JPH09129615A

JPH09129615A - 処理装置および処理方法

Info

Publication number: JPH09129615A
Application number: JP30643795A
Authority: JP
Inventors: Makoto Aoki; 誠青木
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1995-10-31
Filing date: 1995-10-31
Publication date: 1997-05-16
Anticipated expiration: 2015-10-31
Also published as: JP3181501B2

Abstract

(57)【要約】【課題】被処理体に対し所定の気体を作用させ
て所定の処理を施す際、シャワーヘッドユニットから被
処理体に向けて供給される所定の気体が、被処理体上に
おいて単位面積あたりの流量分布が均一とならず、処理
室内に均一なプラズマを生成することが困難であった。【解決手段】上部電極２１に設けられた処理ガス供
給路２７の距離を上部電極３の中心から外方向に向かっ
て短くする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は処理装置および処理
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体等の製造工程において
は、被処理体、例えば半導体ウエハやＬＣＤガラス基板
等に所定の処理ガスを作用させて、所定の処理を行う処
理装置、例えばエッチング等の処理を施すプラズマ処理
装置、例えばプラズマエッチング装置等が広く用いられ
ている。この種の装置においては、被処理体に処理ガス
を均一に供給し、処理の均一化を図るために、処理ガス
を供給するシャワーヘッドユニットの技術の向上が望ま
れている。その一つの解決技術の一例として、特開昭６
１ー６４１２８号が知られている。その技術は、シャワ
ーヘッドから供給される処理ガスが、その対向面におい
て一様な流量分布をもって流入するように、シャワーヘ
ッドに設けらる処理ガス流出路の数または開口面積を中
央部から外周部に向かって増加させたり、シャワーヘッ
ド内に空洞部を設け、この空洞部の形状を処理ガスの流
出経路ごとにのコンダクタンスが等しくなるように調整
して、処理室内に均一なプラズマを生成するようにして
いた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようにシャワーヘッドの外周方向に向かってガス流出路
の数を増加させたり、ガス流出路の開口面積を増加させ
たりすると、図８Ａおよび図８Ｂに示すように外周部と
中央部とでは、対向面における単位面積あたりのガスの
流量分布が等しくならず、このため処理室内に生ずるプ
ラズマを均一にすることが困難であった。また、上述の
ようにシャワーヘッド内に空洞部を設けても、図９に示
すような形状ではそれぞれのガス流出路の孔の長さが等
しく、ガス供給管から各ガス流出路へ到達するまでの距
離が異なり、すなわち処理ガスの流出経路ごとの距離が
異なるため、また、図９のように外周部において渦が生
じるため、処理ガスの流出経路ごとのコンダクタンスの
違いを改善し、各流出路ごとのガス流量を等しくし、処
理室内に生ずるプラズマを均一にすることが困難であ
り、このようなプラズマの不均一により、被処理体、半
導体ウエハの歩留りが低下する可能性があった。また、
上述のようなガス供給時における問題は、載置台上に載
置された半導体ウエハの温度調節を行うため、半導体ウ
エハの裏面に向けてに載置台表面に形成された伝熱ガス
流出路から伝熱ガスを供給する際にも生じ、被処理体の
全面にわたって温度分布を均一にすることが困難であ
り、この温度分布の不均一により、半導体ウエハの歩留
りが低下する可能性があった。

【０００４】本発明は、このような事情の下になされた
ものであり、その目的は、被処理体に所定のガスを作用
させて所定の処理を施す際、供給されるガスの流量分布
を均一に作用させることができる処理装置を提供するこ
とにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、被処
理体を支持する支持体を備えた処理室と、この処理室内
に設けられた前記被処理体と対向する側から所定の気体
を供給する気体供給部と、この気体供給部に設けられ、
前記気体を前記被処理体側に対し離散して供給するため
の複数の孔とを具備し、それらの複数の孔は前記被処理
体に対する中心から外周方向に向かって、その孔の深さ
が浅くなるように構成されていることを特徴とするもの
である。

【０００６】請求項２の発明は、被処理体を支持する支
持体を備えた処理室と、この処理室内に設けられた前記
被処理体と対向する側には所定の気体を拡散する中空構
造の拡散室が設けられ、この拡散室の前記被処理体と面
している側の壁には所定の気体を前記被処理体側に対し
離散して供給する複数の孔が前記被処理体に対する中心
から外周方向に向かってその孔の深さが浅くなるように
設けられ、前記拡散室内の前記複数の孔が設けられた壁
の面は前記被処理体に対する中心から外周方向に向かっ
て前記被処理体との距離が短くなるように傾斜している
ことを特徴とするものである。

