JP5185790B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5185790B2
JP5185790B2 JP2008302628A JP2008302628A JP5185790B2 JP 5185790 B2 JP5185790 B2 JP 5185790B2 JP 2008302628 A JP2008302628 A JP 2008302628A JP 2008302628 A JP2008302628 A JP 2008302628A JP 5185790 B2 JP5185790 B2 JP 5185790B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
refrigerant
flow path
temperature
sample stage
heat exchanger
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008302628A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010129766A (ja
Inventor
匠 丹藤
賢悦 横川
勝 伊澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Priority to JP2008302628A priority Critical patent/JP5185790B2/ja
Priority to US12/368,412 priority patent/US20100126666A1/en
Publication of JP2010129766A publication Critical patent/JP2010129766A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5185790B2 publication Critical patent/JP5185790B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458Vessel
    • H01J37/32522Temperature
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2001Maintaining constant desired temperature

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は半導体製造工程においてウエハなどの試料に微細加工を施すプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法にかかり、特に、半導体ウエハを保持固定する電極部の温度制御装置及び温度制御方法に関する。
半導体デバイスの微細化に伴い、試料のエッチング処理に求められる加工精度はますます厳しくなっている。プラズマ処理装置にてウエハ表面の微細パターンに高精度な加工を施すためには、エッチング中のウエハ表面の温度管理が重要である。しかし、ウエハの大面積化やエッチングレートの向上の要求から、プラズマ処理装置に印加される高周波電力は増加傾向にあり、特に絶縁膜のエッチングにおいてはキロワットオーダの大電力が印加され始めている。大電力の印加により、ウエハ表面へのイオンの衝撃エネルギが増加し、エッチング中におけるウエハの過度な温度上昇が問題となっている。また、形状精度の更なる向上の要求から、プロセス中においてウエハの温度を高速かつ精密に制御できる手段が求められている。
プラズマ処理装置内においてウエハの表面温度を制御するためには、ウエハの裏面と熱伝達媒体を介して接する静電吸着電極(以下、電極と記す)の表面温度を制御すればよい。従来の電極では内部に冷媒の流路を形成し、流路内に液体冷媒を流すことにより電極表面の温度を制御していた。液体冷媒は冷媒供給装置内の冷却装置又は加熱装置により目標温度に調節された後に電極流路内に供給されている。このような冷媒供給装置では液体冷媒を一度タンクに溜めて温度調節後に送り出す構造であり、また液体冷媒自体の熱容量が大きいため、ウエハの表面温度を一定に保つ際には有効である。しかし、温度レスポンスが悪く、高速温度制御が困難であり、また熱交換効率が低い。そのため、近年の大入熱化に伴い装置が大型化し、またエッチングの進行に応じてウエハ表面の温度を最適にコントロールすることが困難であった。
このようなことから、冷媒循環系が冷媒を高圧化する圧縮機と、高圧化された冷媒を凝縮する凝縮器と、冷媒を膨張させる膨張弁を電極に設置し、電極の冷媒流路内にて冷媒を蒸発させて冷却を行う直接膨張式の冷媒供給装置(以下直膨式冷却サイクル)が、例えば特許文献1により提案されている。直膨式冷却サイクルでは冷媒の蒸発潜熱を利用するため冷却効率が高く、また冷媒の蒸発温度が圧力によって高速に制御可能である。上記より、電極への冷媒供給装置として直膨式を採用することによって、大入熱のエッチング処理時における半導体ウエハの温度を、高効率かつ高速に制御することができる。
特開2005−89864号公報
直膨式冷却サイクルは、冷媒が液体から気体に蒸発する際の潜熱を利用して冷却を行い、冷媒の蒸発温度は圧力によって制御可能である。電極の冷媒流路内において冷媒が気液二相状態にある場合には、冷媒の圧力が一定であれば蒸発温度も一定である。一方、冷媒流路内において冷媒の相変化(例えば、液体→気液二相→気体)が起きた場合には、冷媒圧力を一定に保っていても冷媒の温度は流路内において一定を保てなくなる。結果として、電極ひいては電極上の被加工試料の面内温度を均一に制御することができない。
本発明の目的は、直膨式冷却サイクルを用いて被加工試料の面内温度を面内均一に制御するために、電極の流路内における冷媒を気液二相状態に保つことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、直膨式加熱サイクルにおいても、被加工試料の面内の温度を均一に制御可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明のプラズマ処理装置は、真空処理室内に試料台が設置され、前記真空処理室内に導入された処理ガスをプラズマ化し、該プラズマにて前記試料台に載置された被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、前記試料台に設けられた試料台冷媒流路を第1の熱交換器として、前記真空処理室の外に配置された圧縮機、第2の熱交換器、第1の膨張弁、入口側冷媒流路、前記第1の熱交換器、出口側冷媒流路、第2の膨張弁とがこれらの順に配置され当該順に冷媒が循環するように連結された熱サイクルが構成されており、前記試料台冷媒流路は、前記試料台に配置され前記冷媒が通流する第1の開口及び第2の開口と連通しており、前記試料台冷媒流路の流路断面積は、前記第1の開口から前記第2の開口に向かって順次増大するように構成されており、前記熱サイクルは前記冷媒を前記順に通流させつつ前記第1の熱交換器において前記冷媒の蒸発させる運転と凝縮させる運転とを切り替えるものであって、前記運転の切り替えに応じて、前記第1の熱交換器において前記冷媒を蒸発させる運転の際に前記入口側冷媒流路から前記第1の開口へ冷媒を供給し前記第2の開口から前記出口側冷媒流路へ冷媒を排出することと、前記第1の熱交換器において前記冷媒を凝縮させる運転の際に前記入口側冷媒流路から前記第2の開口へ冷媒を供給し前記第1の開口から前記出口側冷媒流路へ冷媒を排出することとを切り替えるとともに、前記被加工試料の処理時に、前記試料台の前記第1の熱交換器を通流する前記冷媒を気液二相状態に保つことを特徴とする。
本発明によれば、電極流路内に供給する冷媒のエンタルピを調整し、電極流路内における冷媒の流動様式を気液二相流に保つことで、電極面内温度ひいてはウエハ面内温度を均一に制御することが可能となる。具体的には、電極に流入する直前の冷媒について凝縮能力を制御することで、冷媒と熱交換用水の過剰な熱交換を抑制することが可能となり、冷媒流路内において流動様式が気液二相流に保たれ、被加工試料の温度を面内均一に制御することができる。
