CN101389178A - 具有电极构件的衬底处理设备 - Google Patents
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Abstract
一种用于产生等离子体的电极构件,包括电极板和具有与电极板热接触的多个热电模块的冷却单元。热电模块可以基于珀尔帖效应调节电极板的温度。
Description
技术领域
这里公开的一个或者多个实施例涉及处理包括半导体衬底在内的衬底。
背景技术
在半导体制造过程中,通过经蚀刻选择性地除去淀积的薄膜,在晶片上形成希望的图案。薄膜可以包括二氧化硅膜、氮化硅膜或者光致抗蚀剂膜。氧化物和氮化物膜允许进行更好的蚀刻。但是,仍然要求在半导体衬底处理上的改进。
发明内容
根据本发明的一个方面,提供了一种用于产生等离子体的电极构件,包括:电极板;以及冷却单元,所述冷却单元具有与所述电极板热接触的多个热电模块。
根据本发明的另一方面,提供了一种衬底处理设备,包括:具有内部空间的室;以及电极构件,设置在所述室中,以在所述内部空间中产生等离子体,其中,所述电极构件包括电极板和冷却单元,所述冷却单元具有与所述电极板热接触的多个热电模块。
附图说明
图1是示出衬底处理设备一个实施例的示意图。
图2是示出图1的热电模块的示意图。
图3是示出衬底处理设备第二实施例的示意图。
图4是示出衬底处理设备第三实施例的示意图。
图5是示出衬底处理设备第四实施例的示意图。
图6是示出衬底处理设备第五实施例的示意图。
图7是示出图6中的冷却块的示意图。
图8是示出图7中的热电模块的示意图。
图9到图11是示出其他类型的冷却块的示意图。
具体实施方式
一种类型的等离子体蚀刻设备包括设置在基座(susceptor)上部的喷淋头。基座支承处理室中的晶片,并且喷淋头包括多个气体供给孔。在这种布局中,喷淋头的下表面用作上电极,而基座用作下电极。
在处理过程中,由RF发生器在上、下电极之间提供高频以产生等离子体,并且从喷淋头在处理室中供应源气体。然后,利用等离子体执行蚀刻(或者淀积)等处理。这样的以及其他的半导体处理的效率部分取决于处理室、上电极和下电极的温度。情况常常是,因为在等离子体处理过程中晶片被放置在下电极上并且上电极直接暴露于等离子体,所以,上、下电极的温度增加。
图1示出可以改进衬底处理的衬底处理设备的一个实施例。这个设备包括处理室120、在处理室上部用以供应源气体的喷淋头、以及在下部面对喷淋头的电极板140。衬底S被放置在电极板140上。
另外,供应线路180连接到喷淋头的上部,源气体经供应线路被供应到喷淋头的空的空间中。供应线路由阀182打开和关闭。
喷淋头包括散射板164,散射板164将喷淋头的内部分成两个空间。经供应线路供应的源气体流进散射板的上部并经过多个散射孔166扩散到散射板下面。多个喷嘴162形成在喷淋头的下表面上,并且散射的源气体经喷嘴被供应到喷淋头和电极板之间。
喷淋头160优选地用作用来产生等离子体的上电极,高频从RF发生器(例如工作在13.56MHz)施加到喷淋头。
电极板140设置在处理室120的底表面,并且衬底S被放置在电极板的上表面上。多个安装孔142形成在电极板的底表面上,并且热电模块10安装在每个安装孔中。
密封构件144设置在电极板的底表面的边缘处,以密封电极板和处理室的底表面。热电模块可以被保护起来而以防御电极板上部形成的等离子体。多个通孔124形成在处理室的底表面。底表面设置在安装孔的下面。用于向热电模块供应电力的电线分别经通孔124连接。
电极板140被用作用于产生等离子体的下电极并且接地。电场形成在喷淋头160和电极板140之间,并从经喷淋头的供应孔162供应的源气体产生等离子体。
图2示出可以用在图1设备中的一种类型的热电模块。热电模块插进安装孔142中,用以控制电极板140的温度。热电模块包括多个热电元件(N,P),热电元件例如通过珀尔帖效应(Peltier effect)被加热或者冷却。珀尔帖效应是这样的一种现象:两种不同金属形成的电路,当电流流经该电路时,该电路的一个结合部分(bonding part)被冷却,但另一部分被加热。当电流方向改变时,被冷却部分和被加热部分交换。