【０００７】請求項３の発明は、被処理体を支持体に支
持し、減圧雰囲気で処理する処理装置において、前記支
持体に設けられこの支持体を加熱又は／及び冷却する手
段と、前記支持体に設けられ、この支持体の被処理体支
持面と被処理体との間に前記支持体からの熱を被処理体
に伝達する伝熱ガスを供給する複数の孔とを具備し、そ
れらの複数の孔は被処理体に対する中心から外周方向に
向かってその孔の深さが浅くなるように構成されている
ことを特徴とするものである。

【０００８】請求項４の発明は、被処理体を支持体に支
持し、減圧雰囲気で処理する処理装置において、前記支
持体にはこの支持体を加熱又は／及び冷却する手段と、
前記支持体からの熱を被処理体に伝達する伝熱ガスを拡
散する拡散室とが設けられ、この拡散室の前記被処理体
に面している側の壁には前記伝熱ガスを前記被処理体裏
面に供給する複数の孔が前記被処理体に対する中心から
外周方向に向かってその孔の深さが浅くなるように構成
され、前記拡散室内の前記複数の孔が設けられた壁の面
は前記被処理体に対する中心から外周方向に向かって前
記被処理体との距離が短くなるように傾斜していること
を特徴とするものである。

【０００９】請求項５の発明は、前記複数の孔は、被処
理体に対する中心から外周方向に向かって開口面積が増
大するように形成され、前記孔の気体の吹き出し口の面
積はそれぞれ略同一であることを特徴とするものであ
る。

【００１０】請求項６の発明は、被処理体を処理室内に
搬入し、この処理室内へ所定の気体を前記被処理体に対
向する側から供給し被処理体を処理する処理方法におい
て、前記気体は前記被処理体の対向する面側の前記被処
理体の中心から外周方向に向かって深さが浅くなるよう
に構成された複数の孔から供給されること特徴とするも
のである。

【００１１】請求項７の発明は、被処理体を処理室内に
搬入し、前記被処理体裏面に対し、この被処理体裏面に
対向する側から所定の気体を供給し被処理体を処理する
処理方法において、前記気体は前記被処理体裏面に対向
する面側の前記被処理体の中心から外周方向に向かって
深さが浅くなるように構成された複数の孔から供給され
ることを特徴とするものである。

【００１２】請求項１の発明によれば、被処理体と対向
する側に設けられた気体供給部に、複数の孔が被処理体
に対する中心軸から外周に向かってその孔の深さが実質
的に浅くなるように形成されているので、被処理体表面
上の単位面積あたりの流量分布が均一になるように所定
の気体を供給することができる。

【００１３】請求項２の発明によれば、複数の孔が形成
されている壁面が被処理体に対する中心軸から外周方向
に向かって被処理体との距離が短くなるように傾斜して
いるので、拡散室内の所定の気体を図２に示すように中
心から外方向に向かってスムーズに拡散させることがで
き、よりいっそう被処理体表面上の単位面積あたりの流
量分布が均一になるようにすることができる。特に、粘
性領域（０．７５Ｔｏｒｒ以上の圧力領域）において
は、気体は壁に沿って流れる性質があるため、この効果
は顕著にあらわれる。

【００１４】請求項３の発明によれば、支持体に設けら
れた伝熱ガスを供給する複数の孔が中心から外周に向か
ってその孔の深さが実質的に浅くなるように形成されて
いるので、被処理体裏面の単位面積あたりの流量分布が
均一になるように伝熱ガスを供給することができる。

【００１５】請求項４の発明によれば、複数の孔が形成
されている壁面が被処理体に対する中心軸から外周方向
に向かって被処理体との距離が短くなるように傾斜して
いるので、拡散室内の処理ガスを図５に示すように中心
から外方向に向かってスムーズに拡散させることがで
き、よりいっそう被処理体裏面の単位面積あたりの流量
分布が均一になるようにすることができる。特に、粘性
領域（０．７５Ｔｏｒｒ以上の圧力領域）においては、
気体は壁に沿って流れる性質があるため、この効果は顕
著にあらわれる。