さらに、本発明により、高ウエハバイアス電力の印加による大入熱エッチング時のウエハの温度を、直接膨張サイクルを用いて面内均一に制御することが可能な試料台用の温調ユニットを提供できる。
本発明の代表的な実施例によれば、真空処理室内に導入された処理ガスをプラズマ化し、該プラズマにて試料台に載置された被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、試料台に設けられ冷却サイクルの蒸発器を構成する冷媒流路を有し、前記冷媒流路内に供給される冷媒のエンタルピを制御することで冷媒流路すなわち試料台内の流動様式を気液二相流に保つことにより、被加工試料の温度を面内均一に制御することを特徴とする。
さらに、本発明では、真空排気手段を有する真空容器に、ガス導入手段により導入された原料ガスをプラズマ化し、該プラズマにて被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、試料台を第1の熱交換器として、圧縮機、第2の熱交換器、膨張弁を備える加熱サイクルが構成され、前記冷媒流路内に供給される冷媒のエンタルピを制御することで冷媒流路すなわち試料台内の流動様式を気液二相流に保ち、被加工試料の温度を面内均一に制御することを特徴とする。
なお、本発明により提案されるプラズマ処理装置における温調ユニットは、プラズマエッチング装置にのみに限定されず、アッシング装置、スパッタ装置、イオン注入装置、レジスト塗布装置、プラズマCVD装置などの高速かつ面内均一なウエハの温度制御を必要とする装置にも転用が可能である。
本発明を実施するための最良の形態を、以下図面を用いて詳細に説明する。
本発明を試料台の温度制御のための冷却サイクルとしてプラズマ処理装置に適用した、第一の実施例を図1A乃至図5Cで説明する。
図1Aは、本発明の一実施例になるプラズマ処理装置の全体的なシステム構成を示す模式図である。プラズマ処理装置は、真空容器内に配置された処理室30を有し、この処理室30の内部には静電吸着電極を備えた試料台1が配置されている。また、処理室30にはその内部を排気して減圧するための真空ポンプ等の真空排気装置20が接続されている。処理室30の上部には電極プレート15が設けられており、これに高周波電力を供給するためのアンテナ電源21が接続されている。なお、処理室30の上部には、処理ガスを供給するシャワープレート(図示略)などのガス導入手段も設けられている。
試料台1は、基材部(下部電極)1Aと被処理基板(ウエハ)Wを静電吸着にて安定して載置するための誘電体膜1Bとを備えている。基材部1Aには、内部を温調用の冷媒が循環する冷媒流路2が設けられている。試料台1の試料載置面上とウエハの裏面側の微小隙間には、伝熱ガス供給系13から熱伝達用のHeガス12が供給される。試料台1には、高周波のバイアス電源22や静電吸着用の直流電源(図示略)が接続されている。
試料台1の基材部1Aに設けられた冷媒流路2には、冷媒供給口3及び冷媒排出口4が接続されている。冷媒流路2は、入口側冷媒流路5A、出口側冷媒流路5B、圧縮機7、凝縮器8、電極入口側の膨張弁(以下、第1の膨張弁)9、電極出口側の膨張弁(以下、第2の膨張弁)10、冷媒蒸発用ヒータ11と共に、直膨式冷却サイクルを構成している。ここで、試料台1に設けられた冷媒流路2は、直膨式冷却サイクルの蒸発器を構成するものである。すなわち、試料台1内の冷媒流路2内において冷媒が蒸発する際の潜熱(気化熱)により、冷媒と接している試料台1の冷却が行われる。冷媒には、例えばR410(ハイドロフルオロカーボン)を用いる。尚、凝縮器8には熱交換用冷媒流路25に対するバイパス用の流路14と制御弁27とが設置され、また凝縮器8内の熱交換用冷却水流路29に供給する熱交換用水の流量を制御する流量弁16、熱交換用水の温度を管理する温度制御水槽17などが冷却水流路28の途中に設置されている。バイパス用の流路14の途中にはこの通路を開閉する制御弁26が設置されている。また、冷媒蒸発用ヒータ11は電熱ヒータ又は凝縮器8と同様の熱交換器などで構成される。
6は、試料載置面に近接して複数個所に設けられた温度センサである。100は試料台温度コントローラであり、温度センサ6からの出力を受けて圧縮機7、第1の膨張弁9、第2の膨張弁10、冷媒蒸発用ヒータ11および凝縮器8の排熱能力を制御することにより、試料載置面上の被処理基板(ウエハ)Wの温度が目標値になるように制御する。凝縮器8の排熱能力は、バイパス流路14、制御弁26、27、流量弁16、温度制御水槽17等を制御することにより可変である。なお、試料台温度コントローラ100はプラズマ処理装置の上位のコントローラ(図示略)に接続されている。この上位のコントローラはレシピ選択部を備えており、選択されたレシピのデータに基づいてプラズマ処理装置及び試料台温度コントローラ100が運転・制御される。
試料台温度コントローラ100は、演算処理装置や記憶装置、入出力手段及び記憶装置などに保持されたソフトウエアで実現される。図1Bに試料台温度コントローラの機能的な構成例を示す。試料台温度コントローラ100は、試料台の温度をウエハWの処理に適した温度に制御するために、冷却サイクルの関連する機器全体を統括的に制御するための温度統括制御部101、冷媒蒸発器(冷媒流路2)の圧力(=蒸発温度)や流量を制御する冷媒蒸発器の圧力・流量制御部(冷媒蒸発器制御部)102、凝縮器の排熱能力制御部103、冷媒用ヒータの制御部104、静電吸着・伝熱ガス制御部105などを備えている。冷媒蒸発器の圧力・流量制御部102は、試料台の入口側に位置する第一膨張弁9の開度を制御する第一膨張弁の開度制御部106、試料台の出口側に位置する第二膨張弁10の開度を制御する第二膨張弁開度制御部107、圧縮機の回転数制御部108などを備えている。試料台温度コントローラ100は、さらに、入力手段110、出力手段120、記憶装置130を備えている。凝縮器の排熱能力制御部(凝縮能力制御部)103は、制御弁26、27によるバイパス流路14の制御、流量弁16あるいは温度制御水槽17による冷却水流路28の制御により凝縮器8の熱交換能力(凝縮能力)、すなわち排熱能力を制御する。試料台温度コントローラ100には、入力手段110を介して、試料台温度センサ6で検出されたウエハWの温度の検出結果111や、ウエハのプロセス条件を設定するための種々のレシピ112のデータ等が入力される。このプロセス条件には、例えば処理室30内の圧力、アンテナ電源21の電力値、高周波のバイアス電源の電力値、処理ガスの種類や流量、ウエハWの面内温度分布特性などである。プロセス条件は、予め決められたものでもよいし、あるいはウエハのロット毎に設定、変更してもよい。さらに、出力手段120からの出力により、第一膨張弁9などの冷却サイクル構成機器が制御される。
ウエハWの温度は、プラズマエッチング等の処理条件、すなわちプラズマからウエハWへの入熱状況により変化する。プラズマの生成状態、ひいてはウエハWへの入熱状況は、アンテナ電源21及びバイアス電源22から供給される電力量により決定される。また、ウエハWからの放熱状況は、静電吸着力、ウエハの裏面側の伝熱ガスの圧力、試料台の温度などにより決定される。さらに試料台の誘電体膜1B内などに電力によるヒータが設置される場合にはその発熱量も考慮する必要がある。そのため、温度統括制御部101は、直膨式冷却サイクルを含め関連する装置全体を統括的に制御するために、ウエハの処理レシピ112や温度センサ6で検出された温度に基づいて、所定の演算処理を行い、その結果にもとづいて、冷媒蒸発器の圧力・流量制御部102が、冷媒流路2を流れる冷媒流量、冷媒圧力(冷媒蒸発温度)などを制御することで、ウエハWの温度が目標値に維持されるように制御する。なお、静電吸着力、ウエハの裏面側の伝熱ガスの圧力、ヒータの発熱量などもウエハWの温度に影響するが、本発明の特徴ではないので、以下、説明を省略する。
本発明において、蒸発器を構成する冷媒流路2は、冷媒流路内の冷媒にドライアウトが発生しないように冷媒流量が制御されており、かつ冷媒流路の断面積が供給口から排出口に向かって順次増加するように構成されている。これを図2及び図3(図3A、図3B)で説明する。
