KR101994229B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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주식회사 원익아이피에스
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 내부에 처리 공간이 형성되는 챔버; 상기 챔버 내부에 구비되어 기판이 안착되는 기판 지지대; 상기 기판 지지대 하부에 설치되는 히터; 및 상기 히터의 하부에 상기 챔버를 관통하도록 구비되어 상기 히터에 전원을 공급하며, 외부에서 유입되는 온도조절매체를 통해 상기 히터로부터 발생되는 열전달을 완화시켜주는 파워인가블록;을 포함하여, 챔버 내부에서 발생하는 열의 유출을 억제할 수 있다.

Description

기판 처리 장치{Substrate process apparatus}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 챔버 내부에서 발생하는 열의 유출을 억제할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 메모리 등 각종 전자 소자는 다양한 박막이 적층되어 제조된다. 즉, 기판상에 각종 박막을 형성하며, 이처럼 형성된 박막을 사진-식각 공정을 사용하여 패터닝하여 소자 구조를 형성하게 된다.
박막은 재료에 따라 도전막, 유전체막, 절연막 등 있으며, 박막을 제조하는 방법 또한 매우 다양하다. 박막을 제조하는 방법으로는 크게 물리적 방법 및 화학적 방법 등이 있다. 최근에는 반도체 소자 제조를 위해, 가스의 화학적 반응에 의해 기판상에 금속, 유전체 또는 절연체 박막을 형성하는 화학적 기상 증착(CVD: Chemical vapor deposition)을 주로 사용하고 있다.
CVD 방법으로 기판에 박막을 제조하는 경우, CVD 장치의 챔버 내부의 기판 지지대 상에 기판을 배치시키고, 챔버 내부로 공정 가스를 공급하여 이들 가스의 반응으로 박막을 제조한다. 이러한 CVD 방식은 기판상에서 박막이 모든 방향으로 형성되는 등방성 증착으로, 공정 가스가 공급되는 모든 영역에 박막이 제조된다. 기판이 CVD 챔버 내에 로딩되면, 기판의 후면이 기판 지지대에 지지되고, 기판의 앞면 및 측면이 노출되므로, 기판의 앞면 및 측면에 박막이 형성된다. 또한, 기판의 후면이 기판 지지대 상에 접촉하더라도, 기판의 후면과 기판 지지대 사이의 틈으로 공정 가스가 침투하여 기판 후면에도 박막이 형성될 수 있다.
한편, 기판 상부에 박막을 증착할 때는 기판을 가열하여 공정 반응 속도를 높이거나 박막이 원하는 재질로 형성되도록 한다. 이에 기판이 지지되는 기판 지지대에 히터를 설치하여 기판을 간접 가열하는 방식이 주로 사용되고 있다. 기판 지지대에 설치되는 히터는 챔버를 관통하며 설치되는 히터 블럭에 연결되어 전원을 공급받는다. 히터 블럭은 히터와 볼트 등의 고정부재로 연결되는 파워 포스트와, 파워포스트의 하부에 챔버를 관통하며 구비되어 외부 전원에서 전원을 공급하는 파워 케이블과 연결되는 파워인가블록을 포함하여 구성된다. 그런데 파워 포스트는 히터와 직접 접촉하도록 설치되기 때문에 히터에서 발생하는 열이 파워 포스트로 전달되어 파워 포스트와 연결되는 파워인가블록 및 파워 케이블은 물론, 주변 구성 요소들에 영향을 미쳐 손상시키는 문제점이 있다.
