KR20090028343A - 전극부재 및 이를 포함하는 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

기판처리장치는 기판에 대한 공정이 이루어지는 내부공간을 제공하는 챔버; 그리고 상기 챔버 내에 제공되어 상기 내부공간에서 플라스마를 생성하는 전극부재를 포함하되, 상기 전극부재는 전극판; 그리고 상기 전극판과 열접촉(thermal contact)하는 복수의 열전모듈들을 구비하는 냉각유닛을 포함한다. 상기 전극판은 상기 플라스마가 생성되는 생성공간과 대향되는 전면 및 상기 전면과 대향되는 후면을 가지며, 상기 열전모듈들은 상기 전극판의 후면에 배치될 수 있다. 상기 전극판의 후면에는 상기 후면으로부터 함몰된 설치홀이 형성되며, 상기 열전모듈들은 상기 설치홀에 실장될 수 있다.
열전모듈, 전극판, 전극부재

Description

전극부재 및 이를 포함하는 기판처리장치{electrode member and substrate processing apparatus including the electrode member}
본 발명은 전극부재 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 열전모듈을 포함하는 전극부재 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것이다.
웨이퍼 표면 상에 증착된 박막들은 에칭을 통해 선택적으로 제거되며, 웨이퍼 표면 상에는 원하는 패턴이 형성된다. 이와 같은 공정은 반도체 제조과정에서 반복적으로 이루어진다. 또한, 증착된 막들 뿐만 아니라, 트렌치(trench)를 생성하기 위하여 실리콘 기판 자체도 에칭될 수 있다. 박막은 포토레지스트(photoresist) 또는 실리콘 산화막(silicon dioxide) 또는 실리콘 질화막(silicon nitride)과 같은 다른 박막일 수 있다. 산화막 또는 질화막은 포토레지스트에 비해 더 나은 에칭조건을 제공한다.
기본적인 플라스마 에칭장치(plasma etching apparatus)에 대하여 설명하면 다음과 같다. 플라스마 에칭장치는 공정챔버 내에 웨이퍼를 지지하는 서셉터와, 서셉터의 상부에 제공되며 복수의 가스공급홀들을 가지는 샤워헤드를 구비하고 있다. 샤워헤드의 하면은 상부전극으로 이용되며, 서셉터는 하부전극으로 사용된다. 상부전극 및 하부전극인 서셉터 사이에 고주파 발생기(RF generator)(13.56㎒로 동작하는)로부터 플라스마 생성을 위한 고주파를 인가하고, 샤워헤드로부터 공정챔버 내에 소스가스를 공급하여 플라스마를 생성하며, 생성된 이용하여 에칭(또는 증착)과 같은 플라스마 처리를 실행한다. 이때, 이와 같은 공정은 공정챔버 내부의 온도, 상부전극 및 하부전극의 온도에 의존하며, 플라스마 공정처리시 웨이퍼가 놓여진 하부전극 및 플라스마에 직접 노출되는 상부전극의 온도가 상승하므로, 이에 대한 대책이 필요하다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 챔버 내부의 온도를 정확하게 조절할 수 있는 냉각블럭 및 이를 포함하는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상부전극 또는 하부전극의 온도를 정확하게 조절할 수 있는 냉각블럭 및 이를 포함하는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 상부전극 또는 하부전극의 온도분포를 균일하게 할 수 있는 냉각블럭 및 이를 포함하는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부한 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.
본 발명에 의하면, 플라스마를 생성하기 위한 전극부재는 전극판; 그리고 상기 전극판과 열접촉(thermal contact)하는 복수의 열전모듈들을 구비하는 냉각유닛을 포함한다. 상기 전극판은 상기 플라스마가 생성되는 생성공간과 대향되는 전면 및 상기 전면과 대향되는 후면을 가지며, 상기 열전모듈들은 상기 전극판의 후면에 배치될 수 있다. 상기 전극판의 후면에는 상기 후면으로부터 함몰된 설치홀이 형성되며, 상기 열전모듈들은 상기 설치홀에 실장될 수 있다.