【００１６】請求項５の発明によれば、上述のように孔
の深さの調整して各孔の流量を調整する手段の限界を越
えて、さらに処理ガスならびに伝熱ガスを被処理体表面
または被処理体裏面の単位面積あたりの流量分布が均一
なるように供給することができる。

【００１７】請求項６の発明によれば、所定の気体を被
処理体の対向する面側の被処理体の中心から外周方向に
向かって深さが浅くなるように構成された複数の孔から
供給するので、この気体の被処理体表面上の単位面積あ
たりの流量分布が均一となる。

【００１８】請求項７の発明によれば、伝熱ガスを被処
理体裏面に対向する面側の被処理体の中心から外周方向
に向かって深さが浅くなるように構成された複数の孔か
ら供給するので、この伝熱の被処理体裏面上の単位面積
あたりの流量分布が均一となる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施例であるプ
ラズマエッチング装置について図面を用いて説明する。

【００２０】図１はプラズマエッチング装置の概略断面
図である。このプラズマエッチング装置は、アルミニウ
ム等の材質で気密に構成された処理室１を有する。この
処理室１は電気的に接地されている。この処理室１内の
底部には、セラミック等の絶縁板２を介して支持台３が
設けられている。この絶縁板２は、前記処理室１と前記
支持台３とを電気的に絶縁するために設けられている。
前記支持台３の内部には、冷却ジャケットなどの冷却室
４が設けられている。さらに、この冷却室４には、前記
支持台３を所望の温度に冷却するための冷媒が循環可能
なように、冷媒を導入する冷媒導入管５と冷媒を排出す
る冷媒排出管６が接続されている。

【００２１】前記支持台３の上面には、アルミニウム等
の材質からなる下部電極７が着脱可能に設けられてい
る。この下部電極７の上面には、被処理体である、例え
ば半導体ウエハＷをクーロン力により吸着保持する静電
チャック８が設けられている。この静電チャック８は、
例えば電界箔銅からなる導電層８ａを両側から、例えば
ポリイミドフィルムやセラミックからなる絶縁層８ｂで
挟んで接着剤により接着された構成となっている。前記
導電層８ａには、供給リード線９を介して処理室１外部
に設けられた直流電源１０が接続され、この電源１０に
より前記導電層８ａに静電チャック用直流電圧を印加す
ると、分極によるクーロン力よってウエハＷは前記静電
チャック８上に吸着保持される。そして、前記下部電極
７には、処理室１外部に設けられている高周波電源１１
からの、例えば周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力
が、マッチング回路１２、ブロッキングコンデンサ１３
をそれぞれ介して、電力供給線１４によって供給され
る。

【００２２】前記支持台３および前記下部電極７には、
前記冷却室４の温度を前記ウエハＷに伝達する伝熱媒
体、例えば不活性ガスのヘリウムガスを伝熱ガス供給源
１５から供給するための伝熱ガス供給路１６が設けられ
ている。この伝熱ガス供給路１６は、前記下部電極７の
内部に設けられた伝熱ガス分散室１７を介して、前記下
部電極７および前記静電チャック８内を貫通して多数設
けられた伝熱ガス流出路１８に通じている。すなわち、
前記伝熱ガス供給源１５からの伝熱ガスは、前記伝熱ガ
ス供給路１６を通り、いったん前記伝熱ガス分散室１７
に入り、その後、前記伝熱ガス流出路１８にそれぞれ分
岐し、前記静電チャック８表面上に設けられた伝熱ガス
吹き出し口１９より前記静電チャック８の上面に載置さ
れたウエハＷの裏面に供給される構成となっている。そ
して、このようにウエハＷの裏面に供給される伝熱ガス
は、前記下部電極７の熱を効率良く前記ウエハＷに伝達
する。すなわち、前記処理室１内が真空雰囲気であって
も、前記ウエハＷに前記支持台３の熱を伝達することが
できる。また、より効率よく前記支持台３の熱を前記ウ
エハＷに伝達するためには、前記支持台３と前記下部電
極７との間の間隙に上記と同様に伝達ガスを供給するこ
とが望ましい。前記下部電極７の上端周縁部には、前記
ウエハを囲むようにして環状のフォーカスリング２０が
設けられている。このフォーカスリング２０は、絶縁材
料もしくは導電性材料、例えばＳｉＣやＣなどから選択
して設けられ、プラズマ領域を調整するために用いられ
る。

