１１の外周側に配置される。冷媒流路３１ａは、載置台１１のウエハＷを載置する載置面に対応する位置に配置される第１の流路の一例である。冷媒流路３１ｂは、載置台１１のエッジリング３０を載置する載置面に対応する位置に配置される第２の流路の一例である。
冷媒流路３１ａ、３１ｂには、チラーユニット３２から配管３３，３４を介して所定温度の冷媒、例えば、冷却水が循環供給される。当該冷媒の温度と冷媒流路３１ａ、３１ｂへの冷媒の分配比率によって静電チャック２５上のウエハＷ及びエッジリング３０の処理温度が制御される。
具体的には、チラーユニット３２に設けられたポンプにより所定の温度の冷媒がチラーユニット３２から吐出し、配管３３を通り、配管３３が分岐する分岐部Ａにて分流し、冷媒流路３１ａ、３１ｂに流れる。分岐部Ａは、冷媒流路３１ａの入口と冷媒流路３１ｂの入口とを連結し、所定の分流比で冷媒流路３１ａの入口ＩＮ１と冷媒流路３１ｂの入口ＩＮ２から各冷媒流路３１ａ、３１ｂに冷媒を流入させる。
冷媒流路３１ａは、基台１１ａのウエハＷを載置する載置面側に形成され、渦巻状に形成されている。分岐部Ａで分流した冷媒は、冷媒流路３１ａの入口ＩＮ１から流入し、渦巻状の冷媒流路３１ａを外周側から内周方向に流れ、中央にて折り返し、内周側から外周方向に流れ、冷媒流路３１ａの出口ＯＵＴ１から流出する。
冷媒流路３１ｂは、基台１１ａのエッジリング３０を載置する載置面側に形成され、リング状に形成されている。分岐部Ａで分流した冷媒は、冷媒流路３１ｂの入口ＩＮ２から流入し、リング状の冷媒流路３１ｂを流れ、冷媒流路３１ｂの出口ＯＵＴ２から流出する。
図２は、一実施形態に係る基台１１ａ内の冷媒流路３１ａ、３１ｂの一例を示す図である。ただし、図２に示す冷媒流路３１ａ、３１ｂの形状は、一例であり、これに限られない。例えば、図２では、冷媒流路３１ａは、リング状に形成されてもよいし、円板状の空間であってもよい。また、冷媒流路３１ａの入口ＩＮ１の流路と出口ＯＵＴ１の流路とは同一方向に形成されているが、これに限られず、反対方向に向かうように形成されてもよい。また、図２では、冷媒流路３１ｂは、一本のリング状の流路を形成しているが、複数本の流路であってもよい。
かかる構成により、分岐部Ａにて分流した冷媒は、所定の分配比率で冷媒流路３１ａ、３１ｂを流れ、冷媒流路３１ａの出口ＯＵＴ１と冷媒流路３１ｂの出口ＯＵＴ２とを連結する配管３４の合流部Ｂにて合流し、チラーユニット３２に戻る。チラーユニット３２に戻った冷媒は、所定の温度に制御された状態で再びチラーユニット３２から吐出し、上記経路を循環する。
図１に戻り、静電チャック２５には、伝熱ガス供給部３５がガス供給ライン３６を介して接続されている。伝熱ガス供給部３５は、静電チャック２５の中央部２５ａに至るウエハ側ライン３６ａを用いて、静電チャック２５の中央部２５ａとウエハＷとで挟まれる空間に伝熱ガスを供給する。
ガス供給ライン３６は、静電チャック２５の中央部２５ａに至るウエハ側ラインに限られず、静電チャック２５の外周部２５ｂに至るエッジリング側ライン（図示せず）を有してもよい。かかる構成では、伝熱ガス供給部３５は、エッジリング側ラインを用いて、静電チャック２５の外周部２５ｂとエッジリング３０とで挟まれる空間に伝熱ガスを供給してもよい。伝熱ガスとしては、熱伝導性を有するガス、例えば、Ｈｅガス等が好適に用いられる。
天井部のシャワーヘッド２４は、多数のガス通気孔３７ａを有する下面の電極板３７と、該電極板３７を着脱可能に支持する電極支持体３８とを有する。電極支持体３８の内部にはバッファ室３９が設けられ、バッファ室３９のガス導入口３８ａには、ガス供給配管４１を介して処理ガス供給部４０が接続されている。また、処理容器１０の周囲には、環状又は同心状に延びる磁石４２が配置されている。
基板処理装置１の各構成要素は、制御部４３に接続されている。例えば、排気装置１８、第１の高周波電源２１ａ、第２の高周波電源２１ｂ、直流電源２７，２８、チラーユニット３２、伝熱ガス供給部３５および処理ガス供給部４０は、制御部４３に接続されている。制御部４３は、基板処理装置１の各構成要素を制御する。