図2は、図1AのA−A断面を示すものである。図2において、基材部1Aの同じ高さの位置に、環状の冷媒流路2が形成されている。冷媒流路2は、冷媒供給口3に接続され左右2方向に分岐した第一流路2−1と、第一の連絡流路2B−1を経て左右2方向に分岐した第二流路2−2と、第二の連絡流路2B−2を経て左右2方向に分岐した第三流路2−3とを有し、第三流路2−3は冷媒排出口4に接続されている。
なお、本発明を採用するにあたって、試料台1の温度分布をより精度良く均一に制御したい場合には、冷媒流路2の領域をより多元化すればよい。例えば、冷媒流路2を、試料台1の外周端に近い位置に設けられた冷媒供給口3に接続され、左右2方向に分岐した第一流路と、第一の連絡流路を経て左右2方向に分岐した第二流路と、第二の連絡流路を経て左右2方向に分岐した第三流路と、第三の連絡流路を経て左右2方向に分岐した第四流路と、第四の連絡流路を経て左右2方向に分岐した第五流路とを有し、第五流路を試料台1の中央に近い位置に設けられた冷媒排出口4に接続することで、より多元化した構成が得られる。また、冷媒供給口3と冷媒排出口4の設置位置、及び冷媒流路2の断面積の大小関係を逆転させても良い。
冷媒は、気液二相状態にて冷媒供給口3から冷媒流路2内に流入し、蒸発潜熱にて試料台1を冷却し、同状態にて冷媒排出口4から流出する。冷媒の熱伝達率は冷媒供給口3から冷媒排出口4に向けて大きく変化することから、冷媒の熱伝達率を冷媒流路2内で一定にするために、冷媒流路2の断面積は第一流路2−1から第三流路2−3に向けて増加する構造とした。これにより、冷媒の熱伝達率が上昇する乾き度領域において冷媒の流速を下げることで、冷媒の熱伝達率の上昇を抑制する。
このための具体的な構成例について、図3(図3A、図3B)で説明する。
すなわち、本実施例では、試料台1内の冷媒流路2内において冷媒が蒸発する際の潜熱(気化熱)により冷媒と接している試料台1の冷却が行われる構成である。この冷媒の熱交換(蒸発)が生じている冷媒流路2内では、冷媒が気液二相の状態である。すなわち、乾き度をXとすると、0<X<1であり、この状態で冷媒の圧力Pが一定である限り冷媒の蒸発温度は理論的に一定である。一方、冷媒の温度TEは、基本的に冷媒の圧力Pが増大するにつれて大きくなる。
そこで本発明では、膨張弁9、10の開度により冷媒の圧力Pを制御することや、圧縮機7の回転数により冷媒の流量Qを調節することで、冷媒流路2内の冷媒温度TEを設定する構成とした。
図3Aに、直膨式冷却サイクルの冷媒熱伝達率αの特性、図3Bに圧力損失ΔPの特性を示す。図3A、図3Bに実線で示した「流路断面積変更」のグラフは、本発明に基づき複数の領域の流路断面積が連続的に理想的な値に変更された場合を示し、太い点線で示した「本実施例」のグラフは図2で示したステップ状に拡大する流路断面形状に相当する。また、細い点線で示した「流路断面積一定」のグラフは、従来の一般な流路構成、すなわち、冷媒流路2の入口3から出口4までの間の各領域の流路断面積が一定の場合における、乾き度Xと熱伝達率αおよび圧力損失ΔPの関係を示したものである。
直膨式冷却サイクルは、冷媒が液体から気体に蒸発する際の潜熱を利用して冷却を行い、冷媒の蒸発温度は圧力によって制御可能である。
冷媒は、液体と気体の割合(乾き度X)が変化しても、気液二相状態かつ圧力Pが一定であれば、蒸発温度TEは変化しない。しかし、冷媒の蒸発が進行して乾き度が変化すると、「流路断面積一定」の場合、図3Aに細い点線で示したように、熱伝達率αが大きく変化してしまう。一方、図3Bに細い点線で示すように、冷媒の蒸発によって乾き度が変化すると、冷媒流路の単位長さあたりに発生する冷媒の圧力損失ΔPも大きく変化する。
直膨式冷却サイクルでは、液体から気体に相変化する過程において、冷媒の伝熱様式が強制対流蒸発、ドライアウトと変化する。冷媒の蒸発初期から強制対流蒸発が開始し、その後、乾き度Xの上昇に伴って熱伝達率αおよび圧力損失が上昇する。そして、冷媒の乾き度Xが一定に達すると、ドライアウト(液膜の消失)が発生して熱伝達率αおよび圧力損失ΔPが低下する。ただし、圧力損失ΔPは熱伝達率のように急激には低下しない。このように直膨式冷却サイクルでは冷媒の乾き度Xによって冷媒の熱伝達率αおよび圧力損失ΔPが大きく変化するため、前記したように直膨式冷却サイクルをウエハ用の冷却機構として採用する際には、ウエハ面内の温度分布制御が技術的な課題となっているのである。
上記のとおり、冷媒の相変化に伴う熱伝達率αと圧力損失ΔPを制御してウエハ面内の温度均一性を得るために、本発明では冷媒流路2内の冷媒にドライアウトが発生しないように冷媒流量を制御し、かつ冷媒流路2の各領域の断面積が冷媒の相変化に対応して供給口3から排出口4に向かって順次増加するように構成した。
すなわち、図3Aに示す流路断面積が一定の一般的な特性において冷媒の熱伝達率αの大きい所に相当する位置、換言すると冷媒排出口4に近い領域では、流路断面積を大きくして冷媒の流速を低下させることで冷媒の熱伝達率αを下げる。これにより、図3Bの圧力損失ΔPが大きい所、換言すると冷媒排出口4に近い領域で流路断面積が拡大することとなり、圧力損失の抑制にもつながる。上記構成により、結果的に冷媒流路2の供給口3から排出口4までの間における熱伝達率αの特性をフラットに近づけ、かつ圧力損失ΔPによる冷媒温度の変化を低減できる。
このように、基材部1Aに設けられた冷媒流路2の断面積を供給口3から排出口4に向けて順次大きくなるように構成することで、冷媒流路2内で冷媒の熱伝達率αの均一化を図り、かつ圧力損失ΔPを抑制することができる。
つまり、冷媒流路2内でドライアウトが発生しないように冷媒流量が制御されている状態において、冷媒流路の断面積が供給口3から排出口4に向かって順次増加する構造とすることで、冷媒の相変化による熱伝達率αの変化を低減しながら圧力損失ΔPに起因する冷媒蒸発温度の不均一を抑制し、試料台1の電極面内の温度を均一に保つことが可能となる。
ところで、図3A、図3Bに示した、冷媒流路の断面積を冷媒流路内の冷媒相変化に対応して連続的に変化させる構造を採用し、冷媒熱伝達率を流路内で均一化し、かつ圧力損失を低減させ、被加工試料の温度を面内均一に制御する方法は、冷媒が気液二相状態である場合において、所望の熱伝達率特性が得られる。
冷媒が液状態や蒸気状態の場合には顕熱による冷却となるため、冷媒圧力が一定であってもエンタルピの変化に伴って冷媒の温度が変化してしまう。このため、直膨式冷却サイクルを用いて電極面内温度ひいてはウエハ面内温度を均一に制御するためには、電極の流路形状(断面積)を熱伝達率及び圧力損失を考慮して最適化すると同時に、プロセス条件の変化の如何に拘わらず、電極に供給、そして排出される冷媒が常に気液二相流状態になるように、温調システムを構成する必要がある。
特に、プラズマエッチングによるウエハの処理の開始時に試料台の試料載置面を速やかに所定の温度条件にすることや、ウエハの処理レシピの変更に伴いウエハWへの入熱状況が大きく変化するにもかかわらず試料載置面の温度を一定に維持する必要がある場合、あるいは処理レシピの変更に伴い、試料載置面の温度を速やかに他の設定温度に変更する必要がある場合等、過渡的な状態であっても、要求される試料台の温度制御特性を満たす必要がある。より具体的には、ウエハの微細加工用の試料台に適した温調ユニットとして、1℃/1秒程度のダイナミックな温度変化があっても、試料台内の冷媒が常に気液二相流状態になるように、温調システムを構成することが求められる。
本発明の温調システムは、このようなダイナミックな温度変化、あるいはダイナミックな入熱状況の変化がある場合でも、試料台に設けられた冷媒流路2の冷媒が常に気液二相状態を維持し、ウエハ面内温度を高速に所望の温度に制御することを可能にするものである。
以下、本発明の温調システムの構成と作用を図4に示す。ここでは、プロセス処理条件が大きく変化する過渡的な状態、例えば、ウエハへのバイアス印加電力が低あるいは中程度の低入熱エッチング状態から、高バイアス電力となり大入熱エッチングに変化する場合において、試料台温度コントローラ100によりウエハの処理条件の変化に対応させ、図4の(a)のように時間T1で温度下降制御を開始し、ウエハの温度を高速に低下させる場合の制御例を示している。