【００２３】一方、前記処理室１内の上方には、この処
理室１とは電気的に絶縁されている上部電極２１が配設
されている。この上部電極２１内部には処理ガス拡散室
２２が形成され、この処理ガス拡散室２２の中央部に
は、ゲートバルブ２３を介してガス供給管２４が接続さ
れている。そして、このガス供給管２４は、ガス供給源
２５に接続されており、このガス供給源２５と前記ゲー
トバルブ２３の間には、マスフローコントローラ２６が
設けられ所望の流量の所定の処理ガス、例えば塩素等の
エッチングガスを前記処理ガス拡散室２２に供給できる
ようにされている。

【００２４】前記上部電極２１の下側には、前記処理ガ
ス拡散室２２内から処理ガスを処理室内に導入するため
の処理ガス供給路２７が形成されている。図２に示すよ
うに、この供給路２７は、中心軸Ｏから前記上部電極２
１の外周方向に向かって長さｌｎ（ｎ＝０，１，２，
３．．．．ｎ）が所定の割合で短くなるように構成され
ている。このような構成をとれば、前記処理ガス拡散室
２２内において前記処理ガス供給管２４を通して導入さ
れた処理ガスが、それぞれの処理ガス供給路２７に至る
までの距離の違いによる処理ガスの流出経路ごとのコン
ダクタンスの違いを小さくすることができ、各処理ガス
供給路２７ごとの流量を均一にすることができる。そし
て、この方法では、各供給路２７における処理ガス吹き
出し口２８の面積を統一できるので、吹き出し径の大き
さの違いによる処理ガスのウエハＷ上の単位面積あたり
の流量分布の不均一を生じさせることなく、均一なプラ
ズマを生成することができる。

【００２５】さらに、図３に示すように、この処理ガス
供給路２は中心軸Ｏから前記上部電極２１の外周方向に
向かって、径Ｄｎ（ｎ＝０，１，２，３．．．．ｎ）が
所定の割合で大きくなるように構成してもよい。このよ
うに処理ガス供給路２７の径の大きさを調整すれば、処
理ガスの流出経路ごとのコンダクタンスの差をより小さ
くし、各処理ガス供給路２７ごとの流量を均一にするこ
とができる。ただし、各処理ガス供給路２７の処理ガス
吹き出し口２８の面積がそれぞれ異なっては、上述のよ
うに各処理ガス供給路２７ごとのガス流量は均等とする
ことは可能であるが、処理ガスの被処理体上の単位面積
あたりの流量分布が不均一となるため、図３に示すよう
に各処理ガス供給路２７における処理ガスの吹き出し口
２８の面積を等しくする必要がある。

【００２６】また、図４に示すように前記上部電極２１
のウエハＷとの対向する面には、電極板２９を設けても
よい。この電極板２９には、前記処理ガス供給路２７に
通ずるガス吹出口３０が形成され、このガス吹出口３１
の径は前記処理ガス供給路２７の径と略同径、好ましく
はそれ以下の径で形成されている。このように前記上部
電極２１に前記電極板２９を設けると、前記上部電極２
１の表面が露出しにくくなり、プラズマ生成時において
プラズマ中のイオンによるスパッタリング等を抑制する
ことが可能となる。また、処理ガス供給路２７ごとに径
の大きさが異なる場合、図３に示すよう各処理ガス供給
路２７について処理ガス吹き出し口２８の面積が一定と
なるように各処理ガス供給路２７の加工を行うことは困
難であるが、各ガス吹出口３０が同一径の前記電極板２
９を用いることにより、きわめて容易に前記処理ガス供
給路２７における処理ガス吹き出し口２８の面積を一定
にしたと同様の効果を得ることが可能となる。

【００２７】また、図１に示す前記処理室１内の底部に
は、排気管３１が設けられ、この排気管３１を介して排
気ポンプ３２より前記処理室１内の処理ガスが排気され
る。また、前記処理室１内の側壁、例えば前記上部電極
２１および下部電極７間に対応する位置には、前記処理
室１内の真空度を計測する圧力計３３が設けられてい
る。さらに、前記マスフローコントローラ２６、前記圧
力計３３及び前記高周波電源１１は、いずれも配線３４
を介してし制御手段３５に接続されており、これら各機
器について所定の制御を行っている。

【００２８】次に図１のプラズマエッチング装置の動作
について説明する。図示しないロードロックチャンバー
から図示しないゲートバルブを通してウエハＷを前記静
電チャック８上に載置する。その後、上記ゲートバルブ
を閉じ、処理室１内を予め定められた真空度、例えば
０．１ｍＴｏｒｒに達するように処理室１内を排気す
る。さらに、静電チャックシート８内の導電層８ａに直
流電源１０より静電チャック電圧、例えば２．０ｋｖの
直流電圧を印加し、分極によるクーロン力によりウエハ
Ｗを静電チャック８上にソフトに吸着保持する。そし
て、エッチングガスをマスフローコントローラ２６によ
り流量調節しつつ、上部電極２１の下側部分に形成され
た処理ガス供給路２７を通して処理室１内に導入する。
そして高周波電源１１より、例えば１３．５６ＭＨｚの
高周波電圧を下部電極７に印加する。これにより上部電
極２１と下部電極７の間にプラズマが発生し、このプラ
ズマによりウエハＷのエッチング処理がなされる。上記
プラズマの発生とともに上部電極２１および下部電極７
の間に電流が流れ、強固な静電チャックが実現する。

【００２９】このプラズマは、各処理ガスの流出経路ご
とのコンダクタンスの差を処理ガスの吹き出し口２８の
面積を変えることなく各処理ガス供給路２７のもつ距離
を調整することにより小さくし、各処理ガス供給路２７
から吹き出す処理ガスの流量の差を小さくしているの
で、上部電極２１と下部電極７の間、少なくともウエハ
Ｗの処理面に対して均一に生成される。従って、この均
一なプラズマによりウエハＷは非常に均一にエッチング
処理されることとなる。また、処理ガス供給路２７の径
を図２に示すように、中央部から外周部に向かって所定
の割合をもって増加させれば、処理ガスの流出経路ごと
のコンダクタンスの差をよりいっそう小さくでき、より
均一な流量密度で処理ガスを供給することが可能とな
る。さらに、図３に示すように、上部電極２１に電極板
２９を用いれば処理ガス供給路２７の加工を困難にする
ことなく、各処理ガス供給路２７の処理ガス吹き出し口
２８の面積を一定にしたと同様な効果が得られ、さら
に、上部電極２１の表面がこの電極板２９により保護さ
れることから、プラズマ中のイオンによるスパッタリン
グ等を抑制することができ、それに伴うパーティクルの
発生を抑制することができる。

【００３０】また、エッチング処理時にあっては、プラ
ズマによりウエハＷが加熱されるが、支持台３内の冷却
室４内の冷媒の冷熱によりウエハＷは冷却される。さら
に、真空雰囲気であるにもかかわらず、この冷媒の熱を
効率良くウエハＷに伝達するため、ウエハＷの裏面と静
電チャック８との間に伝熱ガスとして、例えばヘリウム
等の不活性ガスが静電チャック８内に形成された伝熱ガ
ス流出路１８を介して所定量供給される。この伝熱ガス
についても、ウエハＷ裏面の全面にわたって均等に供給
されるように処理ガス供給路２７の場合と同様に、図５
に示すように伝熱ガス流出路１８の長さを調整し、伝熱
ガス流出経路のコンダクタンスを調整すると、ウエハＷ
裏面の全域にわたって伝熱ガスが均等に供給されるの
で、ウエハＷの温度分布が均等になり、歩留まりを向上
させることができる。さらに、伝熱ガスの供給をウエハ
Ｗ裏面全体に均一に供給する手段として、例えば図６に
示すように、伝熱ガス吹き出し口１９の面積を一定に
し、伝熱ガス流出路１８の径の大きさが中央部から外方
向に向かって一定の割合で増加するような構成にしても
よい。このように径の大きさを調整することにより、伝
熱ガス流出路１８の長さの調整では調整しきれないコン
ダクタンスの違いを調整することができ、よりいっそう
ウエハＷの歩留まりの向上を図ることが可能となる。

【００３１】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れるものではない。例えば、上記実施例では処理ガス拡
散室２２内の処理ガス供給路２７の形成されている面
は、中心軸Ｏから外周に向かって傾斜した構成とした
が、これに限らず実質的に処理ガス供給路２７の長さｌ
ｎが外周方向に減少するように構成されていれば同様の
効果が得られる。このことは、伝熱ガス流出路１８につ
いても同様のことがいえる。

【００３２】また、上記実施例では処理ガス供給路２７
の長さｌｎがウエハＷの中心から外周方向に向かって減
少するように構成されているが、このように構成されて
いなくても、処理ガス拡散室２２内の底壁、すなわち処
理ガス供給路２７が形成されている面がウエハＷに対し
中心から外周に向かってウエハＷに対する距離が短くな
るように傾斜していれば、処理ガス拡散室２２内におい
て中心から外周に向かって処理ガスがスムーズに拡散す
るので、処理ガスが各処理ガス供給路２７を通して均一
に流出させることが可能である。このことは、伝熱ガス
分散室１７についても同様なことがいえ、伝熱ガス分散
室１７内の天井壁、すなわち伝熱ガス流出路１８の形成
されている面がウエハＷに対し中心から外周に向かって
ウエハＷに対する距離が短くなるように傾斜していれ
ば、伝熱ガス分散室１７内において中心から外周に向か
って伝熱ガスがスムーズに拡散するので、伝熱ガスが各
伝熱ガス流出路１８を通して均一に流出させることが可
能である。また、処理ガス拡散室２２および伝熱ガス分
散室１７の中央部と外周部との高さの比が１：３以下に
なるように上述の傾斜が設けられていることが好まし
い。

【００３３】また、図７に示すように、上部電極２１内
の処理ガス拡散室２２に仕切り板３６を設けるようにし
てもよい。この場合、仕切り板３６に形成する孔３７
は、処理ガス供給路２７に関する前述の条件を満足する
ように構成されていれば、同様の効果が得られる。もっ
とも、仕切り板を下部電極７の伝熱ガス分散室１７に設
けた場合にもこれと同様のことがいえる。

【００３４】また、本発明はプラズマエッチング装置に
限らず、処理ガスを処理室内に均一に導入する装置また
はウエハＷ等の被処理体裏面に伝熱ガスを供給する装置
ならば、その他の処理装置、例えばＣＶＤ装置、スパッ
タ装置、イオン注入装置ならびにその他の処理装置にも
適用できることはいうまでもない。

【００３５】

【発明の効果】請求項１の発明によれば、所定の気体を
被処理体表面上に流量分布が均一になるように供給する
ことができるので、処理室内に均一なプラズマを生成す
ることができ、被処理体の歩留りを向上することができ
る。

【００３６】請求項２の発明によれば、よりいっそう被
処理体表面上の単位面積あたりの流量分布が均一になる
ようにすることができるので、処理室内に均一なプラズ
マを生成することができ、被処理体の歩留りを向上する
ことができる。

【００３７】請求項３発明によれば、伝熱ガスを被処理
体裏面の全面にわたって流量分布が均一になるように供
給することができるので、被処理体の全体にわたって温
度分布差を小さくすることができ、被処理体の歩留りを
向上することができる。

【００３８】請求項４の発明によれば、よりいっそう被
処理体裏面の全面にわたって流量分布が均一になるよう
に供給することができるので、被処理体の歩留りをより
いっそう向上することができる。

【００３９】請求項５の発明によれば、上述のように孔
の深さを調整して各孔の流量を調整する手段の限界を越
えて、さらに処理ガスならびに伝熱ガスを被処理体表面
または被処理体裏面の単位面積あたりの流量分布が均一
なるように供給することができるので、よりいっそう被
処理体の歩留りを向上することができる。

【００４０】請求項６の発明によれば、所定の気体を被
処理体の対向する面側の被処理体の中心から外周方向に
向かって深さが浅くなるように構成された複数の孔から
供給するので、この気体の被処理体表面上の単位面積あ
たりの流量分布が均一となり、被処理体の歩留りが向上
する。

【００４１】請求項７の発明によれば、伝熱ガスを被処
理体裏面に対し、被処理体裏面に面する側の被処理体の
中心から外周方向に向かって深さが浅くなるように構成
された複数の孔から供給するので、この伝熱ガスの被処
理体裏面の単位面積あたりの流量分布が均一となり、被
処理体の歩留りが向上する。

【図面の簡単な説明】

図１は、本発明の一実施例を示すプラズマエッチング装
置の概略断面図である。図２は、上記装置の上部電極に
関する要部断面図である。図３、図４および図７は、上
記装置の上部電極の変形例に関する要部断面図である。
図５および図６は、上記装置の下部電極の変形例に関す
る要部断面図である。図８および図９は、従来の上部電
極および下部電極の要部断面図である。

【符号の説明】１処理室Ｗウエハ（被処理体）１６伝熱ガス分散室（伝熱ガスを拡散する拡散室）１７伝熱ガス流出路（伝熱ガスを供給する複数の孔）１８伝熱ガス吹き出し口（気体の吹き出し口）２２処理ガス拡散室（処理ガスを拡散する拡散室）２７処理ガス供給路（所定の気体を供給する複数の
孔）２８処理ガス吹き出し口（気体の吹き出し口）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｃ３０Ｂ 33/12 Ｃ３０Ｂ 33/12 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｓ 21/205 21/205 21/265 21/285 Ｃ 21/285 21/265 Ｆ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体を支持する支持体を備えた処理
室と、この処理室内に設けられた前記被処理体と対向す
る側から所定の気体を供給する気体供給部と、この気体
供給部に設けられ、前記気体を前記被処理体側に対し離
散して供給するための複数の孔とを具備し、それらの複
数の孔は前記被処理体に対する中心から外周方向に向か
って、その孔の深さが浅くなるように構成されているこ
とを特徴とする処理装置。
【請求項２】被処理体を支持する支持体を備えた処理
室と、この処理室内に設けられた前記被処理体と対向す
る側には所定の気体を拡散する中空構造の拡散室が設け
られ、この拡散室の前記被処理体と面している側の壁に
は所定の気体を前記被処理体側に対し離散して供給する
複数の孔が前記被処理体に対する中心から外周方向に向
かってその孔の深さが浅くなるように設けられ、前記拡
散室内の前記複数の孔が設けられた壁の面は前記被処理
体に対する中心から外周方向に向かって前記被処理体と
の距離が短くなるように傾斜していることを特徴とする
処理装置。
【請求項３】被処理体を支持体に支持し、減圧雰囲気
で処理する処理装置において、前記支持体に設けられこ
の支持体を加熱又は／及び冷却する手段と、前記支持体
に設けられ、この支持体の被処理体支持面と被処理体と
の間に前記支持体からの熱を被処理体に伝達する伝熱ガ
スを供給する複数の孔とを具備し、それらの複数の孔は
被処理体に対する中心から外周方向に向かってその孔の
深さが浅くなるように構成されていることを特徴とする
処理装置。
【請求項４】被処理体を支持体に支持し、減圧雰囲気
で処理する処理装置において、前記支持体にはこの支持
体を加熱又は／及び冷却する手段と、前記支持体からの
熱を被処理体に伝達する伝熱ガスを拡散する拡散室とが
設けられ、この拡散室の前記被処理体に面している側の
壁には前記伝熱ガスを前記被処理体裏面に供給する複数
の孔が前記被処理体に対する中心から外周方向に向かっ
てその孔の深さが浅くなるように構成され、前記拡散室
内の前記複数の孔が設けられた壁の面は前記被処理体に
対する中心から外周方向に向かって前記被処理体との距
離が短くなるように傾斜していることを特徴とする処理
装置。
【請求項５】前記複数の孔は、被処理体に対する中心
から外周方向に向かって開口面積が増大するように形成
され、前記孔の気体の吹き出し口の面積はそれぞれ略同
一であることを特徴とする請求項１、２、３、又は４の
いずれか記載の処理装置．
【請求項６】被処理体を処理室内に搬入し、この処理
室内へ所定の気体を前記被処理体に対向する側から供給
し被処理体を処理する処理方法において、前記気体は前
記被処理体の対向する面側の前記被処理体の中心から外
周方向に向かって深さが浅くなるように構成された複数
の孔から供給されること特徴とする処理方法。
【請求項７】被処理体を処理室内に搬入し、前記被処
理体裏面に対し、この被処理体裏面に対向する側から伝
熱ガスを供給し被処理体を処理する処理方法において、
前記伝熱ガスは前記被処理体裏面に対向する面側の前記
被処理体の中心から外周方向に向かって深さが浅くなる
ように構成された複数の孔から供給されることを特徴と
する処理方法。