TW201341555A - 蒸鍍頭及蒸鍍裝置 - Google Patents

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TW201341555A
TW201341555A TW102105254A TW102105254A TW201341555A TW 201341555 A TW201341555 A TW 201341555A TW 102105254 A TW102105254 A TW 102105254A TW 102105254 A TW102105254 A TW 102105254A TW 201341555 A TW201341555 A TW 201341555A
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TW
Taiwan
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vapor deposition
gas
opening
deposition material
vapor
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TW102105254A
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English (en)
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Kiyotaka Ishibashi
Yasuaki Sakakibara
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition

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Abstract

蒸鍍頭係具備有將透過輸送管所輸送之蒸鍍材料氣體分歧至2方向之第1氣體流道、將因第1氣體流道所分歧至2方向之蒸鍍材料氣體分別多階段地依序分歧至2方向之第2氣體流道。第2氣體流道係具備有形成有將蒸鍍材料氣體朝下游側之氣體流道連通之開口的分散板、形成有將來自開口所流入之蒸鍍材料氣體進一步地朝下游側之氣體流道連通之2個開口的分散板。又，分散板係設有朝開口所立設，來調整蒸鍍材料氣體朝2方向之分歧流量的分歧調整板。

Description

蒸鍍頭及蒸鍍裝置
本發明之各種面相及實施形態係關於一種蒸鍍頭及蒸鍍裝置。
蒸鍍材料之成膜裝置係將蒸氣產生部所產生之蒸鍍材料(例如，有機材料)之蒸氣與輸送氣體一同地朝蒸鍍頭輸送。蒸鍍頭具有噴嘴，藉由將包含蒸鍍材料的蒸氣之氣體(以下，適當地稱為「蒸鍍材料氣體」)從噴嘴噴射而附著於基板，來將蒸鍍材料成膜於基板上。蒸鍍材料為例如有機EL(Electro-Luminescence)元件等之有機材料。
此處，蒸鍍頭有具有將蒸鍍材料氣體加以分散之構造的情況。例如，已知蒸鍍頭有將所輸送之蒸鍍材料的氣體之流道分歧為2方向，將分歧為2方向之各蒸鍍材料氣體之流道再分歧為2方向之樹狀氣體流道者。蒸鍍材料氣體會藉由形成為樹狀之氣體流道而階段性地分歧、分散而從複數氣體流道流出，透過噴嘴而朝基板噴射。
【先前技術文獻】
專利文獻1：日本特開平9-157848號公報
然而，單就將蒸鍍材料氣體之流道形成為樹狀的情況，以蒸鍍材料氣體流動的慣性力影響，會有損及從所分歧之複數蒸鍍材料氣體流道所流出之蒸鍍材料的均勻性之情況。
本發明一面相相關之蒸鍍頭，係具備有：分散部，係將包含有透過輸送管所輸送之蒸鍍材料的蒸氣之氣體加以分散；以及噴嘴，係將包含有藉由該分散部所分散之蒸鍍材料的蒸氣之氣體加以噴射。該分散部係具備 有：第1氣體流道，係將透過該輸送管所輸送之蒸鍍材料的蒸氣之氣體分歧至2方向；以及第2氣體流道，係將因該第1氣體流道所分歧至2方向之蒸鍍材料的蒸氣之氣體分別多階段地依序分歧至2方向。又，該分散部係具備有設置於該第2氣體流道中將包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體加以分歧的氣體分歧部，來調整包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體朝2方向之分歧流量之分歧調整板。
依本發明各種面相及實施形態，便能實現可將從樹狀分歧之複數蒸鍍材料氣體流道所流出之蒸鍍材料氣體的均勻性加以提升之蒸鍍頭。
10‧‧‧成膜裝置
11‧‧‧處理容器
12‧‧‧處理室
16a~16f‧‧‧蒸鍍頭
20a~20f‧‧‧氣體供給源
101,201,301,401‧‧‧第1~第4蒸氣產生部
120,220,320,420‧‧‧第1~第4收納容器
125a,125b,225a,225b,325a,325b,415,415a,415b‧‧‧加熱器(加熱部)
600‧‧‧氣體排出系統(排出管)
700‧‧‧氣體導入系統(氣體導入路徑)
L12,L22,L32,L42‧‧‧輸送管(個別輸送管)
L40‧‧‧輸送管(共通輸送管)
V101,V201,V301,V401‧‧‧閥
S‧‧‧基板
160c‧‧‧分散部
161c,163c,165c‧‧‧分散板
162c,164c,166c‧‧‧開口
167c,168c,169c‧‧‧氣體流道
178c‧‧‧中間流道
178c-2‧‧‧開口寬度
178c-1‧‧‧流道長度
180c‧‧‧分歧調整板
181c‧‧‧固定板
182c‧‧‧開口
183c‧‧‧固定框
184c‧‧‧水平板
187c‧‧‧流道剖面積調整板
圖1係概略顯示一實施形態相關之成膜裝置的圖式。
圖2係顯示一實施形態相關之蒸鍍頭的立體圖。
圖3係顯示使用一實施形態相關之成膜裝置所製造之有機EL元件的完成狀態一範例的圖式。
圖4係概略顯示一實施形態相關之氣體供給源之圖式。
圖5-1係顯示習知技術之圖式。
圖5-2係顯示習知技術之圖式。
圖5-3係顯示習知技術之圖式。
圖5-4係顯示實施例1-1之圖式。
圖5-5係用以說明縱寬比之圖式。
圖5-6係顯示關於實施例1-1的模擬條件之圖式。
圖5-7係顯示實施例1-1之效果(模擬結果)的圖表。
圖5-8係顯示實施例1-1之變形例1的圖式。
圖5-9係顯示實施例1-1之變形例2的圖式。
圖5-10係顯示實施例1-1之變形例3的圖式。
圖5-11係顯示實施例1-2的圖式。
圖5-12係顯示實施例1-2之變形例1的圖式。
圖5-13係顯示實施例1-2之變形例2的圖式。
圖5-14係顯示實施例1-2之變形例3的圖式。
圖5-15係顯示實施例1-2之變形例4的圖式。
圖5-16係顯示實施例1-2之變形例5的圖式。
圖5-17係顯示實施例1-2之效果(模擬結果)的圖式。
圖5-18係顯示實施例1-2效果之比較例的圖式。
圖5-19係顯示實施例1-3的圖式。
圖5-20係顯示實施例1-3之變形例1的圖式。
圖5-21係顯示實施例1-2之變形例6的圖式。
圖5-22係顯示實施例1-2之變形例7的圖式。
圖5-23係顯示實施例1-4的圖式。
圖5-24係顯示實施例1-4之變形例1的圖式。
圖5-25係顯示實施例1-4之變形例2的圖式。
圖5-26係顯示實施例1-5的圖式。
圖5-27係顯示實施例1-5之變形例1的圖式。
以下，便參照圖式就各種實施形態來詳細說明。另外，各圖式中係對相同或相當部分賦予相同符號。
圖1係概略顯示一實施形態相關之成膜裝置的圖式。圖1係表示XYZ正交座標系統。圖1所示之成膜裝置10係具備有區劃收納基板S之處理室12的處理容器11、以及保持基板S的台座14。基板S的一面(成膜面)在例如鉛直方向(Z方向)中係朝下。亦即，成膜裝置10係面向下型之成膜裝置。台座14亦可內建有保持基板S之靜電夾具。另外，在其他實施形態中，成膜裝置亦可為將包含蒸鍍材料的蒸氣之氣體吹向面向上之成膜面型，亦即面向上型之成膜裝置。處理容器11係透過管12g而連接有真空泵27，藉由該真空泵27，可將處理室12內減壓。
成膜裝置10係具備有具有將包含蒸鍍材料的蒸氣之氣體G噴附於基板S的噴嘴18c之蒸鍍頭16c。成膜裝置10亦可進一步地具備分別地具有與噴嘴18c為相同構造的噴嘴18a,18b,18d,18e,18f之蒸鍍頭16a,16c,16d,16f。亦可從噴嘴18a,18b,18d,18e,18f噴出與噴嘴18c所噴出之蒸鍍材料為不同之蒸鍍材料，且相互不同之蒸鍍材料。藉此，便可在基板S上連續地蒸鍍複數種類之膜。
蒸鍍頭16a~16f係分別連接有供給包含蒸鍍材料的蒸氣之氣體的氣體供給源20a~20f。例如，從氣體供給源20c將氣體G供給至蒸鍍頭16c。噴嘴18a~18f的前端係形成有例如圓形之噴射口。從該噴射口將包含蒸鍍材料之氣體加以噴射。噴嘴18a~18f之噴射口的對向位置亦可分別配置有可遮擋蒸鍍材料之擋門17a~17f。圖1中，由於擋門17c係開啟的，故從噴嘴18c之噴射口所噴出之氣體G便會到達基板S。由於擋門17a,17b,17d,17e,17f係關閉的，故從噴嘴18a,18b,18d,18e,18f之噴射口所噴出之氣體便不會到達基板S。擋門17a~17f係例如以沿著Y方向之旋轉軸為中心旋轉。藉此，便可將擋門17a~17f依需要來配置於噴嘴18a~18f之噴射口上或從該噴射口上退開。