制御部４３は、図示しない中央処理装置（ＣＰＵ）及びメモリ（記憶装置）を備え、記憶装置に記憶されたプログラム及び処理レシピを読み出して実行することで、基板処理装置１において所望の処理を実行する。例えば、制御部４３は、ウエハＷ及びエッジリング３０を静電吸着するための静電吸着処理やチラーユニット３２の温度制御処理を行う。
基板処理装置１の処理容器１０内では、磁石４２によって一方向に向かう水平磁界が形成されると共に、載置台１１とシャワーヘッド２４の間に印加された高周波電圧によって鉛直方向のＲＦ電界が形成される。これにより、処理容器１０内において処理ガスを介したマグネトロン放電が行われ、載置台１１の表面近傍において処理ガスからプラズマが生成される。
基板処理装置１では、ドライエッチング処理の際、先ずゲートバルブ２０を開状態にして加工対象のウエハＷを処理容器１０内に搬入し、静電チャック２５の上に載置する。そして、基板処理装置１では、処理ガス供給部４０より処理ガス（例えば、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｏ２ガス及びＡｒガスから成る混合ガス）を所定の流量及び所定の流量比率で処理容器１０内に導入し、排気装置１８等により処理容器１０内の圧力を所定値にする。
さらに、基板処理装置１では、第１の高周波電源２１ａ及び第２の高周波電源２１ｂからそれぞれ高周波電力を載置台１１に供給する。また、基板処理装置１では、直流電源２７より直流電圧を静電チャック２５の電極２６に印加して、ウエハＷを静電チャック２５上に吸着する。また、基板処理装置１では、直流電源２８より直流電圧を静電チャック２５の電極２９に印加して、エッジリング３０を静電チャック２５上に吸着する。シャワーヘッド２４より吐出された処理ガスは上述したようにプラズマ化し、プラズマで生成されるラジカルやイオンによってウエハＷの表面がエッチングされる。
［冷媒の分配流量の可変比率］
従来、分岐部Ａにおいてエッジリング３０の載置面側に流れる冷媒と、ウエハＷの載置面側に流れる冷媒の分配流量は固定比率であった。しかし、近年のプロセスの多様化に伴い、基板処理装置１にて行われるプロセスに応じてウエハＷの載置側とエッジリングの載置側で抜熱量を変え、ウエハＷ及びエッジリング３０の温度制御の精度を高めて基板処理を行うことが重要になっている。
そこで、本実施形態では、ウエハＷ及びエッジリング３０を載置する載置台１１においてプロセス条件、用途及び状況に応じてウエハＷの載置側とエッジリング３０の載置側への冷媒の流量比率を可変にでき、抜熱量を調整することが可能な新規な構成を提供する。
具体的には、図３（ａ）に一例を示すように、配管３３の分岐部Ａに一実施形態に係る微調整部材５０を着脱可能に配置する。図４に一例を示すように、微調整部材５０は、中空の筒状の部材であって、側面に開口部５０ａ１、５０ａ２が形成されている。以下、開口部５０ａ１、５０ａ２を総称して開口部５０ａともいう。
図３に戻り、微調整部材５０は、配管３３の分岐部Ａにて、冷媒流路３１ｂの入口ＩＮ２に連通する流路３３ａに開口部５０ａが設けられるように取り付けられる。このようにして、微調整部材５０は、開口部５０ａの面積によって冷媒流路３１ａと冷媒流路３１ｂとに流れる冷媒の流量比率を調整する交換可能なアダプタの機能を有する。
微調整部材５０に形成された開口部５０ａの個数、大きさ、形状及び開口位置は、図４の例に限られない。例えば、開口部５０ａは、１つであってもよいし、２つ以上であってもよい。また、開口部５０ａの形状は、四角形等の多角形であってもよいし、円であってもよいし、スリットであってもよい。図３の例では、図３（ｂ）に示すように、微調整部材５０は、２つの開口部５０ａ１、５０ａ２を有する。
本実施形態では、開口部５０ａの個数、大きさ、形状及び位置の異なる微調整部材５０を交換アダプタとして複数用意しておき、プロセス条件に応じて、適宜、分岐部Ａに配置する微調整部材５０を交換する。これにより、載置台１１自体を共通にしたまま微調整部材５０を交換することで、エッジリング３０側への圧力損失を変えることができ、簡易にウエハＷの載置側とエッジリング３０の載置側への冷媒の分流仕様の変更が可能になる。