热电元件(N,P)可以沿着平行于上、下绝缘板16、18的方向布置,绝缘板在热电元件下面并且平行地布置。N型和P型热电元件交替布置并经第一、第二传热板12、14相互连接。
参见图2,第一传热板12连接到热电元件(N,P)的上部,而第二传热板14连接到热电元件的下部。N型热电元件的上端连接到第一传热板的一侧,而P型热电元件的上端连接到第一传热板的另一侧。连接到第一传热板另一侧的P型热电元件的上端连接到第二传热板的一侧,而另一N型热电元件连接到第二传热板的另一侧。
热电元件优选地平行于上、下绝缘板16、18交替布置并由重复的第一、第二传热板12、14相互连接。如前所述,第一、第二传热板可以通过珀尔帖效应被冷却或者加热。因此,使用具有高传热系数的材料来冷却或者加热第一、第二产热板,可能是所希望的。
另外,位于左端的N型热电元件的下端连接到左接线端14a,而位于右端的P型热电元件的下端连接到右接线端14b。电源219连接到左、右接线端。于是,由热电元件(N,P)、第一、第二传热板以及电源形成了一个闭合电路。用于沿着一个方向供给电流的直流(DC)电源可以用作该电源,而连接到该电源的附加控制器可以顺时针或者逆时针地转换电流方向。
上绝缘板216设置在第一传热板12上,而下绝缘板218设置在第二传热板14之下。上、下绝缘板中的任何一个接触冷却线路44,以控制流经该冷却线路的制冷剂的温度。上、下绝缘板可以用绝缘材料制成。热电模块10的热传递经过上、下绝缘板16、18进行。希望的是,上、下绝缘板用具有高传热系数的绝缘材料制成。
现在将解释通过热电模块10控制电极板140的温度的方法的一个实施例。这里假定,第一传热板12接触电极板140。
当电流从电源219沿顺时针(实线方向)施加时,电流经左接线端14a施加到N型热电元件(N),经第一传热板12施加到P型热电元件(P)。电流然后经第二传热板14施加到N型热电元件(N)。电流因此经过这一系列的操作流动。
更具体地说,当第一传热板12被当作基准时,电流从N型热电元件(N)流向P型热电元件(P)。相应的,第一传热板12通过珀尔帖效应被冷却。当第二传热板14被当作基准时,电流从P型热电元件(P)流向N型热电元件(N)。相应的,第二传热板14通过珀尔帖效应被加热。第一传热板12经过上绝缘板216吸收电极板140的热量(实线方向),并且第二传热板14将热量释放到外面(实线方向)。于是,电极板140被冷却。
在一个或者多个实施例中,所述的多个热电模块10能够被独立地控制。通过独立地控制每个热电模块能够控制电极板140的温度分布(例如,温度分布被保持不变或者形成希望的温度分布)。通过控制施加给热电模块的电流,能够控制每个热电模块的冷却效率(或者冷却速率)。相应的,能够控制温度分布。另外,可以包含控制器(未示出)来执行上述的控制。
当电流从电源219沿逆时针(虚线方向)施加时,电流从P型热电元件(P)流向N型热电元件(N),并将第一传热板12当作基准。相应的,第一传热板12通过珀尔帖效应被加热。
当第二传热板14被当作基准时,电流从N型热电元件(N)流向P型热电元件(P)。相应的,第二传热板通过珀尔帖效应被冷却。第二传热板经过下绝缘板218从外面吸收热量(虚线方向),并且第一传热板经上绝缘板216将热量传递到电极板140(虚线方向)。于是,电极板140被加热。
图3示出衬底处理设备的第二实施例。相似的元件被给予相同的附图标记,并将描述不同于第一实施例的那些元件。
在第二实施例中,热电模块10按照预定间隔布置在电极板140的底表面上。衬底S被放置在电极板上,并且电极板被布置成与处理室120的底表面分隔开。支承墩190支承电极板,例如,支承墩的上端支承电极板的边缘并且支承墩的下端接触处理室的底表面。密封构件192设置在支承墩的下端和处理室底表面之间,以防止在电极板上方产生的等离子体穿透到电极板140下面。