成膜裝置10係具備有將台座14驅動於與Y方向交叉之X方向的驅動裝置22。又，成膜裝置10更可具備有軌道24。軌道24係組裝於處理容器11之內壁。台座14係例如藉由支撐部14a而連接於軌道24。台座14及支撐部14a係藉由驅動裝置22而在軌道24上滑移。藉此，基板會相對於噴嘴18a~18f而移動於X方向。基板S藉由移動於X方向，便會依序地對向配置於噴嘴18a~18f之開口。圖1中箭頭A係表示台座14之移動方向。又，成膜裝置10之處理容器11係具有閘閥26a及26b。基板S可通過處理容器11所形成之閘閥26a來導入至處理室12內，而可通過處理容器11所形成之閘閥26b來搬出至處理室12外。
圖2係顯示一實施形態相關之蒸鍍頭的立體圖。如圖2所示，蒸鍍頭16c在一實施形態中，可具有複數噴射口14c。從複數噴射口14c將氣體供給源20c所供給之氣體噴射於Z方向之軸線中心。該等噴射口14c可配列於台座14之移動方向(X方向)的交叉方向(Y方向)。
又，蒸鍍頭16c係內建有加熱器15。一實施形態中，加熱器15會將蒸鍍頭16c加熱至無法析出作為蒸氣而被供給至蒸鍍頭16c之蒸鍍材料的溫度。
圖3係顯示使用一實施形態相關之成膜裝置所製造之有機EL元件(Electro Luminescence)的完成狀態一範例的圖式。圖3所示之有機EL元件D可具備有基板S、第1層D1、第2層D2、第3層D3、第4層D4及第5層D5。基板S係玻璃基板般之光學性透明的基板。
基板S一主面上，係設有第1層D1。第1層D1可用作為陽極層。此第1層D1係光學性透明之電極層，可由例如ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)般之導電性材料所構成。第1層D1例如係由濺鍍法所形成。
第1層D1上依序層積有第2層D2、第3層D3以及第4層D4。第2層D2、第3層D3以及第4層D4為有機層。第2層D2可為孔洞注入層。第3層D3為發光層，例如可包含有孔洞輸送層D3a、藍發光層D3b、紅光層D3c、綠光層D3d。又，第4層D4可為電子輸送層。可使用成膜裝置10來形成為有機層之第2層D2、第3層D3及第4層D4。
第2層D2可藉由例如TPD等來加以構成。孔洞輸送層D3a可藉由例如α-NPD等來加以構成。藍發光層D3b可藉由例如TPD等來加以構成。紅發光層D3c可藉由例如DCJTB等來加以構成。綠發光層D3d可藉由例如Alq3等來加以構成。第4層D4可藉由例如LiF等來加以構成。
第4層D4上係設有第5層D5。第5層D5為陰極層，可藉由例如Ag、Al等來加以構成。第5層D5可藉由濺鍍法等來形成。此般構成之元件D進一步地可藉由以微波電漿CVD等所形成之所謂SiN材料之絕緣性封裝膜來加以封裝。
接著，就氣體供給源20a~20f來詳細說明。另外，氣體供給源20a~20f可具有同樣的構成，故以下說明中，乃就氣體供給源20c加以說明，就其他氣體供給源之說明則省略。圖4係概略顯示一實施形態相關之氣體供給源之圖式。如圖4所示，氣體供給源20c係具備有輸送管L11,L21,L31、輸送管(個別輸送管)L12,L22,L32、輸送管(共通輸送管)L40、第1蒸氣產生部101、第2蒸氣產生部201、第3蒸氣產生部301、第1收納容器120、第2收納容器220以及第3收納容器320。
第1蒸氣產生部101係收納於藉由第1收納容器120所區劃之收納室R1內。同樣地，2、第3蒸氣產生部201,301係分別收納於藉由第2、第3收納容器220,320所區劃之收納室R2,R3。亦即，第1~第3蒸氣產生部101~301係分別獨立地收納於收納室R1~R3。
第1蒸氣產生部101係具備有藉由分隔壁102所區劃之蒸氣產生室103。蒸氣產生室103內係配置有置入有蒸鍍材料X之容器104。第1蒸氣產生部101設有加熱器105。加熱器105會將置入於容器104之蒸鍍材料X 加熱。藉此，第1蒸氣產生部101內，便會從蒸鍍材料X產生包含該蒸鍍材料X之蒸汽。容器104可透過分別設置於分隔壁102及第1收納容器120之取出口而從第1收納容器120外朝蒸氣產生室103內搬入，以及從蒸氣產生室103內朝第1收納容器120外搬出。
第2、第3蒸氣產生部201,301亦與第1蒸氣產生部101同樣地，分別具備有藉由分隔壁202,302所區劃之蒸氣產生室203,303、以及加熱器205,305。又，第2、第3蒸氣產生部201,301內亦配置有置入有蒸鍍材料X之容器204,304。第2、第3蒸氣產生部201,301內，亦會從蒸鍍材料X產生包含該蒸鍍材料X之蒸汽。容器204,304與容器104同樣地，可從第2、第3收納容器220,320外朝蒸氣產生室203,303內搬入，以及從蒸氣產生室203,303內朝第2、第3收納容器220,320外搬出。第1~第3蒸氣產生部101,201,301內所分別配置之蒸鍍材料X可為同種類之蒸鍍材料。
第1~第3蒸氣產生部101,201,301分別連接有輸送管L11,L21,L31。輸送管L11,L21,L31係將作為載體氣體之氬氣分別輸送至第1~第3蒸氣產生部101,201,301。另外，亦可取代氬氣，而使用其他非活性氣體。又，第1~第3蒸氣產生部101,201,301係分別連接有輸送管L12之一端，L22之一端，L32之一端。輸送管L12之另端，L22之另端，L32之另端係連接至輸送管L40。輸送管L12,L22,L32係將被導入至蒸氣產生室103,203,303內之氬氣以及蒸鍍材料X之蒸氣輸送至處理室12內。輸送管L40係將藉由輸送管L12,22,32而輸送至處理室12內之氬氣及蒸鍍材料X之蒸氣輸送至蒸鍍頭16c。亦即，在第1~第3蒸氣產生部101,201,301所產生之蒸鍍材料X的蒸汽會與被導入至蒸氣產生室103,203,303之氬氣一同地朝蒸鍍頭16c被輸送。
輸送管L11係從接近第1蒸氣產生部101側依序地設置有閥V102、絕熱輸送管140、閥V103、第1MFC(質流控制器)110以及閥104。閥V102,V103,V104係為了選擇性地阻斷輸送管L11內之氬氣的流動而加以使用。第1MFC110係控制輸送管L11內所流動之氬氣的流量。
閥V102及絕熱輸送管140係設於第1收納容器120內之輸送管L11。絕熱輸送管140及閥V102之間的輸送管L11、閥V102，以及閥102與第1蒸氣產生部101之間的輸送管L11係分別組裝有加熱器115a、115b及115c。藉由加熱器115a、115b及115c便可個別地控制組裝有該等加熱器之部分的 溫度。又，藉由該等加熱器，便可以氬氣會成為蒸鍍材料X之氣化溫度所對應之溫度的方式，來加熱收納室R1內之輸送管L11及閥V102。
又，絕熱輸送管140可抑制第1收納容器120外之輸送管L11與第1收納容器120內之輸送管L11之間的熱交換。因此，絕熱輸送管140便會具有較輸送管L11之熱傳導率要低的熱傳導率。例如，輸送管L11為不鏽鋼製，絕熱輸送管140可為石英製。
輸送管L12係從接近第1蒸氣產生部側101依序設置有絕熱輸送管141、以及閥V101。閥V101係設於處理是12內之輸送管L12。閥V101係為了選擇性地阻斷從輸送管L12朝輸送管L40之氬氣及蒸鍍材料X之蒸氣的供給而加以使用。第1蒸氣產生部101與絕熱輸送管141之間的輸送管L12及絕熱輸送管141與閥V101之間的輸送管L12分別組裝有加熱器(加熱部)125a及加熱器(加熱部)125b。藉由加熱器125a及加熱器125b，便可個別地控制組裝有該等加熱器之部分的溫度。藉由該等加熱器，便可將輸送管L12加熱至無法析出蒸鍍材料X的溫度。
又，絕熱輸送管141係設於第1收納容器120內之輸送管L12。絕熱輸送管141可抑制第1收納容器120外之輸送管L12與第1收納容器120內之輸送管L12之間的熱交換。因此，絕熱輸送管141便會具有較輸送管L12之熱傳導率要低的熱傳導率。例如，輸送管L12為不鏽鋼製，絕熱輸送管141可為石英製。
又，輸送管L21係從接近第1蒸氣產生部側101依序設置有絕熱輸送管141、以及閥V101。輸送管L21亦與輸送管L11同樣地，係從接近第2蒸氣產生部201側依序設置有閥V202、絕熱輸送管240、閥V203、第2MFC210以及閥V204。又，絕熱輸送管240與閥V202之間的輸送管L21、閥V202，以及閥V202與第2蒸氣產生部201之間的輸送管L21係分別設有加熱器215a、加熱器215b以及加熱器215c。閥V202、絕熱輸送管240、閥V203、第2MFC210、閥V204、加熱器215a、加熱器215b、加熱器215c之構成及機能係分別與閥V102、絕熱輸送管140、閥V103、第1MFC110、閥V104、加熱器115a、加熱器115b、加熱器115c相同。
又，輸送管L22亦與輸送管L12同樣地，係從接近第2蒸氣產生部201側依序設置有絕熱輸送管241及閥V201。又，第2蒸氣產生部201與絕熱 輸送管241之間的輸送管L22，以及絕熱輸送管241及閥V201之間的輸送管L22係分別設有加熱器(加熱部)225a及加熱器(加熱部)225b。絕熱輸送管241、閥V201、加熱器225a、加熱器225b之構成及機能係分別與絕熱輸送管141、閥V101、加熱器125a、加熱器125b之構成及機能相同。
又，輸送管L31亦與輸送管L11同樣地，係從接近第3蒸氣產生部301側依序設置有閥V302、絕熱輸送管340、閥V303、第3MFC310以及閥V304。又，絕熱輸送管340與閥V302之間的輸送管L31、閥V302，以及閥V302與第3蒸氣產生部301之間的輸送管L31係分別設有加熱器315a、加熱器315b以及加熱器315c。閥V302、絕熱輸送管340、閥V303、第3MFC310、閥V304、加熱器315a、加熱器315b、加熱器315c之構成及機能係分別與閥V102、絕熱輸送管140、閥V103、第1MFC110、閥V104、加熱器115a、加熱器115b、加熱器115c相同。