상기 전극부재는 상기 전극판과 상기 열전모듈들을 각각 연결하는 복수의 핀들(fins)을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면, 기판처리장치는 기판에 대한 공정이 이루어지는 내부공간을 제공하는 챔버; 그리고 상기 챔버 내에 제공되어 상기 내부공간에서 플라스마를 생성하는 전극부재를 포함하되, 상기 전극부재는 전극판; 그리고 상기 전극판과 열접촉(thermal contact)하는 복수의 열전모듈들을 구비하는 냉각유닛을 포함한다. 상기 전극판은 상기 플라스마가 생성되는 생성공간과 대향되는 전면 및 상기 전면과 대향되는 후면을 가지며, 상기 열전모듈들은 상기 전극판의 후면에 배치될 수 있다. 상기 전극판의 후면에는 상기 후면으로부터 함몰된 설치홀이 형성되며, 상기 열전모듈들은 상기 설치홀에 실장될 수 있다. 상기 장치는 상기 전극판의 후면과 상기 챔버의 바닥면 사이에 제공된 실링부재를 더 포함할 수 있다.
상기 전극부재는 상기 전극판을 지지하는 지지대를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 전극부재는 상기 전극판과 상기 열전모듈들을 각각 연결하는 복수의 핀들(fins)을 더 포함할 수 있다. 상기 전극부재는 상기 전극판을 지지하며 상기 핀들이 각각 삽입설치되는 복수의 관통홀들을 가지는 지지대를 더 포함할 수 있다.
상기 전극부재는 상기 기판이 놓여지며 상기 챔버 내부의 하부에 설치되는 하부전극인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
상기 전극부재는 상기 챔버 내부의 상부에 설치되어 상기 챔버의 내부에 소스가스를 공급하는 샤워헤드일 수 있다. 상기 샤워헤드는 상기 플라스마가 생성되는 생성공간과 대향되는 전면 및 상기 전면과 대향되는 후면을 가지며, 상기 열전모듈들은 상기 후면에 배치될 수 있다. 상기 샤워헤드의 후면에는 상기 후면으로부 터 함몰된 설치홀이 형성되며, 상기 열전모듈들은 상기 설치홀에 실장될 수 있다.
본 발명에 의하면 챔버 내부의 온도를 정확하게 조절할 수 있다. 특히, 상부전극 또는 하부전극의 온도를 정확하게 조절할 수 있다. 또한, 상부전극 또는 하부전극의 온도분포를 균일하게 할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도 1 내지 도 5를 참고하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.
한편, 이하에서는 플라스마를 이용하는 공정을 예로 들어 설명하나, 본 발명의 기술적 사상과 범위는 이에 한정되지 않으며, 본 발명은 챔버 내부의 온도를 조절할 필요가 있는 다양한 반도체 제조장치에 응용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 정면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 기판처리장치는 내부에서 공정 처리가 이루어지는 공정챔버(120)와, 상술한 공정챔버(120) 내의 상부에 마련되어 소스가스를 공급하 는 샤워헤드(160)와, 샤워헤드(160)와 대향된 하측에 마련되어 기판(S)이 놓여지는 전극판(140)를 포함한다.
샤워헤드(160)의 상부에는 공급라인(180)이 연결되며, 공급라인(180)을 통해 샤워헤드(160) 내부의 빈 공간에는 소스가스가 공급된다. 공급라인(180)은 밸브(182)에 의해 개폐된다. 샤워헤드(160)는 확산판(164)을 구비하며, 확산판(164)은 샤워헤드(160)의 내부를 두 개의 공간으로 구획한다. 공급라인(180)을 통해 공급된 소스가스는 확산판(164)의 상부로 유입되며, 확산판(164)에 형성된 복수의 확산홀들(166)을 통해 확산판(164)의 하부로 확산된다. 샤워헤드(160)의 하면에는 복수의 분사홀들(162)이 형성되며, 확산된 소스가스는 분사홀들(162)을 통해 샤워헤드(160)의 하부 및 전극판(140)의 상부로 공급된다.
한편, 샤워헤드(160)는 플라스마 생성을 위한 상부전극으로 이용되며, 고주파 발생기(RF generator)(13.56㎒로 동작하는)로부터 고주파가 샤워헤드(160)에 인가된다.
도 1에 도시한 바와 같이, 전극판(140)은 공정챔버(120)의 바닥면에 설치되며, 전극판(140)의 상부면에는 기판(S)이 놓여진다. 전극판(140)의 바닥면에는 복수의 설치홀들(142)이 형성되며, 각각의 설치홀(142)에는 열전모듈(10)이 실장된다. 열전모듈(10)에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
전극판(140)의 바닥면 가장자리에는 전극판(140)의 바닥면과 공정챔버(120)의 바닥면을 실링하는 실링부재(144)가 설치된다. 따라서, 설치홀(142)에 각각 실 장된 열전모듈(10)은 전극판(140)의 상부에 형성된 플라스마로부터 차폐될 수 있다. 설치홀(142)의 하부에 위치한 공정챔버(120)의 바닥면에는 복수의 관통홀들(124)이 형성되며, 열전모듈(10)에 전원을 인가하는 와이어(wire)는 각각의 관통홀(124)을 통해 연결된다.