まず、時間T1で、圧縮機7の回転数を増加させることで電極に供給する冷媒量を増加させ(図4(b))、冷媒の熱伝達率の向上ならびに冷媒流路2内でのドライアウトの発生を抑制する。第1の膨張弁9は開度を低下(図4(c))、また第2の膨張弁10は開度を増加させる(図4(d))ことで、電極流路2内における冷媒の圧力を低下させて冷媒の蒸発温度を低下させる。この際、ウエハ温度を低下させると同時に電極の温度も同時に低下させることが必要となり、冷却サイクルが回収する熱量は急激に上昇する。このため、冷媒蒸発用ヒータ11の吸熱能力を低下させ(図4(e))、さらに凝縮器8の排熱能力(熱交換)を増加させる(図4(f))必要がある。凝縮器8の排熱能力を増加させる際には、流量弁16または温度制御水槽17を用いて凝縮器8に供給される熱交換用水の流量を増加させるか、または温度を下げるように制御すればよい(図4では流量制御の例を示している)。凝縮器8の排熱能力の制御方法の詳細は、下記(図5Aから図5C)にて述べる。
また、本発明のシステムを用いてウエハの温度を高速に上昇させる場合には、上記図4の制御パターンと逆の制御を行なえばよい。なお、バイパス流路14などを用いて凝縮器8の排熱能力を完全にゼロとすれば、サイクルは冷却側から加熱側に切り替わる。
図5Aは、本実施例に採用されている冷却サイクルにおける冷媒の一般的な特性を示すグラフである。本実施例では、図1Aのように試料台1内の冷媒流路2内において冷媒が蒸発する際の潜熱(気化熱)を利用して冷媒と接している試料台1の冷却が行われる構成である。冷媒流路2内において冷媒が気液二相状態(乾き度X=0より大きく1未満、0:液体、1:気体)の場合には冷媒圧力(P)が一定である限り冷媒の蒸発温度(TE)は理論的に一定である。冷媒の温度は基本的に冷媒の圧力が増大するにつれて高くなる。これに対し、冷媒が液体又は気体状態にある場合には、冷却は冷媒の顕熱で行われることとなり、冷媒圧力を一定に保っても、エンタルピの変化に応じて冷媒の温度は変化する。図5Aにおいても、液体又は気体領域ではエンタルピの変化と共に温度(等温線)が変わることが確認できる。つまり、冷媒流路2内において冷媒の流動様式に飽和液体または飽和気体の状態が含まれる場合には、電極面内温度ひいてはウエハ面内温度を均一に制御することが困難となる。尚、ここでのエンタルピとは冷媒1kgが持つ熱量のことを示している。
図5Bに、比較例として、本実施例に採用されている冷却サイクルにおける凝縮器の排熱能力制御部103を動作させない場合の、サイクルの一般的な特性を示す。冷媒流路2内で蒸発しながらエネルギを得てエンタルピが増大した冷媒は、やがて完全蒸発して気液二相状態から蒸気(気体領域)に達する。その後、圧縮機により圧縮され、凝縮器にて凝縮されて排熱することで冷媒は蒸気から気液二相を通過して液状態に流動様式が変化する。液状態の冷媒は、第1の膨張弁9により減圧(膨張)され、冷媒の蒸発温度が決定される。冷媒が気液二相状態の場合には冷媒圧力が一定である限り、冷媒蒸発温度TEは一定である。
ここで、例えば図5Bに示すように第1の膨張弁9で減圧された冷媒が液体で冷媒流路2に供給された場合、冷媒が気液二相状態に達するまでの液状態においては、エンタルピの変化により冷媒の温度が変化する。図5Bを用いて具体的に示せば、冷媒流路2内の冷媒蒸発温度TEを0℃(気液二相状態において)に設定しようと冷媒圧力を調節しても、凝縮が過剰なため液状態において冷媒温度は−20℃まで低下して冷媒流路2に供給される。つまり、冷媒流路2には−20℃の液状冷媒が供給され、冷媒はエネルギを得ながらやがて気液二相状態に達することで、冷媒の蒸発温度TEは設定値の0℃となる。液状態における−20℃から気液二相状態における0℃まで変化する間に、冷媒はiB−iAのエンタルピ増加が必要である。一方、図5Bのように冷媒流路2内でエンタルピがiCまで増加して冷媒が完全気化した場合には、完全気化した冷媒が流れる領域の冷却能力は急激に低下する。
上記のように、冷媒流路2内において冷媒の流動様式を気液二相状態に保たない限り、冷媒圧力を一定にしても冷媒流路2内の冷媒温度は一定とならず、電極面内ひいてはウエハ面内温度を均一に制御することができない。
これに対し、図5Cに、本発明の実施例1に採用されている冷却サイクルにおける凝縮器の排熱能力制御部103を動作させた場合の、冷媒の流動様式制御方法を示す。ここでは、冷媒流路2内において冷媒を気液二相状態に保ち、かつ冷媒の蒸発温度を0℃に設定する例を示す。まず、冷媒流路2に供給する冷媒量はプラズマからの入熱に対して過剰に供給することで、冷媒流路2の出口においても冷媒は気液二相状態を保ったまま排出される。例えば、冷媒流路2内において冷媒のエンタルピが図5C中のiFまで上昇した場合には、冷媒は完全に気化してしまう。そのため、圧縮機7により冷媒流量を増加することで、冷媒流路2内において冷媒のエンタルピはiE程度までとなるように制御し、冷媒流路から排出された冷媒を冷媒蒸発用ヒータ11にて完全蒸発(エンタルピiFまで上昇)させればよい。
次に、電極に供給される冷媒を気液二相状態に保ちたい場合には、凝縮能力を制御し、過剰な排熱を抑制する必要がある。図5Cで示せば、液領域において0℃の等温線上(iD)までエンタルピを減少させればよい。凝縮能力が過剰である場合、冷媒は液状において設定温度の0℃よりも更に低くなってしまう。凝縮能力の制御は、凝縮器8内にて熱交換する水の流量又は温度を制御することで達成される。これにより、第1の膨張弁9を経て冷媒流路2に供給される冷媒は、気液二相かつ0℃となる。尚、図5C中に(A)で示すように凝縮中の冷媒を飽和液線(乾き度=0)に達する前に第1の膨張弁9にて減圧してもよいが、第1の膨張弁9位置にて冷媒が気液二相状態(フラッシュガス状態)であると、第1の膨張弁9の開度に対する冷媒の圧力変化特性が不安定となり、温度の制御性が低下する恐れがある。
本実施例によれば、電極流路内に供給する冷媒のエンタルピを調整し、電極流路内における冷媒の流動様式を気液二相流に保つことで、電極面内温度ひいてはウエハ面内温度を均一に制御することが可能となる。具体的には、電極に流入する直前の冷媒について蒸発能力を制御することで、冷媒と熱交換用水の過剰な熱交換を抑制することが可能となり、冷媒流路内において流動様式が気液二相流に保たれ、被加工試料の温度を面内均一に制御することができる。
さらに、エッチング処理条件の変化に即応した高速かつ面内均一なウエハの温度制御を行うことができる。例えば、低ウエハバイアス電力の印加状態から高ウエハバイアス電力の印加による大入熱エッチング状態への短時間での変更があっても、ウエハの温度を、直接膨張サイクルを用いて面内均一に制御することが可能な試料台用の温調ユニットを提供できる。
本発明の第2の実施例として、本発明を試料台を加熱、冷却の双方の温度制御を行うためのヒートポンプサイクルとしてプラズマ処理装置に適用した実施例を図6(図6A、図6B)、図7で説明する。
第2の実施例において、ヒートポンプサイクルを冷却サイクルとして使用する場合、その基本的な構成、機能は実施例1(図1参照)に採用されているサイクルと同じものである。図6に、冷媒供給/排出方向切換え制御手段142で制御される冷媒流路2に対する冷媒の供給/排出口の切換え機構の一例を示す。ヒートポンプサイクルは、第1の熱交換器(試料台1に設けられた冷媒流路)2と、(直膨式冷媒供給装置60内の)圧縮機7、第2の熱交換器(凝縮器)8、第1の膨張弁9、第2の膨張弁10、冷媒蒸発用ヒータ11を備えている。また、凝縮器8にはバイパス用の流路14と制御弁27とが設置され、流量弁16、温度制御水槽17などが冷却水流路28の途中に設置されている点も、実施例1と同じである。
一方、ヒートポンプサイクルを加熱サイクルとして使用する場合、冷媒流路2に対する冷媒の供給/排出口の関係を冷却サイクルとは逆の関係に切り換える。また、第1の熱交換器(試料台1に設けられた冷媒流路)2は凝縮器、(直膨式冷媒供給装置60内の)第2の熱交換器8は蒸発器として機能する。したがって、試料台温度コントローラ100は、図1Bに示した各機能に相当する機能、すなわち、温度統括制御部、第1の熱交換器の圧力・流量制御部102、第2の熱交換器の排熱能力制御部103、冷媒用ヒータの制御部104、静電吸着・伝熱ガス制御部105、第一膨張弁の開度制御部106、第二膨張弁開度制御部107、圧縮機の回転数制御部108に加えて、加熱/冷却運転制御部141や、運転モード(加熱サイクル、冷却サイクル)の切替えのための、冷媒供給/排出方向切換え制御手段142を備えている。
図2に示すように、電極内の冷媒流路2が冷媒の熱伝達率の変化に応じて断面積が最適化させている場合、冷却サイクルの気液二相流は冷媒流路内にて熱伝達率がほぼ一定となる。これは前述した通り、流路断面積が一定の一般的な特性において冷媒の熱伝達率の大きい所では、流路断面積を大きくして冷媒の流速を低下させることで冷媒の熱伝達率を下げる。逆に、冷媒の熱伝達率が小さい所では、流路断面積を小さくして冷媒の流速を増大させることで冷媒の熱伝達率を上げる。このようにして、電極内冷媒流路の入口から出口において熱伝達率の値をフラットなものにできる。
これに対し、冷媒が加熱サイクルの場合、冷媒流路2内における冷媒の熱伝達率変化は冷却サイクルの時と逆の特性を示す。つまり、凝縮・排熱時においては冷媒の供給口にて熱伝達率が最大となり、冷媒の排出口において熱伝達率は最小となる。このため、加熱サイクルにおいて電極面内を均一に加熱するためには、冷却サイクルに対して冷媒流路2の冷媒供給/排出口を逆転させる必要がある。
これは、図6(図6A、図6B)のように、冷媒流路5A(5A1,5A2)や冷媒流路5B(5B1,5B2)の一部をバイパスするためのバイパス配管5C、5Dと開閉バルブ41〜44を設置することにより、冷媒流路2への冷媒の供給方向は容易に切換え可能となる。すなわち、冷却サイクル時は、図6Aに示したように、第1の弁41、第2の弁42を「開」とし、第3の弁43、第4の弁44を「閉」とし、冷媒流路5A(5A1,5A2)が試料台1の中央側の冷媒供給口3に接続され、蒸発器として機能する第1の熱交換器(試料台1に設けられた冷媒流路)2を経て、試料台1の外周側の冷媒排出口4に冷媒流路5B(5B1,5B2)が接続され、冷媒流路5Bがさらに、(直膨式冷媒供給装置60内の)第2の熱交換器(蒸発器)8に接続されるようにすれば良い。また、加熱サイクル時は、図6Bに示したように、第1の弁41、第2の弁42を「閉」とし、第3の弁43、第4の弁44を「開」とし、冷媒流路5A1、バイパス配管5C、冷媒流路5B1が外周側の冷媒供給口4に接続され、凝縮器として機能する第1の熱交換器(試料台1に設けられた冷媒流路)2を経て、試料台1の中央側の冷媒出口3に冷媒流路5A2、バイパス配管5D、冷媒流路5B2が接続され、さらに、(直膨式冷媒供給装置60内の)第2の熱交換器(蒸発器)8に接続されるようにすれば良い。
次に、図7に、第2の実施例の加熱サイクルを用いて加熱運転を実施する際の、冷媒の流動様式制御方法を示す。加熱サイクルでは、第1の熱交換器すなわち冷媒流路2内で冷媒を凝縮して冷媒から電極に熱を移動させることで電極基材部1Aを加熱する。
サイクル内の動作としては、まず第2の熱交換器8に供給する熱交換用水の供給を停止し、第2の膨張弁10を絞ることで、冷媒蒸発用ヒータ11にて冷媒を減圧して蒸発させ、吸収した熱を電極基材部1Aの第1の熱交換器2で凝縮して排熱させる。尚、第2の熱交換器8の熱交換用水を供給停止する代わりに、凝縮器用のバイパス流路14を設置してもよいが、バイパス流路14を使用した際にはサイクル内の冷媒が凝縮器8内に溜まることでサイクル内の冷媒循環量が低下する可能性もある。
冷却サイクルと同様に、加熱サイクルにおいても液体又は気体状態においてはエンタルピの変化と共に冷媒温度が変わるため、冷媒流路2内において冷媒を気液二相状態に保ちながら加熱することによって、電極面内ひいてはウエハ面内の温度を均一に上昇させることができる。
加熱サイクルにおいて第1の熱交換器を構成する冷媒流路2内で気液二相状態を保つためには、圧縮機7で圧縮されて冷媒流路2内に供給される蒸気のエンタルピを制御する必要がある。このためには、第2の熱交換器8の熱交換用水の水量や温度を制御することで、例えばiIまで増加していたエンタルピをiHまで低下させ、冷媒流路2に供給すればよい。また、圧縮機7の回転数を制御することで必要な加熱能力に対して加熱サイクル内の冷媒循環量を十分に確保することで、図中に示す完全液化前のエンタルピiGで冷媒流路2から冷媒を排出することが可能となり、冷媒流路2内において気液二相状態が保たれ、電極面内ひいてはウエハ面内を均一に加熱することができる。
本実施例によれば、電極流路内に供給する冷媒のエンタルピを調整し、電極流路内における冷媒の流動様式を気液二相流に保つことで、電極面内温度ひいてはウエハ面内温度を均一に制御することが可能となる。具体的には、電極に流入する直前の冷媒について凝縮能力を制御することで、冷媒と熱交換用水の過剰な熱交換を抑制することが可能となり、冷媒流路内において流動様式が気液二相流に保たれ、被加工試料の温度を面内均一に制御することができる。
さらに、高ウエハバイアス電力の印加による大入熱エッチング時のウエハの温度を、直接膨張サイクルを用いて面内均一に制御することが可能な試料台用の温調ユニットを提供できる。
本発明の第3の実施例として、ボイド率測定器を備えた直接膨張サイクルの例を図8〜図10で説明する。
まず、図8に本実施例で使用する冷媒の流動様式を示す。図8の(a)は乾き度と熱伝達率の関係、(b)は乾き度とボイド率の関係、(c)は冷却サイクルにおける冷媒の流動様式を示している。一般的に冷却サイクルで使用されるハイドロフルオロカーボン系の冷媒は図8と同様の傾向を示す。冷却サイクルにおいて冷媒は液体から気液二相そして気体へと流動様式を変化させる。この際、前記の流動様式の変化に伴って冷媒内の気泡、つまりボイド率が増加していく。冷媒が液体の場合、ボイド率は0であり、冷媒が完全気体の場合にはボイド率は1になる。これより、冷媒流路2内の冷媒を常に気液二相状態に保ちたい場合には、電極に供給される冷媒、及び電極から排出される冷媒のボイド率を測定して、流動様式の監視と制御を行えばよい。ボイド率は触針式、X線やγ線による減弱法などにより測定が可能である。尚、冷媒は気体に変化する(完全気化)前に、ドライアウト(液膜の消失)が発生し、冷媒の熱伝達率が急激に低下する。このため、ボイド率にて気液二相状態を監視する場合には、ドライアウトが発生するボイド率を事前に把握し、電極から排出される冷媒のボイド率がドライアウト発生限界以下となるようにサイクル内の冷媒循環量を制御する必要がある。
図9に、本発明の第3の実施例になるプラズマ処理装置の全体的なシステム構成を示す。この実施例のプラズマ処理装置は、第1の実施例の構成に加えて、サイクル内における電極流路の冷媒供給側及び排出側にボイド率の計測手段としてボイド率測定器18が設置されている。
ウエハWの温度は、プラズマエッチ等の処理条件、すなわちプラズマからウエハWへの入熱状況と、冷媒流路2内の冷媒による冷却又は加熱状況により変化する。電極内には温度センサが設けられ、冷却又は加熱サイクル時における冷媒の循環量及び蒸発温度が試料台温度コントローラ100で制御される。
次に、実施例3の動作について、簡単に説明する。まずウエハWが処理室30に搬入され、下部電極1上に載置、固定される。ついで、プロセスガスが供給され、処理室30は所定の処理圧力に調整される。次に、アンテナ電源21及びバイアス電源22の電力供給と、図示されない磁場形成手段の作用によりプラズマが生成され、このプラズマを用いたエッチング処理がなされる。プロセス中のウエハ温度の制御は、温度センサ6からの温度情報をモニタしながら試料台温度コントローラ100にてフィードバック制御を行い、圧縮機7、第1の膨張弁9、第2の膨張弁10、及び凝縮器8の排熱能力を調節して、冷媒の流量及び蒸発温度を調節することによって行なわれる。
この際、電極入口及び電極出口には冷媒のボイド率を測定するボイド率測定器18が設置されており、冷媒流路2内において冷媒が気液二相状態に保たれていることを監視している。ボイド率の測定結果は試料台温度コントローラ100の制御に反映されている。万一プラズマの入熱量等が経時的に増加するなどして冷媒流路2内で冷媒のドライアウトが発生するような場合には、圧縮機7の回転数を増加させ、冷媒流路2内におけるドライアウトの発生を抑制できる。また、冷媒流路2に供給される冷媒が液状になっていた場合には、熱交換水用の流量弁16及び温度制御水槽17の制御により、冷媒流路2内に供給される冷媒を気液二相状態に保つことができる。これにより、冷媒流路2内においては冷媒が常に気液二相状態であり、試料の面内温度を均一かつ高速に制御可能となる。