輸送管L32亦與輸送管L12同樣地，係從接近第3蒸氣產生部301側依序設置有絕熱輸送管341及閥V301。又，第3蒸氣產生部301與絕熱輸送管341之間的輸送管L32，以及絕熱輸送管341及閥V301之間的輸送管L32係分別設有加熱器(加熱部)325a及加熱器(加熱部)325b。絕熱輸送管341、閥V301、加熱器325a、加熱器325b之構成及機能係分別與絕熱輸送管141、閥V101、加熱器125a、加熱器125b之構成及機能相同。
輸送管L40係設有加熱該輸送管L40之加熱器(加熱部)415。加熱器415會將輸送管L40加熱至不會析出已成為蒸氣之蒸鍍材料X。加熱器125a~b，225a~b，415可相互獨立地控制溫度。
又，氣體供給源20c係設有將收納室R1~R3減壓之減壓機構500。更詳細而言，減壓機構500係具備有減壓配管L501、L511、L521、L531、閥V107、V207、V307、渦輪分子泵(TMP)501以及乾式泵(DP)502。
減壓配管L511一端係以和收納室R1連通之方式連接至第1收納室120。同樣地，減壓配管L521一端，L531一端係以和收納室R2,R3連通之方式分別連接至第2、第3收納容器220,320。減壓配管L511、L521及L531各自的另一端係連接至減壓配管L501。此減壓配管L501係連接至渦輪分子泵501及乾式泵502。藉由渦輪分子泵501及乾式泵502的吸引作用，便會透過減壓配管L501,L502將收納室R1減壓，透過減壓配管L501,L521將收 納室R2減壓，透過減壓配管L501,L531將收納室R3減壓。
閥V107,V207,V307係分別設於減壓配管L511,L521,L531。藉由閥V107,V207,V307的開閉，便可選擇性獨立地將收納室R1~R3加以減壓。藉由將收納室R1~R3加以減壓，便可抑制水分等附著在第1~第3蒸氣產生部101,201,301內之蒸鍍材料X。又，會提升收納室R1~R3之絕熱效果。
一實施形態中，成模裝置10可更具備有QCM(Quartz Crystal Microbalance)感應器30。QCM感應器30可設置於處理室12內所配置之基板S附近。QCM感應器30會測量蒸鍍頭16c所噴出之蒸鍍材料X的量。
又，一實施形態中，成模裝置10可更具備有氣體排出系統(排出管)600。氣體排出系統600會個別且選擇性地將來自第1~第3蒸氣產生部101,201,301之氣體非蒸鍍頭16c而是排出至外部。具體而言，氣體排出系統600係具備有排出配管L601,L611,L621,L631、閥V105,V205,V305、絕熱配管142,242,342、以及加熱器155a~c,255a~c,355a~c。
排出配管L611係在絕熱輸送管141與第1蒸氣產生部101之間從輸送管L12加以分歧。排出配管L611會將輸送管L12內所流動之氬氣或蒸鍍材料X之蒸氣非蒸鍍頭16c而是引導至第1收納容器120外。與排出配管L611同樣地，排出配管L621,L631係將輸送管L22,L32內所流動之氬氣或蒸鍍材料X之蒸氣非蒸鍍頭16c而是分別引導至第2、第3收納容器220,320外。
排出配管L611係連接於第1收納容器120外之排出配管L601。同樣地，排出配管L621係連接於第2收納容器220外之排出配管L601。又，同樣地，排出配管L631係連接於第3收納容器320外之排出配管L601。排出配管L601係將被引導至第1~第3收納容器120,220,320外之氬氣或蒸鍍材料X之蒸氣非蒸鍍頭16c而是排出至成膜裝置10外部。
排出配管L611,L621,L631係分別設有閥V105,V205,V305。藉由閥V105的開閉，可將來自第1蒸氣產生部101之氣體選擇性地透過輸送管L12及L40供給至蒸鍍頭16c，或透過排出配管L611及L601來加以排出。同樣地，藉由閥V205的開閉，可將來自第2蒸氣產生部201之氣體選擇性地透過輸送管L22及L40供給至蒸鍍頭16c，或透過排出配管L621及L601來加以排出。又，同樣地，可將來自第3蒸氣產生部301之氣體選擇性地透過輸送管L32及L40供給至蒸鍍頭16c，或透過排出配管L631及L601來加以排出。
成膜裝置10中，係於輸送管L12及閥V105之間的排出配管L611、閥V105，以及閥V105與絕熱配管142之間的排出配管L611分別設有加熱器155a、加熱器155b以及加熱器155c。同樣地，輸送管L22及閥V205之間的排出配管L621、閥V205，以及閥V205及絕熱配管242之間的排出配管L621係分別設有加熱器255a、加熱器255b以及加熱器255c。又，同樣地，輸送管L32及閥V305之間的排出配管L631、閥V305，以及閥V305及絕熱配管342之間的排出配管L631係分別設有加熱器355a、加熱器355b以及加熱器355c。藉由相關構成，便可抑制收納室R1,R2,R3中排出配管L611,L621,L631內部分別析出蒸鍍材料X。
又，第1收納容器120外之排出配管L611與第1收納容器120內之排出配管L611之間係設有絕熱配管142。絕熱配管142會抑制第1收納容器120外之排出配管L611與第1收納容器120內之排出配管L611之間的熱交換。同樣地，第2收納容器220外之排出配管L621與第2收納容器220內之排出配管L621之間係設有絕熱配管242，該絕熱配管242會抑制第2收納容器220外之排出配管L621與第2收納容器220內之排出配管L621之間的熱交換。同樣地，第3收納容器320外之排出配管L631與第3收納容器320內之排出配管L631之間係設有絕熱配管342，該絕熱配管342會抑制第3收納容器320外之排出配管L631與第3收納容器320內之排出配管L631之間的熱交換。例如，排出配管L611,L621,L631為不鏽鋼製，而絕熱配管142,242,342可為石英製。
又，一實施形態中，成膜裝置10可更具備有將吹淨氣體導入至收納室R1~R3內之氣體導入系統(氣體導入路徑)700。此氣體導入系統700係具備有導入配管L701,L711,L721,L731及閥V106,V206,V306。導入配管L701可導入有氮氣(吹淨氣體)。另外，亦可取代氮氣而使用其他氣體。導入配管L711之一端係以和收納室R1連通之方式連接至第1收納容器120。導入配管L711之另端係連接至導入配管L701。同樣地，導入配管L721,L731之一端係以和收納室R1,R2連通之方式分別連接至第2、第3收納容器220,320。導入配管L721,L731之另端係連接至導入配管L701。
導入配管L711,L721,L731係將於導入配管L701所流動之氮氣分別引導至收納室R1~R3內。閥V106,V206,V306係分別設於導入配管 L711,L721,L731。藉由閥V106的開閉，可將於導入配管L701所流動之氮氣選擇性地透過導入配管L711導入至收納室R1，或加以阻擋。同樣地，藉由閥V206的開閉，可將於導入配管L701所流動之氮氣選擇性地透過導入配管L721導入至收納室R2，或加以阻擋。同樣地，藉由閥V306的開閉，可將於導入配管L701所流動之氮氣選擇性地透過導入配管L731導入至收納室R3，或加以阻擋。
【實施例1】
實施例1係關於蒸鍍頭部者，為在多段分散板之各段改變開口位置及大小之範例。實施例2中則揭示在順向、逆向等之流道中各自不同的實施例。又，實施例2之樹狀的氣體開口部，縱寬比在0.5以下，較佳在0.2以下。又，各段之二分割路徑長度係設有差異。又，各段之開口部係設有分歧調整機構。又，各分歧調整機構係配置成非對稱。亦即，以下實施例之蒸鍍頭係具有以蒸鍍材料氣體之順向的傳導會較逆向的傳導要小的方式，來將蒸鍍材料氣體多階段地依序分歧至2方向的分散部。藉此，可防止傳導的惡化。又，會提高二分割之精度。
關於實施例1，便於以下具體地說明。
首先，就習知技術(例如日本特開2004-225094號公報、日本特開2007-314844公報、日本特開平9-157848號公報等)加以說明。圖5-1,5-2,5-3係顯示習知技術之圖式。習知技術係在蒸鍍頭內設置樹狀方式之溝。樹狀各段之Outlet部的溝通常係設定為縱寬比在1左右以上。
此情況，由於主體形成有溝，故熱容量會變大。因此，溫度控制的反應性較差。又，升溫、降溫相關的時間會變長，使得生產性變差。又，由於縱寬比較大，故傳導較差。此情況無法流通蒸氣壓較低的氣體。
具體而言，如圖5-1所示，來自中央所供給之氣體會藉由多段之緩衝板被加以分散。此情況，(1)在各緩衝板內，為了讓通過相同緩衝板之孔的氣體的流量一定，必須要將孔的傳導變小。(2)又，在流有分子徑較大(例如2倍左右)之不同氣體時，由於會有較重的元素會朝外側移動而內側殘留有較輕的元素之傾向，故縱使各空間壓力相同，所流動之氣體的密度也會產生較大的分布。
就上述(1)加以說明。如圖5-1所示，在與擴散空間之傳導相比，各開口部之傳導較大而無法忽視的情況，在接近上游側開口部之處的流量會變多。
就上述(2)加以說明。如圖5-1所示，由於較輕原子較快速，故會成為較重原子的助力。另一方面，對較輕原子而言，較重原子則會妨礙流動。
又，如圖5-2所示，習知技術會在每一段各增加一個孔。此方式可解決上述(1),(2)的問題。然而，此習知技術會有(3)縱向的空間變長。在G8等需要2.5m尺寸之頭部時，此方式不得不使得裝置變得非常大。又，(4)原理上，朝最外周流動之氣體的流量會變低。