한편, 전극판(140)은 플라스마 생성을 위한 하부전극으로 이용되며, 전극판(140)은 접지(ground)된다. 따라서, 샤워헤드(160)와 전극판(140) 사이에는 전계가 형성되며, 샤워헤드(160)의 공급홀(162)을 통해 공급된 소스가스로부터 플라스마가 생성된다.
도 2는 도 1의 열전모듈(10)을 개략적으로 나타내는 도면이다. 앞서 살펴본 바와 같이, 열전모듈(10)은 설치홀(142)에 삽입설치되며, 전극판(140)의 온도를 조절한다.
열전모듈(10)은 복수의 열전소자들(N,P)을 포함한다. 열전소자들(N,P)은 펠티에 효과(Peltier effect)에 의해 가열 또는 냉각된다. 펠티에 효과란, 2개의 서로 다른 금속으로 된 회로에 전류가 흐를 때 한쪽 접합부는 냉각되고 다른 부위는 가열되는 현상을 의미하며, 이때 전류의 방향을 바꾸면 냉각과 가열이 바뀐다. 열전소자들(N,P)은 상하에 서로 나란하게 배치된 절연판(16,18)과 나란한 방향으로 배열되며, N형 소자(N)와 P형 소자(P)가 교대로 배치된다. N형 소자(N)와 P형 소자(P)는 제1 전열판(12) 및 제2 전열판(14)을 통해 서로 연결된다.
도 2에 도시한 바와 같이, 제1 전열판(12)은 열전소자들(N,P)의 상측에 연결 되며, 제2 전열판(14)은 열전소자들(N,P)의 하측에 연결된다. 제1 전열판(12)의 일측에는 N형 소자(N)의 상단이 연결되며, 제1 전열판(12)의 타측에는 P형 소자(P)의 상단이 연결된다. 제1 전열판(12)의 타측에 연결된 P형 소자(P)의 하단은 제2 전열판(14)의 일측에 연결되며, 제2 전열판(14)의 타측에는 새로운 N형 소자(N)가 연결된다. 절연판(16,18)과 나란한 방향으로 교대로 배열된 열전소자들(N,P)은 제1 전열판(12) 및 제2 전열판(14)의 반복에 의하여 서로 연결된다.
앞서 본 바와 같이, 제1 전열판(12) 및 제2 전열판(14)은 펠티에 효과에 의해 냉각되거나 가열된다. 이때, 제1 전열판(12) 및 제2 전열판(14)이 쉽게 냉각되거나 가열되기 위해서는 열전달계수(heat transfer coeffcient)가 높은 물질을 사용하는 것이 바람직하다.
한편, 좌측 끝단에 위치하는 N형 소자(N)의 하단은 좌측 단자(14a)에 연결되며, 우측 끝단에 위치하는 P형 소자(P)의 하단은 우측 단자(14b)에 연결된다. 좌측 단자(14a) 및 우측 단자(14b)에는 전원(19)이 연결된다. 따라서, 열전소자들(N,P)과 제1 및 제2 전열판(12, 14), 그리고 전원(19)은 하나의 폐회로를 형성한다. 이때, 전원(19)은 일방향으로 전류를 인가하는 직류(DC) 전원이 바람직하며, 전원(19)에 연결된 별도의 제어기(도시안됨)는 전원(19)으로부터 인가되는 전류의 방향을 시계방향 또는 반시계방향으로 전환할 수 있다.
상부 절연판(16)은 제1 전열판(12)의 상부에 제공되며, 하부 절연판(18)은 제2 전열판(14)의 하부에 제공된다. 상부 절연판(16) 및 하부 절연판(18) 중 어느 하나는 냉각라인(44)과 접하며, 냉각라인(44)의 내부를 흐르는 냉매의 온도를 조절 한다. 상부 절연판(16)과 하부 절연판(18)은 절연 재질이다.
한편, 열전모듈(10)은 상부 절연판(16) 및 하부 절연판(18)을 통하여 열전달이 이루어지므로, 상부 절연판(16) 및 하부 절연판(18)은 절연 재질임과 동시에 열전달계수가 높은 재질인 것이 바람직하다.
이하, 열전모듈(10)을 통해 전극판(140)의 온도를 조절하는 방법을 살펴보기로 한다. 이하에서는 제1 전열판(12)이 전극판(140)와 접하고 있는 것으로 설명한다.