なお、ボイド率を定量的に測定する必要はないが、冷媒の流動様式や流動状態を簡易的に知りたい場合には、電極入口または電極出口にサイトグラスなどを設置すればよい。サイトグラスの外観を図10に示す。サイトグラス50は、ガラス等の透明窓51を備えており、サイクル内の試料台外の冷媒流路5A,5Bの一部を透明な構造とすることで、サイクル内の任意箇所における冷媒の様子を目視にて確認することができる。図10の例では、液体中に気体の泡が存在している気液二相状態であることがわかる。
これらの構成及び制御方法を採用することにより、高ウエハバイアス電力の印加による大入熱エッチング条件においても、ウエハWの面内全体で高精度な加工が可能となる。
このようなプロセスを経てエッチングが完了し、電力、磁場及びプロセスガスの供給が停止される。
尚、プラズマの生成手段が、ウエハWの対面に配置された電極にウエハWに印加されるのとは別の高周波電力を印加する方式、誘導結合方式、磁場と高周波電力の相互作用方式、試料台1に高周波バイアス電力を印加する方式のいずれの方式であっても、本発明が有効であることは言うまでもない。
また、本発明は、ウエハWに3W/cm以上の高周波バイアス電力を印加するような大入熱が生じる加工条件に対応し、アスペクト比が15以上となる高アスペクトの深孔加工を行なう際にも有効である。プラズマ処理を行なう薄膜は、SiO2、Si3N4、SiOC、SiOCH、SiCのいずれか1種類を主成分とする、難加工性の絶縁膜などの、単一の膜、または2種類以上の膜種にて構成される多層膜などが想定される。
なお、第2の実施例の加熱サイクルにおいても、本実施例と同様にサイクル内にボイド率測定器18やサイトグラスを組み込むことで、同様な効果が得られることはいうまでもない。
本実施例によれば、電極流路内に供給する冷媒のエンタルピを調整し、電極流路内における冷媒の流動様式を気液二相流に保つことで、電極面内温度ひいてはウエハ面内温度を均一に制御することが可能となる。具体的には、電極に流入する直前の冷媒について凝縮能力を制御することで、冷媒と熱交換用水の過剰な熱交換を抑制することが可能となり、冷媒流路内において流動様式が気液二相流に保たれ、被加工試料の温度を面内均一に制御することができる。
さらに、高ウエハバイアス電力の印加による大入熱エッチング時のウエハの温度を、直接膨張サイクルを用いて面内均一に制御することが可能な試料台用の温調ユニットを提供できる。
本発明は、更に、冷媒流路2をウエハ面内の半径方向(内外)に多元的する構造であってもよい。すなわち、図11に示すように冷媒流路2は、半径方向に異なる位置にある2つの冷媒供給口3、3’に接続された第一流路2−1、2−1’及び、断面積が拡大した第二流路2−2、2−2’及び、更に断面積が拡大した第三流路2−3、2−3’を有し、2つの第三流路は半径方向に異なる位置にある2つの冷媒排出口4、4’に接続されている。この実施例において、多元的(に設置された)冷媒流路2は、夫々独立した直膨式冷却サイクルの蒸発器(もしくは加熱サイクルの第1の熱交換器)を構成する。すなわち、上下2つの冷媒流路2が面内において各々独立した構造であり、各冷媒流路は、夫々独立した直膨式冷却サイクルの一部として構成される。各直膨式冷却サイクルの冷媒流路の領域の冷媒の圧力(冷媒蒸発温度)を別々に制御することで、試料台1上のウエハの面内温度分布を任意に制御することができる。これにより、高ウエハバイアス電力の印加による大入熱エッチング時のウエハの温度を、高速、面内均一、かつ広い温度範囲にて制御することが可能な温調ユニットを提供することができる。
また、上記各実施例に加えて、誘電体膜中にヒータ層が設けられている場合にも、本発明を適用できる。ウエハWの温度は、プラズマエッチ等の処理条件、すなわちプラズマからウエハWへの入熱状況と、各ヒータ領域の出力と、冷媒流路2内の冷媒による冷却状況により変化する。ヒータ層の各領域には夫々温度センサが設けられ、ヒータ電源から各ヒータ領域へ供給される電力が、冷却サイクルの流路2を流れる冷媒流量などと共に、試料台温度コントローラ100で制御される。
本発明は、更に、プラズマ処理装置の試料台に設けられた冷媒流路を蒸発器とするものにおいて、冷媒流路の流路断面積が、供給口から排出口まで一定の構成の場合にも適用できる。すなわち、プラズマ処理装置の試料台に設けられ冷却サイクルの蒸発器を構成する冷媒流路内に供給される冷媒のエンタルピを制御することで冷媒流路すなわち試料台内の流動様式を気液二相流に保つことにより、被加工試料の温度を面内均一に制御することができる。あるいは、プラズマ処理装置の試料台を第1の熱交換器として、圧縮機、第2の熱交換器、膨張弁を備える加熱サイクルが構成されたものにおいて、冷媒流路内に供給される冷媒のエンタルピを制御することで冷媒流路すなわち試料台内の流動様式を気液二相流に保ち、被加工試料の温度を面内均一に制御することができる。例えば、加熱サイクルの場合、図7において、冷媒流路2内で気液二相状態を保つためには、圧縮機7で圧縮されて冷媒流路2内に供給される蒸気のエンタルピを制御する必要がある。このためには、第2の熱交換器8の熱交換用水の水量や温度を制御することで、例えばiIまで増加していたエンタルピをiHまで低下させ、冷媒流路2に供給すればよい。また、圧縮機7の回転数を制御することで必要な加熱能力に対して加熱サイクル内の冷媒循環量を十分に確保することで、図中に示す完全液化前のエンタルピiGで冷媒流路2から冷媒を排出することが可能となり、冷媒流路2内において気液二相状態が保たれ、電極面内ひいてはウエハ面内を均一に加熱することができる。
本実施例では、すでに述べた実施例とは異なり、冷媒の熱伝達率が上昇する乾き度領域において冷媒の流速を制御し冷媒の熱伝達率の上昇を抑制する、という機能を欠いている。そのため、冷媒流路2内における冷媒の熱伝達や圧力損失の上昇を抑制できず、試料台上の被加工試料の面内温度を均一に制御するのが困難になるという欠点はあるが、試料台の冷媒流路の加工が容易であるという利点がある。
本発明の第1の実施例にかかるプラズマ処理装置の構成を示す概略図である。 図1Aの試料台温度コントローラの機能的な構成例を示す図である。 本発明の第1の実施例にかかる試料台内の流路構成を示す概略図である。 第1の実施例における直膨式冷却サイクルの冷媒熱伝達率αの特性を説明する図である。 第1の実施例における直膨式冷却サイクルの圧力損失ΔPの特性を説明する図である。 本発明にかかるプラズマ処理装置の制御例を示す概略図である。 本発明に採用されている冷媒の一般的な特性を示す図である。 比較例として、本実施例に採用されている冷却サイクルにおける凝縮器の排熱能力制御部を動作させない場合の、一般的な動作例を示す図である。 本発明に採用されている冷却サイクルの制御例を示す図である。 本発明の第2の実施例にかかる試料台への冷媒供給方法(冷却サイクル)を示す概略図である。 本発明の第2の実施例にかかる試料台への冷媒供給方法(加熱サイクル)を示す概略図である。 本発明の第2の実施例に採用されている加熱サイクルの制御例を示す図である。 本発明の第3の実施例に採用されている冷媒の一般的な特性である。 本発明の第3の実施例にかかるボイド率の計測手段を備えたプラズマ処理装置の全体的なシステム構成を示す概略図である。 本発明の第3の実施例に採用されているサイトグラスの例である。 本発明の第4の実施例にかかる試料台内の流路構成を示す概略図である。
符号の説明
1…試料台、1A…基材部、1B…下部電極(静電吸着電極)、2…冷媒流路(冷媒蒸発器)、3…冷媒供給口、4…冷媒排出口、5A…入口側冷媒流路、5B…出口側冷媒流路、6…温度センサ、7…圧縮機、8…凝縮器、9…第1の膨張弁、10…第2の膨張弁、11…冷媒蒸発用ヒータ、12…Heガス、13…伝熱ガス供給系、14…バイパス流路、15…電極プレート、16…流量弁、17…温度制御水槽、18…ボイド率測定器、20…真空排気系、21…アンテナ電源、22…バイアス電源、30…処理室、100…試料台温度コントローラ、101…統括制御部、102…冷媒蒸発器の圧力・流量制御部、103…凝縮器の排熱能力制御部、104…冷媒用ヒータの制御部、105…静電吸着・伝熱ガス制御部、106…第一膨張弁の開度制御部、107…第二膨張弁の開度制御部、108…圧縮機の回転数制御部、110…入力手段、120…出力手段、130…記憶装置、W…ウエハ。