又，如圖5-3所示，習知技術為樹狀方式，由於係相對於最後空間而均勻地將氣體傳送，故可解決上述(1)~(4)的問題。然而，習知技術由於(5)在塊體形成溝，故整體上熱容量會變大。其結果，習知技術之溫度控制的反應性較差。又，習知技術由於(6)各段之分歧開口部之縱寬比係取在1以上，故傳導較差。同習知技術般，要是像氧氣般便沒有問題，但要流動飽和蒸氣壓較低的氣體則非常地困難。
相對於此，就實施例1的內容具體地加以說明。圖5-4係蒸鍍頭16c之縱剖視圖。另外，圖5-4雖係說明蒸鍍頭16c之構成，但其他蒸鍍頭16a,16b,16d,16e,16f亦為相同的構成。
如圖5-4所示，蒸鍍頭16c係具備有包含有在蒸鍍頭容器內將板面相互地對向並隔有間隔來加以配置之複數分散板(第1分散板161c，第2分散板163c及第3分散板165c)的分散部160c。第1分散板161c，第2分散板163c及第3分散板165c係將透過輸送管140朝蒸鍍頭16c輸送之蒸鍍材料氣體加以分散。
第1分散板161c係形成有將蒸鍍材料氣體朝下游側流通之開口162c。第2分散板163c係形成有將蒸鍍材料氣體朝下游側流通之開口164c。第3分散板165c係形成有將蒸鍍材料氣體朝下游側流通之開口166c。開口162c,164c,166c於蒸鍍材料氣體之流動順向之交叉方向的開口寬度係以沿著蒸鍍料氣體之流動順向而成為一定之方式來加以形成。又，蒸鍍頭16c係具有將因第1分散板161c、第2分散板163c及第3分散板165c所分散之蒸鍍材料氣體加以噴射之噴嘴18c。另外，開口166c為了說明之方便，係將位於蒸鍍材料氣體之流動順向處為開口166c-1，位於蒸鍍材料氣體之流動逆向 處為開口166c-2。又，開口166c-1與開口166c-2在沒有特別區分的情況，僅稱為開口166c。
分散部160c係具有將透過輸送管L40所輸送之蒸鍍材料氣體朝2方向分歧之第1氣體流道167c。又，分散部160c係具有將藉由第1氣體流道167c而分歧至2方向的蒸鍍材料氣體分別多階段地依序分歧至2方向的第2氣體流道168c,169c。此範例中，第2氣體流道雖為2階段，但亦可為1或複數之任意段數。又，第2氣體流道169c為了說明之方便，係將位於蒸鍍材料氣體之流動順向處為第2氣體流道169c-1，位於蒸鍍材料氣體之流動逆向處為第2氣體流道169c-2。又，第2氣體流道169c-1與第2氣體流道169c-2在沒有特別區分的情況，僅稱為第2氣體流道169c。
從輸送管L40朝蒸鍍頭16c流入之蒸鍍材料氣體會因第1氣體流道167c而分歧至2方向。因第1氣體流道167c而分歧至2方向的蒸鍍材料氣體會分別藉由第2氣體流道168c再度分歧至2方向。因第2氣體流道168c而分歧至2方向之蒸鍍材料氣體中，流通於氣體流動之順向的蒸鍍材料氣體會因第2氣體流道169c-1再度分歧至2方向。因第2氣體流道168c而分歧至2方向之蒸鍍材料氣體中，流通於氣體流動之順向的相反側方向(逆向)之蒸鍍材料氣體會因第2氣體流道169c-2再度分歧至2方向。因第2氣體流道169c所分歧之蒸鍍材料氣體會從噴嘴18c被噴射而蒸鍍於基板。如此般，蒸鍍頭16c內之蒸鍍材料氣體流道會形成為樹狀。
此處，開口162c,164c,166c的縱寬比在0.5以下，較佳係以0.2以下來加以形成。換言之，第2氣體流道168c,169c之縱寬比係以連結蒸鍍材料氣體未被分歧至2方向的上游側氣體流道與被分歧至2方向的下游側氣體流道之中間流道的流道長度，與中間流道之蒸鍍材料氣體所流出的開口之開口寬度的比來加以表示，為0.5以下，較佳為0.2以下。
就縱寬比的概念更具體地加以說明。圖5-5係用以說明縱寬比的圖式。圖5-5為了說明之方便，係顯示將蒸鍍材料氣體朝2方向分歧之分歧部的一般構成。如圖5-5所示，蒸鍍材料氣體的分歧部係具有尚未將蒸鍍材料氣體分歧至2方向的上游側氣體流道176c、將蒸鍍材料氣體分歧至2方向之下游側氣體流道177c、以及連接上游側氣體流道176c及下游側氣體流道177c之中間流道178c。縱寬比係以中間流道178c中蒸鍍材料氣體之流道長度 178c-1與從中間流道178c朝下游側氣體流道177c流出蒸鍍材料氣體之開口寬度178c-2的比(流道長度178c-1/開口寬度178c-2)來加以表示。
接著，就實施例1-1之效果來加以說明。圖5-6係顯示關於實施例1-1的模擬條件之圖式。圖5-7係顯示實施例1-1之效果(模擬結果)的圖表。
如圖5-6所示，為了驗證實施例1-1之效果的模擬係假定蒸鍍頭16c之尺寸為縱250mm、橫284mm，而將蒸鍍材料氣體3階段地分歧之情況。此處，關於蒸鍍材料氣體的分歧，係從蒸鍍材料氣體之上游側朝下游側依序為第1段、第2段、第3段。又，此處，為了驗證實施例1-1之效果，係進行了將蒸鍍材料氣體從上游側朝下游側連通的開口162c,164c,166c(中間流道)之縱寬比為0.5情況及0.5情況之模擬。又，習知技術由於係將蒸鍍材料氣體從上游側朝下游側連通的開口162c,164c,166c(中間流道)之縱寬比為1.0以上，故代表性地，以縱寬比為1.0的情況作為比較例。
另外，模擬條件係將從開口166c所流出之蒸鍍材料氣體的流出口壓力為0.05(Pa)、為載體氣體之Ar的流通量為10sccm、為蒸鍍材料氣體之Alq3之流通量為1sccm。另外，載體氣體除了上述Ar(分子量約40)外，可以為N2(分子量約28)。又，蒸鍍材料氣體除了上述Alq3(分子量約459)外，可以為α-NPD(分子量約617)，Liq(分子量約151)，Spiro-2NPB(分子量約1185)。例如，可使用如N2與Liq、Alq3、α-NPD或Spiro-2NPB之組合，Ar與Alq3、α-NPD或Spiro-2NPB之組合般，蒸鍍材料氣體的分子量相對於載體氣體之分子量會成為5倍以上之不同2種類的混合氣體。
另外，圖5-6由於係顯示縱寬比為1.0的情況之範例者，故例如開口162c之流道長度及開口寬度均為50mm。以縱寬比為0.5的情況來進行模擬，開口162c的流道長度為25mm，開口寬度為50mm。以縱寬比為0.2的情況來進行模擬，開口162c的流道長度為10mm，開口寬度為50mm。其他開口164c,166c亦同樣地，對應於縱寬比來調整流道長度。
又，圖5-7係顯示實施例1-1之效果，為縱寬比分別為「1.0」、「0.5」、「0.2」情況之傳導的模擬結果。此處，所謂傳導(m3/sec)係以各開口中()載體氣體流量+蒸鍍材料氣體流量/(PA-PB)來表示，將流量單位sccm轉換成Pa．m3/sec來求得。如圖5-7所示，PA係各開口之氣體流入口之平均分壓(Pa)，PB係各開口之氣體流出口之平均分壓(Pa)。
如圖5-7所示，縱寬比為「1.0」的情況，第1段之傳導為「2.92E-01」，第2段之傳導為「2.80E-01」、第3段之傳導為「3.88E-01」。
另一方面，縱寬比為「0.5」的情況，第1段之傳導為「4.43E-01」，第2段之傳導為「4.52E-01」、第3段之傳導為「6.85E-01」。
又，縱寬比為「0.2」的情況，第1段之傳導為「8.19E-01」，第2段之傳導為「9.13E-01」、第3段之傳導為「1.65E+00」。
由以上模擬結果可知，縱寬比為「0.5」的情況，與縱寬比為「1.0」的情況相比，傳導在各段均有上升。又，縱寬比為「0.2」的情況，與縱寬比為「0.5」的情況相比，傳導在各段均有上升。亦即，實施例1-1之蒸鍍頭藉由各開口之縱寬比為0.5以下，較佳為0.2以下，傳導便會上升。其結果，藉由實施例1-1，便可提升蒸鍍效率(蒸鍍材料的成膜率)。
接著，就實施例1-1之變形例加以說明。另外，以下變形例中，均係以縱寬比為0.5以下，較佳為0.2以下之狀態為前提。圖5-8係顯示實施例1-1之變形例的圖式。如圖5-8所示，實施例1-1之變形例1係依第3分散板165c、第2分散板163c、第1分散板161c之順序使得蒸鍍頭之寬度方向的板長變短。又，實施例1-1之變形例1對應於第3分散板165c、第2分散板163c、第1分散板161c之板長的減少，蒸鍍頭容器之寬度會逐漸變小。
又，實施例1-1之變形例1在蒸鍍材料氣體分歧之第2段、第3段中，設有區隔相同段之相鄰的第2氣體流道168c間，第2氣體流道169c間之區隔板170c。此範例中，蒸鍍材料氣體分歧之第2段中，係於2個第2氣體流道168c間設置2片區隔第2氣體流道168c間之區隔板170c，2片區隔板170c間之空間為無作用空間(dead space)171c。又，蒸鍍材料氣體分歧之第3段中，係於4個第2氣體流道169c間分別設置2片區隔第2氣體流道169c間之區隔板170c，2片區隔板170c間之空間為無作用空間171c。
依實施例1-1的變形例1之蒸鍍頭，在蒸鍍材料氣體分歧之各段中，藉由設置區隔板170c，可以抑制蒸鍍材料氣體流入無作用空間171c。其結果，依實施例1-1的變形例1之蒸鍍頭，由於可將蒸鍍材料氣體效率良好地從噴嘴18c噴射，故可提升蒸鍍效率(蒸鍍材料的成膜率)。
圖5-9係顯示實施例1-1的變形例2之圖式。如圖5-9所示，實施例1-1的變形例2與變形例1同樣地，係依第3分散板165c、第2分散板163c、 第1分散板161c之順序使得蒸鍍頭之寬度方向的板長變短。又，實施例1-1的變形例2與變形例1同樣地，係對應於第3分散板165c、第2分散板163c、第1分散板161c之板長的減少，蒸鍍頭容器之寬度會逐漸變小。
又，實施例1-1的變形例2在蒸鍍材料氣體分歧之第2段、第3段中，設有區隔相同段之相鄰的第2氣體流道168c間，第2氣體流道169c間之區隔構件172c。此範例中，蒸鍍材料氣體分歧之第2段中，係於2個第2氣體流道168c間設置區隔第2氣體流道168c間之區隔構件172c。又，蒸鍍材料氣體分歧之第3段中，係於4個第2氣體流道169c間分別設置區隔第2氣體流道169c間之區隔構件172c。區隔構件172c係以第2氣體流道168c間，第2氣體流道169c間的蒸鍍材料氣體不會相互流出流入之方式來加以配置。
依實施例1-1的變形例2之蒸鍍頭，在蒸鍍材料氣體分歧之各段中，藉由設置區隔構件172c，可抑制蒸鍍材料氣體不會相互流出流入於相同段之相鄰的第2氣體流道168c,169c間。其結果，依實施例1-1的變形例2之蒸鍍頭，由於可將蒸鍍材料氣體效率良好地從噴嘴18c噴射，故可提升蒸鍍效率(蒸鍍材料的成膜率)。
圖5-10係顯示實施例1-1的變形例3之圖式。如圖5-10所示，實施例1-1的變形例3與變形例1,2有所不同，第1分散板161c、第2分散板163c、第3分散板165c之蒸鍍頭寬度方向的板長均幾乎相同。實施例1-1的變形例3與變形例1,2有所不同，對應於第3分散板165c、第2分散板163c、第1分散板161c之板長，蒸鍍頭容器之寬度幾乎為一定。
又，實施例1-1的變形例3，係形成為將蒸鍍材料氣體分歧至2方向的下游側氣體流道的容積會較未將蒸鍍材料氣體分歧至2方向的上游側氣體流道的容積要小。換言之，實施例1-1的變形例3，第1分散板161c與第2分散板163c之對向距離係較蒸鍍頭容器與第1分散板161c之對向距離要短。又，實施例1-1的變形例3，第2分散板163c與第3分散板165c之對向距離係較第1分散板161c與第2分散板163c之對向距離要短。
如此般，藉由調整第1分散板161c、第2分散板163c、第3分散板165c之配置位置，係形成為蒸鍍頭容器、第1分散板161c、以及第2分散板163c所形成之氣體流道176c之剖面積會較蒸鍍頭容器與第1分散板161c形成之 氣體流道175c之剖面積要小。又，蒸鍍頭容器、第2分散板163c、以及第3分散板165c所形成之氣體流道177c之剖面積會形成為係較蒸鍍頭容器、第1分散板161c、以及第2分散板163c所形成之氣體流道176c之剖面積要小。
又，實施例1-1的變形例3係形成為第2分散板163c所形成之開口164c的開口會較第1分散板161c所形成之開口162c要小。又，實施例1-1的變形例3係形成為第3分散板165c所形成之開口166c的開口會較第2分散板163c所形成之開口164c要小。
實施例1-1的變形例3之蒸鍍頭，有鑑於在蒸鍍材料氣體越往下游側則流量月會分散而減少，藉由盡可能地將上游側之氣體流道剖面積變大，便會將氣體所流經之路徑的各點之壓力損失加以均勻化。其結果，依實施例1-1的變形例3之蒸鍍頭，由於能效率良好地將蒸鍍材料氣體從噴嘴18c噴出，故可提升蒸鍍效率(蒸鍍材料的成膜率)。
接著，就實施例1-2之蒸鍍頭加以說明。圖5-11係顯示實施例1-2之圖式。實施例1-2之蒸鍍頭係以圖5-4所示之蒸鍍頭為前提結構，於將蒸鍍材料氣體分歧之分歧部設置調整蒸鍍材料氣體朝2方向之分歧流量的分歧調整板。以下，為了說明之方便，乃就蒸鍍頭結構中，以蒸鍍材料氣體之分歧部及其周邊構成為主體進行說明。
如圖5-11所示，對向於第3分散板165c之開口164c中央部的部分係設有用以固定分歧調整板180c之固定板181c。分歧調整板180c係透過固定板181c而從第3分散板165c之板面朝開口164c加以立設。又，分歧調整版180c係於將來自開口164c所流入之蒸鍍材料氣體朝2方向分歧而朝各開口166c-1、開口166c-2流動之方向以對向於板面之方向來加以配置。
圖5-11中，係圖示以箭頭來表示蒸鍍材料氣體之流動方向。如圖5-11所示，蒸鍍材料氣體會流通於第1分散板161c及第2分散板163c所夾置之上游側氣體流道176c，而透過開口164c流通至下游側氣體流道177c。流通至下游側氣體流道177c之蒸鍍材料氣體的一部分，會沿著上游側氣體流道176c之蒸鍍材料氣體之流動方向而朝向開口166c-1之方向。又，流通至下游側氣體流道177c之蒸鍍材料氣體的一部分，會沿著上游側氣體流道176c之蒸鍍材料氣體之流動方向的相反側方向而朝向開口166c-2之方向。
依實施例1-2之蒸鍍頭，藉由設置分歧調整板180c，便可調整朝2兩方向分歧之蒸鍍材料氣體的流量。其結果，依實施例1-2之蒸鍍頭，由於可調整從開口166c-2及開口16c-2所流出之蒸鍍材料氣體之流出量，故可提升從分歧為樹狀之複數蒸鍍材料氣體流道所流出之蒸鍍材料氣體的均勻性。
另外，實施例1-2雖係例示將分歧調整板180c從第3分散板162c加以立設之範例，但不限於此，亦可設置在蒸鍍材料氣體之分歧部、例如第2分散板163c之對應於開口162c的位置。
接著，就實施例1-2之蒸鍍頭的變形例加以說明。圖5-12係顯示實施例1-2之變形例1的圖式。如圖5-12所示，變形例1中，分歧調整部180c係透過固定板181c從第3分散板165c之板面朝開口164c，以未達開口164c之長度來加以立設。又，固定板181c係設置在從對應於開口164c中央部之位置朝開口166c-1側偏移之位置，分歧調整板180c亦係立設在從對應於開口164c中央部之位置朝開口166c-1側之位置。
分歧調整部180c係在未到達開口164c般之較短長度的情況，朝開口166c-2側所分歧之蒸鍍材料氣體之流量有減少的傾向。此處，實施例1-2之變形例1係藉由將分歧調整板180c之立設位置朝沿著蒸鍍材料氣體之流動方向的順向偏移，便可增加朝開口166c-2側所分歧之蒸鍍材料氣體的流量。因此，依實施例1-2的變形例1之蒸鍍頭，便可藉由分歧調整板180c之長度及配置位置來適當地調整朝2方向分歧之蒸鍍材料氣體之流量。其結果，便可均勻地調整從開口166c-1及開口166c-2所流出的蒸鍍材料氣體之流出量。
圖5-13係顯示實施例1-2的變形例2之圖式。如圖5-13所示，變形例2中，分歧調整板180c係透過固定板181c從第3分散板165c之板面朝開口164c，以未達開口164c之長度來加以立設。又，固定板181c係設置在從對應於開口164c中央部之位置朝開口166c-2側偏移之位置，分歧調整板180c亦係立設在從對應於開口164c中央部之位置朝開口166c-2側之位置。
分歧調整部180c係在未到達開口164c般之較長長度的情況，朝開口166c-2側所分歧之蒸鍍材料氣體之流量有增加的傾向。此處，實施例1-2之變形例2係藉由將分歧調整板180c之立設位置朝沿著蒸鍍材料氣體之流動方向的相反側之逆向偏移，便可減少朝開口166c-2側所分歧之蒸鍍材料氣 體的流量。因此，依實施例1-2的變形例2之蒸鍍頭，便可藉由分歧調整板180c之長度及配置位置來適當地調整朝2方向分歧之蒸鍍材料氣體之流量。其結果，便可均勻地調整從開口166c-1及開口166c-2所流出的蒸鍍材料氣體之流出量。
圖5-14係顯示實施例1-2的變形例3之圖式。如圖5-14所示，變形例3中，與實施例1-2同樣地，係在對向於第3分散板165c之開口164c中央部的部分設有固定板181c。分歧調整板180c係透過固定板181c從第3分散板165c之板面朝開口164c加以立設。此處，變形例3中，分歧調整板180c係形成有開口182c。
藉由形成開口182c，便會連通開口166c-1側的氣體流道與開口166c-2側的氣體流道。依實施例1-2的變形例3的蒸鍍頭，藉由於分歧調整板180c形成開口182c，便可藉由開口182c之大小來適當地調整朝2方向分歧之蒸鍍材料氣體的流量。其結果，便可均勻地調整從開口166c-1及開口166c-2所流出之蒸鍍材料氣體的流出量。
圖5-15係顯示實施例1-2的變形例4之圖式。如圖5-15所示，變形例4中，與實施例1-2同樣地，係在對向於第3分散板165c之開口164c中央部的部分設有固定板181c。分歧調整板180c係透過固定板181c從第3分散板165c之板面透過開口164c以到達上游側之氣體流道176c之長度來加以立設。又，分歧調整板180c之氣體流道176c的前端部係設有朝蒸鍍材料氣體之流動方向的上游側延伸之水平板184c。水平板184c係沿著第1分散板161c及第2分散板163c之延伸方向而延伸。又，水平板184c係配置為水平板184c與第1分散板161c之對向距離186c會較水平板184c與第2分散板163c之對向距離188c要長。
藉由設置水平板184c，蒸鍍材料氣體之上游側氣體流道176c中，便可將蒸鍍材料氣體分割至朝開口166c-1側支流道及朝開口166c-2側的流道。依實施例1-2的變形例4的蒸鍍頭，藉由設置水平板184c，便可藉由水平板184c之長度及配置位置來適當地調整朝2方向分歧之蒸鍍材料氣體的流量。其結果，便可均勻地調整從開口166c-1及開口166c-2所流出之蒸鍍材料氣體的流出量。
圖5-16係顯示實施例1-2的變形例5之圖式。如圖5-16所示，變形例5中，與變形例4同樣地，係於分歧調整板180c設置水平板184c。此處，水平板184c係配置為水平板184c與第1分散板161c之對向距離186c會等同於水平板184c與第2分散板163c之對向距離188c。又，變形例5中，固定板181c係設置在從對應於開口164c中央部之位置朝開口166c-2偏移的位置，分歧調整板180c亦係立設在從對應於開口164c中央部之位置朝開口166c-2偏移的位置。
即使是在分歧調整板180c設置水平板184c的情況，仍可偏移分歧調整板180c及水平板184c之設置位置。依實施例1-2之變形例5的蒸鍍頭，藉由設置水平板184c並調整分歧調整板180c及水平板184c之設置位置，便可適當地調整朝2方向分歧之蒸鍍材料氣體的流量。其結果，便可均勻地調整從開口166c-1及開口166c-2所流出之蒸鍍材料氣體的流出量。