먼저, 전원(19)으로부터 시계방향(실선방향)으로 전류를 인가하면, 인가된 전류는 좌측 단자(14a)를 통하여 N형 소자(N)에 인가되고, 제1 전열판(12)을 통하여 P형 소자(P)에 인가되며, 제2 전열판(14)을 통하여 N형 소자(N)에 인가된다. 이와 같은 일련의 동작을 통하여 전류는 흐른다.
제1 전열판(12)을 기준으로 볼 때, 전류는 N형 소자(N)로부터 P형 소자(P)로 흐르며, 펠티에 효과에 의해 제1 전열판(12)은 냉각된다. 제2 전열판(14)을 기준으로 볼 때, 전류는 P형 소자(P)로부터 N형 소자(N)로 흐르며, 펠티에 효과에 의해 제2 전열판(14)은 가열된다. 따라서, 제1 전열판(12)은 전극판(140)의 열을 상부 절연판(16)을 통하여 흡수하며(실선방향), 제2 전열판(14)은 열을 외부로 방출한다(실선방향). 따라서, 전극판(140)은 냉각된다.
한편, 복수의 열전모듈(10)들은 독립적으로 제어될 수 있으며, 각각의 열전모듈(10)들을 독립적으로 제어하여 전극판(140)의 온도분포를 조절(예를 들어, 온 도분포를 균일하게 유지하거나 원하는 온도분포를 형성)할 수 있다. 즉, 열전모듈(10)에 인가되는 전류를 제어하여 열전모듈(10)의 냉각효율(또는 냉각속도)을 제어할 수 있으며, 이를 통해 온도분포를 조절할 수 있다. 또한, 위와 같은 제어를 위한 제어기(도시안됨)를 더 구비할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 전극판(140)를 냉각하는 경우만을 설명하고 있으나, 필요에 따라서는 전극판(140)를 가열할 필요가 있다. 이 경우, 전원(19)으로부터 반시계방향(점선방향)으로 전류를 인가하면, 제1 전열판(12)을 기준으로 볼 때, 전류는 P형 소자(P)로부터 N형 소자(N)로 흐르며, 펠티에 효과에 의해 제1 전열판(12)은 가열된다. 제2 전열판(14)을 기준으로 볼 때, 전류는 N형 소자(N)로부터 P형 소자(P)로 흐르며, 펠티에 효과에 의해 제2 전열판(14)은 냉각된다. 따라서, 제2 전열판은 하부 절연판(18)을 통하여 외부의 열을 흡수하며(점선방향), 제1 전열판(12)은 열을 상부 절연판(16)을 통하여 전극판(140)에 전달한다(점선방향). 따라서, 전극판(140)은 가열된다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 정면도이다. 이하에서는 제1 실시예와 구별되는 구성요소에 대해서 설명하기로 하며, 제1 실시예와 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
열전모듈(10)은 전극판(140)의 바닥면에 일정 간격을 이루도록 배치되며, 기판(S)은 전극판(140)의 상부면에 놓여진다. 전극판(140)은 공정챔버(120)의 바닥면 으로부터 이격되도록 배치되며, 지지대(190)는 전극판(140)을 지지한다. 지지대(190)의 상단은 전극판(140)의 가장자리를 지지하며, 지지대(190)의 하단은 공정챔버(120)의 바닥면과 접촉한다. 지지대(190)의 하단과 챔버(120)의 바닥면 사이에는 실링부재(192)가 설치되어, 전극판(140)의 상부에서 생성된 플라스마가 전극판(140)의 하부로 침투하는 것을 방지한다.
전극판(140)이 공정챔버(120)의 바닥면으로부터 이격되므로 전극판(140)의 하부에 충분한 공간을 확보할 수 있으며, 이로 인하여 전극판(140) 하부의 공기흐름을 도울 수 있다. 따라서, 열전모듈(10)로부터 방출되는 열을 공정챔버(120)의 외부로 쉽게 방출할 수 있다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 정면도이다.
전극판(140)은 공정챔버(120)의 바닥면으로부터 이격되도록 배치되며, 지지대(290)는 전극판(140)을 지지한다. 지지대(290)는 전극판(140)이 놓여지는 수평부분과, 수평부분의 가장자리로부터 하부를 향하여 연장되는 수직부분을 구비한다. 수직부분은 공정챔버(120)의 바닥면과 접촉한다.