由于电极板与处理室的底表面被分隔开,所以能够在电极板下面保证足够的空间。相应的,空气能够在电极板下面更平顺地流动,并因此能将从热电模块辐射的热容易地释放到外面。
图4示出衬底处理设备的第三实施例。在这个实施例中,电极板140被布置成与处理室120的底面分隔开。支承墩290支承电极板,即,支承墩290包括水平部分和从水平部分的边缘向下延伸的竖直部分,而电极板140被放置在水平部分上。竖直部分接触处理室的底表面。
参见图4,热电模块10按预定间隔被布置在水平部分的底表面上。电极板140和多个热电模块经多个翅片10a被相互连接。翅片被分别插进在支承墩290中形成的多个通孔292中。热传递经翅片在电极板和热电模块之间进行。
图5示出衬底处理设备的第四实施例。在这个实施例中,热电模块10可以被设置在喷淋头160上,以控制(例如冷却或者加热)直接暴露于等离子体的喷淋头下表面的温度。多个安装孔161形成在喷淋头的后表面上,热电模块可以被安装在相应的安装孔中。喷淋头的温度可以按照与前面解释的电极板140的温度控制方法相同的方式通过热电模块控制。
图6示出衬底处理设备的第五实施例,该衬底处理设备包括处理室210、在处理室210内侧上部的上电极220、和面对上电极220在下部的下电极230。在处理室210中执行处理,而且处理气体被供应给上电极220,衬底被放置在下电极上。
下电极230包括在最下部的基板232、设置在基板上的绝缘板234、设置在绝缘板上的冷却块240、和设置在冷却块上的电极236。绝缘体围绕着下电极的外壁和上部区域,以保护下电极不受等离子体损伤。这里,冷却块降低电极的温度以保持温度恒定。
图7是图6中的冷却块240的一个例子。该冷却块包括冷却板242和形成在冷却板上的制冷剂流路。制冷剂流路的一端连接到供应单元250,供应单元250经制冷剂流路的所述一端将制冷剂供应到冷却板中。制冷剂经制冷剂流路的所述一端被供应到冷却板242中,然后经制冷剂流路的另一端被排出冷却板。
供应单元250包括连接到冷却器的供应线路252和形成在供应线路上的网眼254。供应线路连接到制冷剂流路的一端并供应以预定温度冷却的制冷剂到制冷剂流路。网眼254支持制冷剂流经供应线路的流动。
制冷剂流路包括连接到供应线路的分支线路252a和连接到分支线路的多个冷却线路244。冷却线路优选地在冷却板中平行地布置。当制冷剂流经冷却线路时,冷却线路244通过制冷剂控制冷却板242的温度。冷却线路连接到分支线路256a,并且分支线路连接到排放线路256。
热电模块246和流量控制阀248可以被设置在每个冷却线路上。流量控制阀控制流经相应的一个冷却线路的制冷剂的流量。如图2所示,多个冷却线路可以布置成从连接到供应线路252的冷却板242的中间沿竖直方向等距地分隔开。设置在冷却板中间的冷却线路可以布置成靠近供应线路252。相应地,制冷剂通过相对高的压力供应,因此,冷却效率在冷却板242的中间是高的。
然而,设置在冷却板242边缘的冷却线路远离供应线路252。根据这种布局,所具有的问题是制冷剂由相对低的压力供应,因此冷却效率在冷却板的边缘是低的。为了解决上述问题,可以通过控制控制阀248降低冷却板中间的冷却线路的流量并且可以增加冷却板242边缘的冷却线路的流量。
换言之,通过感测相应于冷却板242位置pf的温度差(使用设置在冷却板242上的另外的传感器),能够控制流量控制阀248。通过对阀248的控制,温度差能够被控制成均匀的。
衬底处理设备可以进一步包括用来执行上述控制的控制器。用于制冷剂流动的冷却线路244的内径在图中被示出是均匀的。但是,通过将冷却线路244的内径改变为彼此互不相同,可以控制制冷剂的流量。
图8示出图7的热电模块246的一个例子。热电模块设置在冷却板242中并接触冷却线路244的外周面,以控制流经冷却线路的制冷剂的温度。
热电模块包括多个热电元件(N,P)。热电元件(N,P)可以通过珀尔帖效应被加热或者冷却。如前面解释的,珀尔帖效应是这样的一种现象:当电流流经由两种不同金属形成的电路时,该电路的一个结合部分被冷却,而另一部分被加热。当改变电流方向时,被冷却部分和被加热部分交换功能。热电元件沿着平行于上、下绝缘板216、218的方向布置,上、下绝缘板在热电元件的上方和下方平行。N型和P型元件交替地布置并经第一、第二传热板212、214相互连接。