Claims (4)

  1. 真空処理室内に試料台が設置され、前記真空処理室内に導入された処理ガスをプラズマ化し、該プラズマにて前記試料台に載置された被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、
    前記試料台に設けられた試料台冷媒流路を第1の熱交換器として、前記真空処理室の外に配置された圧縮機、第2の熱交換器、第1の膨張弁、入口側冷媒流路、前記第1の熱交換器、出口側冷媒流路、第2の膨張弁とがこれらの順に配置され当該順に冷媒が循環するように連結された熱サイクルが構成されており、
    前記試料台冷媒流路は、前記試料台に配置され前記冷媒が通流する第1の開口及び第2の開口と連通しており、前記試料台冷媒流路の流路断面積は、前記第1の開口から前記第2の開口に向かって順次増大するように構成されており、
    前記熱サイクルは前記冷媒を前記順に通流させつつ前記第1の熱交換器において前記冷媒の蒸発させる運転と凝縮させる運転とを切り替えるものであって、
    前記運転の切り替えに応じて、前記第1の熱交換器において前記冷媒を蒸発させる運転の際に前記入口側冷媒流路から前記第1の開口へ冷媒を供給し前記第2の開口から前記出口側冷媒流路へ冷媒を排出することと、前記第1の熱交換器において前記冷媒を凝縮させる運転の際に前記入口側冷媒流路から前記第2の開口へ冷媒を供給し前記第1の開口から前記出口側冷媒流路へ冷媒を排出することとを切り替えるとともに、
    前記被加工試料の処理時に、前記試料台の前記第1の熱交換器を通流する前記冷媒を気液二相状態に保つことを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
    前記第2の熱交換器と並行するバイパス流路を備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。
  3. 請求項1または2に記載のプラズマ処理装置において、
    前記第1または第2の膨張弁の開閉を調節して前記第の熱交換器における前記冷媒を蒸発させる運転と凝縮させる運転とを切り替えるものであって、
    前記圧縮機の回転数または前記第2の熱交換器における前記冷媒の熱交換量を調節して前記試料台冷媒流路に流入して流出するまでの前記冷媒を気液二相状態に保つことを特徴とするプラズマ処理装置。
  4. 請求項1乃至3の何れかに記載のプラズマ処理装置において、
    前記熱サイクル内に設けられ、冷媒の流動様式を監視するモニタを備えており、
    前記被加工試料の処理時に、前記モニタによる監視結果にもとづき、前記試料台の前記第1の熱交換器に供給される前記冷媒を気液二相状態に保つことを特徴とするプラズマ処理装置。
JP2008302628A 2008-11-27 2008-11-27 プラズマ処理装置 Expired - Fee Related JP5185790B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008302628A JP5185790B2 (ja) 2008-11-27 2008-11-27 プラズマ処理装置
US12/368,412 US20100126666A1 (en) 2008-11-27 2009-02-10 Plasma processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008302628A JP5185790B2 (ja) 2008-11-27 2008-11-27 プラズマ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010129766A JP2010129766A (ja) 2010-06-10
JP5185790B2 true JP5185790B2 (ja) 2013-04-17