圖5-21係顯示實施例1-2的變形例6之圖式。圖5-21之(a)係顯示實施例1-2的變形例6之蒸鍍頭構成中，蒸鍍材料氣體的分歧部與其周邊構成之縱剖視圖。圖5-21之(b)係由上面觀看圖5-21之(a)所示之蒸鍍頭的第2分散板163c的俯視圖。如圖5-21所示，變形例6中，係於第2分散板163c之開口164c周緣沿著開口164c周緣而設有用以固定分歧調整板180c之固定框183c。分歧調整板180c係透過固定框183c從第2分散板163c之開口164c周緣朝第3分散板165c，以未達第3分散板165c之長度來加以立設。又，分歧調整板180c係立設在從對應於開口164c中央部之位置朝開口166c-1側偏移之位置。
開口164c周緣所設置之分歧調整板180c係未到達第3分散板165c而為較短長度的情況，朝開口166c-2側分歧之蒸鍍材料氣體的流量有減少的傾向。此處，實施例1-2的變形例6藉由將分歧調整板180c之立設位置朝蒸鍍材料氣體之流動方向偏移，便可增加朝開口166c-2側分歧之蒸鍍材料氣體之流量。因此，依實施例1-2的變形例6的蒸鍍頭，便可藉由分歧調整板180c之長度及配置位置來適當地調整朝2方向分歧之蒸鍍材料氣體的流量。其結果，便可均勻地調整從開口166c-1及開口166c-2所流出之蒸鍍材料氣體的流出量。
圖5-22係顯示實施例1-2的變形例7之圖式。如圖5-22所示，變形例7中，與變形例6同樣地，係於第2分散板163c之開口164c周緣沿著開口164c周緣而設有固定框183c。
又，變形例7中，將蒸鍍材料氣體分歧之分歧部係設有複數分歧調整板180c。此範例中，3個分歧調整板180c-1~180c-3係透過固定框183c從第2分散板163c之開口164c周緣朝第3分散板165c，以未到達第3分散板165c之長度來加以立設。另外，分歧調整板180c為了說明上之方便，係以位於最靠近蒸鍍材料氣體之流動順向側者為分歧調整板180c-1，位於最靠近蒸鍍材料氣體之流動逆向側者為分歧調整板180c-3，而位於分歧調整板180c-1及分歧調整板180c-3之間者則為分歧調整板180c-2。又，在未特別區分分歧調整板180c-1~180c-3的情況，僅稱為分歧調整板180c。
又，分歧調整板180c係形成為沿著蒸鍍材料氣體之流動方向的長度會較長。例如，分歧調整板180c-1係形成為較分歧調整板180c-2之長度要長。又，分歧調整板180c-2係形成為較分歧調整板180c-3之長度要長
開口164c周緣所設置之分歧調整板180c係未到達第3分散板165c而為較短長度的情況，朝開口166c-2側分歧之蒸鍍材料氣體的流量有減少的傾向。此處，實施例1-2的變形例7藉由將分歧調整板180c設置複數個，且將分歧調整板180c形成為朝向沿蒸鍍材料氣體之流動方向的順向之長度較長，便可增加朝開口166c-2側分歧之蒸鍍材料氣體之流量。因此，依實施例1-2的變形例7的蒸鍍頭，便可藉由分歧調整板180c之片數、分歧調整板180c各自之長度及配置位置來適當地調整朝2方向分歧之蒸鍍材料氣體的流量。其結果，便可均勻地調整從開口166c-1及開口166c-2所流出之蒸鍍材料氣體的流出量。
接著，就實施例1-2之效果(模擬結果)加以說明。圖5-17係顯示實施例1-2之效果(模擬結果)的圖式。圖5-18係顯示實施例1-2效果之比較例的圖式。
圖5-17、圖5-18係蒸鍍頭整體中，以輸送管L40為中心之一半的氣體流道之氣體流量均勻性的模擬結果。圖5-17、圖5-18中，橫軸為自中心的距離，縱軸為蒸鍍材料氣體的流量(個/m2/sec)。圖5-17的模擬結果係以從8個開口166c所流出之蒸鍍材料氣體分別朝2方向分歧，而從總計16個位置 處朝噴嘴18c流出之蒸鍍頭為前提。圖5-17之模擬結果，係在此蒸鍍頭中，於蒸鍍材料氣體之各分歧部採用實施例1-2之變形例4的分歧調整板180c作為實施例1-2之代表的情況，從中心之一半的氣體流道之模擬結果。另一方面，圖5-18之模擬結果，係以成為前提之蒸鍍頭未設有分歧調整板180c來作為比較例之情況，從中心之一半的氣體流道之模擬結果。
如圖5-18所示，未設有分歧調整板180c情況，依自中心的距離，蒸鍍材料氣體的流量會有多有少的情況。此應該是因蒸鍍材料氣體之流動慣性力的影響，導致從各開口所流出之蒸鍍材料氣體的流量不均勻。如圖5-18所示，在未設有分歧調整板180c的情況，從8個開口166c所流出之蒸鍍材料氣體之流量未能保有均勻性。
相對於此，如圖5-17所示，在設有分歧調整板180c的情況，無關於自中心的距離，蒸鍍材料氣體的流量幾乎為一定。亦即，藉由設置分歧調整板180c，便可抑制因蒸鍍材料氣體之流動慣性力的影響，導致從各開口所流出之蒸鍍材料氣體的流量變得不均勻之情事。其結果，如圖5-17所示，便可讓從8個開口166c所流出之蒸鍍材料氣體的流量幾乎均勻。
另外，此處雖係顯示了採用實施例1-2的變形例4之分歧調整板180c來作為實施例1-2之代表的模擬結果，但不限於此。即便在如圖5-11般設置分歧調整板180c之情況，或實施例1-2之其他變形例，亦可藉由適當地調整分歧調整板180c之長度、分歧調整板180c之配置位置、分歧調整板180c所形成之開口182c的大小、水平板184c之長度或水平板184c之配置位置，來如圖5-17所示般，提升從分歧成樹狀之複數蒸鍍材料氣體流道所流出之蒸鍍材料氣體之均勻性。
接著，就實施例1-3之蒸鍍頭加以說明。圖5-19係顯示實施例1-3之圖式。實施例1-3之蒸鍍頭雖係以圖5-4所示之蒸鍍頭為基本上的前提結構，但開口166c之形成位置、開口徑等乃左右不對稱者。以下，為了說明上之方便，乃就蒸鍍頭結構中，以蒸鍍材料氣體之分歧部及其周邊構成為主體進行說明。
如圖5-19所示，開口166c係形成為第3分散板165c之從開口164c中央部所對應之位置至蒸鍍材料氣體之流動方向側所形成之開口166c-1為止的距離會較第3分散板165c之從開口164c中央部所對應之位置至蒸鍍材料 氣體之流動方向之相反側所形成之另邊開口166c-2為止的距離要長。換言之，第3分散板165c之從開口164c中央部所對應之位置至開口166c-1為止的距離(順向距離)係較第3分散板165c之從開口164c中央部所對應之位置至開口166c-2為止的距離(逆向距離)要長。
從開口164c朝下游側氣體流道所流出之蒸鍍材料氣體會因上游側氣體流道中氣流方向之慣性力影響，而較容易朝開口166c-1側流動。此點，如實施例1-3般，藉由讓順向距離較逆向距離要長，便可抑制朝開口166c-1側流動之蒸鍍材料氣體之流量。其結果，依實施例1-3之蒸鍍頭，便可使得從開口166c-1及開口166c-2所流出之蒸鍍材料氣體的流量加以均勻。
接著，就實施例1-3之蒸鍍頭的變形例加以說明。圖5-20係顯示實施例1-3的變形例1之圖式。如圖5-20所示，變形例1中，開口166c-1、開口166c-2係形成於左右對稱之位置。換言之，第3分散板165c之從開口164c中央部所對應之位置至開口166c-1之中心位置為止的距離與第3分散板165c之從開口164c中央部所對應之位置至開口166c-2之中心位置為止的距離係幾乎相同。另一方面，變形例1中，開口166c-2係形成為較開口166c-1要大。
如實施例1-3的變形例1，藉由將開口166c-1形成為較開口166c-2要小，便可抑制朝開口166c-1側流動之蒸鍍材料氣體的流量。其結果，依實施例1-3之變形例1的蒸鍍頭，便可使得從開口166c-1及開口166c-2所流出之蒸鍍材料氣體的流量加以均勻。
另外，實施例1-3中，雖係顯示開口166c之形成位置或開口徑為左右不對稱之範例，但亦可將該等加以組合。又，實施例1-3中，雖係顯示開口166c之形成位置或開口徑為左右不對稱之範例，但不限於此，亦可將開口164c之形成位置或開口徑與開口166c的情況同樣地為左右不對稱。
接著，就實施例1-4之蒸鍍頭加以說明。圖5-23係顯示實施例1-4之圖式。圖5-23之(b)係顯示實施例1-4之蒸鍍頭結構中，蒸鍍材料氣體之分歧部及其周邊結構之縱剖視圖。圖5-23之(a)係由上面觀看圖5-23之(b)所示之蒸鍍頭的第2分散板163c的俯視圖。實施例1-4之蒸鍍頭雖係以圖5-4所示之蒸鍍頭為基本上的前提構造，但開口164c之蒸鍍材料氣體的流動方向順向所交叉之方向的開口寬度會沿著蒸鍍材料氣體之流動順向而變窄這點係 有所差異。以下，為了說明上之方便，乃就蒸鍍頭結構中，以蒸鍍材料氣體之分歧部及其周邊構成為主體進行說明。
如圖5-23所示，開口164c係形成為蒸鍍材料的流動方向所交叉之方向的開口寬度185c會沿著蒸鍍材料之流動方向而變窄。換言之，蒸鍍材料的流動方向所交叉之方向的開口寬度185c會沿著從第3分散板165c之蒸鍍材料之流動方向相反側所形成之開口166c-2朝蒸鍍材料之流動方向側所形成之開口166c-1之方向而變窄。
從開口164c朝下游側之氣體流道的蒸鍍材料氣體會因上游側氣體流道中氣流方向之慣性力影響，而較容易朝開口166c-1側流動。此點，如實施例1-4般，藉由將開口164c之開口寬度185c朝沿著蒸鍍材料之流動方向側所形成之開口166c-1的方向而變窄，便可抑制朝開口166c-1側流動之蒸鍍材料氣體之流量。其結果，依實施例1-4之蒸鍍頭，便可均勻地調整從開口166c-1及開口166c-2所流出之蒸鍍材料氣體的流出量。
接著，就實施例1-4之蒸鍍頭的變形例加以說明。圖5-24係顯示實施例1-4之變形例1的圖式。圖5-24之(b)係顯示實施例1-4的變形例1之蒸鍍頭構成中，蒸鍍材料氣體的分歧部與其周邊構成之縱剖視圖。圖5-24之(a)係由上面觀看圖5-24之(b)所示之蒸鍍頭的第2分散板163c的俯視圖。如圖5-24所示，變形例1中，開口164c係形成為蒸鍍材料之流動方向的交叉方向所對向之一對周緣164c-a,164c-b會沿著蒸鍍材料之流動方向而接近。如此般，藉由調整開口164c的形狀，蒸鍍材料之流動方向的交叉方向之開口寬度185c會沿著從第3分散板165c之開口166c-2朝開口166c-1之方向而變窄。
如實施例1-4之變形例1，藉由蒸鍍材料之流動方向的交叉方向所對向之一對周緣164c-a,164c-b會沿著蒸鍍材料之流動方向而接近來形成開口164c，便可抑制朝開口166c-1側所流動之蒸鍍材料氣體之流量。其結果，依實施例1-4的變形例1之蒸鍍頭，便可均勻地調整從開口166c-1及開口166c-2所流出之蒸鍍材料氣體的流出量。
圖5-25係顯示實施例1-4之變形例2的圖式。圖5-25之(b)係顯示實施例1-4的變形例2之蒸鍍頭構成中，蒸鍍材料氣體的分歧部與其周邊構成之縱剖視圖。圖5-25之(a)係由上面觀看圖5-25之(b)所示之蒸鍍頭的第2分散 板163c的俯視圖。如圖5-25所示，變形例2中，開口164c係形成為蒸鍍材料之流動方向的交叉方向所對向之一對周緣164c-a,164c-b中之周緣164c-b會沿著蒸鍍材料之流動方向而接近周緣164c-a。此般，藉由調整開口164c的形狀，蒸鍍材料之流動方向的交叉方向之開口寬度185c會沿著從第3分散板165c之開口166c-2朝開口166c-1之方向而變窄。
如實施例1-4之變形例2，藉由蒸鍍材料之流動方向的交叉方向所對向之一對周緣164c-a,164c-b中之一邊周緣會沿著蒸鍍材料之流動方向而接近另邊周緣來形成開口164c，便可抑制朝開口166c-1側所流動之蒸鍍材料氣體之流量。其結果，依實施例1-4的變形例2之蒸鍍頭，便可均勻地調整從開口166c-1及開口166c-2所流出之蒸鍍材料氣體的流出量。
另外，實施例1-4中，雖係顯示開口164c之蒸鍍材料氣體流動順向之交叉方向的開口寬度會變窄之範例，但不限於此，亦可為開口162c或開口166c之蒸鍍材料氣體流動順向之交叉方向的開口寬度會變窄。
接著，就實施例1-5之蒸鍍頭加以說明。圖5-26係顯示實施例1-5之圖式。實施例1-5的蒸鍍頭係以圖5-4所示之蒸鍍頭為前提結構，於將蒸鍍材料氣體分歧之分歧部設有調整將蒸鍍材料氣體朝2方向分歧之下游側氣體流道的剖面積之流道剖面積調整板。以下，為了說明上之方便，乃就蒸鍍頭結構中，以蒸鍍材料氣體之分歧部及其周邊構成為主體進行說明。
如圖5-26所示，流道剖面積調整板187c係以未到達第3分散板165c之長度從第2分散板163c之開口164c周緣中最接近於蒸鍍材料氣體的流動方向側所形成之開口166c-1的周緣朝第3分散板165c而加以立設。
從開口164c朝下游側氣體流道所流出之蒸鍍材料氣體會因上游側氣體流道中氣流方向之慣性力影響，而較容易朝開口166c-1側流動。此點，如實施例1-5般，藉由設置流道剖面積調整板187c，便可調整蒸鍍材料氣體朝2方向分歧後之下游側氣體流道的剖面積。其結果，依實施例1-5之蒸鍍頭，由於可抑制朝開口166c-1側流動之蒸鍍材料氣體之流量，故可均勻地調整從開口166c-1及開口166c-2所流出之蒸鍍材料氣體的流出量。
接著，就實施例1-5之蒸鍍頭的變形例加以說明。圖5-27係顯示實施例1-5的變形例1之圖式。如圖5-27所示，變形例1中，流道剖面積調整板187c係以未到達最接近開口166c-1的周緣之長度從第3分散板165c之 板面朝第2分散板163c之開口164c周緣中最接近於蒸鍍材料氣體的流動方向側所形成之開口166c-1的周緣而加以立設。
從開口164c朝下游側氣體流道所流出之蒸鍍材料氣體會因上游側氣體流道中氣流方向之慣性力影響，而較容易朝開口166c-1側流動。此點，如實施例1-5般，藉由設置流道剖面積調整板187c，便可將從開口164c至開口166c-1的區間中下游側氣體流道之剖面積為較從開口164c至開口166c-2的區間中下游側氣體流道之剖面積要小。其結果，依實施例1-5之變形例1的蒸鍍頭，由於可抑制朝開口166c-1側流動之蒸鍍材料氣體之流量，故可均勻地調整從開口166c-1及開口166c-2所流出之蒸鍍材料氣體的流出量。
如以上之說明，實施例1之蒸鍍頭係具有將蒸鍍材料氣體多階段地依序分歧至2方向的分散部160c，分散部160c係形成為蒸鍍材料氣體之流動順向的幾何學上之傳導會較逆向的幾何學上之傳導要小。此處所謂之幾何學上之傳導係指不考慮流動慣性之傳導。如此一來，可讓考慮慣性之情況的傳導在順向及逆向均為相同，其結果可使朝兩方向之流量相等。例如，分散部160c係形成為多段分散板之各段中開口的開口寬度，或氣體流道的剖面積係沿著順向而交錯。其結果，依實施例1之蒸鍍頭，便可提升分歧成樹狀之複數蒸鍍材料氣體的流道所流出之蒸鍍材料氣體之均勻性。
G‧‧‧氣體
10‧‧‧成膜裝置
11‧‧‧處理容器
12‧‧‧處理室
12g‧‧‧管
14‧‧‧台座
14a‧‧‧支撐部
16a~f‧‧‧蒸鍍頭
17a~f‧‧‧擋門
18a~f‧‧‧噴嘴
20a~f‧‧‧氣體供給源
22‧‧‧驅動裝置
24‧‧‧軌道
26a~b‧‧‧閘閥
27‧‧‧真空泵
S‧‧‧基板

Claims (22)

  1. 一種蒸鍍頭，係具備有：分散部，係將包含有透過輸送管所輸送之蒸鍍材料的蒸氣之氣體加以分散；以及噴嘴，係將包含有藉由該分散部所分散之蒸鍍材料的蒸氣之氣體加以噴射；其中該分散部係具備有：第1氣體流道，係將透過該輸送管所輸送之蒸鍍材料的蒸氣之氣體分歧至2方向；第2氣體流道，係將因該第1氣體流道所分歧至2方向之蒸鍍材料的蒸氣之氣體分別多階段地依序分歧至2方向；以及分歧調整板，係設置於該第2氣體流道中將包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體加以分歧的氣體分歧部，來調整包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體朝2方向之分歧流量。
  2. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍頭，其中該第2氣體流道係包含有：第1分散板，係形成有將包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體朝下游側之氣體流道連通之第1開口；以及第2分散板，係形成有將包含來自該第1開口所流入之蒸鍍材料的蒸氣之氣體進一步地朝下游側之氣體流道連通之2個第2開口；該分歧調整板係從該第2分散板朝該第1開口以未到達該第1開口之長度來加以立設，並從對應於該第1開口之中央部的位置立設於包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體的流動方向之偏移位置。
  3. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍頭，其中該第2氣體流道係包含有：第1分散板，係形成有將包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體朝下游側之氣體流道連通之第1開口；以及第2分散板，係形成有將包含來自該第1開口所流入之蒸鍍材料的蒸氣 之氣體進一步地朝下游側之氣體流道連通之2個第2開口；該分歧調整板係從該第2分散板朝該第1開口以未到達該第1開口之長度來加以立設，並從對應於該第1開口之中央部的位置立設於包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體的流動方向之相反側方向之偏移位置。
  4. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍頭，其中該分歧調整板係形成有開口。
  5. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍頭，其中該第2氣體流道係包含有：第1分散板，係形成有將包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體朝下游側之氣體流道連通之第1開口；以及第2分散板，係形成有將包含來自該第1開口所流入之蒸鍍材料的蒸氣之氣體進一步地朝下游側之氣體流道連通之2個第2開口；該分歧調整板係從該第2分散板透過該第1開口以未到達上游側的氣體流道之長度來加以立設，並在該上游側的氣體流道中，具有從該分歧調整板朝包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體的流動方向之上游側延伸之水平部。
  6. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍頭，其中該第2氣體流道係包含有：第1分散板，係形成有將包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體朝下游側之氣體流道連通之第1開口；以及第2分散板，係形成有將包含來自該第1開口所流入之蒸鍍材料的蒸氣之氣體進一步地朝下游側之氣體流道連通之2個第2開口；該分歧調整板係從該第1分散板之該第1開口的周緣朝該第2分散板以未到達該第2分散板之長度來加以立設，並從對應於該第1開口之中央部的位置立設於包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體的流動方向之偏移位置。
  7. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍頭，其中該第2氣體流道係包含有：第1分散板，係形成有將包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體朝下游側之氣體流道連通之第1開口；以及第2分散板，係形成有將包含來自該第1開口所流入之蒸鍍材料的蒸氣 之氣體進一步地朝下游側之氣體流道連通之2個第2開口；該分歧調整板係從該第1分散板之該第1開口的周緣朝該第2分散板以未到達該第2分散板之長度來加以立設，並沿著包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體的流動方向而以該長度會較長的方式來加以形成。
  8. 一種蒸鍍頭，係具備有：分散部，係將包含有透過輸送管所輸送之蒸鍍材料的蒸氣之氣體加以分散；以及噴嘴，係將包含有藉由該分散部所分散之蒸鍍材料的蒸氣之氣體加以噴射；其中該分散部係具有：第1氣體流道，係將透過該輸送管所輸送之蒸鍍材料的蒸氣之氣體分歧至2方向；以及第2氣體流道，係將因該第1氣體流道所分歧至2方向之蒸鍍材料的蒸氣之氣體分別多階段地依序分歧至2方向；該第2氣體流道係包含有：第1分散板，係形成有將包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體朝下游側之氣體流道連通之第1開口；以及第2分散板，係形成有將包含來自該第1開口所流入之蒸鍍材料的蒸氣之氣體進一步地朝下游側之氣體流道連通之2個第2開口；該第2開口係以從該第2分散板之該第1開口中央部所對應之位置至包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體的流動方向側所形成之一邊第2開口為止的距離會較從該第2分散板之該第1開口中央部所對應之位置至包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體之流動方向的相反側方向所形成之另一邊第2開口為止的距離要長的方式來加以形成，或/且該另一邊第2開口係形成為較該一邊第2開口要大。
  9. 如申請專利範圍第1至8項中任一項之蒸鍍頭，其中該第2氣體流道之縱寬比以連結包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體未被分歧至2方向的上游側氣體流道與被分歧至2方向的下游側氣體流道之中間流道的流道長度，與該中間流道之包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體所流出的開口之開口寬度的比(該流道長度/該開口寬度)來加以表示，為0.5以下。
  10. 如申請專利範圍第1至8項中任一項之蒸鍍頭，其中該第2氣體流道之縱寬比以連結包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體未被分歧至2方向的上游側氣體流道與被分歧至2方向的下游側氣體流道之中間流道的流道長度，與該中間流道之包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體所流出的開口之開口寬度的比(該流道長度/該開口寬度)來加以表示，為0.2以下。
  11. 如申請專利範圍第1至8項中任一項之蒸鍍頭，其中該第2氣體流道係形成為該下游側氣體流道之剖面積會較該上游側氣體流道之剖面積要小。
  12. 一種蒸鍍頭，係具備有：分散部，係將包含有透過輸送管所輸送之蒸鍍材料的蒸氣之氣體加以分散；以及噴嘴，係將包含有藉由該分散部所分散之蒸鍍材料的蒸氣之氣體加以噴射；其中該分散部係具有：第1氣體流道，係將透過該輸送管所輸送之蒸鍍材料的蒸氣之氣體分歧至2方向；以及第2氣體流道，係將因該第1氣體流道所分歧至2方向之蒸鍍材料的蒸氣之氣體分別多階段地依序分歧至2方向；該第2氣體流道之縱寬比以連結包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體未被分歧至2方向的上游側氣體流道與被分歧至2方向的下游側氣體流道之中間流道的流道長度，與該中間流道之包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體所流 出的開口之開口寬度的比(該流道長度/該開口寬度)來加以表示，為0.5以下。
  13. 如申請專利範圍第12項之蒸鍍頭，其中該第2氣體流道之該縱寬比為0.2以下。
  14. 如申請專利範圍第12或13項之蒸鍍頭，其中該第2氣體流道係形成為該下游側氣體流道之剖面積會較該上游側氣體流道之剖面積要小。
  15. 一種蒸鍍頭，係具備有：分散部，係將包含有透過輸送管所輸送之蒸鍍材料的蒸氣之氣體加以分散；以及噴嘴，係將包含有藉由該分散部所分散之蒸鍍材料的蒸氣之氣體加以噴射；其中該分散部係具有：第1氣體流道，係將透過該輸送管所輸送之蒸鍍材料的蒸氣之氣體分歧至2方向；以及第2氣體流道，係將因該第1氣體流道所分歧至2方向之蒸鍍材料的蒸氣之氣體分別多階段地依序分歧至2方向；該第2氣體流道係包含有：第1分散板，係形成有將包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體朝下游側之氣體流道連通之第1開口；以及第2分散板，係形成有將包含來自該第1開口所流入之蒸鍍材料的蒸氣之氣體進一步地朝下游側之氣體流道連通之2個第2開口；該第2氣體流道係形成為該下游側氣體流道之剖面積會較該上游側氣體流道之剖面積要小。
  16. 一種蒸鍍頭，係具備有：分散部，係將包含有透過輸送管所輸送之蒸鍍材料的蒸氣之氣體加以分散；以及 噴嘴，係將包含有藉由該分散部所分散之蒸鍍材料的蒸氣之氣體加以噴射；其中該分散部係具有：第1氣體流道，係將透過該輸送管所輸送之蒸鍍材料的蒸氣之氣體分歧至2方向；以及第2氣體流道，係將因該第1氣體流道所分歧至2方向之蒸鍍材料的蒸氣之氣體分別多階段地依序分歧至2方向；該第2氣體流道係包含有：第1分散板，係形成有將包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體朝下游側之氣體流道連通之第1開口；以及第2分散板，係形成有將包含來自該第1開口所流入之蒸鍍材料的蒸氣之氣體進一步地朝下游側之氣體流道連通之2個第2開口；該第1開口及該第2開口中至少任一者之開口的包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體的流動方向所交叉之方向的開口寬度係形成為會沿著包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體的流動方向而變窄。
  17. 如申請專利範圍第16項之蒸鍍頭，其中該第1開口及該第2開口中至少任一者之開口的對向於包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體的流動方向所交叉之方向的一對周緣係形成為沿著包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體的流動方向而接近。
  18. 如申請專利範圍第16項之蒸鍍頭，其中該第1開口及該第2開口中至少任一者之開口的對向於包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體的流動方向所交叉之方向的一對周緣中的一邊周緣係形成為沿著包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體的流動方向而接近另一邊周緣。
  19. 一種蒸鍍頭，係具備有：分散部，係將包含有透過輸送管所輸送之蒸鍍材料的蒸氣之氣體加以分散；以及 噴嘴，係將包含有藉由該分散部所分散之蒸鍍材料的蒸氣之氣體加以噴射；其中該分散部係具備有：第1氣體流道，係將透過該輸送管所輸送之蒸鍍材料的蒸氣之氣體分歧至2方向；第2氣體流道，係將因該第1氣體流道所分歧至2方向之蒸鍍材料的蒸氣之氣體分別多階段地依序分歧至2方向；以及流道剖面積調整板，係設置於該第2氣體流道中將包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體加以分歧的氣體分歧部，來調整包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體朝2方向分歧後之下游側氣體流道之剖面積。
  20. 如申請專利範圍第19項之蒸鍍頭，其中該第2氣體流道係包含有：第1分散板，係形成有將包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體朝下游側之氣體流道連通之第1開口；以及第2分散板，係形成有將包含來自該第1開口所流入之蒸鍍材料的蒸氣之氣體進一步地朝下游側之氣體流道連通之2個第2開口；該流道剖面積調整板係以未到達該第2分散板之長度從該第1分散板之該第1開口周緣中最接近於包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體的流動方向側所形成之一邊第2開口的周緣朝該第2分散板而加以立設。
  21. 如申請專利範圍第19項之蒸鍍頭，其中該流道剖面積調整板係以未到達最接近該一邊第2開口的周緣之長度從該第2分散板朝該第1分散板之該第1開口周緣中最接近於包含該蒸鍍材料的蒸氣之氣體的流動方向側所形成之一邊第2開口的周緣而加以立設。
  22. 一種蒸鍍裝置，係具有如申請專利範圍第1、8、12、15、16或19項之蒸鍍頭。
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