このように微調整部材５０は交換可能に配置される。このため、図３（ａ）に示すように、微調整部材５０の底部には、微調整部材５０を固定するＯリング５２が設けられている。これにより、微調整部材５０を装着した配管３３と微調整部材５０との隙間から冷媒が漏れ、圧力が変動することを防止できる。加えて、配管３３内で微調整部材５０が動かないように固定することで、微調整部材５０と載置台１１がこすれてパーティクルが発生することを防止できる。
図３（ａ）に示す配管３３から分岐する流路３３ａ及びその周辺の斜視図を図３（ｂ）の点線枠内に示す。粗調整部材５１は、粗調整部材５１ａ、５１ｂを有する。粗調整部材５１ａ、５１ｂは、分岐部Ａの近傍であって、微調整部材５０の付近にて流路３３ａ内に配置されている。本実施形態では、粗調整部材５１ａ、５１ｂは、開口部５０ａ１、５０ａ２に対向する位置に２つ配置されているが、これに限られず、１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。以下、粗調整部材５１ａ、５１ｂを総称して粗調整部材５１ともいう。
粗調整部材５１は、微調整部材５０の開口部５０ａから流入する冷媒の流れを妨げる又は乱す位置に設けることが好ましい。図５（ｃ）は、一実施形態に係る粗調整部材５１の配置例を示す図である。図５（ｃ）の例では、微調整部材５０の開口部５０ａ１の対向する位置に粗調整部材５１ａが配置され、微調整部材５０の開口部５０ａ２に対向する位置に粗調整部材５１ｂが配置されている。これにより、微調整部材５０の開口部５０ａ１、５０ａ２から流路３３ａを流れる冷媒は、粗調整部材５１ａ、５１ｂによって流れが乱れ、拡散しながら流路３３ａと粗調整部材５１ａ、５１ｂの間の隙間からエッジリング３０側の冷媒流路３１ｂへと流れる。
これに対して、図５（ａ）及び図５（ｂ）の比較例では、粗調整部材５１が配置されていない。このため、図５（ａ）に示すように、微調整部材５０の開口部５０ａが小さいと、流路３３ａの手前側（微調整部材５０側）に斜線にて示す冷媒等の流体が通らないエリアが生じる。また、図５（ｂ）に示すように、微調整部材５０の開口部５０ａが大きいと、流路３３ａの奥側（微調整部材５０と反対側）に斜線にて示す冷媒等の流体が通らないエリアが生じる。
これらの流体が通らないエリアは、ブラインパージのときの冷媒の液残りを生じさせるため好ましくない。ブラインパージとは、静電チャック２５を基板処理装置１から外してメンテナンスを行うときに、Ｎ２ガス等で冷媒流路３１ａ、３１ｂ及び流路３３ａの内部をパージし、冷媒（ブライン）を排出することをいう。このとき、本実施形態にかかる粗調整部材５１ａ、５１ｂを微調整部材５０の開口部５０ａに対向する位置に設けることで、流路３３ａ内の図５（ａ）及び図５（ｂ）にて斜線で示した部分にも十分にＮ２ガス等を流すことができる。この結果、冷媒流路３１ａ、３１ｂ及び流路３３ａの内部を完全にパージし、すべての流路において冷媒の液残りを防止できる。ただし、粗調整部材５１の個数は、微調整部材５０の開口部５０ａの個数と同数には限られず、Ｎ２ガスの流れの障害となる位置に１つまたは複数配置すればよい。
以上に説明したように、本実施形態では、ウエハＷ及びエッジリング３０を載置する載置台１１において、冷媒流路３１ａ、３１ｂの分岐部Ａに２段階の調整機構、つまり、微調整部材５０と粗調整部材５１とを設ける。これにより、冷媒流路３１ａ、３１ｂに分流される冷媒の流量比率を調整することで、抜熱量を調整することができる。
特に、開口部５０ａの面積の異なる複数の微調整部材５０から、プロセス条件に応じた開口部５０ａを有する微調整部材５０を着脱可能に交換する。これにより、ウエハＷ側とエッジリング３０側へ流れる冷媒の調整のレンジを変えることができ、プロセス条件に合致したウエハＷ側及びエッジリング３０側の温度制御が可能になる。
また、粗調整部材５１を設けることにより、ブラインパージにおける冷媒の液残りを防止することができる。なお、微調整部材５０は、冷媒流路３１ａと冷媒流路３１ｂとに連通する開口部を有する部材の一例である。本実施形態では、微調整部材５０を分岐部Ａに設けるが、これに限られず、分岐部Ａ又は合流部Ｂの少なくともいずれかに設けてもよい。
粗調整部材５１は、分岐部Ａ又は合流部Ｂの少なくともいずれかに設けられた突起状部材の一例である。本実施形態では、粗調整部材５１を分岐部Ａに設けるが、これに限られず、分岐部Ａ又は合流部Ｂの少なくともいずれかに設けてもよい。
ただし、分岐部Ａ又は合流部Ｂのいずれか一方に微調整部材５０と粗調整部材５１とを両方設け、分岐部Ａ又は合流部Ｂのいずれか一方で分流制御を行うことが好ましい。例えば、図３では、微調整部材５０と粗調整部材５１は、いずれも分岐部Ａの流路３３ａに設けられ、合流部Ｂの流路３４ａには設けない。これは、微調整部材５０を分岐部Ａ又は合流部Ｂの双方に設けると、双方で冷媒の流量比率の調整を行うことになり、指定の流量比率に制御することが難しくなるためである。また、微調整部材５０をと粗調整部材５１とを分岐部Ａと合流部Ｂとに別々に配置すると、微調整部材５０の開口部５０ａから流出した冷媒の流れを粗調整部材５１にて妨げることできず、ブラインパージにおいて液残りが生じるためである。
ただし、微調整部材５０と粗調整部材５１の配置は、図３に示す構成に限られず、微調整部材５０と粗調整部材５１を合流部Ｂの流路３４ａに設け、分岐部Ａの流路３３ａに設けない構成にしてもよい。
ブラインパージにおいて液残りが生じない形状の流路３３ａ、３４ａの場合には、微調整部材５０を分岐部Ａ又は合流部Ｂの少なくともいずれかに配置し、粗調整部材５１を設けなくてもよい。このとき、粗調整部材５１を微調整部材５０が配置されていない分岐部Ａ又は合流部Ｂに設けてもよい。粗調整部材５１を分岐部Ａ又は合流部Ｂの少なくともいずれかに配置し、微調整部材５０を設けなくてもよい。
［変形例］
かかる載置台１１の構成と同様に、シャワーヘッド２４にその内周側と外周側に分岐する冷媒流路を設け、その冷媒流路の分岐部又は合流部の少なくともいずれかに微調整部材を設けてもよい。また、シャワーヘッド２４の冷媒流路の分岐部又は合流部の少なくともいずれかに粗調整部材を設けてもよい。
かかる構成のシャワーヘッド２４は、ウエハＷを載置する載置台１１と対向する電極部材の一例であって、前記電極部材の内部にて流体を流す第１の流路（例えば、シャワーヘッド２４の内周側の冷媒流路）及び第２の流路（例えば、シャワーヘッド２４の外周側の冷媒流路）と、前記第１の流路の入口と前記第２の流路の入口とを連結する分岐部と、前記第１の流路の出口と前記第２の流路の出口とを連結する合流部と、分岐部又は合流部の少なくともいずれかに設けられ、前記第１の流路と前記第２の流路とに連通する開口部を有する部材（例えば、微調整部材）とを備えてもよい。更に、シャワーヘッド２４は、分岐部又は合流部の少なくともいずれかに設けられた突起状部材の一例としての粗調整部材５１を有してもよい。
本実施形態では、第１の流路及び第２の流路には冷媒が流れる。しかし、第１の流路及び第２の流路に流れる流体は、液体に限られず、ガスであってもよい。つまり、微調整部材５０及び粗調整部材５１は、流体の流路が設けられている部材の分岐部又は合流部に配置することができ、たとえば、載置台１１内のＨｅガスを流す流路にも使用することができる。例えば、図１のＨｅガスを流すガス供給ラインが、静電チャック２５の中央部２５ａに至るウエハ側ライン３６ａと図示しない外周部２５ｂに至るエッジリング側ラインに分岐する構造である場合を想定する。この場合、２つのガスラインの分岐部又は合流部の少なくともいずれかに微調整部材５０又は粗調整部材５１の少なくともいずれかを配置してもよい。これにより、ウエハ側ライン３６ａとエッジリング側ラインとに流れるＨｅガスの分流比を可変に調整することができる。
また、図１のバッファ室３９が内周側の室と外周側の室とを有する場合、内周側の室と外周側の室に分岐する分岐部に微調整部材５０又は粗調整部材５１の少なくともいずれかを設けてもよい。これにより、ガス供給部４０から供給される処理ガスを所定の流量比率で内周側の室と外周側の室に分流させることができる。
以上に説明したように、本実施形態によれば、ウエハ及びエッジリング３０を載置する載置台１１を循環する冷媒又はガスのウエハ側とエッジリング側に流れる流量比率を制御し、ウエハ側とエッジリング側の抜熱量又は伝熱量を調整することができる。
また、本実施形態の変形例によれば、シャワーヘッド２４を循環する冷媒のバッファ室３９の内周側の室と外周側の室に流れる流量比率を制御し、シャワーヘッド２４の内周側と外周側の抜熱量を調整することができる。
今回開示された一実施形態に係る載置台及び電極部材は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
本開示の処理装置は、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna(RLSA)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のどのタイプでも適用可能である。
本明細書では、基板の一例としてウエハＷを挙げて説明した。しかし、基板は、これに限らず、FPD(Flat Panel Display)に用いられる各種基板、プリント基板等であっても良い。
１ 基板処理装置
１０ 処理容器
１１ 載置台
１１ａ 基台
２１ａ 第１の高周波電源
２１ｂ 第２の高周波電源
２４ シャワーヘッド
２５ 静電チャック
２５ａ 中央部
２５ｂ 外周部
２６ 電極
２７ 直流電源
２８ 直流電源
２９ 電極
３０ エッジリング
３１ａ、３１ｂ 冷媒流路
３２ チラーユニット
４３ 制御部
５０ 微調整部材
５０ａ１、５０ａ２ 開口部
５１ａ、５１ｂ、５１ 粗調整部材
５２ Ｏリング
Ａ 分岐部
Ｂ 合流部
Ｗ ウエハ

Claims (12)

  1. 被処理体及びエッジリングを載置する載置台であって、
    前記載置台の内部にて流体を流す第１の流路及び第２の流路と、
    前記第１の流路の入口と前記第２の流路の入口とを連結する分岐部と、
    前記第１の流路の出口と前記第２の流路の出口とを連結する合流部と、
    前記分岐部又は前記合流部の少なくともいずれかに設けられ、前記第１の流路と前記第２の流路とに連通する開口部を有する部材と、
    を備える載置台。
  2. 被処理体及びエッジリングを載置する載置台であって、
    前記載置台の内部にて流体を流す第１の流路及び第２の流路と、
    前記第１の流路の入口と前記第２の流路の入口とを連結する分岐部と、
    前記第１の流路の出口と前記第２の流路の出口とを連結する合流部と、
    前記分岐部又は前記合流部の少なくともいずれかに設けられた突起状部材と、
    を備える載置台。
  3. 前記分岐部又は前記合流部の少なくともいずれかに設けられた突起状部材を有する、
    請求項１に記載の載置台。
  4. 前記部材が有する開口部は、複数である、
    請求項１又は３に記載の載置台。
  5. 前記開口部を有する部材は、着脱可能に設けられる、
    請求項１、３、４のいずれか一項に記載の載置台。
  6. 前記突起状部材は、複数である、
    請求項２又は３に記載の載置台。
  7. 前記開口部を有する部材と前記突起状部材とは、前記分岐部又は前記合流部のいずれか一方に設けられる、
    請求項３に記載の載置台。
  8. 前記突起状部材は、前記部材が有する開口部から流入する流体の流れを妨げる位置に設けられる、
    請求項７に記載の載置台。
  9. 前記第１の流路は、前記載置台の載置面のうち被処理体を載置する載置面に対応する位置に配置される、
    請求項１〜８のいずれか一項に記載の載置台。
  10. 前記第２の流路は、前記載置台の載置面のうち前記エッジリングを載置する載置面に対応する位置に配置される、
    請求項１〜９のいずれか一項に記載の載置台。
  11. 被処理体を載置する載置台と対向する電極部材であって、
    前記電極部材の内部にて流体を流す第１の流路及び第２の流路と、
    前記第１の流路の入口と前記第２の流路の入口とを連結する分岐部と、
    前記第１の流路の出口と前記第２の流路の出口とを連結する合流部と、
    前記分岐部又は前記合流部の少なくともいずれかに設けられ、前記第１の流路と前記第２の流路とに連通する開口部を有する部材と、
    を備える電極部材。
  12. 前記分岐部又は前記合流部の少なくともいずれかに設けられた突起状部材を有する、
    請求項１１に記載の電極部材。
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