Family

ID=42195149

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008302628A Expired - Fee Related JP5185790B2 (ja) 2008-11-27 2008-11-27 プラズマ処理装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20100126666A1 (ja)
JP (1) JP5185790B2 (ja)

Families Citing this family (267)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10216786C5 (de) * 2002-04-15 2009-10-15 Ers Electronic Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden
JP4898556B2 (ja) * 2007-05-23 2012-03-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP5401286B2 (ja) 2009-12-04 2014-01-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料台の温度制御機能を備えた真空処理装置及びプラズマ処理装置
JP5703038B2 (ja) * 2011-01-26 2015-04-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US9245719B2 (en) 2011-07-20 2016-01-26 Lam Research Corporation Dual phase cleaning chambers and assemblies comprising the same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
EP2752083A1 (en) 2011-08-30 2014-07-09 Watlow Electric Manufacturing Company System and method for controlling a thermal array
TWI540672B (zh) * 2011-09-28 2016-07-01 住友大阪水泥股份有限公司 靜電吸持裝置
US10256123B2 (en) 2011-10-27 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Component temperature control using a combination of proportional control valves and pulsed valves
JP5947023B2 (ja) * 2011-11-14 2016-07-06 東京エレクトロン株式会社 温度制御装置、プラズマ処理装置、処理装置及び温度制御方法
KR20140078761A (ko) * 2011-11-22 2014-06-25 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 플라즈마 발생원 및 이것을 구비한 진공 플라즈마 처리 장치
US20130283829A1 (en) * 2012-04-25 2013-10-31 Basf Se Method for providing a refrigerant medium in a secondary cycle
JP5975754B2 (ja) 2012-06-28 2016-08-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
KR20140078284A (ko) * 2012-12-17 2014-06-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 포함하는 증착 장치
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
JP6307220B2 (ja) * 2013-03-19 2018-04-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
CN103887214B (zh) * 2014-03-27 2016-10-26 上海华力微电子有限公司 一种用于半导体刻蚀设备的温度控制系统及方法
CN105374657B (zh) * 2014-07-18 2017-07-25 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置及其温度控制方法
JP6420895B2 (ja) * 2014-08-06 2018-11-07 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び物体位置決めシステム
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
NL2015845A (en) * 2014-12-22 2016-09-22 Asml Netherlands Bv Thermal conditionig method.
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
CN105205186A (zh) * 2015-10-31 2015-12-30 南京南瑞继保电气有限公司 一种面向工业企业能源计量系统数据查询的数据组织方法
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
JP6982394B2 (ja) 2017-02-02 2021-12-17 東京エレクトロン株式会社 被加工物の処理装置、及び載置台
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
JP6803815B2 (ja) * 2017-07-25 2020-12-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び、基板処理装置の運用方法
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
WO2019035830A1 (en) * 2017-08-16 2019-02-21 Ecosense Lighting Inc MULTI-CHANNEL WHITE LIGHT DEVICE FOR HIGH-COLOR RENDERABLE WHITE LED ACCORDING LIGHT DELIVERY
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) * 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111033701B (zh) * 2017-09-13 2023-08-04 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
JP6971836B2 (ja) * 2017-12-26 2021-11-24 キヤノン株式会社 冷却装置、半導体製造装置および半導体製造方法
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
JP7022312B2 (ja) * 2018-01-25 2022-02-18 日新電機株式会社 容量素子及びプラズマ処理装置
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
JP7094131B2 (ja) * 2018-04-03 2022-07-01 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法
JP7101023B2 (ja) * 2018-04-03 2022-07-14 東京エレクトロン株式会社 温調方法
JP6920245B2 (ja) * 2018-04-23 2021-08-18 東京エレクトロン株式会社 温度制御方法
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11778779B2 (en) 2018-11-22 2023-10-03 Denso Corporation Electronic component cooling device
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
JP2021009590A (ja) * 2019-07-02 2021-01-28 株式会社Kelk 温度制御システム及び温度制御方法
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
JP7458156B2 (ja) * 2019-08-22 2024-03-29 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
JP7537147B2 (ja) * 2020-07-10 2024-08-21 東京エレクトロン株式会社 載置台、基板を処理する装置、及び基板を温度調節する方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
JP7417722B2 (ja) * 2021-06-01 2024-01-18 浙江求是半導体設備有限公司 エピタキシャル成長装置の加熱体
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4696191A (en) * 1986-06-24 1987-09-29 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Apparatus and method for void/particulate detection
US6091060A (en) * 1997-12-31 2000-07-18 Temptronic Corporation Power and control system for a workpiece chuck
US6415858B1 (en) * 1997-12-31 2002-07-09 Temptronic Corporation Temperature control system for a workpiece chuck
JP2005079539A (ja) * 2003-09-03 2005-03-24 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP2005085801A (ja) * 2003-09-04 2005-03-31 Shinwa Controls Co Ltd サセプタ冷却システム
JP4191120B2 (ja) * 2004-09-29 2008-12-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
KR100684902B1 (ko) * 2005-05-30 2007-02-20 삼성전자주식회사 온도 조절 장치 및 이를 가지는 기판 처리 장치, 그리고상기 장치의 온도를 제어하는 방법
US8221580B2 (en) * 2005-10-20 2012-07-17 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with wafer backside thermal loop, two-phase internal pedestal thermal loop and a control processor governing both loops
JP4815295B2 (ja) * 2006-07-26 2011-11-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP4564973B2 (ja) * 2007-01-26 2010-10-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP4969259B2 (ja) * 2007-01-31 2012-07-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP4898556B2 (ja) * 2007-05-23 2012-03-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP5210706B2 (ja) * 2008-05-09 2013-06-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5401286B2 (ja) * 2009-12-04 2014-01-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料台の温度制御機能を備えた真空処理装置及びプラズマ処理装置
JP5975754B2 (ja) * 2012-06-28 2016-08-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20100126666A1 (en) 2010-05-27
JP2010129766A (ja) 2010-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5185790B2 (ja) プラズマ処理装置
JP5401286B2 (ja) 試料台の温度制御機能を備えた真空処理装置及びプラズマ処理装置
JP5210706B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP4564973B2 (ja) プラズマ処理装置
JP4898556B2 (ja) プラズマ処理装置
JP4815295B2 (ja) プラズマ処理装置
JP6307220B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP4969259B2 (ja) プラズマ処理装置
JP5975754B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP4906425B2 (ja) プラズマ処理装置
JP4886876B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5416748B2 (ja) プラズマ処理装置
US8034181B2 (en) Plasma processing apparatus
WO2013073482A1 (ja) 温度制御装置、処理装置及び温度制御方法
Tandou et al. Improving the etching performance of high-aspect-ratio contacts by wafer temperature control: Uniform temperature design and etching rate enhancement
WO2020050375A1 (ja) 温調システム
JP2009081387A (ja) 基板冷却装置
KR102694724B1 (ko) 온도 조절 방법
WO2020050376A1 (ja) 温調方法
JPH08203866A (ja) 低温処理装置およびこれを用いた低温処理方法
TW201942529A (zh) 溫度調節系統

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111125

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120711

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120717

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120914

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121002

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121203

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121225

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130118

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160125

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees