WO2013122058A1 - 蒸着ヘッド及び蒸着装置 - Google Patents

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WO2013122058A1
WO2013122058A1 PCT/JP2013/053286 JP2013053286W WO2013122058A1 WO 2013122058 A1 WO2013122058 A1 WO 2013122058A1 JP 2013053286 W JP2013053286 W JP 2013053286W WO 2013122058 A1 WO2013122058 A1 WO 2013122058A1
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WO
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vapor deposition
flow path
vapor
deposition material
opening
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/053286
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English (en)
French (fr)
Inventor
石橋　清隆
康明 榊原
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
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Publication date
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition

Definitions

  • Various aspects and embodiments of the present invention relate to a vapor deposition head and a vapor deposition apparatus.
  • the deposition material deposition apparatus transports the vapor of the vapor deposition material (for example, organic material) generated in the vapor generation unit to the vapor deposition head together with the transport gas.
  • the vapor deposition head has a nozzle, and a gas containing vapor of the vapor deposition material (hereinafter referred to as “vapor deposition material gas” as appropriate) is jetted from the nozzle to adhere to the substrate, thereby forming the vapor deposition material on the substrate. Film.
  • the vapor deposition material is an organic material such as an organic EL (Electro-Luminescence) element.
  • the vapor deposition head may have a structure in which the vapor deposition material gas is dispersed.
  • the vapor deposition head has a tournament-like gas flow that branches the flow path of the vapor deposition material gas that has been transported in two directions and further branches the flow path of each vapor deposition material gas branched in the two directions in two directions. It is known to form a path.
  • the vapor deposition material gas is branched and dispersed stepwise by the gas flow path formed in the tournament shape, flows out from the plurality of gas flow paths, and is injected toward the substrate through the nozzles.
  • the uniformity of the deposition material gas flowing out from the plurality of branched deposition material gas flow paths is affected by the inertial force of the deposition material gas flow. It may be damaged.
  • a vapor deposition head injects a gas containing vapor of a vapor deposition material dispersed by the dispersion unit, and a gas dispersion containing vapor of the vapor deposition material transported through a transport pipe.
  • the dispersion unit includes a first gas flow path that branches a gas containing vapor of a vapor deposition material transported through the transport pipe in two directions, and a vapor deposition branched in two directions by the first gas flow path.
  • a second gas flow path for sequentially branching the gas containing the material vapor in two directions in multiple stages.
  • the dispersion unit is provided in a gas branching unit that branches the gas containing the vapor of the vapor deposition material in the second gas flow path, and adjusts the branch flow rate of the gas containing the vapor of the vapor deposition material in two directions.
  • a branch adjustment plate is provided.
  • a vapor deposition head capable of improving the uniformity of vapor deposition material gas flowing out from a plurality of vapor deposition material gas channels branched in a tournament shape is realized.
  • FIG. 1 is a diagram schematically illustrating a film forming apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a perspective view showing a vapor deposition head according to an embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a completed state of an organic EL element that can be manufactured using the film forming apparatus according to the embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram schematically illustrating a gas supply source according to an embodiment.
  • FIG. 5A is a diagram illustrating a conventional technique.
  • FIG. 5-2 is a diagram illustrating a conventional technique.
  • FIG. 5C is a diagram illustrating the related art.
  • FIG. 5-4 is a diagram illustrating Example 1-1.
  • FIG. 5-5 is a diagram for explaining the aspect ratio.
  • FIG. 5-6 is a diagram illustrating the simulation conditions of Example 1-1.
  • FIG. 5-7 is a diagram illustrating the effects (simulation results) of Example 1-1.
  • FIG. 5-8 is a diagram of a first modification of the example 1-1.
  • FIG. 5-9 is a diagram illustrating a second modification of the embodiment 1-1.
  • FIG. 5-10 is a diagram of a third modification of the embodiment 1-1.
  • FIG. 5-11 is a diagram illustrating Example 1-2.
  • FIG. 5-12 is a diagram of a first modification of the embodiment 1-2.
  • FIG. 5-13 is a diagram illustrating a second modification of the embodiment 1-2.
  • FIG. 5-14 is a diagram of a third modification of the embodiment 1-2.
  • FIG. 5-15 is a diagram illustrating a fourth modification of the embodiment 1-2.
  • FIG. 5-7 is a diagram illustrating the effects (simulation results) of Example 1-1.
  • FIG. 5-8 is a diagram of a first modification of the example 1-1.
  • FIG. 5-9 is a diagram illustrating a second modification of the embodiment
  • FIG. 5-16 is a diagram illustrating a fifth modification of the embodiment 1-2.
  • FIG. 5-17 is a diagram illustrating the effects (simulation results) of Example 1-2.
  • FIG. 5-18 is a diagram illustrating a comparative example of the effect of Example 1-2.
  • FIG. 5-19 is a diagram illustrating Example 1-3.
  • FIG. 5-20 is a diagram illustrating a first modification of the first to third embodiments.
  • FIG. 5-21 is a diagram of a sixth modification of the embodiment 1-2.
  • FIG. 5-22 is a diagram illustrating a seventh modification of the embodiment 1-2.
  • FIG. 5-23 is a diagram illustrating Example 1-4.
  • FIG. 5-24 is a diagram illustrating a first modification of the first to fourth embodiments.
  • FIG. 5-25 is a diagram illustrating a second modification of the first to fourth embodiments.
  • FIG. 5-26 is a diagram illustrating Example 1-5.
  • FIG. 5-27 is a diagram illustrating a first modification example of the first to
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a film forming apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 1 shows an XYZ orthogonal coordinate system.
  • a film forming apparatus 10 shown in FIG. 1 includes a processing container 11 that defines a processing chamber 12 that houses a substrate S, and a stage 14 that holds the substrate S.
  • One surface (film formation surface) of the substrate S faces downward in the vertical direction (Z direction), for example. That is, the film forming apparatus 10 is a face-down type film forming apparatus.
  • the stage 14 may incorporate an electrostatic chuck that holds the substrate S.
  • the film forming apparatus may be a type in which a gas containing vapor of a deposition material is blown onto the film forming surface facing upward, that is, a face-up type film forming apparatus.
  • a vacuum pump 27 is connected to the processing container 11 via a tube 12g, and the inside of the processing chamber 12 can be decompressed by the vacuum pump 27.
  • the film forming apparatus 10 includes a vapor deposition head 16c having a nozzle 18c for spraying a gas G containing vapor of vapor deposition material onto the substrate S.
  • the film forming apparatus 10 may further include vapor deposition heads 16a, 16b, 16d, 16e, and 16f each having nozzles 18a, 18b, 18d, 18e, and 18f having the same structure as the nozzle 18c. From the nozzles 18a, 18b, 18d, 18e, and 18f, vapor deposition materials different from the vapor deposition material ejected from the nozzle 18c and different from each other may be ejected. Thereby, a plurality of types of films can be continuously deposited on the substrate S.
  • the vapor deposition heads 16a to 16f are connected to gas supply sources 20a to 20f for supplying a gas containing vapor of the vapor deposition material, respectively.
  • the gas G is supplied from the gas supply source 20c to the vapor deposition head 16c.
  • circular injection ports are formed at the tips of the nozzles 18a to 18f.
  • a gas containing a vapor deposition material is injected from the injection port.
  • Shutters 17a to 17f capable of blocking the vapor deposition material may be disposed at positions facing the nozzles 18a to 18f, respectively. In FIG. 1, since the shutter 17c is open, the gas G ejected from the ejection port of the nozzle 18c reaches the substrate S.
  • the shutters 17a, 17b, 17d, 17e, and 17f are closed, the gas ejected from the nozzles 18a, 18b, 18d, 18e, and 18f does not reach the substrate S.
  • the shutters 17a to 17f rotate around a rotation axis along the Y direction, for example.
  • the shutters 17a to 17f can be arranged on the ejection openings of the nozzles 18a to 18f and can be retracted from the ejection openings as necessary.
  • the film forming apparatus 10 includes a driving device 22 that drives the stage 14 in the X direction that intersects the Y direction.
  • the film forming apparatus 10 may further include a rail 24.
  • the rail 24 is attached to the inner wall of the processing container 11.
  • the stage 14 is connected to the rail 24 by, for example, a support portion 14a.
  • the stage 14 and the support portion 14 a are moved by the drive device 22 so as to slide on the rail 24.
  • the substrate S moves in the X direction relative to the nozzles 18a to 18f.
  • the substrates S are sequentially arranged in the openings of the nozzles 18a to 18f.
  • An arrow A in FIG. 1 indicates the moving direction of the stage 14.
  • the processing container 11 of the film forming apparatus 10 includes gate valves 26a and 26b.
  • the substrate S can be introduced into the processing chamber 12 through the gate valve 26 a formed in the processing container 11, and can be carried out of the processing chamber 12 through the gate valve 26 b formed in the processing container 11.
  • FIG. 2 is a perspective view showing a vapor deposition head according to an embodiment.
  • the vapor deposition head 16 c may have a plurality of injection ports 14 c in one embodiment. From the plurality of injection ports 14c, the gas supplied by the gas supply source 20c is injected to the center of the axis in the Z direction. These injection ports 14c can be arranged in a direction (Y direction) intersecting the moving direction (X direction) of the stage 14.
  • the heater 15 is built in the vapor deposition head 16c. In one embodiment, the heater 15 heats the vapor deposition head 16c to a temperature at which the vapor deposition material supplied as vapor to the vapor deposition head 16c does not precipitate.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a completed state of an organic EL (Electro Luminescence) element that can be manufactured using the film forming apparatus according to an embodiment.
  • the organic EL element D shown in FIG. 3 may include a substrate S, a first layer D1, a second layer D2, a third layer D3, a fourth layer D4, and a fifth layer D5.
  • the substrate S is an optically transparent substrate such as a glass substrate.
  • a first layer D1 is provided on one main surface of the substrate S.
  • the first layer D1 can be used as an anode layer.
  • the first layer D1 is an optically transparent electrode layer, and may be formed of a conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide).
  • the first layer D1 is formed by, for example, a sputtering method.
  • the second layer D2, the third layer D3, and the fourth layer D4 are sequentially stacked on the first layer D1.
  • the second layer D2, the third layer D3, and the fourth layer D4 are organic layers.
  • the second layer D2 can be a hole injection layer.
  • the third layer D3 is a layer including a light emitting layer, and may include, for example, a hole transport layer D3a, a blue light emitting layer D3b, a red light emitting layer D3c, and a green light emitting layer D3d.
  • the fourth layer D4 may be an electron transport layer.
  • the second layer D2, the third layer D3, and the fourth layer D4, which are organic layers, can be formed using the film forming apparatus 10.
  • the second layer D2 can be composed of, for example, TPD.
  • the hole transport layer D3a can be made of, for example, ⁇ -NPD.
  • the blue light emitting layer D3b can be made of, for example, TPD.
  • the red light emitting layer D3c can be formed of, for example, DCJTB.
  • the green light emitting layer D3d can be made of, for example, Alq3.
  • the fourth layer D4 can be made of, for example, LiF.
  • the fifth layer D5 is provided on the fourth layer D4.
  • the fifth layer D5 is a cathode layer and can be made of, for example, Ag, Al, or the like.
  • the fifth layer D5 can be formed by a sputtering method or the like.
  • the element D having such a configuration can be further sealed with an insulating sealing film made of a material such as SiN formed by microwave plasma CVD or the like.
  • FIG. 4 is a diagram schematically illustrating a gas supply source according to an embodiment.
  • the gas supply source 20c includes transport pipes L11, L21, L31, transport pipes (individual transport pipes) L12, L22, L32, transport pipes (common transport pipe) L40, and first steam generation.
  • the first steam generation unit 101 is accommodated in a storage chamber R1 defined by the first storage container 120.
  • the second and third steam generators 201 and 301 are accommodated in the accommodating chambers R2 and R3 defined by the second and third accommodating containers 220 and 320, respectively. That is, the first to third steam generation units 101 to 301 are individually accommodated in the accommodation chambers R1 to R3.
  • the first steam generation unit 101 includes a steam generation chamber 103 defined by a partition wall 102.
  • a container 104 in which a vapor deposition material X is placed is disposed in the steam generation chamber 103.
  • the first steam generator 101 is provided with a heater 105.
  • the heater 105 heats the vapor deposition material X put in the container 104.
  • the container 104 is carried into the steam generation chamber 103 from the outside of the first storage container 120 and the first storage from the inside of the steam generation chamber 103 through the outlets provided in the partition wall 102 and the first storage container 120, respectively. Carrying out of the container 120 is possible.
  • the second and third steam generation units 201 and 301 also include steam generation chambers 203 and 303 defined by partition walls 202 and 302, and heaters 205 and 305, respectively.
  • containers 204 and 304 in which the vapor deposition material X is placed are also arranged in the second and third steam generation units 201 and 301. Also in the second and third vapor generation units 201 and 301, vapor containing the vapor deposition material X is generated from the vapor deposition material X.
  • the containers 204 and 304 are carried into the steam generation chambers 203 and 303 from outside the second and third storage containers 220 and 320, and the second and third from the inside of the steam generation chambers 203 and 303. Carrying out of the storage containers 220 and 320 is possible.
  • the vapor deposition material X disposed in each of the first to third vapor generation units 101, 201, 301 may be the same type of vapor deposition material.
  • Transport pipes L11, L21, and L31 are connected to the first to third steam generation units 101, 201, and 301, respectively.
  • the transport pipes L11, L21, and L31 transport argon gas as a carrier gas into the steam generation chambers 103, 203, and 303 of the first to third steam generation units 101, 201, and 301, respectively.
  • another inert gas can be used instead of the argon gas.
  • one end of the transport pipe L12, one end of L22, and one end of L32 are connected to the first to third steam generation units 101, 201, 301, respectively.
  • the other end of the transport pipe L12, the other end of L22, and the other end of L32 are connected to the transport pipe L40.
  • the transport pipes L12, L22, and L32 transport the argon gas introduced into the steam generation chambers 103, 203, and 303 and the vapor of the vapor deposition material X into the processing chamber 12.
  • the transport pipe L40 transports the argon gas and the vapor of the vapor deposition material X transported into the processing chamber 12 by the transport pipes L12, 22, and 32 to the vapor deposition head 16c. That is, the vapor of the vapor deposition material X generated in the first to third vapor generation units 101, 201, 301 is transported to the vapor deposition head 16c together with the argon gas introduced into the vapor generation chambers 103, 203, 303.
  • the transport pipe L11 is provided with a valve V102, an adiabatic transport pipe 140, a valve V103, a first MFC (mass flow controller) 110, and a valve V104 in order from the side closer to the first steam generation unit 101.
  • the valves V102, V103, V104 are used for selectively blocking the flow of argon gas in the transport pipe L11.
  • the first MFC 110 controls the flow rate of argon gas flowing through the transport pipe L11.
  • the valve V102 and the heat insulating transport pipe 140 are provided in the transport pipe L11 in the first container 120.
  • Heaters 115a, 115b, and 115c are attached to the transport pipe L11 between the heat insulating transport pipe 140 and the valve V102, the valve V102, and the transport pipe L11 between the valve V102 and the first steam generation unit 101, respectively. ing.
  • the heaters 115a, 115b, and 115c can individually control the temperatures of the portions where the heaters are attached.
  • the transport pipe L11 and the valve V102 can be heated in the storage chamber R1 by these heaters so that the argon gas has a temperature corresponding to the vaporization temperature of the vapor deposition material X.
  • the heat insulating transport pipe 140 can suppress heat exchange between the transport pipe L11 outside the first storage container 120 and the transport pipe L11 in the first storage container 120. Therefore, the heat insulating transport pipe 140 has a thermal conductivity lower than that of the transport pipe L11.
  • the transport pipe L11 can be made of stainless steel, and the heat insulating transport pipe 140 can be made of quartz.
  • the transport pipe L12 is provided with an adiabatic transport pipe 141 and a valve V101 in order from the side closer to the first steam generation unit 101.
  • the valve V101 is provided in the transport pipe L12 in the processing chamber 12.
  • the valve V101 is used to selectively shut off the supply of argon gas and vapor of the vapor deposition material X from the transport pipe L12 to the transport pipe L40.
  • a heater (heating part) 125a and a heater (heating part) are respectively provided in the transport pipe L12 between the first steam generation part 101 and the heat insulation transport pipe 141 and the transport pipe L12 between the heat insulation transport pipe 141 and the valve V101. ) 125b is attached.
  • the heaters 125a and 125b it is possible to individually control the temperatures of the portions to which these heaters are attached. Moreover, the transport pipe L12 can be heated by these heaters to a temperature at which the vapor deposition material X does not precipitate.
  • the heat insulating transport pipe 141 is provided in the transport pipe L12 in the first container 120.
  • the heat insulating transport pipe 141 can suppress heat exchange between the transport pipe L12 outside the first storage container 120 and the transport pipe L12 in the first storage container 120. Therefore, the heat insulating transport pipe 141 has a thermal conductivity lower than that of the transport pipe L12.
  • the transport pipe L12 can be made of stainless steel, and the heat insulating transport pipe 141 can be made of quartz.
  • the transport pipe L21 is also provided with a valve V202, an adiabatic transport pipe 240, a valve V203, a second MFC 210, and a valve V204 in order from the side closer to the second steam generation unit 201.
  • the transport pipe L21, the valve V202, and the transport pipe L21 between the valve V202 and the second steam generator 201 are respectively provided with a heater 215a, a heater 215b, and a heater 215c. Is provided.
  • the configuration and function of the valve V202, the adiabatic transport pipe 240, the valve V203, the second MFC 210, the valve V204, the heater 215a, the heater 215b, and the heater 215c are as follows.
  • the functions and configurations of the heater 115b and the heater 115c are the same.
  • the transport pipe L22 is also provided with an adiabatic transport pipe 241 and a valve V201 in order from the side close to the second steam generation unit 201.
  • a heater (heating unit) 225a and a heater (heating) are provided in the transport pipe L22 between the second steam generation unit 201 and the heat insulation transport pipe 241 and the transport pipe L22 between the heat insulation transport pipe 241 and the valve V201.
  • Part) 225b are the same as the configurations and functions of the adiabatic transport pipe 141, the valve V101, the heater 125a, and the heater 125b, respectively.
  • the transport pipe L31 is also provided with a valve V302, an adiabatic transport pipe 340, a valve V303, a third MFC 310, and a valve V304 in order from the side closer to the third steam generation unit 301.
  • a heater 315a, a heater 315b, and a heater 315c are provided in the transport pipe L31, the valve V302, and the transport pipe L31 between the valve V302 and the third steam generation unit 301, respectively, between the heat insulating transport pipe 340 and the valve V302. Is provided.
  • valve V302 The configuration and function of the valve V302, the adiabatic transport pipe 340, the valve V303, the third MFC 310, the valve V304, the heater 315a, the heater 315b, and the heater 315c are as follows.
  • the functions and configurations of the heater 115b and the heater 115c are the same.
  • the transport pipe L32 is provided with an adiabatic transport pipe 341 and a valve V301 in order from the side close to the third steam generating section 301, similarly to the transport pipe L12. Further, a heater (heating unit) 325a and a heater (heating) are provided in the transport pipe L32 between the third steam generation unit 301 and the heat insulation transport pipe 341 and the transport pipe L32 between the heat insulation transport pipe 341 and the valve V301. Part) 325b is provided.
  • the configurations and functions of the adiabatic transport pipe 341, the valve V301, the heater 325a, and the heater 325b are the same as the configurations and functions of the adiabatic transport pipe 141, the valve V101, the heater 125a, and the heater 125b, respectively.
  • the transport pipe L40 is provided with a heater (heating unit) 415 for heating the transport pipe L40.
  • the heater 415 heats the transport pipe L40 to a temperature at which the vapor deposition material X that has become vapor does not precipitate.
  • the heaters 125a-b, 225a-b, 325a-b, 415 can be controlled in temperature independently of each other.
  • the gas supply source 20c is provided with a decompression mechanism 500 that decompresses the storage chambers R1 to R3. More specifically, the decompression mechanism 500 includes decompression pipes L501, L511, L521, and L531, valves V107, V207, and V307, a turbo molecular pump (TMP) 501, and a dry pump (DP) 502.
  • TMP turbo molecular pump
  • DP dry pump
  • One end of the decompression pipe L511 is connected to the first storage container 120 so as to communicate with the storage chamber R1.
  • one end of the decompression pipe L521 and one end of L531 are connected to the second and third storage containers 220 and 320, respectively, so as to communicate with the storage chambers R2 and R3.
  • the other ends of the decompression pipes L511, L521, and L531 are connected to the decompression pipe L501.
