JP2014011214A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014011214A JP2014011214A JP2012144898A JP2012144898A JP2014011214A JP 2014011214 A JP2014011214 A JP 2014011214A JP 2012144898 A JP2012144898 A JP 2012144898A JP 2012144898 A JP2012144898 A JP 2012144898A JP 2014011214 A JP2014011214 A JP 2014011214A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refrigerant
- expansion valve
- upstream
- expansion valves
- downstream
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims abstract description 457
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 76
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 44
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 29
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 16
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 13
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 20
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 18
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 16
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 12
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 12
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005514 two-phase flow Effects 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32825—Working under atmospheric pressure or higher
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】真空容器内に配置されプラズマが形成される処理室と、その上面に前記プラズマによる処理の対象である試料が載置され同心円状に配置され内側を冷媒が通流する複数の冷媒流路を有して第1の蒸発器として機能する試料台とを有したプラズマ処理装置であって、冷媒の入口及び冷媒の出口の各々に連結されて当該各々の冷媒の入口へ流入する冷媒及び各々の冷媒の出口から流出する冷媒の流量または圧力を調節する複数の上流側膨張弁と下流側膨張弁とを有して、前記冷媒が通流させる冷凍サイクルにおいて前記複数の上流側膨張弁の各々と前記複数の冷媒流路を介して前記複数の下流側膨張弁の各々との間の複数の冷媒の経路における前記冷媒の流量の変化が生じないように前記複数の上流側膨張弁及び下流側膨張弁の開度を調節する。
【選択図】 図1
Description
本発明の第1実施例では、複数の系統の冷媒の温度を調節する場合に、片方の系統の冷媒温度を一定に保ちながら他方の系統の冷媒温度を変化させていた。しかしながら、半導体製造装置のスループット向上のためには冷媒温度の素早い調節が求められるため、実施例で示した調節方法よりも速い温調が必要な場合がある。またさらに、複数の系統の冷媒温度の差を素早く拡げたり、素早く縮めたりする調節が必要な場合がある。このような課題を解決するための変形例を以下に説明する。
上記の実施例および変形例は、試料台4の内部の中央側冷媒流路20−1と外周側冷媒流路20−2とにそれぞれ導入する冷媒の温度の調節を、膨張弁24−1乃至24−4の開度の調節のみによって行うものである。しかしながら、このような場合は調節できる温度範囲が狭い場合がある。例えば、膨張弁24−1乃至24−4の開度調節のみで実現できる温度よりも低い冷媒温度が必要な場合に対応できないという課題がある。
2 蓋
3 処理室
4 試料台
5 試料
6 ガス導入管
7 処理ガス
8 排気口
9 圧力調節バルブ
10 マイクロ波
11 プラズマ
12 ターボ分子ポンプ
14 マイクロ波発振機
16 導波管
18 ソレノイドコイル
20−1 中央側冷媒流路
20−2 外周側冷媒流路
21 冷媒温度調節部
22 圧縮機
23 凝縮器
24−1,24−2,24−3,24−4 膨張弁
25−1,25−2 水
26 蒸発器
30−1 中央側冷媒入口
30−2 外周側冷媒入口
32−1 中央側冷媒出口
32−2 外周側冷媒出口
35 分析部
37 制御部
40−1,40−2,40−3 温度計
42 キャピラリ
44 メインライン
46 バイパスライン
48−1,48−2 弁
50 分岐部
52 合流部
Claims (11)
- 真空容器内に配置されプラズマが形成される処理室と、その上面に前記プラズマによる処理の対象である試料が載置され同心円状に配置され内側を冷媒が通流する複数の冷媒流路を有して第1の蒸発器として機能する試料台と、前記複数の冷媒流路に配置された冷媒の入口及び冷媒の出口と、前記処理室の内部を排気して減圧する排気手段とを有したプラズマ処理装置であって、
これらの冷媒の入口及び冷媒の出口の各々に連結されて当該各々の冷媒の入口へ流入する冷媒及び各々の冷媒の出口から流出する冷媒の流量または圧力を調節する複数の上流側膨張弁と下流側膨張弁とを有して、圧縮機と凝縮器と前記複数の上流側膨張弁と前記複数の冷媒流路と前記複数の下流側膨張弁と第2の蒸発器とがこの順で冷媒の管路により連結されて構成され前記の順で冷媒が通流する冷凍サイクルにおいて、前記複数の上流側膨張弁の各々と前記複数の冷媒流路を介して前記複数の下流側膨張弁の各々との間の複数の冷媒の経路における前記冷媒の流量の変化が生じないように前記複数の上流側膨張弁及び下流側膨張弁の開度を調節するプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記複数の上流側膨張弁の各々と前記複数の冷媒流路各々の冷媒の入口との間の複数の冷媒管路上に配置されこれらの冷媒管路内を通流する冷媒の温度を検知する検知器の検知結果に基づいて検出した前記複数の冷媒の経路における前記冷媒の流量の変化が生じないように前記複数の上流側膨張弁及び下流側膨張弁の開度を調節するプラズマ処理装置。 - 請求項1または2に記載のプラズマ処理装置において、