도 4에 도시한 바와 같이, 열전모듈(10)은 수평부분의 바닥면에 일정 간격을 이루도록 배치되며, 전극판(140)과 복수의 열전모듈들(10)은 복수의 핀들(fins)(10a)을 통해 연결된다. 핀들(292)은 지지대(290)에 형성된 복수의 관통홀들(292) 상에 각각 삽입설치된다. 본 실시예에서는 전극판(140)과 열전모듈들(10) 사이에서는 각각의 핀들(10a)을 통해 열전달이 이루어진다.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 정면도이다. 열전모듈들(10)은 샤워헤드(160) 상에 설치될 수 있다. 이는 플라스마에 직접 노출되는 샤워헤드(160)의 하부면의 온도를 조절(예를 들어, 냉각 또는 가열)하기 위한 것이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 샤워헤드(160)의 후면에는 복수의 설치홀들(161)이 형성되며, 열전모듈들(10)은 설치홀들(161)에 각각 실장될 수 있다. 열전모듈들(10)을 이용한 샤워헤드(160)의 온도조절방법은 전극판(140)의 온도조절방법과 동일하므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
본 발명을 바람직한 실시예들을 통하여 상세하게 설명하였으나, 이와 다른 형태의 실시예들도 가능하다. 그러므로, 이하에 기재된 청구항들의 기술적 사상과 범위는 바람직한 실시예들에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 정면도이다.
도 2는 도 1의 열전모듈을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 정면도이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 정면도이다.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 정면도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10 : 열전모듈 120 : 공정챔버
124 : 관통홀 140 : 지지대
142 : 설치홀 144 : 실링부재
160 : 샤워헤드 162 : 공급홀
164 : 확산판 166 : 분사판
180 : 공급라인

Claims (15)

  1. 플라스마를 생성하기 위한 전극부재에 있어서,
    전극판; 및
    상기 전극판과 열접촉(thermal contact)하는 복수의 열전모듈들을 구비하는 냉각유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극부재.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전극판은 상기 플라스마가 생성되는 생성공간과 대향되는 전면 및 상기 전면과 대향되는 후면을 가지며,
    상기 열전모듈들은 상기 전극판의 후면에 배치되는 것을 특징으로 하는 전극부재.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 전극판의 후면에는 상기 후면으로부터 함몰된 설치홀이 형성되며,
    상기 열전모듈들은 상기 설치홀에 실장되는 것을 특징으로 하는 전극부재.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 전극부재는 상기 전극판과 상기 열전모듈들을 각각 연결하는 복수의 핀들(fins)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전극부재.
  5. 기판에 대한 공정이 이루어지는 내부공간을 제공하는 챔버; 및
    상기 챔버 내에 제공되어 상기 내부공간에서 플라스마를 생성하는 전극부재를 포함하되,
    상기 전극부재는,
    전극판; 및
    상기 전극판과 열접촉(thermal contact)하는 복수의 열전모듈들을 구비하는 냉각유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 전극판은 상기 플라스마가 생성되는 생성공간과 대향되는 전면 및 상기 전면과 대향되는 후면을 가지며,
    상기 열전모듈들은 상기 전극판의 후면에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 전극판의 후면에는 상기 후면으로부터 함몰된 설치홀이 형성되며,
    상기 열전모듈들은 상기 설치홀에 실장되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 장치는 상기 전극판의 후면과 상기 챔버의 바닥면 사이에 제공된 실링부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 전극부재는 상기 전극판을 지지하는 지지대를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 전극부재는 상기 전극판과 상기 열전모듈들을 각각 연결하는 복수의 핀들(fins)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 전극부재는 상기 전극판을 지지하며 상기 핀들이 각각 삽입설치되는 복수의 관통홀들을 가지는 지지대를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제5항에 있어서,
    상기 전극부재는 상기 기판이 놓여지며 상기 챔버 내부의 하부에 설치되는 하부전극인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 제5항에 있어서,
    상기 전극부재는 상기 챔버 내부의 상부에 설치되어 상기 챔버의 내부에 소스가스를 공급하는 샤워헤드인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 샤워헤드는 상기 플라스마가 생성되는 생성공간과 대향되는 전면 및 상기 전면과 대향되는 후면을 가지며,
    상기 열전모듈들은 상기 후면에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서,
    상기 샤워헤드의 후면에는 상기 후면으로부터 함몰된 설치홀이 형성되며,
    상기 열전모듈들은 상기 설치홀에 실장되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101140509B1 (ko) * 2010-09-14 2012-04-30 삼성테크윈 주식회사 기판 냉각형 펄스레이저증착 시스템 및 이를 이용하여 제조되는 발광 소자 유닛
US10879053B2 (en) 2013-06-03 2020-12-29 Lam Research Corporation Temperature controlled substrate support assembly
KR102495928B1 (ko) * 2022-08-17 2023-02-06 배두환 반도체 박막증착장치용 샤워헤드

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