参见图8,第一传热板212连接到热电元件(N,P)的上部,而第二传热板214连接到热电元件的下部。N型热电元件的上端连接到第一传热板的一侧,而P型热电元件的上端连接到第一传热板的另一侧。P型热电元件的上端连接到第二传热板的一侧,而N型热电元件(N)连接到第二传热板的另一侧。热电元件(N,P)平行于上、下绝缘板216、218交替地布置,并通过重复的第一传热板212、第二传热板214相互连接。
如上所述,第一、第二传热板212、214通过珀尔帖效应被冷却或者加热。希望的是,用具有高传热系数的材料来冷却或者加热第一、第二传热板。
另一方面,在左端的N型热电元件的下端连接到左接线端214a,而在右端的P型热电元件的下端连接到右接线端214b。电源219连接到左、右接线端214a、214b。于是,由热电元件、第一、第二传热板212、214和电源219形成了闭合电路。用来沿一个方向供给电流的直流(DC)电源可以用作该电源。连接到电源的附加控制器可以将电流方向设定成顺时针或者逆时针。
上绝缘板216设置在第一传热板212上,而下绝缘板218设置在第二传热板214下面。上、下绝缘板216、218中的任何一个接触冷却线路244,以控制流经线路的制冷剂的温度。上、下绝缘板可以用绝缘材料制成。
每个热电模块246的热传递可以经过上、下绝缘板216、218执行。希望的是,上、下绝缘板是用具有高传热系数的绝缘材料制成的。
下面将解释通过热电模块246控制冷却线路244中的制冷剂的温度的方法。这里假定第一传热板212接触冷却线路244。
首先,当电流从电源219沿顺时针(实线方向)施加时,电流经左接线端214a施加到N型热电元件(N),经第一传热板212施加到P型热电元件(P),然后经第二传热板214施加到N型热电元件(N)。于是,电流经这一系列的操作流动。
当第一传热板212被当作基准时,电流从N型热电元件流向P型热电元件。相应的,第一传热板通过珀尔帖效应被冷却。当第二传热板214被当作基准时,电流从P型热电元件流向N型热电元件。相应的,第二传热板通过珀尔帖效应被加热。第一传热板经上绝缘板216吸收冷却线路244的热量(实线方向),并且第二传热板经下绝缘板218将热量释放到冷却板的外面(实线方向)。于是,冷却线路244中的制冷剂被冷却。
另一方面,有一个问题是,冷却效率在冷却板242的中间高但在其边缘低。这个问题可以通过使用热电模块246来解决。换言之,冷却板边缘的冷却效率与冷却板中间相比是较低的。于是,通过以低于冷却板中间的冷却线路的温度来冷却冷却板242边缘处的冷却线路,能够提高冷却板边缘的冷却效率。传热速度因此被认为是与温度差成比例。
换言之,根据通过感测基于冷却板242位置的温度差所获得的温度(例如,使用设置在冷却板242上的另外的传感器),能够控制冷却线路的温度。于是,通过控制冷却线路的温度,能够将冷却板的温度差控制成是均匀的。该衬底处理设备可以包括用于执行上述控制的控制器。
当电流从电源219沿逆时针(虚线方向)施加时,电流从P型热电元件流向N型热电元件,并且将第一传热板212当作基准。相应的,第一传热板通过珀尔帖效应被加热。当第二传热板被当作基准时,电流从N型热电元件流向P型热电元件。相应的,第二传热板通过珀尔帖效应被冷却。第二传热板经下绝缘板218从外面吸收热量(虚线方向),并且第一传热板经上绝缘板216传递热量给冷却线路(虚线方向)。于是,流经冷却线路的制冷剂被加热。
图9到图11示出图7中冷却块的不同例子。参见图9,制冷剂流路344具有对应于冷却板242的矩形形状。制冷剂流路连接到供应线路252和排放线路256。制冷剂流经制冷剂流路344,制冷剂流路通过其中的制冷剂控制冷却板的温度。填充在制冷剂流路中的制冷剂能够通过自我对流将冷却板的温度分布控制成是均匀的。流量控制阀348连接到供应线路252,以控制供应给制冷剂流路344的制冷剂的流量。此外,热电模块346设置在制冷剂流路上。
参见图10,制冷剂流路444具有延伸经过冷却板242的上部和下部的“之”字形状。制冷剂流路连接到供应线路252和排放线路256。如上所述,制冷剂流经制冷剂流路,制冷剂流路通过其中的制冷剂控制冷却板的温度。相应于接触冷却板的制冷剂流路的长度增加,冷却板的冷却效率被提高。热电模块446设置在制冷剂流路上,以针对制冷剂流路的长度保持预定间隔空间。通过热电模块446的空间,能够保证冷却板的均匀温度分布。
参见图11,制冷剂流路544具有相应于冷却板242一半的矩形形状。制冷剂流路连接到分支线路252a、256a。如上面参照图9所述,制冷剂流经制冷剂流路,制冷剂流路通过其中的制冷剂控制冷却板的温度。热电模块546可以被设置在制冷剂流路544上或者分支线路252a上。
因此,前述实施例中的一个或者多个提供了一种冷却块,该冷却块能够在半导体处理过程中精确控制处理室的温度。这些实施例还提供了一种能够精确地控制衬底处理设备的上电极或者下电极的温度的冷却块。还有,这些实施例提供了一种能够产生衬底处理设备的上电极或者下电极的均匀温度分布的冷却块。
根据一个实施例,一种设备包括电极板和冷却单元,冷却单元具有与电极板热接触的多个热电模块。电极板可以包括面对等离子体发生空间的前表面和面对前表面的后表面,热电模块可以被设置在电极板的后表面上。安装孔可以形成为凹进电极板的后表面,而且热电模块可以安装在安装孔中。
电极构件可以进一步包括将电极板分别连接到热电模块的多个翅片。冷却单元可以包括冷却板和控制冷却板温度的冷却构件,其中,冷却板包括制冷剂入口和出口以及与制冷剂入口和出口联通的多个制冷剂流路,而冷却构件包括热电模块。冷却构件可以被设置在制冷剂流路的外面,以与制冷剂流路热接触。
根据另一个实施例,衬底处理设备包括:具有内部空间的室,在该内部空间中,在衬底上执行处理;以及电极构件,设置在所述室中,以在内部空间中产生等离子体,其中,电极构件包括电极板和冷却板,冷却板具有与电极板热接触的多个热电模块。电极板可以包括面对等离子体产生空间的前表面和面对前表面的后表面,并且热电模块可以被设置在电极板的后表面。
安装孔可以被形成为凹入电极板的后表面,且热电模块可以被安装在安装孔中。衬底处理设备可以进一步包括设置在电极板后表面和室底面之间的密封构件。
电极构件可以进一步包括支承电极板的支承墩。电极构件可以进一步包括分别连接电极板和热电模块的多个翅片。电极构件可以进一步包括支承墩,该支承墩支承电极板并具有多个通孔,其中翅片被分别插入通孔中。
电极构件可以是设置在室内部下部的下电极,其中衬底被放置在下电极上。电极构件可以是设置在室内部上部并在室中供应源气体的喷淋头。
喷淋头可以包括面对等离子体发生空间的前表面和面对前表面的后表面,并且热电模块可以被设置在电极板的后表面。安装孔可以被形成为凹入喷淋头的后表面,并且热电模块可以被安装在安装孔中。
电极构件可以包括冷却板和控制冷却板温度的冷却构件,其中,冷却板包括制冷剂入口和出口以及与制冷剂入口和出口联通的多个制冷剂流路,且冷却构件包括热电模块。
制冷剂流路可以包括多个冷却线路,冷却线路的一端连接到制冷剂入口,另一端连接到制冷剂出口,而且衬底处理设备可以进一步包括分别设置在冷却线路上的流量控制阀和连接到流量控制阀以控制流量控制阀的控制器。此外,网眼可以设置在制冷剂入口处。
这里描述的一个或者多个实施例可以因此实现下面的效果。首先,室内部的温度,尤其是上电极或者下电极的温度,能够被精确地控制。第二,能够使上电极或者下电极的温度分布均匀。
在本说明书中任何谈到“一个实施例”、“实施例”、“举例性实施例”等的地方,意思是结合该实施例描述的具体构件、结构或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书各处的这种表述形式不一定都指相同的实施例。而且,当结合任何实施例描述具体构件、结构或者特点时,所主张的是,结合其他的实施例实现这样的构件、结构或者特点落在本领域技术人员的范围内。
尽管参照本发明多个解释性实施例对本发明的实施方式进行了描述,但是,应该明白,本领域技术人员可以设计出多种其他的改进和实施例,这些改进和实施例将落在本发明原理的精神和范围内。更具体地说,在前述公开、附图以及权利要求的范围内,可以在零部件和/或从属组合布局的布局方面作出合理的变型和改进,而不会脱离本发明的精神。除了零部件和/或布局方面的变型和改进,对于本领域技术人员来说,其他的使用也将是明显的。
Claims (20)
1.一种用于产生等离子体的电极构件,包括:
电极板;以及
冷却单元,所述冷却单元具有与所述电极板热接触的多个热电模块。
2.如权利要求1所述的电极构件,其中,所述电极板包括:
面对等离子体发生空间的前表面,以及
面对所述前表面的后表面,其中,所述热电模块被设置在所述电极板的所述后表面上。
3.如权利要求2所述的电极构件,其中,安装孔被形成为凹入所述电极板的所述后表面,并且所述热电模块被安装在所述安装孔中。
4.如权利要求1所述的电极构件,进一步包括:
将所述电极板分别连接到所述热电模块的多个翅片。
5.一种衬底处理设备,包括:
具有内部空间的室;以及
电极构件,被设置在所述室中,以在所述内部空间中产生等离子体,其中所述电极构件包括电极板和冷却单元,所述冷却单元具有与所述电极板热接触的多个热电模块。
6.如权利要求5所述的衬底处理设备,其中,所述电极板包括:
面对等离子体产生空间的前表面;以及
面对所述前表面的后表面,其中,所述热电模块被设置在所述电极板的所述后表面上。
7.如权利要求6所述的衬底处理设备,其中,安装孔被形成为凹入所述电极板的所述后表面,并且所述热电模块被安装在所述安装孔中。
8.如权利要求7所述的衬底处理设备,进一步包括:
设置在所述电极板的后表面和所述室的底面之间的密封构件。
9.如权利要求5所述的衬底处理设备,其中,所述电极构件进一步包括支承所述电极板的支承墩。
10.如权利要求5所述的衬底处理设备,其中,所述电极构件进一步包括将所述电极板分别连接到所述热电模块的多个翅片。
11.如权利要求10所述的衬底处理设备,其中,所述电极构件进一步包括支承墩,所述支承墩支承所述电极板并具有多个通孔,其中所述翅片被分别插入所述多个通孔。
12.如权利要求5所述的衬底处理设备,其中,所述电极构件是在所述室内部下部的下电极,其中,所述衬底被放置在所述下电极上。
13.如权利要求5所述的衬底处理设备,其中,所述电极构件是在所述室内部上部以在所述室中供应源气体的喷淋头。
14.如权利要求13所述的衬底处理设备,其中,所述喷淋头包括:
面对等离子体发生空间的前表面;以及
面对所述前表面的后表面,其中,所述热电模块被设置在所述电极板的所述后表面上。
15.如权利要求14所述的衬底处理设备,其中,安装孔被形成为凹入所述喷淋头的所述后表面,并且所述热电模块被安装在所述安装孔中。
16.如权利要求1所述的电极构件,其中,所述冷却单元包括:
冷却板;以及
用于控制所述冷却板的温度的冷却构件,
其中,所述冷却板包括制冷剂入口和出口以及与所述制冷剂入口和出口联通的多个制冷剂流路,并且其中,所述冷却构件包括所述热电模块。
17.如权利要求16所述的电极构件,其中,所述冷却单元被设置在所述制冷剂流路的外面以与所述制冷剂流路热接触。
18.如权利要求5所述的衬底处理设备,其中,所述电极构件包括:
冷却板;以及
用于控制所述冷却板的温度的冷却构件,
其中,所述冷却板包括制冷剂入口和出口以及与所述制冷剂入口和出口联通的多个制冷剂流路,并且其中,所述冷却构件包括所述热电模块。
19.如权利要求18所述的衬底处理设备,进一步包括:
分别设置在所述冷却线路上的流量控制阀;以及
用以控制所述流量控制阀的控制器,
其中,所述制冷剂流路包括多个冷却线路,所述多个冷却线路具有连接到所述制冷剂入口的第一端和连接到所述制冷剂出口的第二端。
20.如权利要求18所述的衬底处理设备,还包括设置在所述制冷剂入口处的网眼。
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