  • the decompression pipe L501 is connected to the turbo molecular pump 501 and the dry pump 502.
  • the storage chamber R1 is decompressed via the decompression pipes L501 and L511, the accommodation chamber R2 is decompressed via the decompression pipes L501 and L521, and the decompression pipes L501 and L531 are used.
  • the storage chamber R3 is decompressed.
  • Valves V107, V207, and V307 are provided in the decompression pipes L511, L521, and L531, respectively.
  • the storage chambers R1 to R3 can be selectively decompressed independently.
  • the pressure in the storage chambers R1 to R3 it is possible to suppress moisture and the like from adhering to the vapor deposition material X in the first to third steam generation units 101, 201, and 301. Further, the heat insulating effect of the storage chambers R1 to R3 is improved.
  • the film forming apparatus 10 may further include a QCM (Quartz Crystal Microbalance) sensor 30.
  • the QCM sensor 30 can be installed in the vicinity of the substrate S disposed in the processing chamber 12.
  • the QCM sensor 30 measures the amount of the vapor deposition material X ejected from the vapor deposition head 16c.
  • the film forming apparatus 10 may further include a gas discharge system (discharge pipe) 600.
  • the gas discharge system 600 individually and selectively discharges the gas from the first to third steam generation units 101, 201, and 301 to the outside instead of the vapor deposition head 16c.
  • the gas discharge system 600 includes discharge pipes L601, L611, L621, L631, valves V105, V205, V305, heat insulation pipes 142, 242, 342, and heaters 155a-c, 255a-c, 355a-c. Prepare.
  • the discharge pipe L611 is branched from the transport pipe L12 between the heat insulating transport pipe 141 and the first steam generation unit 101.
  • the discharge pipe L611 guides the argon gas and the vapor of the vapor deposition material X flowing through the transport pipe L12 to the outside of the first container 120, not the vapor deposition head 16c.
  • the discharge pipes L621 and L631 are branched from the transport pipes L22 and L32, respectively.
  • the discharge pipes L621 and L631 guide the argon gas flowing in the transport pipes L22 and L32 and the vapor of the vapor deposition material X to the outside of the second and third storage containers 220 and 320, not the vapor deposition head 16c.
  • the discharge pipe L611 is connected to the discharge pipe L601 outside the first container 120.
  • the discharge pipe L621 is connected to the discharge pipe L601 outside the second storage container 220.
  • the discharge pipe L631 is connected to the discharge pipe L601 outside the third storage container 320.
  • the discharge pipe L601 discharges the argon gas and the vapor of the vapor deposition material X guided outside the first to third storage containers 120, 220, and 320 to the outside of the film forming apparatus 10 instead of the vapor deposition head 16c.
  • Valves V105, V205, and V305 are provided on the discharge pipes L611, L621, and L631, respectively.
  • the gas from the first steam generation unit 101 can be selectively supplied to the vapor deposition head 16c via the transport pipes L12 and L40 or discharged via the discharge pipes L611 and L601. it can.
  • the gas from the second steam generation unit 201 is selectively supplied to the vapor deposition head 16c via the transport pipes L22 and L40, or discharged via the discharge pipes L621 and L601. can do.
  • the gas from the third steam generating unit 301 can be selectively supplied to the vapor deposition head 16c via the transport pipes L32 and L40 or discharged via the discharge pipes L631 and L601. .
  • a heater 155a, a heater 155b, and 155c are provided in a discharge pipe L611, a valve V105, and a discharge pipe L611 between the valve V105 and the heat insulation pipe 142, respectively, between the transport pipe L12 and the valve V105. Is provided.
  • a heater 255a, heaters 255b, and 255c are provided in a discharge pipe L621 between the transport pipe L22 and the valve V205, a valve V205, and a discharge pipe L621 between the valve V205 and the heat insulation pipe 242, respectively. Yes.
  • a heater 355a, a heater 355b, and 355c are provided in the discharge pipe L631, the valve V305, and the discharge pipe L631 between the valve V305 and the heat insulation pipe 342, respectively, between the transport pipe L32 and the valve V305. It has been. With this configuration, it is possible to suppress the deposition material X from being deposited in each of the discharge pipes L611, L621, and L631 in the storage chambers R1, R2, and R3.
  • a heat insulating pipe 142 is provided between the discharge pipe L611 outside the first storage container 120 and the discharge pipe L611 inside the first storage container 120.
  • the heat insulating pipe 142 suppresses heat exchange between the discharge pipe L611 outside the first storage container 120 and the discharge pipe L611 inside the first storage container 120.
  • a heat insulating pipe 242 is provided between the discharge pipe L621 outside the second storage container 220 and the discharge pipe L621 in the second storage container 220, and the heat insulation pipe 242 is connected to the second storage container 220. Heat exchange between the outer discharge pipe L621 and the discharge pipe L621 in the second container 220 is suppressed.
  • a heat insulating pipe 342 is provided between the discharge pipe L 631 outside the third storage container 320 and the discharge pipe L 631 in the third storage container 320, and the heat insulation pipe 342 is connected to the third storage container 320. Heat exchange between the outer discharge pipe L631 and the discharge pipe L631 in the third storage container 320 is suppressed.
  • the discharge pipes L611, L621, and L631 can be made of stainless steel, and the heat insulation pipes 142, 242, and 342 can be made of quartz.
  • the film forming apparatus 10 may further include a gas introduction system (gas introduction path) 700 that introduces a purge gas into the storage chambers R1 to R3.
  • the gas introduction system 700 includes introduction pipes L701, L711, L721, and L731, and valves V106, V206, and V306.
  • Nitrogen gas may be introduced into the introduction pipe L701. In addition, it can replace with nitrogen gas and can also use other gas.
  • One end of the introduction pipe L711 is connected to the first storage container 120 so as to communicate with the storage chamber R1. The other end of the introduction pipe L711 is connected to the introduction pipe L701.
  • introduction pipes L721 and L731 are connected to the second and third storage containers 220 and 320, respectively, so as to communicate with the storage chambers R2 and R3.
  • the other ends of the introduction pipes L721 and L731 are connected to the introduction pipe L701.
  • the introduction pipes L711, L721, and L731 guide nitrogen gas flowing through the introduction pipe L701 into the storage chambers R1 to R3, respectively.
  • the valves V106, V206, V306 are provided in the introduction pipes L711, L721, L731, respectively.
  • the nitrogen gas flowing through the introduction pipe L701 can be selectively introduced into the storage chamber R1 via the introduction pipe L711 or blocked.
  • the nitrogen gas flowing through the introduction pipe L701 can be selectively introduced into the storage chamber R2 via the introduction pipe L721 or blocked.
  • the nitrogen gas flowing through the introduction pipe L701 can be selectively introduced into the storage chamber R3 via the introduction pipe L731 or blocked.
  • Example 1 relates to the vapor deposition head part, and is an example in which the position and size of the opening in each stage of the multistage dispersion plate are changed.
  • the gas opening of the tournament has an aspect ratio of 0.5 or less, and more preferably 0.2 or less.
  • a difference is provided in the length of the two-divided path at each stage.
  • a branching adjusting means is provided at each stage opening.
  • each branch adjustment means is arrange
  • the vapor deposition heads of the following embodiments have a dispersion unit that sequentially branches the vapor deposition material gas in two directions in multiple stages so that the conductance in the forward direction of the flow of the vapor deposition material gas is smaller than the conductance in the reverse direction. Thereby, deterioration of conductance can be prevented. Further, the accuracy of the division into two is increased.
  • Example 1 will be specifically described below.
  • FIGS. 5-1, 5-2 and 5-3 are diagrams showing the prior art.
  • a tournament type groove is provided in the vapor deposition head.
  • the groove in the outlet portion of each stage of the tournament usually has an aspect ratio of about 1 or more.
  • the gas supplied from the center is dispersed by a multistage baffle plate.
  • a multistage baffle plate in order to make the flow rate of the gas passing through the hole of the same baffle constant, it is necessary to reduce the conductance of the hole.
  • the pressure in each space becomes the same because heavy elements tend to go outside and light elements remain inside. Even so, a large distribution occurs in the density of the flowing gas.
  • the conventional technology has one hole at each stage.
  • the above problems (1) and (2) can be solved.
  • this prior art (3) increases the vertical space. If a 2.5 m size head such as G8 is required, this system will inevitably become a very large device. (4) In principle, the flow rate of the gas flowing to the outermost periphery is lowered.
  • the prior art is a tournament method, and gas is sent evenly to the final stage space, so the problems (1) to (4) are solved.
  • the problems (1) to (4) are solved.
  • the prior art since the groove is formed in the block, the heat capacity as a whole is large. As a result, the conventional technology has poor temperature control responsiveness.
  • the conductance is poor because the aspect ratio of the branch openings at each stage is 1 or more. There is no problem if it is oxygen gas like the prior art, but it is very difficult to flow a gas having a low saturated vapor pressure.
  • FIG. 5-4 is a diagram illustrating Example 1-1.
  • FIG. 5-4 is a longitudinal sectional view of the vapor deposition head 16c. 5-4 illustrates the configuration of the vapor deposition head 16c, the other vapor deposition heads 16a, 16b, 16d, 16e, and 16f have the same configuration.
  • the vapor deposition head 16c includes a plurality of dispersion plates (first dispersion plate 161c, second dispersion plate) disposed in the vapor deposition head container with the plate surfaces facing each other and spaced apart from each other. 163c and a third dispersion plate 165c).
  • the first dispersion plate 161c, the second dispersion plate 163c, and the third dispersion plate 165c disperse the vapor deposition material gas transported to the vapor deposition head 16c through the transport pipe L40.
  • the first dispersion plate 161c has an opening 162c through which the vapor deposition material gas flows downstream.
  • the second dispersion plate 163c has an opening 164c through which the vapor deposition material gas flows downstream.
  • the third dispersion plate 165c has an opening 166c through which the vapor deposition material gas flows downstream.
  • the openings 162c, 164c, and 166c are formed such that the opening width in the direction intersecting the forward direction of the vapor deposition material gas flow is constant along the forward direction of the vapor deposition material gas flow.
  • the vapor deposition head 16c has a nozzle 18c that injects vapor deposition material gas dispersed by the first dispersion plate 161c, the second dispersion plate 163c, and the third dispersion plate 165c.
  • the opening 166c is defined as an opening 166c-1 in the forward direction of the vapor deposition material gas flow and as an opening 166c-2 in the reverse direction of the vapor deposition material gas flow.
  • the opening 166c-1 and the opening 166c-2 are not particularly distinguished, they are simply referred to as the opening 166c.
  • the dispersion unit 160c includes a first gas flow path 167c that branches the vapor deposition material gas transported through the transport pipe L40 in two directions.
  • the dispersion unit 160c includes second gas flow paths 168c and 169c that sequentially branch the vapor deposition material gas branched in two directions by the first gas flow path 167c in two directions in multiple stages.
  • the second gas flow path has two stages, but may have any number of one or more stages.
  • the second gas flow path 169c is positioned in the reverse direction of the flow of the vapor deposition material gas as the second gas flow path 169c-1 is located in the forward direction of the flow of the vapor deposition material gas. This is the second gas flow path 169c-2. Further, when the second gas flow path 169c-1 and the second gas flow path 169c-2 are not particularly distinguished, they are simply referred to as the second gas flow path 169c.
  • the vapor deposition material gas branched in two directions in the first gas flow path 167c is branched again in two directions in the second gas flow path 168c.
  • the vapor deposition material gas flowing in the forward direction of the gas flow branches again in two directions in the second gas flow path 169c-1.
  • the vapor deposition material gas flowing in the direction opposite to the forward direction of the gas flow is the second gas flow path 169c-2. Branch again in two directions.
  • the vapor deposition material gas branched in the second gas flow path 169c is ejected from the nozzle 18c and vapor deposited on the substrate.
  • the flow path of the vapor deposition material gas in the vapor deposition head 16c is formed in a tournament shape.
  • the openings 162c, 164c, and 166c are formed so that the aspect ratio is 0.5 or less, preferably 0.2 or less.
  • the second gas flow paths 168c and 169c are intermediate flow paths that connect an upstream gas flow path where the vapor deposition material gas is not branched in two directions and a downstream gas flow path branched in two directions.
  • the aspect ratio expressed by the ratio of the flow path length of the above and the opening width of the opening through which the vapor deposition material gas flows out of the intermediate flow path is 0.5 or less, preferably 0.2 or less.
  • FIG. 5-5 is a diagram for explaining the aspect ratio.
  • FIG. 5-5 shows a general configuration of a branching portion where the vapor deposition material gas branches in two directions for convenience of explanation.
  • the vapor deposition material gas branch includes an upstream gas flow path 176c where the vapor deposition material gas is not branched in two directions, and a downstream gas flow where the vapor deposition material gas is branched in two directions.
  • a passage 177c and an intermediate passage 178c communicating the upstream gas passage 176c and the downstream gas passage 177c are provided.
  • the aspect ratio is a ratio of the channel length 178c-1 of the deposition material gas in the intermediate channel 178c and the opening width 178c-2 from which the deposition material gas flows out from the intermediate channel 178c to the downstream gas channel 177c (channel). Length 178c-1 / opening width 178c-2).
  • FIG. 5-6 is a diagram illustrating the simulation conditions of Example 1-1.
  • FIG. 5-7 is a diagram illustrating the effects (simulation results) of Example 1-1.
  • the simulation for verifying the effect of Example 1-1 assumes that the vapor deposition head 16c is 250 mm long and 284 mm wide and the vapor deposition material gas is branched into three stages. Is.
  • branching of the vapor deposition material gas is defined as the first, second, and third stages in order from the upstream side to the downstream side of the vapor deposition material gas.
  • the aspect ratio of the openings 162c, 164c, and 166c (intermediate flow path) communicating the vapor deposition material gas from the upstream side to the downstream side is 0.5.
  • the case and the case of 0.2 were simulated.
  • the aspect ratio of the openings 162c, 164c, and 166c (intermediate flow paths) that communicate the vapor deposition material gas from the upstream side to the downstream side is 1.0 or more.
  • the case of 0 was used as a comparative example.
  • the simulation conditions are as follows: the pressure at the outlet of the vapor deposition material gas flowing out from the opening 166c is 0.05 (Pa), the flow rate of Ar as the carrier gas is 10 sccm, and the flow rate of Alq3 as the vapor deposition material gas is 1 sccm. did.
  • the carrier gas can be N2 (molecular weight of about 28) in addition to Ar (molecular weight of about 40).
  • the vapor deposition material gas may be ⁇ -NPD (molecular weight of about 617), Liq (molecular weight of about 151), Spiro-2NPB (molecular weight of about 1185).
  • the molecular weight of the deposition material gas with respect to the molecular weight of the carrier gas such as a combination of N2 and Liq, Alq3, ⁇ -NPD, or Spiro-2NPB, or a combination of Ar and Alq3, ⁇ -NPD, or Spiro-2NPB, Two different kinds of mixed gases can be used that are five times or more.
  • the channel length and the opening width of the opening 162c are 50 mm.
  • the flow path length of the opening 162c is 25 mm, and the opening width is 50 mm.
  • the flow path length of the opening 162c is 10 mm, and the opening width is 50 mm.
  • the channel lengths of the other openings 164c and 166c are adjusted according to the aspect ratio.
  • FIG. 5-7 shows the conductance simulation results when the aspect ratios are “1.0”, “0.5”, and “0.2” as the effects of the example 1-1.
  • the conductance (m 3 / sec) is represented by (carrier gas flow rate + vapor deposition material gas flow rate) / (P A ⁇ P B ) at each opening, and the flow rate unit sccm is Pa ⁇ m 3 / sec. It is obtained by converting to As shown in FIG. 5-7, P A is the average partial pressure (Pa) in the gas inlet of each opening, P B is the average partial pressure in the gas outlet of each aperture (Pa).
  • the conductance at the first stage is “2.92E-01”
  • the conductance at the second stage is “2.80E-01”
  • the third stage The conductance of the eye was “3.88E-01”.
  • the conductance at the first stage is “4.43E-01”
  • the conductance at the second stage is “4.52E-01”
  • the conductance at the third stage is “6. 85E-01 ".
  • the first-stage conductance is “8.19E-01”
  • the second-stage conductance is “9.13E-01”
  • the third-stage conductance is “1. 65E + 00 ".
  • the conductance increases at each stage as compared with the case where the aspect ratio was “1.0”. Further, when the aspect ratio was set to “0.2”, the conductance increased at each stage as compared with the case where the aspect ratio was “0.5”. That is, in the vapor deposition head of Example 1-1, the conductance is increased by setting the aspect ratio of each opening to 0.5 or less, preferably 0.2 or less. As a result, according to the vapor deposition head of Example 1-1, the vapor deposition efficiency (deposition rate of the vapor deposition material) can be improved.
  • FIG. 5-8 is a diagram of a first modification of the example 1-1.
  • the third dispersion plate 165c, the second dispersion plate 163c, and the first dispersion plate 161c are sequentially arranged in the width direction of the vapor deposition head. The length is shortened. Further, in the first modification of Example 1-1, the width of the vapor deposition head container is increased according to the decrease in the length of the third dispersion plate 165c, the second dispersion plate 163c, and the first dispersion plate 161c. It is getting smaller.
  • a partition plate 170c for partitioning is provided in the second and third stages of the vapor deposition material gas branch, between the second gas flow paths 168c and the second gas flow paths 169c adjacent in the same stage.
  • a partition plate 170c for partitioning is provided.
  • two partition plates 170c are provided between the two second gas flow paths 168c in the second stage of the vapor deposition material gas branch, and partition between the second gas flow paths 168c.
  • the space between the partition plates 170c is a dead space 171c.
  • two partition plates 170c are provided between the four second gas flow paths 169c, respectively, and partition between the second gas flow paths 169c.
  • a space between the partition plates 170c becomes a dead space 171c.
  • the vapor deposition head of Modification Example 1 of Example 1-1 it is possible to suppress the vapor deposition material gas from flowing into the dead space 171c by providing the partition plate 170c at each stage of the vapor deposition material gas branch. it can.
  • the vapor deposition material gas can be efficiently injected from the nozzle 18c, so that the vapor deposition efficiency (deposition rate of the vapor deposition material) can be improved. it can.
  • FIG. 5-9 is a diagram of a second modification of the embodiment 1-1.
  • the third dispersion plate 165c, the second dispersion plate 163c, and the first dispersion plate 161c are sequentially deposited.
  • the length of the plate in the width direction of the head is shortened.
  • the lengths of the third dispersion plate 165c, the second dispersion plate 163c, and the first dispersion plate 161c are reduced.
  • the width of the vapor deposition head container is gradually reduced.
  • the partition between the second gas flow paths 168c and the second 169c adjacent in the same stage is partitioned.
  • a member 172c is provided.
  • a partition member 172c that partitions between the second gas flow paths 168c is provided between the two second gas flow paths 168c in the second stage of the branch of the vapor deposition material gas.
  • a partition member 172c that partitions the second gas flow paths 169c is provided between each of the four second gas flow paths 169c.
  • the partition member 172c is disposed so that the vapor deposition material gas does not flow into and out of the second gas flow path 168c and the second 169c.
  • the vapor deposition head of Modification Example 2 of Example 1-1 by providing the partition member 172c at each stage of the vapor deposition material gas branch, between the second gas flow paths 168c and 169c adjacent in the same stage. It is possible to suppress the vapor deposition material gases from flowing into and out of each other. As a result, according to the vapor deposition head of Modification Example 2 of Example 1-1, the vapor deposition material gas can be efficiently injected from the nozzle 18c, so that the vapor deposition efficiency (deposition rate of the vapor deposition material) can be improved. it can.
  • FIG. 5-10 is a diagram of a third modification of the embodiment 1-1.
  • the third modification of the embodiment 1-1 differs from the first and second modifications in that all of the first dispersion plate 161c, the second dispersion plate 163c, and the third dispersion plate 165c are used.
  • the length of the plate in the width direction of the vapor deposition head is substantially the same.
  • the third modification of the embodiment 1-1 differs from the first and second modifications in accordance with the lengths of the third dispersion plate 165c, the second dispersion plate 163c, and the first dispersion plate 161c.
  • the width of the vapor deposition head container is substantially constant.
  • the volume of is formed smaller.
  • the facing distance between the first dispersion plate 161c and the second dispersion plate 163c is shorter than the facing distance between the vapor deposition head container and the first dispersion plate 161c.
  • the opposing distance between the second dispersion plate 163c and the third dispersion plate 165c is larger than the opposing distance between the first dispersion plate 161c and the second dispersion plate 163c. Is shorter.