前記複数の冷媒流路が前記試料台の中央側に配置された中央側冷媒流路とその外周側に配置された外周側冷媒流路とを有し、前記中央側冷媒流路に連結された前記上流側膨張弁及び下流側膨張弁の各々における冷媒のコンダクタンスの逆数の和が前記外周側冷媒流路に連結された前記上流側膨張弁及び下流側膨張弁の各々における冷媒のコンダクタンスの逆数の和と等しくなるように前記複数の上流側膨張弁及び下流側膨張弁の開度を調節するプラズマ処理装置。 - 請求項1または2に記載のプラズマ処理装置において、
前記複数の冷媒流路が前記試料台の中央側に配置された中央側冷媒流路とその外周側に配置された外周側冷媒流路とを有し、前記複数の上流側膨張弁及び下流側膨張弁は共通の構成を備えたものであって、前記中央側冷媒流路に連結された前記上流側膨張弁及び下流側膨張弁の各々における開度の逆数の和が前記外周側冷媒流路に連結された前記上流側膨張弁及び下流側膨張弁の各々における開度の逆数の和と等しくなるように前記複数の上流側膨張弁及び下流側膨張弁の開度を調節するプラズマ処理装置。 - 請求項4に記載のプラズマ処理装置であって、
前記中央側冷媒流路に連結された前記下流側膨張弁の開度と前記外周側冷媒流路の前記上流側膨張弁の開度との和が前記中央側冷媒流路に連結された前記上流側膨張弁の開度と前記外周側冷媒流路の前記下流側膨張弁の開度との和と等しくなるように前記複数の上流側膨張弁及び下流側膨張弁の開度を調節するプラズマ処理装置。 - 請求項1乃至5の何れかに記載のプラズマ処理装置であって、
前記凝縮器と複数の前記上流側膨張弁との間に、前記冷媒を流すためのメインライン及びこのメインラインに並列に配置されコンダクタンスの小さいキャピラリを有するバイパスラインと前記メインライン及びバイパスラインの各々の上流側に設けられてこれらを開閉する弁と前記メインライン及びバイパスラインの下流側に設けられた温度計とを備えたプラズマ処理装置。 - 真空容器内部の処理室内に配置されその上面に前記プラズマによる処理の対象である試料を載置し、前記処理室内にプラズマを形成して前記試料を処理するプラズマ処理方法であって、
前記試料台は、その内部に同心円状に配置され内側を冷媒が通流する複数の冷媒流路と前記複数の冷媒流路に配置された冷媒の入口及び冷媒の出口とを有して第1の蒸発器として機能するものであって、
さらに、前記試料台が、前記冷媒の入口及び冷媒の出口の各々に連結されて当該各々の冷媒の入口へ流入する冷媒及び各々の冷媒の出口から流出する冷媒の流量または圧力を調節する複数の上流側膨張弁と下流側膨張弁とを有して、圧縮機と凝縮器と前記複数の上流側膨張弁と前記複数の冷媒流路と前記複数の下流側膨張弁と第2の蒸発器とがこの順で冷媒の管路により連結されて前記の順で冷媒が通流する冷凍サイクルを構成するものであって、
前記複数の上流側膨張弁の各々と前記複数の冷媒流路を介して前記複数の下流側膨張弁の各々との間の複数の冷媒の経路における前記冷媒の流量の変化が生じないように前記複数の上流側膨張弁及び下流側膨張弁の開度を調節するプラズマ処理方法。 - 請求項7に記載のプラズマ処理方法において、
前記複数の上流側膨張弁の各々と前記複数の冷媒流路各々の冷媒の入口との間の複数の冷媒管路上に配置されこれらの冷媒管路内を通流する冷媒の温度を検知する検知器の検知結果に基づいて検出した前記複数の冷媒の経路における前記冷媒の流量の変化が生じないように前記複数の上流側膨張弁及び下流側膨張弁の開度を調節するプラズマ処理方法。 - 請求項7または8に記載のプラズマ処理方法において、
前記複数の冷媒流路が前記試料台の中央側に配置された中央側冷媒流路とその外周側に配置された外周側冷媒流路とを有し、
前記中央側冷媒流路に連結された前記上流側膨張弁及び下流側膨張弁の各々における冷媒のコンダクタンスの逆数の和が前記外周側冷媒流路に連結された前記上流側膨張弁及び下流側膨張弁の各々における冷媒のコンダクタンスの逆数の和と等しくなるように前記複数の上流側膨張弁及び下流側膨張弁の開度を調節するプラズマ処理方法。 - 請求項7または8に記載のプラズマ処理装置において、
前記複数の冷媒流路が前記試料台の中央側に配置された中央側冷媒流路とその外周側に配置された外周側冷媒流路とを有し、前記複数の上流側膨張弁及び下流側膨張弁は共通の構成を備えたものであって、
前記中央側冷媒流路に連結された前記上流側膨張弁及び下流側膨張弁の各々における開度の逆数の和が前記外周側冷媒流路に連結された前記上流側膨張弁及び下流側膨張弁の各々における開度の逆数の和と等しくなるように前記複数の上流側膨張弁及び下流側膨張弁の開度を調節するプラズマ処理方法。 - 請求項10に記載のプラズマ処理方法であって、
前記中央側冷媒流路に連結された前記下流側膨張弁の開度と前記外周側冷媒流路の前記上流側膨張弁の開度との和が前記中央側冷媒流路に連結された前記上流側膨張弁の開度と前記外周側冷媒流路の前記下流側膨張弁の開度との和と等しくなるように前記複数の上流側膨張弁及び下流側膨張弁の開度を調節するプラズマ処理方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012144898A JP5975754B2 (ja) | 2012-06-28 | 2012-06-28 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
TW102121363A TWI521595B (zh) | 2012-06-28 | 2013-06-17 | Plasma processing device and plasma processing method |
US13/928,645 US20140004706A1 (en) | 2012-06-28 | 2013-06-27 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
KR1020130075061A KR101572590B1 (ko) | 2012-06-28 | 2013-06-28 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
US14/514,587 US9704731B2 (en) | 2012-06-28 | 2014-10-15 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012144898A JP5975754B2 (ja) | 2012-06-28 | 2012-06-28 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014011214A true JP2014011214A (ja) | 2014-01-20 |
JP5975754B2 JP5975754B2 (ja) | 2016-08-23 |
Family
ID=49778562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012144898A Active JP5975754B2 (ja) | 2012-06-28 | 2012-06-28 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20140004706A1 (ja) |
JP (1) | JP5975754B2 (ja) |
KR (1) | KR101572590B1 (ja) |
TW (1) | TWI521595B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020050376A1 (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 温調方法 |
WO2020050375A1 (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 温調システム |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8709162B2 (en) * | 2005-08-16 | 2014-04-29 | Applied Materials, Inc. | Active cooling substrate support |
JP4898556B2 (ja) * | 2007-05-23 | 2012-03-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP5185790B2 (ja) * | 2008-11-27 | 2013-04-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP5975754B2 (ja) | 2012-06-28 | 2016-08-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP6424049B2 (ja) * | 2014-09-12 | 2018-11-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US10049862B2 (en) * | 2015-04-17 | 2018-08-14 | Lam Research Corporation | Chamber with vertical support stem for symmetric conductance and RF delivery |
US10446419B2 (en) * | 2016-03-11 | 2019-10-15 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus |
JP7175114B2 (ja) * | 2018-07-19 | 2022-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び電極部材 |
KR102646904B1 (ko) * | 2018-12-04 | 2024-03-12 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
GB2592022A (en) * | 2020-02-12 | 2021-08-18 | Edwards Vacuum Llc | A pressure regulated semiconductor wafer cooling apparatus and method and a pressure regulating apparatus |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09298192A (ja) * | 1996-03-04 | 1997-11-18 | Sony Corp | 半導体装置の製造装置および静電チャックからのウエハ脱着方法 |
JP2000216140A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Hitachi Ltd | ウエハステ―ジおよびウエハ処理装置 |
JP2008034409A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP2008187063A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP2008186856A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2010129766A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-10 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050051098A1 (en) * | 2003-09-05 | 2005-03-10 | Tooru Aramaki | Plasma processing apparatus |
JP4191120B2 (ja) | 2004-09-29 | 2008-12-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US8034181B2 (en) * | 2007-02-28 | 2011-10-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus |
JP4898556B2 (ja) * | 2007-05-23 | 2012-03-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP5210706B2 (ja) * | 2008-05-09 | 2013-06-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP5250490B2 (ja) | 2009-06-24 | 2013-07-31 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及びそのメンテナンス方法 |
JP5401286B2 (ja) * | 2009-12-04 | 2014-01-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料台の温度制御機能を備えた真空処理装置及びプラズマ処理装置 |
JP5703038B2 (ja) * | 2011-01-26 | 2015-04-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP5975754B2 (ja) | 2012-06-28 | 2016-08-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