KR 2008-41893 A KR 2001-19836 A
본 발명은 설비의 구조 변경을 억제하고, 히터 블럭을 효과적으로 냉각시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명은 설비의 내구성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간이 형성되는 챔버; 상기 챔버 내부에 구비되어 기판이 안착되는 기판 지지대; 상기 기판 지지대 하부에 설치되는 히터; 및 상기 히터의 하부에 상기 챔버를 관통하도록 구비되어 상기 히터에 전원을 공급하며, 외부에서 유입되는 온도조절매체를 통해 상기 히터로부터 발생되는 열전달을 완화시켜주는 파워인가블록;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 히터와 상기 파워인가블록은 파워포스트를 통해 상호 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 파워 인가 블록 내부에는 중공부가 형성되고, 상기 중공부 내부에 상기 중공부의 내측벽과 이격 배치되어 상기 파워인가블록 하부를 관통하며 외부로 노출되며, 내부를 관통하는 내부유로가 형성된 제1 배관을 포함할 수 있다.
상기 중공부의 내측벽과 상기 제1 배관 외측 사이에 외부 유로가 형성되고, 상기 외부 유로와 상기 내부 유로는 서로 연통될 수 있다.
상기 파워인가블록에는 냉각재가 공급되는 주입구가 형성되고, 상기 주입구는 상기 외부 유로와 연통될 수 있다.
상기 제1배관의 외측과 상기 중공부 내벽 사이에 하방으로 연장 형성되는 제2 배관을 포함하고, 상기 제2배관의 하부 끝단이 상기 제1 배관의 외주면에 연결되어 상기 제2배관의 내주면과 상기 제1배관의 외주면 사이에 상기 외부유로가 연장되어 형성될 수 있다.
상기 제2배관의 상부는 상기 중공부에 배치되고, 상기 제2배관의 하부는 상기 파워인가블럭의 외부에 배치되며, 상기 제2배관의 하부에는 상기 파워인가블록 내부로 냉각재를 공급하기 위한 주입구가 형성될 수 있다.
상기 중공부의 내벽, 상기 제1배관의 내주면 및 상기 제1배관의 외주면 중 적어도 어느 하나에 요철구조가 형성될 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 따르면, 히터에서 발생하는 열이 챔버 외부로 전달되는 것을 효율적으로 억제 혹은 방지할 수 있다. 히터에 전원을 공급하는 히터 블럭에 냉각재가 순환할 수 있는 유로를 형성하여 히터 블럭을 냉각시켜 히터에서 발생하는 열이 주변 구성 요소로 전달되는 것을 감소시킬 수 있다. 이에 장치의 내구성을 향상시킬 수 있어 유지보수 비용을 절감할 수 있다.
또한, 히터 블럭을 교체 가능하도록 형성하여 기존 설비, 예컨대 챔버 등을 그대로 사용할 수 있어 설비 비용을 절감할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 보여주는 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 히터 블럭의 구성을 개략적으로 보여주는 단면도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 히터 블럭의 구성을 개략적으로 보여주는 단면도.
도 4는 도 3에 도시된 선A-A 및 선B-B의 단면도.
도 5는 히터 블럭의 변형 예를 보여주는 단면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 챔버(10), 기판지지대(30), 히팅장치(40) 및 가스분사기(20)를 포함한다. 또한, 기판 처리 장치는 기판지지대(30)를 받치고 이를 이동시키는 회전축(32) 및 챔버(10) 내의 진공 분위기를 형성하는 진공 형성부(50)를 포함한다.
이러한, 기판 처리 장치는 챔버(10) 내에 기판(S)을 로딩시킨 후, 기판(S) 상에 각종 처리를 행하는 장치로, 예컨대 챔버 내에서 반도체 소자를 제조하기 위해서 기판(S)을 로딩하고, 가스분사기로 공정 가스를 공급하여, 기판(S) 상에 박막을 제조할 수 있다.
챔버(10)는 상부가 개방된 본체(11)와, 본체(11)의 상부에 개폐 가능하게 설치되는 탑리드(12)를 구비한다. 탑리드(12)가 본체(11)의 상부에 결합되어 본체(11) 내부를 폐쇄하면, 챔버(10)의 내부에는 예컨대 증착 공정 등 기판(S)에 대한 처리가 행해지는 공간이 형성된다. 공간은 일반적으로 진공 분위기로 형성되므로, 챔버(10)의 소정 위치, 예컨대 챔버(10)의 바닥면이나 측면에는 공간에 존재하는 가스의 배출을 위한 배기관이(51)이 연결되어 있고, 배기관(51)은 진공 펌프(52)에 연결된다. 또한, 본체(11)의 바닥면에는 후술할 기판지지대(30)의 회전축(40)이 삽입되는 관통공이 형성되어 있다. 본체(11)의 측벽에는 기판(S)을 챔버(10) 내부로 반입하거나, 외부로 반출하기 위한 게이트 벨브(미도시)가 형성되어 있다.
기판 지지대(30)는 기판(S)을 지지하기 위한 구성으로서 챔버(10) 내부의 하측에 설치된다. 기판 지지대(30)는 회전축(32) 상에 설치된다. 기판 지지대(30)는 소정 두께를 가지는 플레이트형으로, 기판(S)의 형상과 유사한 형상을 가지며, 예컨대 원판 형상으로 제작될 수 있다. 물론, 이에 한정되지 않고 다양한 형상으로 변경 가능하다. 기판 지지대(30)는 챔버(10) 내부에 수평방향으로 구비되고, 회전축(32)은 기판 지지대(30)의 저면에 수직으로 연결된다. 회전축(32)은 관통공을 통하여 외부의 모터 등의 구동수단(미도시)에 연결되어 기판 지지대(30)를 상승, 하강 및 회전시킨다. 이때, 회전축(32)과 관통공 사이는 벨로우즈(미도시) 등을 이용하여 밀폐시킴으로써 기판을 처리하는 과정에서 챔버(10) 내부의 진공이 해제되는 것을 방지한다.
기판 지지대(30) 하부에는 기판(S)을 가열하기 위한 히팅장치(40)가 구비된다. 히팅장치(40)는 기판 지지대(30) 직하부에 구비되는 히터(42)와, 챔버(10)의 하부를 관통하며 구비되어 히터(42)에 전원을 공급하는 히터 블럭(400)을 포함한다. 이때, 히터(42)와 챔버(10) 사이에는 히터(42)에서 발생한 열을 차단하기 위한 방열판(44)이 구비될 수 있다. 히터 블럭(400)은 히터(42)와 볼트 등의 고정부재(412)와 연결되는 파워 포스트(410)와, 파워 포스트(410)의 하부에 챔버(10)의 본체(11) 하부를 관통하며 구비되어 외부 전원(60)에서 히터(42)에 전원을 공급하는 파워인가블록(420)을 포함한다. 그리고 파워인가블록(420) 내부에는 파워인가블록(420)의 온도를 조절하기 위한 온도조절매체, 즉 파워인가블록(420)을 냉각시키기 위한 냉각재가 이동 또는 순환하는 유로가 형성된다. 이와 관련하여서는 후술한다. 냉각재는 유로를 따라 이동할 수 있는 다양한 종류의 유체가 사용될 수 있으며, 본 실시 예에서는 냉각재로서 냉각수가 사용되었다.
가스분사기(20)는 기판 지지대(30) 상부에 이격되어 구비되며, 기판 지지대(30) 측으로 각종 처리 가스, 예컨대, 박막 증착을 위한 공정가스를 분사한다. 가스분사기(20)는 챔버(10)를 형성하는 탑리드(12)에 설치될 수 있고, 서로 다른 종류의 가스를 공급하는 복수의 가스 공급원과 연결될 수 있다. 가스분사기(20)는 기판 지지대(30)와 대향하고 이와 유사한 소정 면적을 가지고, 복수의 분사홀을 구비하는 샤워헤드 타입으로 제조될 수도 있고, 챔버(10) 내에 삽입되는 노즐이나 인젝터 타입으로 제조될 수도 있다. 노즐이나 인젝터 타입의 경우 챔버 측벽을 관통하여 설치될 수도 있다.
하기에서는 도면을 참조하여 기판 지지 장치 및 히터 블럭을 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 히터 블럭의 구성을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
히터 블럭(400)은 파워 포스트(410)와, 내부에 중공부가 형성되고 상부는 파워 포스트(410)에 연결되어 파워 케이블(450)로부터 전원을 공급받는 파워인가블록(420) 및 파워인가블록(420)을 관통하며 구비되어 상기 중공부 내에 유로를 형성하는 제1배관(430)을 포함한다.
파워 포스트(410)는 챔버 내부에 구비되어 히터(42)와 파워인가블록(420)을 전기적으로 연결한다. 파워 포스트(410)는 두 개의 플레이트(410a, 410b)로 형성될 수 있는데, 상하방향으로 배치되는 상부측 플레이트(410a)의 하단과, 수평방향으로 배치되는 하부측 플레이트(410b)의 일단이 직교하며 연결되어 'L'형으로 형성될 수 있다. 상부측 플레이트(410a)는 히터(42) 하부에 배치되는 방열판(44)을 관통하며 배치되고, 상부측 플레이트(410a)는 볼트 등과 같은 고정부재(412a)를 이용하여 히터(42)에 연결되고, 하부측 플레이트(410b)는 고정부재(412b)를 이용하여 파워인가블록(420)의 상부와 연결된다. 이때, 파워 포스트(410)는 파워 포스트(410)는 히터(42)를 삽입할 수 있는 슬릿(미도시)이 형성되어 히터(42)의 일부를 슬릿에 삽입한 상태로 고정부재(412)를 히터(42)와 파워 포스트(410)를 관통하며 파워인가블록(420)의 상부를 상호 연결시키는 등 히터(42)와 파워인가블록(420)의 배치 구조에 따라 다양한 형태로 형성될 수 있다.
파워인가블록(420)은 내부에는 냉각재가 수용되는 중공부(422)가 형성되고, 중공부(422)의 하부에는 외부와 연통되도록 개구부(426)가 형성된다. 중공부(422)는 파워인가블록(420)의 길이 방향을 따라 형성되며, 고정부재(412b)에 의해 연결되는 파워 포스트(410)와 파워인가블록(420)의 연결 부위에 영향을 미치지 않을 정도의 높이까지 형성되는 것이 좋다. 그리고 파워인가블록(420)의 일측에는 중공부(422)와 연통되는 주입구(424)가 형성된다. 주입구(424)는 파워인가블록(420) 내부, 즉 중공부(422)에 냉각재를 공급하기 위한 것으로서, 외부로 돌출 형성되는 공급관(441)이 연결될 수 있다. 이와 같은 구성을 통해 냉각재를 공급하기 위한 공급배관과의 연결을 용이하게 할 수 있다.
제1배관(430)은 중공의 원통형으로 형성되며, 파워인가블록(420)의 내부, 즉 중공부(422)에 파워인가블록(420)의 길이 방향을 따라 상하방향으로 배치될 수 있다. 제1배관(430)의 상부는 중공부(422)의 상부 내벽, 즉 천장으로부터 소정 거리 이격되도록 배치되고, 하부는 중공부(422)의 외부로 노출되도록 연장되어 배치된다. 이때, 제1배관(430)은 파워인가블록(420)의 하단부에 형성되는 개구부(426)의 내벽과 접촉되어 고정된다. 제1배관(430)은 파워인가블록(420) 내부, 즉 중공부(422)를 공간 분할하여 제1배관(430)의 외주면과 중공부(422)의 내벽 사이에는 외부 유로(P1)를 형성하고, 제1배관(430) 내부를 통해서는 내부 유로(P2)를 형성한다. 외부 유로(P1)와 내부 유로(P2)는 제1배관(430)의 상부와 중공부(422)의 천장 사이 공간을 통해 상호 연통된다.
외부 유로(P1)와 내부 유로(P2)는 냉각수 등과 같은 유체가 이동하는 통로로 사용되기 때문에 외부와 연통되는 부분의 밀폐가 중요하다. 따라서 외부와 연통되는 부분인 개구부(426)와 제1배관(430) 사이에 오링 등과 같은 밀폐부재(미도시)를 개재하여 제1배관(430)의 외주면과 개구부(426) 사이를 밀폐시킴으로써 외부 유로(P1)를 흐르는 냉각재의 유출을 억제 혹은 방지할 수 있다.
또한, 주입구(424)와 공급관(441) 사이에도 밀폐부재(미도시)를 개재하여 주입구(424)와 공급관(441)의 연결부위를 밀폐시킴으로써 외부 유로(P1)로 주입되는 냉각재의 유출을 억제 혹은 방지할 수 있다. 공급관(441)과 제1배관(430)에는 외부로부터 냉각재를 공급하고 배출시키기 위한 커넥터(440, 442)가 각각 연결될 수 있다.
이렇게 구성된 파워인가블록(420)의 하부에는 파워 케이블(또는 단자)(450)이 볼트 등과 같은 고정부재(452)를 통해 연결될 수 있다. 파워 케이블(450)은 와이어, 플레이트 등 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 이를 통해 파워인가블록(420)에 전원을 공급할 수 있다.
이하에서는 도면을 참조하여, 냉각재가 이동하는 경로를 설명한다.
도 2에 도시하였듯이, 냉각재는 히터 블럭(400)의 하부측에 형성되는 주입구(424)에 연결된 커넥터(440)를 통해 외부 유로(P1)의 하부측에 유입되어 파워인가블록(420)의 길이 방향을 따라 상승하여 외부 유로(P1)의 상부측에서 내부 유로(P2)로 유입된 후 다시 파워인가블록(420)의 길이 방향을 따라 하강하여 내부 유로(P2)의 하부측으로 배출된다. 냉각재는 외부 유로(P1)를 따라 이동하면서 파워인가블록(420)을 냉각시키고, 파워인가블록(420)을 냉각시키면서 온도가 상승한 냉각재는 내부 유로(P2)를 따라 하강하여 내부 유로(P2)의 하부에 연결되는 커넥터(442)를 통해 외부로 배출된다. 이때, 커넥터(442)를 통해 배출된 고온의 냉각재는 별도의 용기에서 냉각된 다음, 히터 블럭(400)을 냉각시키는데 재활용될 수도 있다.
이와 같이 파워인가블록(420) 내에 중공부(422)를 형성하고 그 내부에 배관을 삽입하는 간단한 방법으로 냉각재가 유입되고 배출되는 경로를 용이하게 형성할 수도 있다. 또한, 파워인가블록(420)의 외형을 거의 변경시키지 않고 파워인가블록(420) 내에 냉각수가 이동하는 경로를 형성함으로써 기존 설비의 구조를 거의 변경하지 않고 사용할 수 있는 이점이 있다.
이하에서는 본 발명의 히터 블록의 다양한 변형을 예시적으로 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 히터 블럭의 구성을 개략적으로 보여주는 단면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 선A-A 및 선B-B의 단면도이고, 도 5는 히터 블럭의 변형 예를 보여주는 단면도이다.
본 발명의 실시 예에 따른 히터 블럭은 도 2에 도시된 히터 블럭과 기본적인 구성은 거의 유사하다. 도 2에서는 냉각재를 공급하기 위한 주입구(424)가 파워인가블록(420)에 형성되기 때문에 기존 설비를 그대로 사용하는 경우에는 주입구(424)에 대응하는 부분의 구조의 변경이 불가피하다. 따라서 본 실시 예에서는 냉각재를 공급하기 위한 주입구(434)를 파워인가블록(420)으로부터 분리하여 형성하기 위하여 제1배관(430)의 일부를 감싸는 제2배관(432)을 형성한다. 제2배관(432)은 제1배관(430)의 외주면으로부터 이격되도록 배치되어 외부 배관을 파워인가블록(420)의 하부까지 연장시켜 형성한다. 이때, 제2배관(432)의 상부는 중공부 내부에 하부는 개구부(426)를 거쳐 중공부의 외부에 배치된다. 제2배관(432)은 그 외주면이 개구부(426)의 내벽에 접촉되어 고정되고, 중공부로부터 노출되는 제2배관(432)의 끝단부는 제1배관(430)의 외주면에 연결된다. 이때, 제2배관(432)과 파워인가블록(420), 즉 중공부(422)의 내벽 사이 및 제1배관(430)과 제2배관(432)의 연결부위에는 밀폐부재(미도시)가 각각 구비될 수 있다. 이와 같은 구성을 통해 제1배관(430)의 외주면과 제2배관(432)의 내주면 사이에는 외부 유로의 일부(P1A)가 형성되며, 이렇게 형성된 외부 유로의 일부(P1A), 즉 외부 배관의 하부는 파워인가블록(420)의 외부에 형성된다.
제2배관(432)에는 외부 유로(P1)에 냉각재를 공급하기 위한 주입구(434)가 형성될 수 있다. 주입구(434)는 외부 유로(P1)에서 파워인가블록(420)의 하부로 노출 형성되는 부분에 형성된다. 그리고 주입구(434)에는 냉각재를 공급하기 위한 커넥터(440)와의 연결을 용이하게 하기 위하여 공급관(441)이 연결될 수 있다. 여기에서도 마찬가지로 공급관(441)과 주입구(434)의 연결부위에는 밀폐부재(미도시)가 구비될 수 있다.
이렇게 구성된 히터 블럭(400)의 내부 구조는 도 3에 도시되어 있다. 도 3의 (a)는 도 2에 도시된 선A-A에 따른 단면도로서, 히터 블럭(400)의 상부측, 즉 파워인가블록(420)의 상부측 단면구조를 나타내고, 도 3의 (b)는 도 2에 도시된 선B-B에 따른 단면도로서 파워인가블록(420)의 하부측 단면구조를 나타낸다.
도 3의 (a)를 참조하면, 파워인가블록(420)의 상부측에는 중심부에 제1배관(430)이 위치하고, 제1배관(430)의 외측에는 파워인가블록(420)이 구비된다. 그리고 제1배관(430)의 내부는 내부 유로(P2)로, 제1배관(430)의 외주면 파워인가블록(420) 사이, 즉 중공부(422)의 내벽 사이 공간은 외부 유로(P1)로 사용된다.
도 3의 (b)를 참조하면, 파워인가블록(420)의 하부측에는 중심부에 제1배관(430)이 위치하고, 제1배관(430)의 외측에는 제2배관(432)이 배치되며, 제2배관(432)은 그 외주면이 중공부(422) 내벽, 파워인가블록(420)과 접촉하도록 배치된다. 이에 파워인가블록(420)의 하부측에서는 제1배관(430)의 내부는 내부 유로(P2)로, 제1배관(430)의 외주면과 제2배관(432)의 내주면 사이 공간이 외부 유로(P1)로 사용된다.
그리고 본 발명의 변형 예로서, 도 5에 도시된 바와 같이 중공부(422)의 내벽과 제1배관(430)의 내주면 및 외주면에 요철구조(425, 435)가 형성될 수도 있다. 요철구조(425, 435)는 냉각재와의 접촉면적을 증가시키는 동시에 냉각재의 이동 경로를 증가시켜 냉각 효율을 향상시킬 수도 있다. 예컨대 요철구조를 사이클론 형태로 형성하여 냉각재의 이동 경로를 증가시켜 냉각재가 요철구조를 따라 흐름을 형성할 수 있도록 함으로써 냉각재가 외부 유로(P1)는 물론 내부 유로(P2)에서 머무는 시간을 증가시킬 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
10 : 챔버 20 : 가스분사기
30 : 기판 지지대 40 : 히팅 장치
42 : 히터 400 : 히터 블록
410 : 파워 포스트 420 : 파워인가블록
430 : 제1배관 432 : 제2배관
P1 : 외부 유로 P2 : 내부 유로

Claims (8)

  1. 내부에 처리 공간이 형성되는 챔버;
    상기 챔버 내부에 구비되어 기판이 안착되는 기판 지지대;
    상기 기판 지지대 하부에 이격되도록 설치되는 히터;
    상기 히터의 하부에 상기 챔버의 하부를 관통하도록 구비되어 상기 히터에 전원을 공급하며, 외부에서 유입되는 온도조절매체를 통해 상기 히터로부터 발생되는 열전달을 완화시켜주는 파워인가블록; 및
    상기 히터와 상기 파워인가블록을 전기적으로 연결하는 파워포스트;를 포함하고,
    상기 파워 인가 블록은 내부에 냉각재를 수용하기 위한 중공부가 형성되고,
    중공의 원통형으로 형성되고, 상기 중공부의 상부 내벽 및 상기 중공부의 내측벽과 이격 배치되는 제1배관을 포함하며,
    상기 제1배관은 내부에 내부 유로를 형성하고, 상기 제1배관과 상기 중공부의 사이에 외부 유로를 형성하며,
    냉각재가 상기 외부 유로로 유입되어 상기 내부 유로를 통해 배출되도록 상기 내부 유로와 상기 외부 유로는 상기 중공부의 상부에서 서로 연통되는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 파워인가블록에는 냉각재가 공급되는 주입구가 형성되고,
    상기 주입구는 상기 외부 유로와 연통되는 기판 처리 장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1배관의 외측과 상기 중공부 내벽 사이에 하방으로 연장 형성되는 제2 배관을 포함하고, 상기 제2배관의 하부 끝단이 상기 제1 배관의 외주면에 연결되어 상기 제2배관의 내주면과 상기 제1배관의 외주면 사이에 상기 외부유로가 연장되어 형성되는 기판 처리 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제2배관의 상부는 상기 중공부에 배치되고, 상기 제2배관의 하부는 상기 파워인가블록의 외부에 배치되며,
    상기 제2배관의 하부에는 상기 파워인가블록 내부로 냉각재를 공급하기 위한 주입구가 형성되는 기판 처리 장치.
  8. 청구항 1 또는 청구항 6에 있어서,
    상기 중공부의 내벽, 상기 제1배관의 내주면 및 상기 제1배관의 외주면 중 적어도 어느 하나에 요철구조가 형성되는 기판 처리 장치.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003324095A (ja) 2002-05-02 2003-11-14 Komatsu Ltd 半導体製造装置用基板の冷却回路とその冷却回路を備えた半導体製造装置
JP2007332465A (ja) * 2000-12-28 2007-12-27 Tokyo Electron Ltd 基板加熱装置および基板加熱方法
JP2008156746A (ja) * 2006-11-30 2008-07-10 Canon Anelva Corp 電力導入装置及び成膜方法
JP2008187063A (ja) 2007-01-31 2008-08-14 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3266567B2 (ja) * 1998-05-18 2002-03-18 松下電器産業株式会社 真空処理装置
JP2001019836A (ja) 1999-07-07 2001-01-23 Daicel Chem Ind Ltd 熱可塑性樹脂組成物および成形品
KR20080041893A (ko) 2006-11-08 2008-05-14 주식회사 아토 히팅 및 쿨링이 가능한 척

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007332465A (ja) * 2000-12-28 2007-12-27 Tokyo Electron Ltd 基板加熱装置および基板加熱方法
JP2003324095A (ja) 2002-05-02 2003-11-14 Komatsu Ltd 半導体製造装置用基板の冷却回路とその冷却回路を備えた半導体製造装置
JP2008156746A (ja) * 2006-11-30 2008-07-10 Canon Anelva Corp 電力導入装置及び成膜方法
JP2008187063A (ja) 2007-01-31 2008-08-14 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置

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