  • the vapor deposition head container from the cross-sectional area of the gas flow path 176c formed by the vapor deposition head container, the first dispersion plate 161c, and the second dispersion plate 163c, the vapor deposition head container, the second dispersion plate 163c, and the third dispersion.
  • the cross-sectional area of the gas flow path 177c formed by the plate 165c is formed smaller.
  • the opening 164c formed in the second dispersion plate 163c is formed smaller than the opening 162c formed in the first dispersion plate 161c.
  • the opening 166c formed in the third dispersion plate 165c is smaller than the opening 164c formed in the second dispersion plate 163c.
  • the vapor deposition head of Modification Example 3 of Example 1-1 in view of the fact that the flow rate of the vapor deposition material gas decreases toward the downstream side, the upstream gas channel cross-sectional area is increased as much as possible. The pressure loss at each point of the gas flow path is made uniform. As a result, according to the vapor deposition head of Modification 3 of Example 1-1, the vapor deposition material gas can be efficiently ejected from the nozzle 18c, so that the vapor deposition efficiency (deposition rate of the vapor deposition material) can be improved. it can.
  • FIG. 5-11 is a diagram illustrating Example 1-2.
  • the vapor deposition head of Example 1-2 is premised on the vapor deposition head shown in FIG. 5-4, and a branch adjustment that adjusts the branch flow rate of the vapor deposition material gas in two directions at the branch portion that branches the vapor deposition material gas.
  • a plate is provided.
  • a description will be given mainly of the vapor deposition material gas branching portion and the surrounding configuration.
  • a fixing plate 181c for fixing the branching adjustment plate 180c is provided at a portion facing the central portion of the opening 164c of the third dispersion plate 165c.
  • the branch adjustment plate 180c is erected from the plate surface of the third dispersion plate 165c toward the opening 164c via the fixed plate 181c. Further, the branching adjustment plate 180c is disposed in such a direction that the vapor deposition material gas flowing in from the opening 164c branches in two directions and faces the plate surfaces in the flow directions toward the openings 166c-1 and 166c-2, respectively.
  • the flow direction of the vapor deposition material gas is indicated by arrows.
  • the vapor deposition material gas flows through the upstream gas flow path 176c sandwiched between the first dispersion plate 161c and the second dispersion plate 163c, and downstream through the opening 164c.
  • a portion of the vapor deposition material gas that has flowed through the downstream gas flow path 177c travels in the direction of the opening 166c-1 along the flow direction of the vapor deposition material gas in the upstream gas flow path 176c.
  • a part of the vapor deposition material gas flowing through the downstream gas flow path 177c is partially affected by the branching adjustment plate 180c, and is opposite to the flow direction of the vapor deposition material gas in the upstream gas flow path 176c.
  • the direction is toward the opening 166c-2 along the side direction.
  • the flow rate of the vapor deposition material gas branched in two directions can be adjusted by providing the branch adjustment plate 180c.
  • the outflow amount of the vapor deposition material gas flowing out from the opening 166c-1 and the opening 166c-2 can be adjusted, so that a plurality of vapor depositions branched in a tournament shape are possible.
  • the uniformity of the vapor deposition material gas flowing out from the material gas flow path can be improved.
  • Example 1-2 the branch adjustment plate 180c is erected from the third dispersion plate 165c.
  • the embodiment is not limited to this, and the branch portion of the vapor deposition material gas, for example, the second dispersion plate 163c. It can also be provided at a position corresponding to the opening 162c.
  • FIG. 5-12 is a diagram of a first modification of the embodiment 1-2.
  • the branch adjustment plate 180c has a length that does not reach the opening 164c from the plate surface of the third dispersion plate 165c toward the opening 164c via the fixed plate 181c.
  • the fixing plate 181c is provided at a position shifted from the position corresponding to the central portion of the opening 164c toward the opening 166c-1, and the branch adjustment plate 180c is also formed from the position corresponding to the central portion of the opening 164c. Stands at a position shifted to the side.
  • the branch adjustment plate 180c When the branch adjustment plate 180c has a relatively short length so as not to reach the opening 164c, the flow rate of the vapor deposition material gas branched to the opening 166c-2 side tends to decrease. Therefore, in the first modification of the embodiment 1-2, the evaporation material branched to the opening 166c-2 side by shifting the standing position of the branching adjustment plate 180c in the forward direction along the flow direction of the evaporation material gas. The gas flow rate can be increased. Therefore, according to the vapor deposition head of Modification Example 1 of Example 1-2, the flow rate of the vapor deposition material gas branched in two directions can be appropriately adjusted according to the length and arrangement position of the branching adjustment plate 180c. As a result, the outflow amount of the vapor deposition material gas flowing out from the opening 166c-1 and the opening 166c-2 can be adjusted uniformly.
  • FIG. 5-13 is a diagram of a second modification of the embodiment 1-2.
  • the branch adjustment plate 180c has a length that reaches the opening 164c from the plate surface of the third dispersion plate 165c toward the opening 164c via the fixed plate 181c.
  • the fixing plate 181c is provided at a position shifted from the position corresponding to the central portion of the opening 164c toward the opening 166c-2, and the branch adjustment plate 180c is also formed from the position corresponding to the central portion of the opening 164c. Stands at a position shifted to the side.
  • the branch adjustment plate 180c When the branch adjustment plate 180c has a relatively long length so as to reach the opening 164c, the flow rate of the vapor deposition material gas branched to the opening 166c-2 side tends to increase. Therefore, in Modification 2 of Example 1-2, the standing position of the branching adjustment plate 180c is shifted in the opposite direction along the opposite direction of the flow direction of the vapor deposition material gas, thereby branching to the opening 166c-2 side. The flow rate of the vapor deposition material gas can be reduced. Therefore, according to the vapor deposition head of Modification Example 2 of Example 1-2, the flow rate of the vapor deposition material gas branched in two directions can be adjusted as appropriate according to the length and arrangement position of the branch adjustment plate 180c. As a result, the outflow amount of the vapor deposition material gas flowing out from the opening 166c-1 and the opening 166c-2 can be adjusted uniformly.
  • FIG. 5-14 is a diagram of a third modification of the embodiment 1-2.
  • a fixing plate 181c is provided at a portion facing the center of the opening 164c of the third dispersion plate 165c, as in the embodiment 1-2.
  • the branch adjustment plate 180c is erected from the plate surface of the third dispersion plate 165c toward the opening 164c via the fixed plate 181c.
  • an opening 182c is formed in the branch adjustment plate 180c.
  • the opening 182c By forming the opening 182c, the gas flow path on the opening 166c-1 side and the gas flow path on the opening 166c-2 side communicate with each other.
  • the vapor deposition head of Modification 3 of Example 1-2 by forming the opening 182c in the branch adjustment plate 180c, the flow rate of the vapor deposition material gas branched in two directions is appropriately adjusted according to the size of the opening 182c. be able to. As a result, the outflow amount of the vapor deposition material gas flowing out from the opening 166c-1 and the opening 166c-2 can be adjusted uniformly.
  • FIG. 5-15 is a diagram of a fourth modification of the embodiment 1-2.
  • a fixing plate 181c is provided at a portion facing the central portion of the opening 164c of the third dispersion plate 165c, as in the embodiment 1-2.
  • the branch adjustment plate 180c is erected with a length reaching the upstream gas flow path 176c from the plate surface of the third dispersion plate 165c via the opening 164c via the fixed plate 181c.
  • a horizontal plate 184c extending toward the upstream side in the flow direction of the vapor deposition material gas is provided at the tip of the gas flow path 176c of the branch adjustment plate 180c.
  • the horizontal plate 184c extends along the extending direction of the first dispersion plate 161c and the second dispersion plate 163c.
  • the horizontal plate 184c is disposed such that the facing distance 186c between the horizontal plate 184c and the first dispersion plate 161c is longer than the facing distance 188c between the horizontal plate 184c and the second dispersion plate 163c.
  • the vapor deposition material gas is divided into a flow path toward the opening 166c-1 side, a gas flow path, and a flow path toward the opening 166c-2 side. can do.
  • the flow rate of the vapor deposition material gas branched in two directions can be adjusted as appropriate according to the length and arrangement position of the horizontal plate 184c. Can do.
  • the outflow amount of the vapor deposition material gas flowing out from the opening 166c-1 and the opening 166c-2 can be adjusted uniformly.
  • FIG. 5-16 is a diagram of a fifth modification of the embodiment 1-2.
  • a horizontal plate 184c is provided on the branch adjustment plate 180c.
  • the horizontal plate 184c is disposed such that the facing distance 186c between the horizontal plate 184c and the first dispersion plate 161c and the facing distance 188c between the horizontal plate 184c and the second dispersion plate 163c are equal.
  • the fixing plate 181c is provided at a position shifted from the position corresponding to the central portion of the opening 164c to the opening 166c-2 side, and the branch adjustment plate 180c is also positioned corresponding to the central portion of the opening 164c. To the opening 166c-2 side.
  • the installation positions of the branch adjustment plate 180c and the horizontal plate 184c can be shifted.
  • the flow rate of the vapor deposition material gas branched in two directions by providing the horizontal plate 184c and adjusting the installation positions of the branch adjustment plate 180c and the horizontal plate 184c. Can be adjusted as appropriate.
  • the outflow amount of the vapor deposition material gas flowing out from the opening 166c-1 and the opening 166c-2 can be adjusted uniformly.
  • FIG. 5-21 is a diagram of a sixth modification of the embodiment 1-2.
  • FIG. 5A is a longitudinal sectional view showing the configuration of the branching portion of the vapor deposition material gas and its surroundings in the configuration of the vapor deposition head of Modification 6 of Example 1-2.
  • FIG. 5B is a plan view of the second dispersion plate 163c of the vapor deposition head shown in FIG.
  • a fixing frame 183c for fixing the branch adjustment plate 180c is provided along the periphery of the opening 164c at the periphery of the opening 164c of the second dispersion plate 163c.
  • the branch adjustment plate 180c is erected with a length that does not reach the third dispersion plate 165c from the periphery of the opening 164c of the second dispersion plate 163c toward the third dispersion plate 165c via the fixed frame 183c. The Further, the branching adjustment plate 180c is erected at a position shifted from the position corresponding to the central portion of the opening 164c toward the opening 166c-1.
  • the flow rate of the vapor deposition material gas branched to the opening 166c-2 side decreases. Tend to. Therefore, in Modification 6 of Example 1-2, the flow rate of the vapor deposition material gas branched to the opening 166c-2 side is increased by shifting the standing position of the branch adjustment plate 180c in the flow direction of the vapor deposition material gas. be able to. Therefore, according to the vapor deposition head of Modification Example 6 of Example 1-2, the flow rate of the vapor deposition material gas branched in two directions can be appropriately adjusted according to the length and arrangement position of the branch adjustment plate 180c. As a result, the outflow amount of the vapor deposition material gas flowing out from the opening 166c-1 and the opening 166c-2 can be adjusted uniformly.
  • FIG. 5-22 is a diagram showing a modification 7 of the embodiment 1-2.
  • Modification 7 as in Modification 6, a fixed frame 183c is provided along the periphery of the opening 164c on the periphery of the opening 164c of the second dispersion plate 163c.
  • a plurality of branch adjustment plates 180c are provided at a branch portion where the vapor deposition material gas is branched.
  • the three branching adjustment plates 180c-1 to 180c-3 are connected to the third dispersion plate 165c from the periphery of the opening 164c of the second dispersion plate 163c via the fixed frame 183c. It is erected with a length that does not reach the dispersion plate 165c.
  • the branching adjustment plate 180c is the one that is located closest to the forward direction side of the vapor deposition material gas flow as the branching adjustment plate 180c-1, and the one that is located closest to the reverse direction side of the vapor deposition material gas flow.
  • the branch adjustment plate 180c-3 is defined as the branch adjustment plate 180c-2 and the one located between the branch adjustment plate 180c-1 and the branch adjustment plate 180c-3. Further, when the branch adjustment plates 180c-1 to 180c-3 are not particularly distinguished, they are simply referred to as a branch adjustment plate 180c.
  • the branching adjustment plate 180c is formed to have a long length along the flow direction of the vapor deposition material gas.
  • the branch adjustment plate 180c-1 is formed to be longer than the branch adjustment plate 180c-2.
  • the branch adjustment plate 180c-2 is formed to be longer than the branch adjustment plate 180c-3.
  • the flow rate of the vapor deposition material gas branched in two directions is appropriately determined depending on the number of branch adjustment plates 180c, the length of each of the branch adjustment plates 180c, and the arrangement position. Can be adjusted. As a result, the outflow amount of the vapor deposition material gas flowing out from the opening 166c-1 and the opening 166c-2 can be adjusted uniformly.
  • FIG. 5-17 is a diagram illustrating the effects (simulation results) of Example 1-2.
  • FIG. 5-18 is a diagram illustrating a comparative example of the effect of Example 1-2.
  • FIG. 5-17 and FIG. 5-18 show the simulation results of the gas flow uniformity in the half gas flow path centering on the transport pipe L40 in the entire vapor deposition head. 5-17 and 5-18, the horizontal axis represents the distance from the center, and the vertical axis represents the flow rate of vapor deposition material gas (pieces / m 2 / sec).
  • the simulation result of FIG. 5-17 is based on the premise that the vapor deposition material gas flowing out from the eight openings 166c in FIG. 5-4 is branched in two directions, respectively, and flows out from a total of 16 locations to the nozzle 18c.
  • Example 5-17 show that, in this vapor deposition head, the branch adjustment plate 180c of Modification 4 of Example 1-2 is used as a representative of Example 1-2 at each branch portion of the vapor deposition material gas. It is a simulation result in the gas flow path of half from the center. On the other hand, the simulation result of FIG. 5-18 is a simulation result in the gas flow path half of the center when the branching adjustment plate 180c is not provided in the predeposition deposition head as a comparative example.
  • the branch adjustment plate 180c when the branch adjustment plate 180c is provided, the flow rate of the vapor deposition material gas is almost constant regardless of the distance from the center. That is, by providing the branching adjustment plate 180c, it is possible to suppress the non-uniform flow rate of the vapor deposition material gas flowing out from each opening due to the influence of the inertial force of the vapor deposition material gas flow. As a result, as shown in FIG. 5-17, the flow rate of the vapor deposition material gas flowing out from the eight openings 166c can be made substantially uniform.
  • the simulation result in the case where the branch adjustment plate 180c of the modification 4 of the embodiment 1-2 is adopted is shown, but the present invention is not limited to this.
  • the branch adjustment plate 180c is provided as shown in FIG. 5-11 or in another modification of the embodiment 1-2, the length of the branch adjustment plate 180c, the arrangement position of the branch adjustment plate 180c, the branch adjustment plate 180c
  • the branch adjustment plate 180c By appropriately adjusting the size of the opening 182c to be formed, the length of the horizontal plate 184c, or the arrangement position of the horizontal plate 184c, as shown in FIG. 5-17, a plurality of vapor deposition material gases branched into tournaments are formed. The uniformity of the vapor deposition material gas flowing out from the flow path can be improved.
  • FIG. 5-19 is a diagram illustrating Example 1-3.
  • the vapor deposition head of Example 1-3 is basically based on the vapor deposition head shown in FIG. 5-4, but the position where the opening 166c is formed, the diameter of the opening, and the like are asymmetrical.
  • the vapor deposition material gas branching portion and the surrounding configuration.
  • the opening 166c has a distance from the position corresponding to the center of the opening 164c of the third dispersion plate 165c to the opening 166c-1 formed on the flow direction side of the deposition material gas.
  • the third dispersion plate 165c is formed so as to be longer than the distance from the position corresponding to the center of the opening 164c to the other opening 166c-2 formed on the opposite side of the vapor deposition material gas flow direction.
  • the distance (forward distance) from the position corresponding to the center portion of the opening 164c of the third dispersion plate 165c to the opening 166c-1 corresponds to the center portion of the opening 164c of the third dispersion plate 165c. It becomes longer than the distance (reverse direction distance) from the position to the opening 166c-2.
  • the vapor deposition material gas that has flowed out of the opening 164c into the downstream gas flow path is likely to flow toward the opening 166c-1 due to the influence of the inertial force due to the gas flow direction in the upstream gas flow path.
  • the flow rate of the vapor deposition material gas flowing toward the opening 166c-1 can be suppressed by making the forward distance longer than the backward distance as in the embodiment 1-3.
  • the flow rate of the vapor deposition material gas flowing out from the opening 166c-1 and the opening 166c-2 can be made uniform.
  • FIG. 5-20 is a diagram illustrating a first modification of the first to third embodiments.
  • the opening 166c-1 and the opening 166c-2 are formed at symmetrical positions. In other words, the distance from the position corresponding to the center portion of the opening 164c to the center position of the opening 166c-1 of the third dispersion plate 165c, and the position corresponding to the center portion of the opening 164c of the third dispersion plate 165c. The distance from the center to the center position of the opening 166c-2 is substantially the same.
  • the opening 166c-2 is formed larger than the opening 166c-1.
  • Example 1-3 an example in which the formation position of the opening 166c or the opening diameter is left-right asymmetrical is shown, but these may be combined. Further, in Example 1-3, an example in which the formation position of the opening 166c or the opening diameter is asymmetrical is shown. However, the present invention is not limited thereto, and the formation position or opening diameter of the opening 164c is the same as that of the opening 166c. It can also be asymmetrical.
  • FIG. 5-23 is a diagram illustrating Example 1-4.
  • FIG. 5B is a longitudinal cross-sectional view showing the configuration of the vapor deposition material gas branching portion and its surroundings in the configuration of the vapor deposition head of Example 1-4.
  • 5-23 (a) is a plan view of the second dispersion plate 163c of the vapor deposition head shown in FIG. 5-23 (b) as viewed from above.
  • the vapor deposition head of Example 1-4 is basically based on the vapor deposition head shown in FIG. 5-4, but the opening width of the opening 164c in the direction intersecting the forward direction of the flow of the vapor deposition material gas is set.
  • the vapor deposition material gas is narrowed along the forward direction of the gas flow.
  • a description will be given mainly of the vapor deposition material gas branching portion and the surrounding configuration.
  • the opening 164c is formed such that the opening width 185c in the direction intersecting the flow direction of the vapor deposition material becomes narrow along the flow direction of the vapor deposition material.
  • the opening width 185c in the direction intersecting with the flow direction of the vapor deposition material is increased from the opening 166c-2 formed on the opposite side of the flow direction of the vapor deposition material to the flow direction of the vapor deposition material. It narrows along the direction toward the formed opening 166c-1.
  • the vapor deposition material gas traveling from the opening 164c toward the downstream gas flow path is likely to flow toward the opening 166c-1 due to the influence of the inertial force due to the gas flow direction in the upstream gas flow path.
  • the opening width 185c of the opening 164c is narrowed along the direction toward the opening 166c-1 formed on the flow direction side of the vapor deposition material, whereby the opening 166c-1 side is obtained.
  • the flow rate of the vapor deposition material gas flowing to can be suppressed.
  • the outflow amount of the vapor deposition material gas flowing out from the opening 166c-1 and the opening 166c-2 can be adjusted uniformly.
  • FIG. 5-24 is a diagram illustrating a first modification of the first to fourth embodiments.
  • FIG. 5-24 (b) is a longitudinal sectional view showing the configuration of the vapor deposition material gas branching portion and its surroundings in the configuration of the vapor deposition head of Modification 1 of Example 1-4.
  • FIG. 5A is a plan view of the second dispersion plate 163c of the vapor deposition head shown in FIG.
  • the opening 164c has a pair of peripheral edges 164c-a and 164c-b facing in the direction intersecting the flow direction of the vapor deposition material along the flow direction of the vapor deposition material. It is formed to approach.
  • the opening width 185c in the direction intersecting the flow direction of the vapor deposition material is adjusted along the direction from the opening 166c-2 of the third dispersion plate 165c toward the opening 166c-1. Narrow.
  • the pair of peripheral edges 164c-a and 164c-b facing each other in the direction intersecting the flow direction of the vapor deposition material are close to each other along the flow direction of the vapor deposition material.
  • the flow rate of the vapor deposition material gas flowing to the opening 166c-1 side can be suppressed.
  • the outflow amount of the vapor deposition material gas flowing out from the opening 166c-1 and the opening 166c-2 can be adjusted uniformly.
  • FIG. 5-25 is a diagram illustrating a second modification of the first to fourth embodiments.
  • FIG. 5B is a longitudinal sectional view showing the configuration of the branching portion of the vapor deposition material gas and its surroundings in the configuration of the vapor deposition head of Modification 2 of Example 1-4.
  • FIG. 5A is a plan view of the second dispersion plate 163c of the vapor deposition head shown in FIG.
  • the opening 164c has a peripheral edge 164c-b of the pair of peripheral edges 164c-a and 164c-b facing each other in the direction crossing the flow direction of the vapor deposition material. It is formed so as to approach the peripheral edge 164c-a along the flow direction.
  • the opening width 185c in the direction intersecting the flow direction of the vapor deposition material is adjusted along the direction from the opening 166c-2 of the third dispersion plate 165c toward the opening 166c-1. Narrow.
  • one of the pair of peripheral edges 164c-a and 164c-b facing in the direction crossing the flow direction of the vapor deposition material is along the flow direction of the vapor deposition material.
  • the opening 164c so as to approach the other peripheral edge, the flow rate of the vapor deposition material gas flowing to the opening 166c-1 side can be suppressed.
  • the outflow amount of the vapor deposition material gas flowing out from the opening 166c-1 and the opening 166c-2 can be adjusted uniformly.
  • Example 1-4 an example in which the opening width of the opening 164c in the direction intersecting the forward direction of the flow of the deposition material gas is narrowed is not limited to this, but the evaporation of the opening 162c or the opening 166c is not limited thereto.
  • the opening width in the direction intersecting the forward direction of the flow of the material gas can also be reduced.
  • FIG. 5-26 is a diagram illustrating Example 1-5.
  • the vapor deposition head of Example 1-5 is premised on the vapor deposition head shown in FIG. 5-4, and the gas flow on the downstream side where the vapor deposition material gas is bifurcated in two directions is branched into the branch portion where the vapor deposition material gas is branched.
  • a channel cross-sectional area adjusting plate for adjusting the cross-sectional area of the path is provided.
  • a description will be given mainly of the vapor deposition material gas branching portion and the surrounding configuration.
  • the flow path cross-sectional area adjustment plate 187c has a peripheral edge closest to the opening 166c-1 formed on the flow direction side of the vapor deposition material gas among the peripheral edges of the opening 164c of the second dispersion plate 163c. From the first to the third dispersion plate 165c with a length that does not reach the third dispersion plate 165c.
  • the vapor deposition material gas that has flowed out of the opening 164c into the downstream gas flow path is likely to flow toward the opening 166c-1 due to the influence of inertial force due to the gas flow direction in the upstream gas flow path.
  • the cross-sectional area of the downstream gas flow path where the vapor deposition material gas is branched in two directions can be adjusted.
  • FIG. 5-27 is a diagram illustrating a first modification example of the first to fifth embodiments.
  • the flow path cross-sectional area adjusting plate 187c is formed from the plate surface of the third dispersion plate 165c in the periphery of the opening 164c of the second dispersion plate 163c. Is erected with a length not reaching the peripheral edge closest to the opening 166c-1 toward the peripheral edge closest to the opening 166c-1 formed on the flow direction side.
  • the vapor deposition material gas that has flowed out of the opening 164c into the downstream gas flow path is likely to flow toward the opening 166c-1 due to the influence of inertial force due to the gas flow direction in the upstream gas flow path.
  • the cross-sectional area of the downstream gas flow path in the section from the opening 164c to the opening 166c-1 can be changed from the opening 164c to the opening. It can be made smaller than the cross-sectional area of the downstream gas flow path in the section to 166c-2.
  • the flow rate of the vapor deposition material gas flowing to the opening 166c-1 side can be suppressed, so that it flows out from the openings 166c-1 and 166c-2.
  • the amount of outflow of the vapor deposition material gas can be adjusted evenly.
  • the vapor deposition head of Example 1 includes the dispersion unit 160c that sequentially branches the vapor deposition material gas in two directions in multiple stages, and the dispersion unit 160c has a geometry in the forward direction of the flow of the vapor deposition material gas. It is formed so that the static conductance is smaller than the geometric conductance in the opposite direction.
  • the geometric conductance here means a conductance that does not consider the inertia of the flow. In this way, the conductance in consideration of inertia can be made the same in the forward direction and the reverse direction, and as a result, the flow rates in both directions can be made equal.
  • the dispersion part 160c is formed such that the opening width of the opening in each stage of the multistage dispersion plate and the cross-sectional area of the gas flow path are narrowed along the forward direction.
  • the uniformity of the vapor deposition material gas flowing out from the plurality of vapor deposition material gas channels branched in a tournament shape can be improved.
  • transport pipe common transport pipe
  • V101, V201, V301, V401 ... valve, S ... substrate 160c ... Dispersion part, 161c, 163c, 165c ... Dispersion plate, 162c, 164c, 166c ... Opening, 167c, 168c, 169c ... Gas flow path, 178c Intermediate flow path, 178c-2 ... opening width, 178c-1 ... flow path length, 180c ... branch adjusting plate, 181c ... fixed plate, 182c ... opening, 183c ... fixed frame, 184c ... horizontal plate, 187c ... flow path cross-sectional area Adjustment plate.

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Abstract

　蒸着ヘッドは、輸送管を介して輸送された蒸着材料ガスを２方向に分岐させる第１のガス流路と、第１のガス流路によって２方向に分岐された蒸着材料ガスをそれぞれ多段階に順次２方向に分岐させる第２のガス流路とを備える。第２のガス流路は、蒸着材料ガスを下流側のガス流路へ連通する開口１６４ｃが形成された分散板１６３ｃと、開口１６４ｃから流入した蒸着材料ガスをさらに下流側のガス流路へ連通する２つの開口１６６ｃ－１，１６６ｃ－２が形成された分散板１６５ｃを備える。また、分散板１６５ｃには、開口１６４ｃへ向けて立設され、蒸着材料ガスの２方向への分岐流量を調整する分岐調整板１８０ｃが設けられる。

Description

蒸着ヘッド及び蒸着装置
　本発明の種々の側面及び実施形態は、蒸着ヘッド及び蒸着装置に関するものである。
　蒸着材料の成膜装置は、蒸気発生部で発生した蒸着材料（例えば、有機材料）の蒸気を輸送ガスと共に蒸着ヘッドへ輸送する。蒸着ヘッドはノズルを有しており、蒸着材料の蒸気を含むガス（以下、適宜、「蒸着材料ガス」という。）をノズルから噴射して基板に付着させることにより、基板上に蒸着材料を成膜する。蒸着材料は、例えば有機ＥＬ（Electro－Luminescence）素子などの有機材料である。
　ここで、蒸着ヘッドは、蒸着材料ガスを分散させる構造を有している場合がある。例えば、蒸着ヘッドは、輸送されてきた蒸着材料ガスの流路を２方向に分岐させ、２方向に分岐された各蒸着材料ガスの流路をさらに２方向に分岐させるようなトーナメント状のガス流路を形成することが知られている。蒸着材料ガスは、トーナメント状に形成されたガス流路によって段階的に分岐・分散されて複数のガス流路から流出し、ノズルを介して基板へ向けて噴射される。
特開平９－１５７８４８号公報
　しかしながら、単に蒸着材料ガスの流路をトーナメント状に形成した場合、蒸着材料ガスの流れの慣性力の影響で、分岐された複数の蒸着材料ガスの流路から流出する蒸着材料ガスの均一性が損なわれる場合がある。
　本発明の一側面に係る蒸着ヘッドは、輸送管を介して輸送された蒸着材料の蒸気を含むガスを分散させる分散部と、前記分散部によって分散された蒸着材料の蒸気を含むガスを噴射するノズルと、を備える。前記分散部は、前記輸送管を介して輸送された蒸着材料の蒸気を含むガスを２方向に分岐させる第１のガス流路と、前記第１のガス流路によって２方向に分岐された蒸着材料の蒸気を含むガスをそれぞれ多段階に順次２方向に分岐させる第２のガス流路と、を備える。また、前記分散部は、前記第２のガス流路における前記蒸着材料の蒸気を含むガスを分岐させるガス分岐部に設けられ、前記蒸着材料の蒸気を含むガスの２方向への分岐流量を調整する分岐調整板を備える。
　本発明の種々の側面及び実施形態によれば、トーナメント状に分岐された複数の蒸着材料ガスの流路から流出する蒸着材料ガスの均一性を向上することができる蒸着ヘッドが実現される。
図１は、一実施形態に係る成膜装置を模式的に示す図である。 図２は、一実施形態に係る蒸着ヘッドを示す斜視図である。 図３は、一実施形態に係る成膜装置を用いて製造され得る有機ＥＬ素子の完成状態の一例を示す図である。 図４は、一実施形態に係るガス供給源を模式的に示す図である。 図５－１は、従来技術を示す図である。 図５－２は、従来技術を示す図である。 図５－３は、従来技術を示す図である。 図５－４は、実施例１－１を示す図である。 図５－５は、アスペクト比を説明するための図である。 図５－６は、実施例１－１のシミュレーション条件について示す図である。 図５－７は、実施例１－１の効果（シミュレーション結果）を示す図である。 図５－８は、実施例１－１の変形例１を示す図である。 図５－９は、実施例１－１の変形例２を示す図である。 図５－１０は、実施例１－１の変形例３を示す図である。 図５－１１は、実施例１－２を示す図である。 図５－１２は、実施例１－２の変形例１を示す図である。 図５－１３は、実施例１－２の変形例２を示す図である。 図５－１４は、実施例１－２の変形例３を示す図である。 図５－１５は、実施例１－２の変形例４を示す図である。 図５－１６は、実施例１－２の変形例５を示す図である。 図５－１７は、実施例１－２の効果（シミュレーション結果）を示す図である。 図５－１８は、実施例１－２の効果の比較例を示す図である。 図５－１９は、実施例１－３を示す図である。 図５－２０は、実施例１－３の変形例１を示す図である。 図５－２１は、実施例１－２の変形例６を示す図である。 図５－２２は、実施例１－２の変形例７を示す図である。 図５－２３は、実施例１－４を示す図である。 図５－２４は、実施例１－４の変形例１を示す図である。 図５－２５は、実施例１－４の変形例２を示す図である。 図５－２６は、実施例１－５を示す図である。 図５－２７は、実施例１－５の変形例１を示す図である。
　以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
　図１は、一実施形態に係る成膜装置を模式的に示す図である。図１には、ＸＹＺ直交座標系が示されている。図１に示す成膜装置１０は、基板Ｓを収容する処理室１２を画成する処理容器１１と、基板Ｓを保持するステージ１４とを備える。基板Ｓの一方の面（成膜面）は例えば鉛直方向（Ｚ方向）において下を向いている。即ち、成膜装置１０はフェースダウン型の成膜装置である。ステージ１４は、基板Ｓを保持する静電チャックを内蔵してもよい。なお、別の実施形態においては、成膜装置は、上に向いた成膜面に蒸着材料の蒸気を含むガスを吹き付ける型、即ち、フェースアップ型の成膜装置であってもよい。処理容器１１には、管１２ｇを介して真空ポンプ２７が接続されており、当該真空ポンプ２７により、処理室１２内を減圧することができる。
　成膜装置１０は、蒸着材料の蒸気を含むガスＧを基板Ｓに噴き付けるノズル１８ｃを有する蒸着ヘッド１６ｃを備える。成膜装置１０は、更に、ノズル１８ｃと同様の構造を有するノズル１８ａ，１８ｂ，１８ｄ，１８ｅ，１８ｆをそれぞれ有する蒸着ヘッド１６ａ，１６ｂ，１６ｄ，１６ｅ，１６ｆを備えてもよい。ノズル１８ａ，１８ｂ，１８ｄ，１８ｅ，１８ｆからは、ノズル１８ｃから噴き出される蒸着材料とは別の蒸着材料であって、かつ、互いに異なる蒸着材料を噴き出してもよい。これにより、基板Ｓ上に複数種類の膜を連続的に蒸着させることができる。
　蒸着ヘッド１６ａ～１６ｆには、蒸着材料の蒸気を含むガスを供給するガス供給源２０ａ～２０ｆがそれぞれ接続されている。例えば、ガス供給源２０ｃからは、ガスＧが蒸着ヘッド１６ｃに供給される。ノズル１８ａ～１８ｆの先端には例えば円形の噴射口が形成されている。当該噴射口から蒸着材料を含むガスが噴射される。ノズル１８ａ～１８ｆの噴射口との対面位置には、蒸着材料を遮断可能なシャッター１７ａ～１７ｆがそれぞれ配置されてもよい。図１において、シャッター１７ｃが開いているので、ノズル１８ｃの噴射口から噴き出されるガスＧは基板Ｓに到達する。シャッター１７ａ，１７ｂ，１７ｄ，１７ｅ，１７ｆは閉じているので、ノズル１８ａ，１８ｂ，１８ｄ，１８ｅ，１８ｆの噴射口から噴き出されるガスは基板Ｓに到達しない。シャッター１７ａ～１７ｆは、例えばＹ方向に沿った回転軸を中心に回転する。これにより、シャッター１７ａ～１７ｆを、必要に応じてノズル１８ａ～１８ｆの噴射口上に配置したり当該噴射口上から退避させたりすることができる。
　成膜装置１０は、Ｙ方向と交差するＸ方向にステージ１４を駆動する駆動装置２２を備える。また、成膜装置１０は、レール２４を更に備え得る。レール２４は処理容器１１の内壁に取り付けられている。ステージ１４は、例えば支持部１４ａによってレール２４に接続されている。ステージ１４及び支持部１４ａは、駆動装置２２によってレール２４上をスライドするように移動する。これにより、ノズル１８ａ～１８ｆに対して相対的に基板ＳがＸ方向に移動する。基板Ｓは、Ｘ方向に移動することによって、ノズル１８ａ～１８ｆの開口に順番に対面配置されることとなる。図１における矢印Ａはステージ１４の移動方向を示している。また、成膜装置１０の処理容器１１は、ゲートバルブ２６ａ及び２６ｂを有している。基板Ｓは、処理容器１１に形成されたゲートバルブ２６ａを通って処理室１２内に導入可能であり、処理容器１１に形成されたゲートバルブ２６ｂを通って処理室１２外に搬出可能である。
　図２は、一実施形態に係る蒸着ヘッドを示す斜視図である。図２に示すように、蒸着ヘッド１６ｃは、一実施形態においては、複数の噴射口１４ｃを有し得る。複数の噴射口１４ｃからは、ガス供給源２０ｃによって供給されたガスがＺ方向の軸線中心に噴射される。これら噴射口１４ｃは、ステージ１４の移動方向（Ｘ方向）に交差する方向（Ｙ方向）に配列され得る。
　また、蒸着ヘッド１６ｃには、ヒータ１５が内蔵されている。一実施形態においては、ヒータ１５は、蒸着ヘッド１６ｃに蒸気として供給された蒸着材料が析出することがない温度まで、蒸着ヘッド１６ｃを加熱する。
　図３は、一実施形態に係る成膜装置を用いて製造され得る有機ＥＬ（Electro　Luminescence）素子の完成状態の一例を示す図である。図３に示す有機ＥＬ素子Ｄは、基板Ｓ、第１層Ｄ１、第２層Ｄ２、第３層Ｄ３、第４層Ｄ４、及び、第５層Ｄ５を備え得る。基板Ｓは、ガラス基板のような光学的に透明な基板である。
　基板Ｓの一主面上には、第１層Ｄ１が設けられている。第１層Ｄ１は、陽極層として用いられ得る。この第１層Ｄ１は、光学的に透明な電極層であり、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）のような導電性材料により構成され得る。第１層Ｄ１は、例えば、スパッタリング法により形成される。
　第１層Ｄ１上には、第２層Ｄ２、第３層Ｄ３、及び第４層Ｄ４が順に積層されている。第２層Ｄ２、第３層Ｄ３、及び第４層Ｄ４は、有機層である。第２層Ｄ２は、ホール注入層で有り得る。第３層Ｄ３は、発光層を含む層であり、例えば、ホール輸送層Ｄ３ａ、青発光層Ｄ３ｂ、赤発光層Ｄ３ｃ、緑発光層Ｄ３ｄを含み得る。また、第４層Ｄ４は、電子輸送層であり得る。有機層である第２層Ｄ２、第３層Ｄ３、及び第４層Ｄ４を、成膜装置１０を用いて形成し得る。
　第２層Ｄ２は、例えば、ＴＰＤ等により構成され得る。ホール輸送層Ｄ３ａは、例えば、α－ＮＰＤ等により構成され得る。青発光層Ｄ３ｂは、例えば、ＴＰＤ等により構成され得る。赤発光層Ｄ３ｃは、例えば、ＤＣＪＴＢ等により構成され得る。緑発光層Ｄ３ｄは、例えば、Ａｌｑ３等により構成され得る。第４層Ｄ４は、例えば、ＬｉＦ等により構成され得る。
　第４層Ｄ４上には、第５層Ｄ５が設けられている。第５層Ｄ５は、陰極層であり、例えば、Ａｇ、Ａｌ等により構成され得る。第５層Ｄ５は、スパッタリング法等により形成され得る。このような構成の素子Ｄは、更に、マイクロ波プラズマＣＶＤ等により形成されるＳｉＮといった材料の絶縁性の封止膜によって封止され得る。
　次に、ガス供給源２０ａ～２０ｆの詳細について説明する。なお、ガス供給源２０ａ～２０ｆは同様の構成を有し得るので、以下の説明においては、ガス供給源２０ｃについて説明し、他のガス供給源についての説明を割愛する。図４は、一実施形態に係るガス供給源を模式的に示す図である。図４に示すように、ガス供給源２０ｃは、輸送管Ｌ１１，Ｌ２１，Ｌ３１と、輸送管（個別輸送管）Ｌ１２，Ｌ２２，Ｌ３２と、輸送管（共通輸送管）Ｌ４０と、第１蒸気発生部１０１と、第２蒸気発生部２０１と、第３蒸気発生部３０１と、第１収容容器１２０と、第２収容容器２２０と、第３収容容器３２０と、を備える。
　第１蒸気発生部１０１は、第１収容容器１２０によって画成される収容室Ｒ１内に収容される。同様に、第２、第３蒸気発生部２０１，３０１は、第２、第３収容容器２２０，３２０によって画成される収容室Ｒ２，Ｒ３にそれぞれ収容される。即ち、第１～第３蒸気発生部１０１～３０１は、収容室Ｒ１～Ｒ３内にそれぞれ独立して収容される。
　第１蒸気発生部１０１は、隔壁１０２によって画成される蒸気発生室１０３を備える。蒸気発生室１０３内には、蒸着材料Ｘが入れられた容器１０４が配置される。第１蒸気発生部１０１には、ヒータ１０５が設けられている。ヒータ１０５は、容器１０４に入れられた蒸着材料Ｘを加熱する。これにより、第１蒸気発生部１０１内において、蒸着材料Ｘから当該蒸着材料Ｘを含む蒸気が発生する。容器１０４は、隔壁１０２及び第１収容容器１２０にそれぞれ設けられた取り出し口を介して、第１収容容器１２０外から蒸気発生室１０３内への搬入、及び、蒸気発生室１０３内から第１収容容器１２０外への搬出が可能となっている。
　第２、第３蒸気発生部２０１，３０１も、第１蒸気発生部１０１と同様に、隔壁２０２，３０２によって画成される蒸気発生室２０３，３０３と、ヒータ２０５，３０５と、をそれぞれ備える。また、第２、第３蒸気発生部２０１，３０１内にも、蒸着材料Ｘが入れられた容器２０４，３０４が配置される。第２、第３蒸気発生部２０１，３０１内においても、蒸着材料Ｘから当該蒸着材料Ｘを含む蒸気が発生する。容器２０４，３０４は、容器１０４と同様に、第２、第３収容容器２２０，３２０外から蒸気発生室２０３，３０３内への搬入、及び、蒸気発生室２０３，３０３内から第２，第３収容容器２２０，３２０外への搬出がそれぞれ可能となっている。第１～第３蒸気発生部１０１，２０１，３０１内にそれぞれ配置される蒸着材料Ｘは、同種の蒸着材料であり得る。
　第１～第３蒸気発生部１０１，２０１，３０１には、輸送管Ｌ１１，Ｌ２１，Ｌ３１がそれぞれ接続されている。輸送管Ｌ１１，Ｌ２１，Ｌ３１は、キャリアガスとしてアルゴンガスを第１～第３蒸気発生部１０１，２０１，３０１の蒸気発生室１０３，２０３，３０３内にそれぞれ輸送する。なお、アルゴンガスに替えて、他の不活性ガスを用いることもできる。また、第１～第３蒸気発生部１０１，２０１，３０１には、輸送管Ｌ１２の一端，Ｌ２２の一端，Ｌ３２の一端がそれぞれ接続されている。輸送管Ｌ１２の他端，Ｌ２２の他端，Ｌ３２の他端は、輸送管Ｌ４０に接続されている。輸送管Ｌ１２，Ｌ２２，Ｌ３２は、蒸気発生室１０３，２０３，３０３内に導入されたアルゴンガス、及び蒸着材料Ｘの蒸気を、処理室１２内に輸送する。輸送管Ｌ４０は、輸送管Ｌ１２，２２，３２によって処理室１２内に輸送されたアルゴンガス及び蒸着材料Ｘの蒸気を、蒸着ヘッド１６ｃに輸送する。即ち、第１～第３蒸気発生部１０１，２０１，３０１で発生した蒸着材料Ｘの蒸気は、蒸気発生室１０３，２０３，３０３内に導入されたアルゴンガスと共に蒸着ヘッド１６ｃへ輸送される。
　輸送管Ｌ１１には、第１蒸気発生部１０１に近い側から順に、バルブＶ１０２、断熱輸送管１４０、バルブＶ１０３、第１ＭＦＣ（マスフローコントローラ）１１０、及びバルブＶ１０４が設けられている。バルブＶ１０２，Ｖ１０３，Ｖ１０４は、輸送管Ｌ１１内のアルゴンガスの流れを選択的に遮断するために用いられる。第１ＭＦＣ１１０は、輸送管Ｌ１１内を流れるアルゴンガスの流量を制御する。
　バルブＶ１０２及び断熱輸送管１４０は、第１収容容器１２０内における輸送管Ｌ１１に設けられている。断熱輸送管１４０とバルブＶ１０２との間の輸送管Ｌ１１、バルブＶ１０２、及び、バルブＶ１０２と第１蒸気発生部１０１との間の輸送管Ｌ１１にはそれぞれ、ヒータ１１５ａ、１１５ｂ、及び１１５ｃが取り付けられている。ヒータ１１５ａ、１１５ｂ、及び１１５ｃにより、これらヒータが取り付けられた部分の温度を個別に制御することが可能である。また、これらヒータにより、アルゴンガスが蒸着材料Ｘの気化温度に対応する温度となるよう、収容室Ｒ１内において輸送管Ｌ１１及びバルブＶ１０２を加熱することができる。
　また、断熱輸送管１４０は、第１収容容器１２０外の輸送管Ｌ１１と第１収容容器１２０内の輸送管Ｌ１１との間での熱交換を抑制することができる。そのため、断熱輸送管１４０は、輸送管Ｌ１１の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有している。例えば、輸送管Ｌ１１は、ステンレス製であり、断熱輸送管１４０は、石英製であり得る。
　輸送管Ｌ１２には、第１蒸気発生部１０１に近い側から順に、断熱輸送管１４１、及びバルブＶ１０１が設けられている。バルブＶ１０１は、処理室１２内において輸送管Ｌ１２に設けられている。バルブＶ１０１は、輸送管Ｌ１２から輸送管Ｌ４０へのアルゴンガス及び蒸着材料Ｘの蒸気の供給を選択的に遮断するために用いられる。第１蒸気発生部１０１と断熱輸送管１４１との間の輸送管Ｌ１２、及び、断熱輸送管１４１とバルブＶ１０１との間の輸送管Ｌ１２にはそれぞれ、ヒータ（加熱部）１２５ａ及びヒータ（加熱部）１２５ｂが取り付けられている。ヒータ１２５ａ及びヒータ１２５ｂにより、これらヒータが取り付けられた部分の温度を個別に制御することが可能である。また、これらヒータにより、蒸着材料Ｘが析出することがない温度まで輸送管Ｌ１２を加熱することができる。
　また、断熱輸送管１４１は、第１収容容器１２０内において輸送管Ｌ１２に設けられている。断熱輸送管１４１は、第１収容容器１２０外の輸送管Ｌ１２と第１収容容器１２０内の輸送管Ｌ１２との間での熱交換を抑制し得る。そのため、断熱輸送管１４１は、輸送管Ｌ１２の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有している。例えば、輸送管Ｌ１２は、ステンレス製であり、断熱輸送管１４１は、石英製であり得る。
　また、輸送管Ｌ２１にも、輸送管Ｌ１１と同様に、第２蒸気発生部２０１に近い側から順に、バルブＶ２０２、断熱輸送管２４０、バルブＶ２０３、第２ＭＦＣ２１０、及びバルブＶ２０４が設けられている。また、断熱輸送管２４０とバルブＶ２０２との間の輸送管Ｌ２１、バルブＶ２０２、及び、バルブＶ２０２と第２蒸気発生部２０１の間の輸送管Ｌ２１には、ヒータ２１５ａ、ヒータ２１５ｂ、ヒータ２１５ｃがそれぞれ設けられている。バルブＶ２０２、断熱輸送管２４０、バルブＶ２０３、第２ＭＦＣ２１０、バルブＶ２０４、ヒータ２１５ａ、ヒータ２１５ｂ、ヒータ２１５ｃの構成及び機能は、バルブＶ１０２、断熱輸送管１４０、バルブＶ１０３、第１ＭＦＣ１１０、バルブＶ１０４、ヒータ１１５ａ、ヒータ１１５ｂ、ヒータ１１５ｃの機能及び構成と、それぞれ同様である。
　また、輸送管Ｌ２２にも、輸送管Ｌ１２と同様に、第２蒸気発生部２０１に近い側から順に、断熱輸送管２４１、及びバルブＶ２０１が設けられている。また、第２蒸気発生部２０１と断熱輸送管２４１との間の輸送管Ｌ２２、及び、断熱輸送管２４１とバルブＶ２０１との間の輸送管Ｌ２２には、ヒータ（加熱部）２２５ａ及びヒータ（加熱部）２２５ｂがそれぞれ設けられている。断熱輸送管２４１、バルブＶ２０１、ヒータ２２５ａ、ヒータ２２５ｂの構成及び機能は、断熱輸送管１４１、バルブＶ１０１、ヒータ１２５ａ、ヒータ１２５ｂの構成及び機能とそれぞれ同様である。
　また、輸送管Ｌ３１にも、輸送管Ｌ１１と同様に、第３蒸気発生部３０１に近い側から順に、バルブＶ３０２、断熱輸送管３４０、バルブＶ３０３、第３ＭＦＣ３１０、及びバルブＶ３０４が設けられている。また、断熱輸送管３４０とバルブＶ３０２との間の輸送管Ｌ３１、バルブＶ３０２、及び、バルブＶ３０２と第３蒸気発生部３０１の間の輸送管Ｌ３１には、ヒータ３１５ａ、ヒータ３１５ｂ、ヒータ３１５ｃがそれぞれ設けられている。バルブＶ３０２、断熱輸送管３４０、バルブＶ３０３、第３ＭＦＣ３１０、バルブＶ３０４、ヒータ３１５ａ、ヒータ３１５ｂ、ヒータ３１５ｃの構成及び機能は、バルブＶ１０２、断熱輸送管１４０、バルブＶ１０３、第１ＭＦＣ１１０、バルブＶ１０４、ヒータ１１５ａ、ヒータ１１５ｂ、ヒータ１１５ｃの機能及び構成と、それぞれ同様である。
　また、輸送管Ｌ３２にも、輸送管Ｌ１２と同様に、第３蒸気発生部３０１に近い側から順に、断熱輸送管３４１、及びバルブＶ３０１が設けられている。また、第３蒸気発生部３０１と断熱輸送管３４１との間の輸送管Ｌ３２、及び、断熱輸送管３４１とバルブＶ３０１との間の輸送管Ｌ３２には、ヒータ（加熱部）３２５ａ及びヒータ（加熱部）３２５ｂがそれぞれ設けられている。断熱輸送管３４１、バルブＶ３０１、ヒータ３２５ａ、ヒータ３２５ｂの構成及び機能は、断熱輸送管１４１、バルブＶ１０１、ヒータ１２５ａ、ヒータ１２５ｂの構成及び機能とそれぞれ同様である。
　輸送管Ｌ４０には、当該輸送管Ｌ４０を加熱するヒータ（加熱部）４１５が設けられている。ヒータ４１５は、蒸気となった蒸着材料Ｘが析出することがない温度まで、輸送管Ｌ４０を加熱する。ヒータ１２５ａ～ｂ，２２５ａ～ｂ，３２５ａ～ｂ，４１５は、互いに独立して温度制御が可能となっている。
　また、ガス供給源２０ｃには、収容室Ｒ１～Ｒ３を減圧する減圧機構５００が備えられている。より詳細には、減圧機構５００は、減圧配管Ｌ５０１，Ｌ５１１，Ｌ５２１，Ｌ５３１、バルブＶ１０７，Ｖ２０７，Ｖ３０７、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）５０１、及びドライポンプ（ＤＰ）５０２を備える。
　減圧配管Ｌ５１１の一端は、収容室Ｒ１と連通するように第１収容容器１２０に接続される。同様に、減圧配管Ｌ５２１の一端，Ｌ５３１の一端は、収容室Ｒ２，Ｒ３と連通するように第２、第３収容容器２２０，３２０にそれぞれ接続される。減圧配管Ｌ５１１、Ｌ５２１、及びＬ５３１のそれぞれの他端は、減圧配管Ｌ５０１に接続される。この減圧配管Ｌ５０１は、ターボ分子ポンプ５０１及びドライポンプ５０２に接続されている。ターボ分子ポンプ５０１及びドライポンプ５０２の吸引作用により、減圧配管Ｌ５０１，Ｌ５１１を介して収容室Ｒ１が減圧され、減圧配管Ｌ５０１，Ｌ５２１を介して収容室Ｒ２が減圧され、減圧配管Ｌ５０１，Ｌ５３１を介して収容室Ｒ３が減圧される。
　バルブＶ１０７，Ｖ２０７，Ｖ３０７は、減圧配管Ｌ５１１，Ｌ５２１，Ｌ５３１にそれぞれ設けられる。バルブＶ１０７，Ｖ２０７，Ｖ３０７の開閉により、収容室Ｒ１～Ｒ３を独立して選択的に減圧することが可能である。収容室Ｒ１～Ｒ３内を減圧することで、第１～第３蒸気発生部１０１，２０１，３０１内の蒸着材料Ｘに水分等が付着することが抑制され得る。また、収容室Ｒ１～Ｒ３の断熱効果が向上される。
　一実施形態においては、成膜装置１０は、ＱＣＭ（Quartz　Crystal　Microbalance）センサ３０を更に備え得る。ＱＣＭセンサ３０は、処理室１２内に配置される基板Ｓの近傍に設置され得る。ＱＣＭセンサ３０は、蒸着ヘッド１６ｃから噴き出された蒸着材料Ｘの量を測定する。
　また、一実施形態においては、成膜装置１０は、ガス排出系統（排出管）６００を更に備え得る。ガス排出系統６００は、第１～第３蒸気発生部１０１，２０１，３０１からのガスを個別に且つ選択的に、蒸着ヘッド１６ｃではなく外部へ排出する。具体的には、ガス排出系統６００は、排出配管Ｌ６０１，Ｌ６１１，Ｌ６２１，Ｌ６３１、バルブＶ１０５，Ｖ２０５，Ｖ３０５、断熱配管１４２，２４２，３４２、及びヒータ１５５ａ～ｃ，２５５ａ～ｃ，３５５ａ～ｃを備える。
　排出配管Ｌ６１１は、断熱輸送管１４１と第１蒸気発生部１０１との間において輸送管Ｌ１２から分岐されている。排出配管Ｌ６１１は、輸送管Ｌ１２内を流れるアルゴンガスや蒸着材料Ｘの蒸気を、蒸着ヘッド１６ｃではなく第１収容容器１２０外に導く。排出配管Ｌ６１１と同様に、排出配管Ｌ６２１，Ｌ６３１は、輸送管Ｌ２２，Ｌ３２からそれぞれ分岐されている。排出配管Ｌ６２１，Ｌ６３１は、輸送管Ｌ２２，Ｌ３２内を流れるアルゴンガスや蒸着材料Ｘの蒸気を、蒸着ヘッド１６ｃではなく第２、第３収容容器２２０，３２０外にそれぞれ導く。
　排出配管Ｌ６１１は、第１収容容器１２０外において排出配管Ｌ６０１に接続されている。同様に、排出配管Ｌ６２１は、第２収容容器２２０外において排出配管Ｌ６０１に接続されている。また、同様に、排出配管Ｌ６３１は、第３収容容器３２０外において排出配管Ｌ６０１に接続されている。排出配管Ｌ６０１は、第１～第３収容容器１２０，２２０，３２０外に導かれたアルゴンガスや蒸着材料Ｘの蒸気を、蒸着ヘッド１６ｃではなく成膜装置１０の外部に排出する。
　排出配管Ｌ６１１，Ｌ６２１，Ｌ６３１には、バルブＶ１０５，Ｖ２０５，Ｖ３０５がそれぞれ設けられている。バルブＶ１０５の開閉により、第１蒸気発生部１０１からのガスを、選択的に、輸送管Ｌ１２及びＬ４０を介して蒸着ヘッド１６ｃに供給し、又は、排出配管Ｌ６１１及びＬ６０１を介して排出することができる。同様に、バルブＶ２０５の開閉により、第２蒸気発生部２０１からのガスを、選択的に、輸送管Ｌ２２及びＬ４０を介して蒸着ヘッド１６ｃに供給し、又は、排出配管Ｌ６２１及びＬ６０１を介して排出することができる。また、同様に、第３蒸気発生部３０１からのガスを、選択的に、輸送管Ｌ３２及びＬ４０を介して蒸着ヘッド１６ｃに供給し、又は、排出配管Ｌ６３１及びＬ６０１を介して排出することができる。
　成膜装置１０では、輸送管Ｌ１２とバルブＶ１０５との間の排出配管Ｌ６１１、バルブＶ１０５、及び、バルブＶ１０５と断熱配管１４２との間の排出配管Ｌ６１１に、ヒータ１５５ａ、ヒータ１５５ｂ、及び１５５ｃがそれぞれ設けられている。同様に、輸送管Ｌ２２とバルブＶ２０５との間の排出配管Ｌ６２１、バルブＶ２０５、及び、バルブＶ２０５と断熱配管２４２との間の排出配管Ｌ６２１に、ヒータ２５５ａ、ヒータ２５５ｂ、及び２５５ｃがそれぞれ設けられている。また、同様に、輸送管Ｌ３２とバルブＶ３０５との間の排出配管Ｌ６３１、バルブＶ３０５、及び、バルブＶ３０５と断熱配管３４２との間の排出配管Ｌ６３１に、ヒータ３５５ａ、ヒータ３５５ｂ、及び３５５ｃがそれぞれ設けられている。かかる構成により収容室Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３において排出配管Ｌ６１１、Ｌ６２１、Ｌ６３１の内部それぞれに、蒸着材料Ｘが析出することを抑制し得る。
　また、第１収容容器１２０外の排出配管Ｌ６１１と第１収容容器１２０内の排出配管Ｌ６１１との間には、断熱配管１４２が設けられている。断熱配管１４２は、第１収容容器１２０外の排出配管Ｌ６１１と第１収容容器１２０内の排出配管Ｌ６１１との間での熱交換を抑制する。同様に、第２収容容器２２０外の排出配管Ｌ６２１と第２収容容器２２０内の排出配管Ｌ６２１との間には、断熱配管２４２が設けられており、当該断熱配管２４２は、第２収容容器２２０外の排出配管Ｌ６２１と第２収容容器２２０内の排出配管Ｌ６２１との間での熱交換を抑制する。同様に、第３収容容器３２０外の排出配管Ｌ６３１と第３収容容器３２０内の排出配管Ｌ６３１との間には、断熱配管３４２が設けられており、当該断熱配管３４２は、第３収容容器３２０外の排出配管Ｌ６３１と第３収容容器３２０内の排出配管Ｌ６３１との間での熱交換を抑制する。例えば、排出配管Ｌ６１１、Ｌ６２１、及びＬ６３１はステンレス製であり、断熱配管１４２，２４２，３４２は、石英製であり得る。
　また、一実施形態においては、成膜装置１０は、収容室Ｒ１～Ｒ３内にパージガスを導入するガス導入系統（ガス導入路）７００を更に備え得る。このガス導入系統７００は、導入配管Ｌ７０１，Ｌ７１１，Ｌ７２１，Ｌ７３１、及びバルブＶ１０６，Ｖ２０６，Ｖ３０６を備える。導入配管Ｌ７０１には、窒素ガス（パージガス）が導入され得る。なお、窒素ガスに替えて、他のガスを用いることもできる。導入配管Ｌ７１１の一端は、収容室Ｒ１と連通するように第１収容容器１２０に接続される。導入配管Ｌ７１１の他端は導入配管Ｌ７０１に接続される。同様に、導入配管Ｌ７２１，Ｌ７３１の一端は、収容室Ｒ２，Ｒ３と連通するように第２、第３収容容器２２０，３２０にそれぞれ接続される。導入配管Ｌ７２１，Ｌ７３１の他端は、導入配管Ｌ７０１に接続される。
　導入配管Ｌ７１１，Ｌ７２１，Ｌ７３１は、導入配管Ｌ７０１を流れる窒素ガスを収容室Ｒ１～Ｒ３内にそれぞれ導く。バルブＶ１０６，Ｖ２０６，Ｖ３０６は、導入配管Ｌ７１１，Ｌ７２１，Ｌ７３１にそれぞれ設けられる。バルブＶ１０６の開閉により、導入配管Ｌ７０１を流れる窒素ガスを、選択的に、導入配管Ｌ７１１を介して収容室Ｒ１内に導入するか、又は遮断することができる。同様に、バルブＶ２０６の開閉により、導入配管Ｌ７０１を流れる窒素ガスを、選択的に、導入配管Ｌ７２１を介して収容室Ｒ２内に導入するか、又は遮断することができる。同様に、バルブＶ３０６の開閉により、導入配管Ｌ７０１を流れる窒素ガスを、選択的に、導入配管Ｌ７３１を介して収容室Ｒ３内に導入するか、又は遮断することができる。
　実施例１は、蒸着ヘッド部に関するものであり、多段分散板の各段における開口の位置及び大きさを変更した例である。実施例２では順方向、逆方向などの流路においてそれぞれ異なる実施例が開示される。また、実施例２は、トーナメントのガス開口部は、アスペクト比を０．５以下、よりよくは、０．２以下とする。また、各段の２分割経路の長さに差異を設ける。また、各段の開口部には、分岐調整手段を設ける。また、各分岐調整手段は、非対称に配置する。すなわち、以下の実施例の蒸着ヘッドは、蒸着材料ガスの流れの順方向のコンダクタンスが逆方向のコンダクタンスよりも小さくなるように蒸着材料ガスを多段階に順次２方向に分岐させる分散部を有する。これにより、コンダクタンスの劣化を防ぐことができる。また、２分割の精度が高くなる。
　実施例１について、以下、具体的に説明する。
　まず、従来技術（例えば、特開２００４－２２５０９４号公報，特開２００７－３１４８４４号公報，特開平９－１５７８４８号公報等）について説明する。図５－１，５－２，５－３は、従来技術を示す図である。従来技術は、蒸着ヘッド内にトーナメント方式の溝を設けている。トーナメント各段のＯｕｔｌｅｔ部の溝は、通常アスペクト比が１程度以上に設定されている。
　この場合、バルク体に溝を形成しているため、熱容量が大きくなってしまう。従って、温度制御の応答性が悪い。また、昇温、降温時にかかる時間が長くなり、生産性を悪くする。また、アスペクト比が大きいため、コンダクタンスが悪くなる。この場合蒸気圧の低いガスが流せない。
　具体的には、図５－１に示すように、センターから供給したガスが多段のバッフル板で分散される。この場合、（１）各バッフル内において、同一バッフルの穴を通過するガスの流量を一定にするためには、穴のコンダクタンスを小さくする必要がある。（２）また、分子径の大きく（例えば２倍程度）異なるガスを流すときは、重い元素が外側へ行って軽い元素が内側に残る傾向があるため、各空間での圧力が同じになったとしても、流れるガスの密度に大きな分布を生じる。
　上記（１）について説明する。図５－１に示すように、拡散空間のコンダクタンスと比べて各開口部のコンダクタンスが大きくて無視できない場合には、上流側開口部に近いところで流量が多くなる。
　上記（２）について説明する。図５－１に示すように、軽い原子の方が速いため、重い原子の追い風になる。一方軽い原子にとって、重い原子は流れの妨げになる。
　また、図５－２に示すように、従来技術は、各段毎に１個づつ穴が増えている。この方式であれば、上記（１），（２）の課題は解決できる。しかしながら、この従来技術は、（３）縦のスペースが長くなる。Ｇ８等、２．５ｍサイズのヘッドが必要になってくると、この方式では、非常に大きい装置とならざるを得ない。また、（４）原理的に、最外周へ流れていくガスの流量が低くなる。
　また、図５－３に示すように、従来技術は、トーナメント方式であり、最終段の空間に対して、均等にガスが送られるため、上記（１）～（４）の課題は解決される。しかしながら、従来技術は、（５）ブロックに溝を形成しているため、全体としては、熱容量が大きい。その結果、従来技術は、温度制御の応答性が悪い。また、従来技術は、（６）各段の分岐開口部のアスペクト比が１以上取られているため、コンダクタンスが悪い。同従来技術のように酸素ガスのようなものであれば問題ないが、飽和蒸気圧が低いガスを流すのは非常に困難となる。
　これに対して、実施例１の内容を具体的に説明する。図５－４は、実施例１－１を示す図である。図５－４は、蒸着ヘッド１６ｃの縦断面図である。なお、図５－４では、蒸着ヘッド１６ｃの構成を説明するが、その他の蒸着ヘッド１６ａ，１６ｂ，１６ｄ，１６ｅ，１６ｆも同様の構成である。
　図５－４に示すように、蒸着ヘッド１６ｃは、蒸着ヘッド容器内に互いに板面を対向させて間隔を空けて配置された複数の分散板（第１の分散板１６１ｃ，第２の分散板１６３ｃ，及び第３の分散板１６５ｃ）を含む分散部１６０ｃを有する。第１の分散板１６１ｃ，第２の分散板１６３ｃ，及び第３の分散板１６５ｃは、輸送管Ｌ４０を介して蒸着ヘッド１６ｃへ輸送された蒸着材料ガスを分散させる。
　第１の分散板１６１ｃは、蒸着材料ガスを下流側へ通流させる開口１６２ｃが形成される。第２の分散板１６３ｃは、蒸着材料ガスを下流側へ通流させる開口１６４ｃが形成される。第３の分散板１６５ｃは、蒸着材料ガスを下流側へ通流させる開口１６６ｃが形成される。開口１６２ｃ，１６４ｃ，１６６ｃは、蒸着材料ガスの流れの順方向に交差する方向の開口幅が、蒸着材料ガスの流れの順方向に沿って一定となるように形成される。また、蒸着ヘッド１６ｃは、第１の分散板１６１ｃ，第２の分散板１６３ｃ，及び第３の分散板１６５ｃによって分散された蒸着材料ガスを噴射するノズル１８ｃを有する。なお、開口１６６ｃは、説明の便宜上、蒸着材料ガスの流れの順方向に位置する方を開口１６６ｃ－１とし、蒸着材料ガスの流れの逆方向に位置する方を開口１６６ｃ－２とする。また、開口１６６ｃ－１と開口１６６ｃ－２とを特に区別しない場合は、単に開口１６６ｃという。
　分散部１６０ｃは、輸送管Ｌ４０を介して輸送された蒸着材料ガスを２方向に分岐させる第１のガス流路１６７ｃを有する。また、分散部１６０ｃは、第１のガス流路１６７ｃによって２方向に分岐された蒸着材料ガスをそれぞれ多段階に順次２方向に分岐させる第２のガス流路１６８ｃ，１６９ｃを有する。この例では、第２のガス流路は、２段階であるが、１又は複数の任意の段数とすることができる。また、第２のガス流路１６９ｃは、説明の便宜上、蒸着材料ガスの流れの順方向に位置する方を第２のガス流路１６９ｃ－１とし、蒸着材料ガスの流れの逆方向に位置する方を第２のガス流路１６９ｃ－２とする。また、第２のガス流路１６９ｃ－１と第２のガス流路１６９ｃ－２とを特に区別しない場合は、単に第２のガス流路１６９ｃという。
　輸送管Ｌ４０から蒸着ヘッド１６ｃへ流入した蒸着材料ガスは、第１のガス流路１６７ｃで２方向に分岐する。第１のガス流路１６７ｃで２方向に分岐した蒸着材料ガスはそれぞれ、第２のガス流路１６８ｃで再び２方向に分岐する。第２のガス流路１６８ｃで２方向に分岐した蒸着材料ガスのうち、ガス流れの順方向に通流した蒸着材料ガスは第２のガス流路１６９ｃ－１で再び２方向に分岐する。第２のガス流路１６８ｃで２方向に分岐した蒸着材料ガスのうち、ガス流れの順方向と反対側の方向（逆方向）に通流した蒸着材料ガスは第２のガス流路１６９ｃ－２で再び２方向に分岐する。第２のガス流路１６９ｃで分岐された蒸着材料ガスは、ノズル１８ｃから噴射され、基板に蒸着される。このように、蒸着ヘッド１６ｃ内の蒸着材料ガスの流路はトーナメント状に形成される。
　ここで、開口１６２ｃ，１６４ｃ，１６６ｃは、アスペクト比が０．５以下、好ましくは０．２以下になるように形成される。言い換えると、第２のガス流路１６８ｃ，１６９ｃは、蒸着材料ガスが２方向に分岐されていない上流側のガス流路と２方向に分岐された下流側のガス流路とを結ぶ中間流路の流路長と、中間流路の蒸着材料ガスを流出する開口の開口幅との比で表されるアスペクト比が、０．５以下、好ましくは０．２以下である。
　アスペクト比の概念についてより具体的に説明する。図５－５は、アスペクト比を説明するための図である。図５－５は、説明の便宜上、蒸着材料ガスが２方向へ分岐する分岐部の一般的な構成を示したものである。図５－５に示すように、蒸着材料ガスの分岐部は、蒸着材料ガスが２方向に分岐されていない上流側ガス流路１７６ｃと、蒸着材料ガスが２方向に分岐された下流側ガス流路１７７ｃと、上流側ガス流路１７６ｃ及び下流側ガス流路１７７ｃを連通する中間流路１７８ｃとを有する。アスペクト比は、中間流路１７８ｃにおける蒸着材料ガスの流路長１７８ｃ－１と、中間流路１７８ｃから下流側ガス流路１７７ｃへ蒸着材料ガスが流出する開口幅１７８ｃ－２との比（流路長１７８ｃ－１／開口幅１７８ｃ－２）で表される。
　次に、実施例１－１の効果について説明する。図５－６は、実施例１－１のシミュレーション条件について示す図である。図５－７は、実施例１－１の効果（シミュレーション結果）を示す図である。
　図５－６に示すように、実施例１－１の効果を検証するためのシミュレーションは、蒸着ヘッド１６ｃの寸法を縦２５０ｍｍ，横２８４ｍｍと仮定し、蒸着材料ガスを３段階に分岐した場合のものである。ここでは、蒸着材料ガスの分岐について、蒸着材料ガスの上流側から下流側へ向けて順に１段目、２段目、３段目とする。また、ここでは、実施例１－１の効果を検証するために、蒸着材料ガスを上流側から下流側へ連通する開口１６２ｃ，１６４ｃ，１６６ｃ（中間流路）のアスペクト比が、０．５の場合と０．２の場合のシミュレーションを行った。また、従来技術は、蒸着材料ガスを上流側から下流側へ連通する開口１６２ｃ，１６４ｃ，１６６ｃ（中間流路）のアスペクト比が１．０以上であるので、代表的に、アスペクト比が１．０の場合を比較例とした。
　なお、シミュレーション条件は、開口１６６ｃから流出した蒸着材料ガスの流出口の圧力を０．０５（Ｐａ）、キャリアガスであるＡｒの通流量を１０ｓｃｃｍ、蒸着材料ガスであるＡｌｑ３の通流量を１ｓｃｃｍとした。なお、キャリアガスは、上記のＡｒ（分子量約４０）のほか、Ｎ２（分子量約２８）とすることができる。また、蒸着材料ガスは、上記のＡｌｑ３（分子量約４５９）のほか、α－ＮＰＤ（分子量約６１７），Ｌｉｑ（分子量約１５１），Ｓｐｉｒｏ－２ＮＰＢ（分子量約１１８５）とすることができる。例えば、Ｎ２とＬｉｑ，Ａｌｑ３，α－ＮＰＤ，又はＳｐｉｒｏ－２ＮＰＢとの組み合わせ、ＡｒとＡｌｑ３，α－ＮＰＤ，又はＳｐｉｒｏ－２ＮＰＢとの組み合わせのように、キャリアガスの分子量に対する蒸着材料ガスの分子量が５倍以上になるような異なる２種の混合ガスを用いることができる。
　なお、図５－６は、アスペクト比が１．０の場合における例を示したものであるので、例えば開口１６２ｃの流路長及び開口幅がともに５０ｍｍとなっている。アスペクト比が０．５の場合をシミュレーションする場合には、開口１６２ｃの流路長を２５ｍｍ，開口幅を５０ｍｍとする。アスペクト比が０．２の場合をシミュレーションする場合には、開口１６２ｃの流路長を１０ｍｍ，開口幅を５０ｍｍとする。他の開口１６４ｃ，１６６ｃも同様に、アスペクト比に応じて流路長を調整する。
　また、図５－７には、実施例１－１の効果として、アスペクト比が「１．０」，「０．５」，「０．２」それぞれの場合のコンダクタンスのシミュレーション結果を示した。ここで、コンダクタンス（ｍ３／ｓｅｃ）とは、各開口における（キャリアガスの流量＋蒸着材料ガスの流量）／（ＰＡ－ＰＢ）で表され、流量単位ｓｃｃｍをＰａ・ｍ３／ｓｅｃに変換して求められる。図５－７に示すように、ＰＡは、各開口のガス流入口における平均分圧（Ｐａ）であり、ＰＢは、各開口のガス流出口における平均分圧（Ｐａ）である。
　図５－７に示すように、アスペクト比が「１．０」の場合、１段目のコンダクタンスは「２．９２Ｅ－０１」、２段目のコンダクタンスは「２．８０Ｅ－０１」、３段目のコンダクタンスは「３．８８Ｅ－０１」となった。
　一方、アスペクト比が「０．５」の場合、１段目のコンダクタンスは「４．４３Ｅ－０１」、２段目のコンダクタンスは「４．５２Ｅ－０１」、３段目のコンダクタンスは「６．８５Ｅ－０１」となった。
　また、アスペクト比が「０．２」の場合、１段目のコンダクタンスは「８．１９Ｅ－０１」、２段目のコンダクタンスは「９．１３Ｅ－０１」、３段目のコンダクタンスは「１．６５Ｅ＋００」となった。
　以上のシミュレーション結果からわかるように、アスペクト比を「０．５」とした場合、アスペクト比が「１．０」の場合と比べてコンダクタンスが各段ともに上昇した。また、アスペクト比を「０．２」とした場合、アスペクト比が「０．５」の場合と比べてコンダクタンスが各段ともに上昇した。すなわち、実施例１－１の蒸着ヘッドは、各開口のアスペクト比を０．５以下、好ましくは０．２以下とすることによって、コンダクタンスが上昇する。その結果、実施例１－１の蒸着ヘッドによれば、蒸着効率（蒸着材料の成膜レート）を向上することができる。
　次に、実施例１－１の変形例について説明する。なお、以下の変形例では、いずれもアスペクト比を０．５以下、好ましくは０．２以下にした状態を前提とする。図５－８は、実施例１－１の変形例１を示す図である。図５－８に示すように、実施例１－１の変形例１は、第３の分散板１６５ｃ，第２の分散板１６３ｃ，第１の分散板１６１ｃの順に蒸着ヘッドの幅方向の板の長さが短くなっている。また、実施例１－１の変形例１は、第３の分散板１６５ｃ，第２の分散板１６３ｃ，第１の分散板１６１ｃの板の長さの減少に応じて、蒸着ヘッド容器の幅が段々小さくなっている。
　また、実施例１－１の変形例１は、蒸着材料ガスの分岐の２段目，３段目において、同じ段で隣り合う第２のガス流路１６８ｃ間，第２のガス流路１６９ｃ間を仕切る仕切り板１７０ｃが設けられる。この例では、蒸着材料ガスの分岐の２段目において、２つの第２のガス流路１６８ｃ間に、第２のガス流路１６８ｃ間を仕切る仕切り板１７０ｃが２枚設けられており、２枚の仕切り板１７０ｃ間のスペースはデッドスペース１７１ｃとなる。また、蒸着材料ガスの分岐の３段目において、４つの第２のガス流路１６９ｃ間にそれぞれ、第２のガス流路１６９ｃ間を仕切る仕切り板１７０ｃが２枚設けられており、２枚の仕切り板１７０ｃ間のスペースはデッドスペース１７１ｃとなる。
　実施例１－１の変形例１の蒸着ヘッドによれば、蒸着材料ガスの分岐の各段において、仕切り板１７０ｃを設けることにより、デッドスペース１７１ｃに蒸着材料ガスが流入するのを抑制することができる。その結果、実施例１－１の変形例１の蒸着ヘッドによれば、蒸着材料ガスを効率よくノズル１８ｃから噴射することができるので、蒸着効率（蒸着材料の成膜レート）を向上させることができる。
　図５－９は、実施例１－１の変形例２を示す図である。図５－９に示すように、実施例１－１の変形例２は、変形例１と同様に、第３の分散板１６５ｃ，第２の分散板１６３ｃ，第１の分散板１６１ｃの順に蒸着ヘッドの幅方向の板の長さが短くなっている。また、実施例１－１の変形例２は、変形例１と同様に、第３の分散板１６５ｃ，第２の分散板１６３ｃ，第１の分散板１６１ｃの板の長さの減少に応じて、蒸着ヘッド容器の幅が段々小さくなっている。
　また、実施例１－１の変形例２は、蒸着材料ガスの分岐の２段目，３段目において、同じ段で隣り合う第２のガス流路１６８ｃ間，第２の１６９ｃ間を仕切る仕切り部材１７２ｃが設けられる。この例では、蒸着材料ガスの分岐の２段目において、２つの第２のガス流路１６８ｃ間に、第２のガス流路１６８ｃ間を仕切る仕切り部材１７２ｃが設けられている。また、蒸着材料ガスの分岐の３段目において、４つの第２のガス流路１６９ｃ間にそれぞれ、第２のガス流路１６９ｃ間を仕切る仕切り部材１７２ｃが設けられている。仕切り部材１７２ｃは、第２のガス流路１６８ｃ間，第２の１６９ｃ間で蒸着材料ガスを互いに流入出させないように配置されている。
　実施例１－１の変形例２の蒸着ヘッドによれば、蒸着材料ガスの分岐の各段において、仕切り部材１７２ｃを設けることにより、同じ段で隣り合う第２のガス流路１６８ｃ，１６９ｃ間で蒸着材料ガスが互いに流入出するのを抑制することができる。その結果、実施例１－１の変形例２の蒸着ヘッドによれば、蒸着材料ガスを効率よくノズル１８ｃから噴射することができるので、蒸着効率（蒸着材料の成膜レート）を向上させることができる。
　図５－１０は、実施例１－１の変形例３を示す図である。図５－１０に示すように、実施例１－１の変形例３は、変形例１，２とは異なり、第１の分散板１６１ｃ，第２の分散板１６３ｃ，第３の分散板１６５ｃともに蒸着ヘッドの幅方向の板の長さがほぼ同じである。また、実施例１－１の変形例３は、変形例１，２とは異なり、第３の分散板１６５ｃ，第２の分散板１６３ｃ，第１の分散板１６１ｃの板の長さに応じて、蒸着ヘッド容器の幅がほぼ一定になっている。
　また、実施例１－１の変形例３は、蒸着材料ガスが２方向に分岐されていない上流側のガス流路の容積より、蒸着材料ガスが２方向に分岐された下流側のガス流路の容積のほうが小さく形成される。言い換えると、実施例１－１の変形例３は、蒸着ヘッド容器と第１の分散板１６１ｃとの対向距離より、第１の分散板１６１ｃと第２の分散板１６３ｃとの対向距離のほうが短くなる。また、実施例１－１の変形例３は、第１の分散板１６１ｃと第２の分散板１６３ｃとの対向距離より、第２の分散板１６３ｃと第３の分散板１６５ｃとの対向距離のほうが短くなる。
　このように第１の分散板１６１ｃ、第２の分散板１６３ｃ、第３の分散板１６５ｃの配置位置を調整することにより、蒸着ヘッド容器と第１の分散板１６１ｃとで形成されるガス流路１７５ｃの断面積より、蒸着ヘッド容器、第１の分散板１６１ｃ、及び第２の分散板１６３ｃとで形成されるガス流路１７６ｃの断面積のほうが小さく形成される。また、蒸着ヘッド容器、第１の分散板１６１ｃ、及び第２の分散板１６３ｃとで形成されるガス流路１７６ｃの断面積より、蒸着ヘッド容器、第２の分散板１６３ｃ、及び第３の分散板１６５ｃとで形成されるガス流路１７７ｃの断面積のほうが小さく形成される。
　また、実施例１－１の変形例３は、第１の分散板１６１ｃに形成される開口１６２ｃより、第２の分散板１６３ｃに形成される開口１６４ｃの開口が小さく形成される。また、実施例１－１の変形例３は、第２の分散板１６３ｃに形成される開口１６４ｃより、第３の分散板１６５ｃに形成される開口１６６ｃの開口が小さく形成される。
　実施例１－１の変形例３の蒸着ヘッドは、蒸着材料ガスが下流側に行くほど流量が分散されて減っていくことに鑑みて、上流側のガス流路断面積をできるだけ大きくすることにより、ガス流れ経路の各点における圧力損失を均一化している。その結果、実施例１－１の変形例３の蒸着ヘッドによれば、効率よく蒸着材料ガスをノズル１８ｃから噴出することができるので、蒸着効率（蒸着材料の成膜レート）を向上させることができる。
　次に、実施例１－２の蒸着ヘッドについて説明する。図５－１１は、実施例１－２を示す図である。実施例１－２の蒸着ヘッドは、図５－４に示した蒸着ヘッドを前提構成としており、蒸着材料ガスを分岐させる分岐部に、蒸着材料ガスの２方向への分岐流量を調整する分岐調整板が設けられる。以下、説明の便宜上、蒸着ヘッドの構成のうち、蒸着材料ガスの分岐部とその周辺の構成を主体に説明を行う。
　図５－１１に示すように、第３の分散板１６５ｃの開口１６４ｃの中央部に対向する部分には、分岐調整板１８０ｃを固定するための固定板１８１ｃが設けられる。分岐調整板１８０ｃは、固定板１８１ｃを介して、第３の分散板１６５ｃの板面から開口１６４ｃへ向けて立設される。また、分岐調整板１８０ｃは、開口１６４ｃから流入した蒸着材料ガスが２方向に分岐してそれぞれ開口１６６ｃ－１，開口１６６ｃ－２へ向かう流れ方向に板面を対向させる向きで配置される。
　図５－１１においては、蒸着材料ガスの流れ方向を矢印で図示している。図５－１１に示すように、蒸着材料ガスは、第１の分散板１６１ｃと第２の分散板１６３ｃとに挟まれた上流側のガス流路１７６ｃを通流し、開口１６４ｃを介して下流側のガス流路１７７ｃに通流する。下流側のガス流路１７７ｃに通流した蒸着材料ガスの一部は、上流側のガス流路１７６ｃにおける蒸着材料ガスの流れ方向に沿って開口１６６ｃ－１の方向へ向かう。また、下流側のガス流路１７７ｃに通流した蒸着材料ガスの一部は、分岐調整板１８０ｃの影響を一部に受けて、上流側のガス流路１７６ｃにおける蒸着材料ガスの流れ方向と反対側の方向に沿って開口１６６ｃ－２の方向へ向かう。
　実施例１－２の蒸着ヘッドによれば、分岐調整板１８０ｃを設けることによって、２方向へ分岐した蒸着材料ガスの流量を調整することができる。その結果、実施例１－２の蒸着ヘッドによれば、開口１６６ｃ－１及び開口１６６ｃ－２から流出する蒸着材料ガスの流出量を調整することができるので、トーナメント状に分岐された複数の蒸着材料ガスの流路から流出する蒸着材料ガスの均一性を向上することができる。
　なお、実施例１－２は、分岐調整板１８０ｃを第３の分散板１６５ｃから立設する例を示したが、これに限らず、蒸着材料ガスの分岐部、例えば第２の分散板１６３ｃの、開口１６２ｃに対応する位置に設けることもできる。
　次に、実施例１－２の蒸着ヘッドの変形例について説明する。図５－１２は、実施例１－２の変形例１を示す図である。図５－１２に示すように、変形例１では、分岐調整板１８０ｃは、固定板１８１ｃを介して第３の分散板１６５ｃの板面から開口１６４ｃへ向けて、開口１６４ｃへ到達しない長さで立設される。また、固定板１８１ｃは、開口１６４ｃの中央部に対応する位置から開口１６６ｃ－１側へシフトした位置に設けられ、分岐調整板１８０ｃも、開口１６４ｃの中央部に対応する位置から開口１６６ｃ－１側へシフトした位置に立設される。
　分岐調整板１８０ｃが開口１６４ｃへ到達しないような比較的短い長さの場合には、開口１６６ｃ－２側へ分岐される蒸着材料ガスの流量が減少する傾向にある。そこで、実施例１－２の変形例１は、分岐調整板１８０ｃの立設位置を蒸着材料ガスの流れ方向に沿った順方向へシフトさせることにより、開口１６６ｃ－２側へ分岐される蒸着材料ガスの流量を増やすことができる。したがって、実施例１－２の変形例１の蒸着ヘッドによれば、２方向へ分岐する蒸着材料ガスの流量を、分岐調整板１８０ｃの長さ及び配置位置によって適宜調整することができる。その結果、開口１６６ｃ－１及び開口１６６ｃ－２から流出する蒸着材料ガスの流出量を均等に調整することができる。
　図５－１３は、実施例１－２の変形例２を示す図である。図５－１３に示すように、変形例２では、分岐調整板１８０ｃは、固定板１８１ｃを介して第３の分散板１６５ｃの板面から開口１６４ｃへ向けて、開口１６４ｃへ到達する長さで立設される。また、固定板１８１ｃは、開口１６４ｃの中央部に対応する位置から開口１６６ｃ－２側へシフトした位置に設けられ、分岐調整板１８０ｃも、開口１６４ｃの中央部に対応する位置から開口１６６ｃ－２側へシフトした位置に立設される。
　分岐調整板１８０ｃが開口１６４ｃへ到達するような比較的長い長さの場合には、開口１６６ｃ－２側へ分岐される蒸着材料ガスの流量が増加する傾向にある。そこで、実施例１－２の変形例２は、分岐調整板１８０ｃの立設位置を蒸着材料ガスの流れ方向の反対側に沿った逆方向へシフトさせることにより、開口１６６ｃ－２側へ分岐される蒸着材料ガスの流量を減らすことができる。したがって、実施例１－２の変形例２の蒸着ヘッドによれば、２方向へ分岐する蒸着材料ガスの流量を、分岐調整板１８０ｃの長さ及び配置位置によって適宜調整することができる。その結果、開口１６６ｃ－１及び開口１６６ｃ－２から流出する蒸着材料ガスの流出量を均等に調整することができる。
　図５－１４は、実施例１－２の変形例３を示す図である。図５－１４に示すように、変形例３では、実施例１－２と同様に、第３の分散板１６５ｃの開口１６４ｃの中央部に対向する部分に、固定板１８１ｃが設けられる。分岐調整板１８０ｃは、固定板１８１ｃを介して、第３の分散板１６５ｃの板面から開口１６４ｃへ向けて立設される。ここで、変形例３では、分岐調整板１８０ｃには開口１８２ｃが形成される。
　開口１８２ｃを形成することにより、開口１６６ｃ－１側のガス流路と開口１６６ｃ－２側のガス流路とが連通する。実施例１－２の変形例３の蒸着ヘッドによれば、分岐調整板１８０ｃに開口１８２ｃを形成することにより、２方向へ分岐する蒸着材料ガスの流量を、開口１８２ｃの大きさによって適宜調整することができる。その結果、開口１６６ｃ－１及び開口１６６ｃ－２から流出する蒸着材料ガスの流出量を均等に調整することができる。
　図５－１５は、実施例１－２の変形例４を示す図である。図５－１５に示すように、変形例４では、実施例１－２と同様に、第３の分散板１６５ｃの開口１６４ｃの中央部に対向する部分に、固定板１８１ｃが設けられる。分岐調整板１８０ｃは、固定板１８１ｃを介して、第３の分散板１６５ｃの板面から開口１６４ｃを介して上流側のガス流路１７６ｃに到達する長さで立設される。また、分岐調整板１８０ｃのガス流路１７６ｃにおける先端部には、蒸着材料ガスの流れ方向の上流側へ向けて延伸する水平板１８４ｃが設けられる。水平板１８４ｃは、第１の分散板１６１ｃ及び第２の分散板１６３ｃの延伸方向に沿って延伸する。また、水平板１８４ｃは、水平板１８４ｃと第１の分散板１６１ｃとの対向距離１８６ｃが、水平板１８４ｃと第２の分散板１６３ｃとの対向距離１８８ｃより長くなるように配置される。
　水平板１８４ｃを設けることにより、蒸着材料ガスの上流側のガス流路１７６ｃにおいて、蒸着材料ガスを開口１６６ｃ－１側へ向かう流路とガス流路と開口１６６ｃ－２側へ向かう流路に分割することができる。実施例１－２の変形例４の蒸着ヘッドによれば、水平板１８４ｃを設けることにより、２方向へ分岐する蒸着材料ガスの流量を、水平板１８４ｃの長さ及び配置位置によって適宜調整することができる。その結果、開口１６６ｃ－１及び開口１６６ｃ－２から流出する蒸着材料ガスの流出量を均等に調整することができる。
　図５－１６は、実施例１－２の変形例５を示す図である。図５－１６に示すように、変形例５では、変形例４と同様に、分岐調整板１８０ｃに水平板１８４ｃを設けている。ここで、水平板１８４ｃは、水平板１８４ｃと第１の分散板１６１ｃとの対向距離１８６ｃと、水平板１８４ｃと第２の分散板１６３ｃとの対向距離１８８ｃとが等しくなるように配置される。また、変形例５では、固定板１８１ｃは、開口１６４ｃの中央部に対応する位置から開口１６６ｃ－２側へシフトした位置に設けられ、分岐調整板１８０ｃも、開口１６４ｃの中央部に対応する位置から開口１６６ｃ－２側へシフトした位置に立設される。
　分岐調整板１８０ｃに水平板１８４ｃを設けた場合でも、分岐調整板１８０ｃ及び水平板１８４ｃの設置位置をシフトすることができる。実施例１－２の変形例５の蒸着ヘッドによれば、水平板１８４ｃを設けるとともに、分岐調整板１８０ｃ及び水平板１８４ｃの設置位置を調整することにより、２方向へ分岐する蒸着材料ガスの流量を適宜調整することができる。その結果、開口１６６ｃ－１及び開口１６６ｃ－２から流出する蒸着材料ガスの流出量を均等に調整することができる。
　図５－２１は、実施例１－２の変形例６を示す図である。図５－２１の（ａ）は、実施例１－２の変形例６の蒸着ヘッドの構成のうち、蒸着材料ガスの分岐部とその周辺の構成を示した縦断面図である。図５－２１の（ｂ）は、図５－２１の（ａ）に示した蒸着ヘッドの第２の分散板１６３ｃを上面から見た平面図である。図５－２１に示すように、変形例６では、第２の分散板１６３ｃの開口１６４ｃの周縁に、分岐調整板１８０ｃを固定するための固定枠１８３ｃが開口１６４ｃの周縁に沿って設けられる。分岐調整板１８０ｃは、固定枠１８３ｃを介して、第２の分散板１６３ｃの開口１６４ｃの周縁から第３の分散板１６５ｃへ向けて、第３の分散板１６５ｃへ到達しない長さで立設される。また、分岐調整板１８０ｃは、開口１６４ｃの中央部に対応する位置から開口１６６ｃ－１側へシフトした位置に立設される。
　開口１６４ｃの周縁に設けられた分岐調整板１８０ｃが第３の分散板１６５ｃへ到達しないような比較的短い長さの場合には、開口１６６ｃ－２側へ分岐される蒸着材料ガスの流量が減少する傾向にある。そこで、実施例１－２の変形例６は、分岐調整板１８０ｃの立設位置を蒸着材料ガスの流れ方向へシフトさせることにより、開口１６６ｃ－２側へ分岐される蒸着材料ガスの流量を増やすことができる。したがって、実施例１－２の変形例６の蒸着ヘッドによれば、２方向へ分岐する蒸着材料ガスの流量を、分岐調整板１８０ｃの長さ及び配置位置によって適宜調整することができる。その結果、開口１６６ｃ－１及び開口１６６ｃ－２から流出する蒸着材料ガスの流出量を均等に調整することができる。
　図５－２２は、実施例１－２の変形例７を示す図である。図５－２２に示すように、変形例７では、変形例６と同様に、第２の分散板１６３ｃの開口１６４ｃの周縁に、固定枠１８３ｃが開口１６４ｃの周縁に沿って設けられる。
　また、変形例７では、蒸着材料ガスを分岐させる分岐部に、分岐調整板１８０ｃが複数設けられる。この例では、３つの分岐調整板１８０ｃ－１～１８０ｃ－３が、固定枠１８３ｃを介して、第２の分散板１６３ｃの開口１６４ｃの周縁から第３の分散板１６５ｃへ向けて、第３の分散板１６５ｃへ到達しない長さで立設される。なお、分岐調整板１８０ｃは、説明の便宜上、最も蒸着材料ガスの流れの順方向側に位置するものを分岐調整板１８０ｃ－１とし、最も蒸着材料ガスの流れの逆方向側に位置するものを分岐調整板１８０ｃ－３とし、分岐調整板１８０ｃ－１と分岐調整板１８０ｃ－３との間に位置するものを分岐調整板１８０ｃ－２とする。また、分岐調整板１８０ｃ－１～１８０ｃ－３を特に区別しない場合は、単に分岐調整板１８０ｃという。
　また、分岐調整板１８０ｃは、蒸着材料ガスの流れ方向に沿って長さが長くなるように形成される。例えば、分岐調整板１８０ｃ－１は、分岐調整板１８０ｃ－２よりも長さが長くなるように形成される。また、分岐調整板１８０ｃ－２は、分岐調整板１８０ｃ－３よりも長さが長くなるように形成される。
　開口１６４ｃの周縁に設けられた分岐調整板１８０ｃが第３の分散板１６５ｃへ到達しないような比較的短い長さの場合には、開口１６６ｃ－２側へ分岐される蒸着材料ガスの流量が減少する傾向にある。そこで、実施例１－２の変形例７は、分岐調整板１８０ｃを複数設け、かつ、分岐調整板１８０ｃを蒸着材料の流れ方向に沿った順方向に向けて長さが長くなるように形成することにより、開口１６６ｃ－２側へ分岐される蒸着材料ガスの流量を増やすことができる。したがって、実施例１－２の変形例７の蒸着ヘッドによれば、２方向へ分岐する蒸着材料ガスの流量を、分岐調整板１８０ｃの枚数、分岐調整板１８０ｃ各々の長さ及び配置位置によって適宜調整することができる。その結果、開口１６６ｃ－１及び開口１６６ｃ－２から流出する蒸着材料ガスの流出量を均等に調整することができる。
　次に、実施例１－２の効果（シミュレーション結果）について説明する。図５－１７は、実施例１－２の効果（シミュレーション結果）を示す図である。図５－１８は、実施例１－２の効果の比較例を示す図である。
　図５－１７，図５－１８は、蒸着ヘッド全体のうち、輸送管Ｌ４０を中心とした半分のガス流路におけるガス流量の均一性のシミュレーション結果である。図５－１７，図５－１８において、横軸は、中心からの距離であり、縦軸は蒸着材料ガスの流量（個／ｍ２／ｓｅｃ）である。図５－１７のシミュレーション結果は、図５－４において８つの開口１６６ｃから流出した蒸着材料ガスをそれぞれ２方向へ分岐させ、合計１６箇所からノズル１８ｃへ流出させる蒸着ヘッドを前提にしている。図５－１７のシミュレーション結果は、この蒸着ヘッドにおいて、蒸着材料ガスの各分岐部に、実施例１－２の代表として、実施例１－２の変形例４の分岐調整板１８０ｃを採用した場合の、中心から半分のガス流路におけるシミュレーション結果である。一方、図５－１８のシミュレーション結果は、比較例として、前提となる蒸着ヘッドに、分岐調整板１８０ｃを設けていない場合の、中心から半分のガス流路におけるシミュレーション結果である。
　図５－１８に示すように、分岐調整板１８０ｃを設けていない場合、中心からの距離によって、蒸着材料ガスの流量が多いところもあれば少ないところもある。これは、蒸着材料ガスの流れの慣性力の影響で、各開口から流出する蒸着材料ガスの流量が不均一になるためであると思われる。図５－１８に示すように、分岐調整板１８０ｃを設けていない場合、８つの開口１６６ｃから流出する蒸着材料ガスの流量は均一性が保たれていない。
　これに対して、図５－１７に示すように、分岐調整板１８０ｃを設けた場合、中心からの距離に関わらず蒸着材料ガスの流量はほぼ一定である。つまり、分岐調整板１８０ｃを設けることにより、蒸着材料ガスの流れの慣性力の影響で各開口から流出する蒸着材料ガスの流量が不均一になるのを抑制することができる。その結果、図５－１７に示すように、８つの開口１６６ｃから流出する蒸着材料ガスの流量をほぼ均一にすることができる。
　なお、ここでは実施例１－２の代表として、実施例１－２の変形例４の分岐調整板１８０ｃを採用した場合のシミュレーション結果を示したが、これには限られない。図５－１１のように分岐調整板１８０ｃを設けた場合や、実施例１－２の他の変形例でも、分岐調整板１８０ｃの長さ、分岐調整板１８０ｃの配置位置、分岐調整板１８０ｃに形成する開口１８２ｃの大きさ、水平板１８４ｃの長さ、又は水平板１８４ｃの配置位置を適宜調整することにより、図５－１７に示すように、トーナメント状に分岐された複数の蒸着材料ガスの流路から流出する蒸着材料ガスの均一性を向上することができる。
　次に、実施例１－３の蒸着ヘッドについて説明する。図５－１９は、実施例１－３を示す図である。実施例１－３の蒸着ヘッドは、図５－４に示した蒸着ヘッドを基本的には前提構成としているが、開口１６６ｃの形成位置、開口径などを左右非対称にするものである。以下、説明の便宜上、蒸着ヘッドの構成のうち、蒸着材料ガスの分岐部とその周辺の構成を主体に説明を行う。
　図５－１９に示すように、開口１６６ｃは、第３の分散板１６５ｃの、開口１６４ｃの中央部に対応する位置から蒸着材料ガスの流れ方向側に形成された開口１６６ｃ－１までの距離が、第３の分散板１６５ｃの、開口１６４ｃの中央部に対応する位置から蒸着材料ガスの流れ方向の反対側に形成された他方の開口１６６ｃ－２までの距離より長くなるように形成される。言い換えれば、第３の分散板１６５ｃの、開口１６４ｃの中央部に対応する位置から開口１６６ｃ－１までの距離（順方向距離）は、第３の分散板１６５ｃの、開口１６４ｃの中央部に対応する位置から開口１６６ｃ－２までの距離（逆方向距離）より長くなる。
　開口１６４ｃから下流側のガス流路へ流出した蒸着材料ガスは、上流側のガス流路におけるガス流れ方向による慣性力の影響で、開口１６６ｃ－１の側へ流れ易くなる。この点、実施例１－３のように、順方向距離を逆方向距離より長くすることにより、開口１６６ｃ－１の側へ流れる蒸着材料ガスの流量を抑制することができる。その結果、実施例１－３の蒸着ヘッドによれば、開口１６６ｃ－１及び開口１６６ｃ－２から流出する蒸着材料ガスの流量を均一にすることができる。
　次に、実施例１－３の蒸着ヘッドの変形例について説明する。図５－２０は、実施例１－３の変形例１を示す図である。図５－２０に示すように、変形例１では、開口１６６ｃ－１，開口１６６ｃ－２は、左右対称の位置に形成される。言い換えれば、第３の分散板１６５ｃの、開口１６４ｃの中央部に対応する位置から開口１６６ｃ－１の中心位置までの距離と、第３の分散板１６５ｃの、開口１６４ｃの中央部に対応する位置から開口１６６ｃ－２の中心位置までの距離とは、ほぼ同一である。一方、変形例１では、開口１６６ｃ－２が、開口１６６ｃ－１より大きく形成される。
　実施例１－３の変形例１のように、開口１６６ｃ－１を開口１６６ｃ－２より小さく形成することにより、開口１６６ｃ－１側へ流れる蒸着材料ガスの流量を抑制することができる。その結果、実施例１－３の変形例１の蒸着ヘッドによれば、開口１６６ｃ－１及び開口１６６ｃ－２から流出する蒸着材料ガスの流量を均一にすることができる。
　なお、実施例１－３では、開口１６６ｃの形成位置、又は開口径を左右非対称にする例を示したが、これらを組み合わせることもできる。また、実施例１－３では、開口１６６ｃの形成位置、又は開口径を左右非対称にする例を示したが、これに限らず、開口１６４ｃの形成位置又は開口径を、開口１６６ｃの場合と同様に左右非対称にすることもできる。
　次に、実施例１－４の蒸着ヘッドについて説明する。図５－２３は、実施例１－４を示す図である。図５－２３の（ｂ）は、実施例１－４の蒸着ヘッドの構成のうち、蒸着材料ガスの分岐部とその周辺の構成を示した縦断面図である。図５－２３の（ａ）は、図５－２３の（ｂ）に示した蒸着ヘッドの第２の分散板１６３ｃを上面から見た平面図である。実施例１－４の蒸着ヘッドは、図５－４に示した蒸着ヘッドを基本的には前提構成としているが、開口１６４ｃの、蒸着材料ガスの流れの順方向に交差する方向の開口幅を、蒸着材料ガスの流れの順方向に沿って狭くする点が異なる。以下、説明の便宜上、蒸着ヘッドの構成のうち、蒸着材料ガスの分岐部とその周辺の構成を主体に説明を行う。
　図５－２３に示すように、開口１６４ｃは、蒸着材料の流れ方向に交差する方向の開口幅１８５ｃが、蒸着材料の流れ方向に沿って狭くなるように形成される。言い換えると、蒸着材料の流れ方向に交差する方向の開口幅１８５ｃが、第３の分散板１６５ｃの、蒸着材料の流れ方向の反対側に形成された開口１６６ｃ－２から蒸着材料の流れ方向側に形成された開口１６６ｃ－１へ向かう方向に沿って狭くなる。
　開口１６４ｃから下流側のガス流路へ向かう蒸着材料ガスは、上流側のガス流路におけるガス流れ方向による慣性力の影響で、開口１６６ｃ－１側へ流れ易くなる。この点、実施例１－４のように、開口１６４ｃの開口幅１８５ｃを、蒸着材料の流れ方向側に形成された開口１６６ｃ－１へ向かう方向に沿って狭くすることにより、開口１６６ｃ－１側へ流れる蒸着材料ガスの流量を抑制することができる。その結果、実施例１－４の蒸着ヘッドによれば、開口１６６ｃ－１及び開口１６６ｃ－２から流出する蒸着材料ガスの流出量を均等に調整することができる。
　次に、実施例１－４の蒸着ヘッドの変形例について説明する。図５－２４は、実施例１－４の変形例１を示す図である。図５－２４の（ｂ）は、実施例１－４の変形例１の蒸着ヘッドの構成のうち、蒸着材料ガスの分岐部とその周辺の構成を示した縦断面図である。図５－２４の（ａ）は、図５－２４の（ｂ）に示した蒸着ヘッドの第２の分散板１６３ｃを上面から見た平面図である。図５－２４に示すように、変形例１では、開口１６４ｃは、蒸着材料の流れ方向に交差する方向に対向する一対の周縁１６４ｃ－ａ，１６４ｃ－ｂが、蒸着材料の流れ方向に沿って近づくように形成される。このように、開口１６４ｃの形状を調整することにより、蒸着材料の流れ方向に交差する方向の開口幅１８５ｃが、第３の分散板１６５ｃの開口１６６ｃ－２から開口１６６ｃ－１へ向かう方向に沿って狭くなる。
　実施例１－４の変形例１のように、蒸着材料の流れ方向に交差する方向に対向する一対の周縁１６４ｃ－ａ，１６４ｃ－ｂが、蒸着材料の流れ方向に沿って近づくように開口１６４ｃを形成することにより、開口１６６ｃ－１側へ流れる蒸着材料ガスの流量を抑制することができる。その結果、実施例１－４の変形例１の蒸着ヘッドによれば、開口１６６ｃ－１及び開口１６６ｃ－２から流出する蒸着材料ガスの流出量を均等に調整することができる。
　図５－２５は、実施例１－４の変形例２を示す図である。図５－２５の（ｂ）は、実施例１－４の変形例２の蒸着ヘッドの構成のうち、蒸着材料ガスの分岐部とその周辺の構成を示した縦断面図である。図５－２５の（ａ）は、図５－２５の（ｂ）に示した蒸着ヘッドの第２の分散板１６３ｃを上面から見た平面図である。図５－２５に示すように、変形例２では、開口１６４ｃは、蒸着材料の流れ方向に交差する方向に対向する一対の周縁１６４ｃ－ａ，１６４ｃ－ｂのうち周縁１６４ｃ－ｂが、蒸着材料の流れ方向に沿って周縁１６４ｃ－ａに近づくように形成される。このように、開口１６４ｃの形状を調整することにより、蒸着材料の流れ方向に交差する方向の開口幅１８５ｃが、第３の分散板１６５ｃの開口１６６ｃ－２から開口１６６ｃ－１へ向かう方向に沿って狭くなる。
　実施例１－４の変形例２のように、蒸着材料の流れ方向に交差する方向に対向する一対の周縁１６４ｃ－ａ，１６４ｃ－ｂのうち一方の周縁が、蒸着材料の流れ方向に沿って他方の周縁に近づくように開口１６４ｃを形成することにより、開口１６６ｃ－１側へ流れる蒸着材料ガスの流量を抑制することができる。その結果、実施例１－４の変形例１の蒸着ヘッドによれば、開口１６６ｃ－１及び開口１６６ｃ－２から流出する蒸着材料ガスの流出量を均等に調整することができる。
　なお、実施例１－４では、開口１６４ｃの、蒸着材料ガスの流れの順方向に交差する方向の開口幅を狭くする例を示したが、これに限らず、開口１６２ｃ又は開口１６６ｃの、蒸着材料ガスの流れの順方向に交差する方向の開口幅を狭くすることもできる。
　次に、実施例１－５の蒸着ヘッドについて説明する。図５－２６は、実施例１－５を示す図である。実施例１－５の蒸着ヘッドは、図５－４に示した蒸着ヘッドを前提構成としており、蒸着材料ガスを分岐させる分岐部に、蒸着材料ガスが２方向に分岐された下流側のガス流路の断面積を調整する流路断面積調整板が設けられる。以下、説明の便宜上、蒸着ヘッドの構成のうち、蒸着材料ガスの分岐部とその周辺の構成を主体に説明を行う。
　図５－２６に示すように、流路断面積調整板１８７ｃは、第２の分散板１６３ｃの開口１６４ｃの周縁のうち蒸着材料ガスの流れ方向側に形成された開口１６６ｃ－１に最も近い周縁から第３の分散板１６５ｃへ向けて、第３の分散板１６５ｃに到達しない長さで立設される。
　開口１６４ｃから下流側のガス流路へ流出した蒸着材料ガスは、上流側のガス流路におけるガス流れ方向により慣性力の影響で、開口１６６ｃ－１側へ流れ易くなる。この点、実施例１－５のように、流路断面積調整板１８７ｃを設けることによって、蒸着材料ガスが２方向に分岐された下流側のガス流路の断面積を調整することができる。その結果、実施例１－５の蒸着ヘッドによれば、開口１６６ｃ－１側へ流れる蒸着材料ガスの流量を抑制することができるので、開口１６６ｃ－１及び開口１６６ｃ－２から流出する蒸着材料ガスの流出量を均等に調整することができる。
　次に、実施例１－５の蒸着ヘッドの変形例について説明する。図５－２７は、実施例１－５の変形例１を示す図である。図５－２７に示すように、変形例１では、流路断面積調整板１８７ｃは、第３の分散板１６５ｃの板面から、第２の分散板１６３ｃの開口１６４ｃの周縁のうち蒸着材料ガスの流れ方向側に形成された開口１６６ｃ－１に最も近い周縁へ向けて、開口１６６ｃ－１に最も近い周縁に到達しない長さで立設される。
　開口１６４ｃから下流側のガス流路へ流出した蒸着材料ガスは、上流側のガス流路におけるガス流れ方向により慣性力の影響で、開口１６６ｃ－１側へ流れ易くなる。この点、実施例１－５のように、流路断面積調整板１８７ｃを設けることによって、開口１６４ｃから開口１６６ｃ－１へ至る区間における下流側のガス流路の断面積を、開口１６４ｃから開口１６６ｃ－２へ至る区間における下流側のガス流路の断面積よりも小さくすることができる。その結果、実施例１－５の変形例１の蒸着ヘッドによれば、開口１６６ｃ－１側へ流れる蒸着材料ガスの流量を抑制することができるので、開口１６６ｃ－１及び開口１６６ｃ－２から流出する蒸着材料ガスの流出量を均等に調整することができる。
　以上説明したように、実施例１の蒸着ヘッドは、蒸着材料ガスを多段階に順次２方向に分岐させる分散部１６０ｃを有し、分散部１６０ｃが、蒸着材料ガスの流れの順方向の幾何学的コンダクタンスが逆方向の幾何学的コンダクタンスよりも小さくなるように形成される。ここでいう幾何学的コンダクタンスとは、流れの慣性を考慮しないコンダクタンスのことを意味する。このようにすれば、慣性を考慮した場合のコンダクタンスを順方向と逆方向とで同じにすることができ、その結果両方向への流量を等しくすることができる。例えば、分散部１６０ｃは、多段の分散板の各段における開口の開口幅や、ガスの流路の断面積が順方向に沿って絞られるように形成される。その結果、実施例１の蒸着ヘッドによれば、トーナメント状に分岐された複数の蒸着材料ガスの流路から流出する蒸着材料ガスの均一性を向上することができる。
　１０…成膜装置、１１…処理容器、１２…処理室、１６ａ～１６ｆ…蒸着ヘッド、２０ａ～２０ｆ…ガス供給源、１０１，２０１，３０１，４０１…第１～第４蒸気発生部、１２０，２２０，３２０，４２０…第１～第４収容容器、１２５ａ，１２５ｂ，２２５ａ，２２５ｂ，３２５ａ，３２５ｂ，４１５，４１５ａ，４１５ｂ…ヒータ（加熱部）、６００…ガス排出系統（排出管）、７００…ガス導入系統（ガス導入路）、Ｌ１２，Ｌ２２，Ｌ３２，Ｌ４２…輸送管（個別輸送管）、Ｌ４０…輸送管（共通輸送管）、Ｖ１０１，Ｖ２０１，Ｖ３０１，Ｖ４０１…バルブ、Ｓ…基板、１６０ｃ…分散部、１６１ｃ，１６３ｃ，１６５ｃ…分散板、１６２ｃ，１６４ｃ，１６６ｃ…開口、１６７ｃ，１６８ｃ，１６９ｃ…ガス流路、１７８ｃ…中間流路、１７８ｃ－２…開口幅、１７８ｃ－１…流路長、１８０ｃ…分岐調整板、１８１ｃ…固定板、１８２ｃ…開口、１８３ｃ…固定枠、１８４ｃ…水平板、１８７ｃ…流路断面積調整板。

Claims (22)

  1. 　輸送管を介して輸送された蒸着材料の蒸気を含むガスを分散させる分散部と、
    　前記分散部によって分散された蒸着材料の蒸気を含むガスを噴射するノズルと、を備えた蒸着ヘッドにおいて、
    　前記分散部は、
    　前記輸送管を介して輸送された蒸着材料の蒸気を含むガスを２方向に分岐させる第１のガス流路と、
    　前記第１のガス流路によって２方向に分岐された蒸着材料の蒸気を含むガスをそれぞれ多段階に順次２方向に分岐させる第２のガス流路と、
    　前記第２のガス流路における前記蒸着材料の蒸気を含むガスを分岐させるガス分岐部に設けられ、前記蒸着材料の蒸気を含むガスの２方向への分岐流量を調整する分岐調整板と、
    　を備えることを特徴とする蒸着ヘッド。
  2. 　前記第２のガス流路は、
    　前記蒸着材料の蒸気を含むガスを下流側のガス流路へ連通する第１の開口が形成された第１の分散板と、
    　前記第１の開口から流入した蒸着材料の蒸気を含むガスをさらに下流側のガス流路へ連通する２つの第２の開口が形成された第２の分散板と、を含み、
    　前記分岐調整板は、
    　前記第２の分散板から前記第１の開口へ向けて、前記第１の開口に到達しない長さで立設されるとともに、前記第１の開口の中央部に対応する位置から前記蒸着材料の蒸気を含むガスの流れ方向にシフトした位置に立設される
    　ことを特徴とする請求項１に記載の蒸着ヘッド。
  3. 　前記第２のガス流路は、
    　前記蒸着材料の蒸気を含むガスを下流側のガス流路へ連通する第１の開口が形成された第１の分散板と、
    　前記第１の開口から流入した蒸着材料の蒸気を含むガスをさらに下流側のガス流路へ連通する２つの第２の開口が形成された第２の分散板と、を含み、
    　前記分岐調整板は、
    　前記第２の分散板から前記第１の開口へ向けて、前記第１の開口に到達する長さで立設されるとともに、前記第１の開口の中央部に対応する位置から前記蒸着材料の蒸気を含むガスの流れ方向の反対側の方向にシフトした位置に立設される
    　ことを特徴とする請求項１に記載の蒸着ヘッド。
  4. 　前記分岐調整板には、開口が形成される
    　ことを特徴とする請求項１に記載の蒸着ヘッド。
  5. 　前記第２のガス流路は、
    　前記蒸着材料の蒸気を含むガスを下流側のガス流路へ連通する第１の開口が形成された第１の分散板と、
    　前記第１の開口から流入した蒸着材料の蒸気を含むガスをさらに下流側のガス流路へ連通する２つの第２の開口が形成された第２の分散板と、を含み、
    　前記分岐調整板は、
    　前記第２の分散板から前記第１の開口を介して上流側のガス流路に到達する長さで立設されるとともに、前記上流側のガス流路において、前記分岐調整板から前記蒸着材料の蒸気を含むガスの流れ方向の上流側へ向けて延伸する水平部を有する
    　ことを特徴とする請求項１に記載の蒸着ヘッド。
  6. 　前記第２のガス流路は、
    　前記蒸着材料の蒸気を含むガスを下流側のガス流路へ連通する第１の開口が形成された第１の分散板と、
    　前記第１の開口から流入した蒸着材料の蒸気を含むガスをさらに下流側のガス流路へ連通する２つの第２の開口が形成された第２の分散板と、を含み、
    　前記分岐調整板は、
    　前記第１の分散板の前記第１の開口の周縁から前記第２の分散板へ向けて、前記第２の分散板に到達しない長さで立設されるとともに、前記第１の開口の中央部の位置から前記蒸着材料の蒸気を含むガスの流れ方向にシフトした位置に立設される
    　ことを特徴とする請求項１に記載の蒸着ヘッド。
  7. 　前記第２のガス流路は、
    　前記蒸着材料の蒸気を含むガスを下流側のガス流路へ連通する第１の開口が形成された第１の分散板と、
    　前記第１の開口から流入した蒸着材料の蒸気を含むガスをさらに下流側のガス流路へ連通する２つの第２の開口が形成された第２の分散板と、を含み、
    　前記第２のガス流路における前記蒸着材料の蒸気を含むガスを分岐させるガス分岐部には、前記分岐調整板が複数設けられ、
    　各前記分岐調整板は、
    　前記第１の分散板の前記第１の開口の周縁から前記第２の分散板へ向けて、前記第２の分散板に到達しない長さで立設されるとともに、前記蒸着材料の蒸気を含むガスの流れ方向に沿って前記長さが長くなるように形成される
    　ことを特徴とする請求項１に記載の蒸着ヘッド。
  8. 　輸送管を介して輸送された蒸着材料の蒸気を含むガスを分散させる分散部と、
    　前記分散部によって分散された蒸着材料の蒸気を含むガスを噴射するノズルと、を備えた蒸着ヘッドにおいて、
    　前記分散部は、
    　前記輸送管を介して輸送された蒸着材料の蒸気を含むガスを２方向に分岐させる第１のガス流路と、
    　前記第１のガス流路によって２方向に分岐された蒸着材料の蒸気を含むガスをそれぞれ多段階に順次２方向に分岐させる第２のガス流路と、を有し、
    　前記第２のガス流路は、
    　前記蒸着材料の蒸気を含むガスを下流側のガス流路へ連通する第１の開口が形成された第１の分散板と、
    　前記第１の開口から流入した蒸着材料の蒸気を含むガスをさらに下流側のガス流路へ連通する２つの第２の開口が形成された第２の分散板と、を含み、
    　前記第２の開口は、
    　前記第２の分散板の前記第１の開口の中央部に対応する位置から前記蒸着材料の蒸気を含むガスの流れ方向側に形成された一方の第２の開口までの距離が、前記第２の分散板の前記第１の開口の中央部に対応する位置から前記蒸着材料の蒸気を含むガスの流れ方向の反対側に形成された他方の第２の開口までの距離より長くなるように形成されるか、または、或いはかつ、前記他方の第２の開口は、前記一方の第２の開口より大きく形成される
    　ことを特徴とする蒸着ヘッド。
  9. 　前記第２のガス流路は、前記蒸着材料の蒸気を含むガスが２方向に分岐されていない上流側のガス流路と２方向に分岐された下流側のガス流路とを結ぶ中間流路の流路長と、前記中間流路の前記蒸着材料の蒸気を含むガスを流出する開口の開口幅との比（前記流路長／前記開口幅）で表されるアスペクト比が、０．５以下である
    　ことを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の蒸着ヘッド。
  10. 　前記第２のガス流路は、前記蒸着材料の蒸気を含むガスが２方向に分岐されていない上流側のガス流路と２方向に分岐された下流側のガス流路とを結ぶ中間流路の流路長と、前記中間流路の前記蒸着材料の蒸気を含むガスを流出する開口の開口幅との比（前記流路長／前記開口幅）で表されるアスペクト比が、０．２以下である
    　ことを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の蒸着ヘッド。
  11. 　前記第２のガス流路は、前記上流側のガス流路の断面積より、前記下流側のガス流路の断面積のほうが小さく形成される
    　ことを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の蒸着ヘッド。
  12. 　輸送管を介して輸送された蒸着材料の蒸気を含むガスを分散させる分散部と、
    　前記分散部によって分散された蒸着材料の蒸気を含むガスを噴射するノズルと、を備えた蒸着ヘッドにおいて、
    　前記分散部は、
    　前記輸送管を介して輸送された蒸着材料の蒸気を含むガスを２方向に分岐させる第１のガス流路と、
    　前記第１のガス流路によって２方向に分岐された蒸着材料の蒸気を含むガスをそれぞれ多段階に順次２方向に分岐させる第２のガス流路と、を有し、
    　前記第２のガス流路は、前記蒸着材料の蒸気を含むガスが２方向に分岐されていない上流側のガス流路と２方向に分岐された下流側のガス流路とを結ぶ中間流路の流路長と、前記中間流路の前記蒸着材料の蒸気を含むガスを流出する開口の開口幅との比（前記流路長／前記開口幅）で表されるアスペクト比が、０．５以下である
    　ことを特徴とする蒸着ヘッド。
  13. 　前記第２のガス流路は、前記アスペクト比が、０．２以下である
    　ことを特徴とする請求項１２に記載の蒸着ヘッド。
  14. 　前記第２のガス流路は、前記上流側のガス流路の断面積より、前記下流側のガス流路の断面積のほうが小さく形成される
    　ことを特徴とする請求項１２又は１３に記載の蒸着ヘッド。
  15. 　輸送管を介して輸送された蒸着材料の蒸気を含むガスを分散させる分散部と、
    　前記分散部によって分散された蒸着材料の蒸気を含むガスを噴射するノズルと、を備えた蒸着ヘッドにおいて、
    　前記分散部は、
    　前記輸送管を介して輸送された蒸着材料の蒸気を含むガスを２方向に分岐させる第１のガス流路と、
    　前記第１のガス流路によって２方向に分岐された蒸着材料の蒸気を含むガスをそれぞれ多段階に順次２方向に分岐させる第２のガス流路と、を有し、
    　前記第２のガス流路は、
    　前記蒸着材料の蒸気を含むガスを下流側のガス流路へ連通する第１の開口が形成された第１の分散板と、
    　前記第１の開口から流入した蒸着材料の蒸気を含むガスをさらに下流側のガス流路へ連通する２つの第２の開口が形成された第２の分散板と、を含み、
    　前記第２のガス流路は、前記上流側のガス流路の断面積より、前記下流側のガス流路の断面積のほうが小さく形成される
    　ことを特徴とする蒸着ヘッド。
  16. 　輸送管を介して輸送された蒸着材料の蒸気を含むガスを分散させる分散部と、
    　前記分散部によって分散された蒸着材料の蒸気を含むガスを噴射するノズルと、を備えた蒸着ヘッドにおいて、
    　前記分散部は、
    　前記輸送管を介して輸送された蒸着材料の蒸気を含むガスを２方向に分岐させる第１のガス流路と、
    　前記第１のガス流路によって２方向に分岐された蒸着材料の蒸気を含むガスをそれぞれ多段階に順次２方向に分岐させる第２のガス流路と、を有し、
    　前記第２のガス流路は、
    　前記蒸着材料の蒸気を含むガスを下流側のガス流路へ連通する第１の開口が形成された第１の分散板と、
    　前記第１の開口から流入した蒸着材料の蒸気を含むガスをさらに下流側のガス流路へ連通する２つの第２の開口が形成された第２の分散板と、を含み、
    　前記第１の開口及び前記第２の開口のうち少なくともいずれか一方の開口は、
    　前記蒸着材料の蒸気を含むガスの流れ方向に交差する方向の開口幅が、前記蒸着材料の蒸気を含むガスの流れ方向に沿って狭くなるように形成される
    　ことを特徴とする蒸着ヘッド。
  17. 　前記第１の開口及び前記第２の開口のうち少なくともいずれか一方の開口は、
    　前記蒸着材料の蒸気を含むガスの流れ方向に交差する方向に対向する一対の周縁が、前記蒸着材料の蒸気を含むガスの流れ方向に沿って近づくように形成される
    　ことを特徴とする請求項１６に記載の蒸着ヘッド。
  18. 　前記第１の開口及び前記第２の開口のうち少なくともいずれか一方の開口は、
    　前記蒸着材料の蒸気を含むガスの流れ方向に交差する方向に対向する一対の周縁のうち一方の周縁が、前記蒸着材料の蒸気を含むガスの流れ方向に沿って他方の周縁に近づくように形成される
    　ことを特徴とする請求項１６に記載の蒸着ヘッド。
  19. 　輸送管を介して輸送された蒸着材料の蒸気を含むガスを分散させる分散部と、
    　前記分散部によって分散された蒸着材料の蒸気を含むガスを噴射するノズルと、を備えた蒸着ヘッドにおいて、
    　前記分散部は、
    　前記輸送管を介して輸送された蒸着材料の蒸気を含むガスを２方向に分岐させる第１のガス流路と、
    　前記第１のガス流路によって２方向に分岐された蒸着材料の蒸気を含むガスをそれぞれ多段階に順次２方向に分岐させる第２のガス流路と、
    　前記第２のガス流路における前記蒸着材料の蒸気を含むガスを分岐させるガス分岐部に設けられ、前記蒸着材料の蒸気を含むガスが２方向に分岐された下流側のガス流路の断面積を調整する流路断面積調整板と、
    　を備えることを特徴とする蒸着ヘッド。
  20. 　前記第２のガス流路は、
    　前記蒸着材料の蒸気を含むガスを下流側のガス流路へ連通する第１の開口が形成された第１の分散板と、
    　前記第１の開口から流入した蒸着材料の蒸気を含むガスをさらに下流側のガス流路へ連通する２つの第２の開口が形成された第２の分散板と、を含み、
    　前記流路断面積調整板は、
    　前記第１の分散板の前記第１の開口の周縁のうち前記蒸着材料の蒸気を含むガスの流れ方向側に形成された一方の第２の開口に最も近い周縁から前記第２の分散板へ向けて、前記第２の分散板に到達しない長さで立設される
    　ことを特徴とする請求項１９に記載の蒸着ヘッド。
  21. 　前記流路断面積調整板は、
    　前記第２の分散板から、前記第１の分散板の前記第１の開口の周縁のうち前記蒸着材料の蒸気を含むガスの流れ方向側に形成された一方の第２の開口に最も近い周縁へ向けて、前記一方の第２の開口に最も近い周縁に到達しない長さで立設される
    　ことを特徴とする請求項１９に記載の蒸着ヘッド。
  22. 　請求項１、８、１２、１５、１６又は１９に記載の蒸着ヘッドを有する蒸着装置。
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