-
2012
- 2012-06-28 JP JP2012144898A patent/JP5975754B2/ja active Active
-
2013
- 2013-06-17 TW TW102121363A patent/TWI521595B/zh active
- 2013-06-27 US US13/928,645 patent/US20140004706A1/en not_active Abandoned
- 2013-06-28 KR KR1020130075061A patent/KR101572590B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-10-15 US US14/514,587 patent/US9704731B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09298192A (ja) * | 1996-03-04 | 1997-11-18 | Sony Corp | 半導体装置の製造装置および静電チャックからのウエハ脱着方法 |
JP2000216140A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Hitachi Ltd | ウエハステ―ジおよびウエハ処理装置 |
JP2008034409A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP2008186856A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2008187063A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP2010129766A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-10 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020050376A1 (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 温調方法 |
WO2020050375A1 (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 温調システム |
JP2020043166A (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 温調システム |
JP7112915B2 (ja) | 2018-09-07 | 2022-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 温調システム |
US11869799B2 (en) | 2018-09-07 | 2024-01-09 | Tokyo Electron Limited | Temperature adjustment system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201413815A (zh) | 2014-04-01 |
KR20140003341A (ko) | 2014-01-09 |
KR101572590B1 (ko) | 2015-11-27 |
JP5975754B2 (ja) | 2016-08-23 |
TWI521595B (zh) | 2016-02-11 |
US20150031213A1 (en) | 2015-01-29 |
US9704731B2 (en) | 2017-07-11 |
US20140004706A1 (en) | 2014-01-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5975754B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP4815295B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20100126666A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP5210706B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
KR100684902B1 (ko) | 온도 조절 장치 및 이를 가지는 기판 처리 장치, 그리고상기 장치의 온도를 제어하는 방법 | |
JP6307220B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP5401286B2 (ja) | 試料台の温度制御機能を備えた真空処理装置及びプラズマ処理装置 | |
JP4564973B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5912439B2 (ja) | 温度制御システム、半導体製造装置及び温度制御方法 | |
JP4886876B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
US20130240144A1 (en) | Fast response fluid temperature control system | |
US9916967B2 (en) | Fast response fluid control system | |
JP5947023B2 (ja) | 温度制御装置、プラズマ処理装置、処理装置及び温度制御方法 | |
JP2005085803A (ja) | サセプタ | |
WO2020050375A1 (ja) | 温調システム | |
TWI798411B (zh) | 溫度調節系統 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150622 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160311 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160412 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160606 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160621 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160719 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5975754 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |