JPH0790572A - ガス導入装置および方法 - Google Patents

ガス導入装置および方法

Info

Publication number
JPH0790572A
JPH0790572A JP6084763A JP8476394A JPH0790572A JP H0790572 A JPH0790572 A JP H0790572A JP 6084763 A JP6084763 A JP 6084763A JP 8476394 A JP8476394 A JP 8476394A JP H0790572 A JPH0790572 A JP H0790572A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
target
receiver
substrate
outflow opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6084763A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3706157B2 (ja
Inventor
Eduard Kuegler
エドュアルト クグラー
Jakob Stock
ヤコブ シュトック
Helmut Rudigier
ヘルムト ルディギアー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
OC Oerlikon Balzers AG
Original Assignee
Balzers AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=4205759&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH0790572(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Balzers AG filed Critical Balzers AG
Publication of JPH0790572A publication Critical patent/JPH0790572A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3706157B2 publication Critical patent/JP3706157B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • C23C14/0063—Reactive sputtering characterised by means for introducing or removing gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber

Abstract

(57)【要約】 【目的】 一方で基板のコーティングの際に所望通りの
均質性を保証し、他方で処理プロセスのできる限り大き
な経済性を得るために、ターゲットに沿って、あるいは
基板に沿って再生産可能な均質なガス分布を保証するこ
とである。 【構成】 多数のガス流出開口部（６）を有する少なく
とも１つのガス導入装置を用いて、作業ガス、および／
または、処理に反応的に関与するガスが少なくとも１つ
のガス源（１）を有するパイプシステムを介して与えら
れたガス圧で受器内に導入される。受器は、特に物理的
あるいは化学的なコーティング方法を用いて、またはエ
ッチング方法によって基板を処理するために設けられて
いる。流出開口部（６）の抵抗係数は与えられたガス圧
を有するパイプシステム内の箇所にして、各流出開口部
において制御されたガス流が生じるように、定められ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、請求項１の前提部分に
記載の、特に物理的あるいは化学的なコーティング方法
を用いて、あるいはエッチング方法を用いて、真空受器
内で基板を処理する装置、請求項８の前提部分に記載の
スパッタリングあるいは蒸発を行う装置、請求項９の前
提部分に記載のマグネトロンとして駆動されるターゲッ
トを有するカソードスパッタリング装置および請求項１
５の前提部分に記載の基板を均一に処理する方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】特に、例えば、高真空内でコーティング
する場合などに基板を処理する場合に、処理ないしコー
ティングが全表面にわたって均一ないし均質に分配して
行われることが最も重要であることが考えられる。特
に、作業ガスあるいは反応ガスを用いて処理する場合に
は、ガス導入システムが上述の事実に関して敏感な要素
であることが明らかにされている。
【０００３】特に、例えば、受器内でカソードスパッタ
リングを行う場合など、いわゆるプラズマを使用するエ
ッチングおよびコーティング技術においては、作業ガス
ないし反応ガスのガス分圧が均質でない場合には処理す
べき基板上に層圧、屈折インデックス、減光係数、層応
力、組成などの層特性に関して非均質の表面ないし層分
布が発生する。
【０００４】この問題を解決するために、様々な付加手
段が知られている。まず、いわゆるゲッター面とマスク
を用いて一方で異なる分圧を補償し、他方では基板にお
いて反応に必要なガスによるターゲットの、いわゆる
「汚染」を防止することが提案されている。
【０００５】すなわち、欧州特許第Ａ−０３４７５６７
号にはターゲットと基板間に間隙を有するマスクを使用
することが提案されており、その場合にガスはこの間隙
に供給される。
【０００６】マニーフ等（Ｓ．Ｍａｎｉｖ ｅｔ ａ
ｌ．）の「Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．」１
８（２）、１９５、１９８１には、ターゲットと基板間
に通過部を有するシールドを配置して、反応ガスを、通
過開口部を包囲するパイプシステムを通して供給するこ
とが提案されており、その場合にこのパイプシステムの
流出開口部は基板方向に向けられている。
【０００７】シラー等（Ｓｃｈｉｌｌｅｒ ｅｔ ａ
ｌ．）の「Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ」６４、
４５５、１９７９にはターゲットの領域に、いわゆるゲ
ッター表面（Getteroberflaechen) を設けて、それによ
って基板表面に接近して供給される反応ガスによるター
ゲット表面の「汚染」が防止される。このゲッター表面
は、例えば、酸素などの反応ガスを吸収する。ターゲッ
ト表面近傍にはさらに不活性の作業ガスが供給され、そ
れによって反応ガスがターゲットから隔絶される。
【０００８】さらに、ガス導入装置に緩衝体積が設けら
れ、それに多数の流出開口部が設けられることが提案さ
れており、その場合に緩衝体積はガス導入装置によって
もたらされる移送体積脈動の振幅よりもずっと大きく形
成されている。通常はこの種の緩衝体積は、縦方向に互
いにほとんど等しい距離を有する流出開口部を備えた縦
に延びる緩衝室である。この種の緩衝室、パイプガスシ
ャワーとも称する、の問題点は、ガスの通過は緩衝室内
の流れの種類に著しく関係するので、すべての流出開口
部におけるガスの通過を制御することは殆んど不可能で
あるということである。たしかに、この種の緩衝室内に
マスクあるいは他の流れ抵抗を配置することは可能であ
るが、この種の構造の計算はきわめて複雑である。
【０００９】ドイツ連邦共和国特許第ＯＳ−３３３１７
０７号にも特殊な方法が記載されており、この方法はタ
ーゲットないしは基板への反応ガスの作用を止めること
を意図している。
【００１０】最後に、アメリカ合衆国特許第Ａ−４９３
１１５８号には基板近傍における第２の放電（補助プラ
ズマ）が提案されている。ここでも作業ガスはターゲッ
トの近傍で供給され、反応ガスは基板の近傍で供給され
る。格子を用いて２つのプラズマが互いに分離される。
【００１１】これらすべての方法の欠点は、コーティン
グ率が比較的低く、さらに相変わらず局地的に不均一な
ガス組成、あるいは、部分的に不均一なガス流の危険性
があることであり、それによって、冒頭で要請された、
例えば、コーティングの均質性は相変わらず保証されて
いない。また、異なるガス組成ないし異なるガス分圧に
よってターゲットにおいて小さいアーク放電が発生する
場合がある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の課題
は、一方で基板のコーティングの際に所望通りの均質性
を保証し、他方で処理プロセスのできる限り大きな経済
性を得るために、ターゲットに沿って、あるいは基板に
沿って再生産可能な均質なガス分布を保証することであ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によれば設定され
た課題は、特に請求項１の文言に記載の装置によって解
決される。
【００１４】受器内で、特に物理的あるいは化学的なコ
ーティング方法によって、あるいはエッチング方法によ
って、スパッタリングすべきないしは蒸発すべき材料を
有する面を備えた少なくとも１つのターゲットを用いて
基板を処理するために、作業ガス、および／または、処
理に反応的に関与するガスを受器内に導入するための多
数のガス流出開口部を備えたガス導入装置が設け、前記
開口部をパイプシステムを介して与えられたガス圧力を
有する少なくとも１つのガス源と接続せしめることが提
案されている。その場合に重要なことは、与えられたガ
ス圧を有するパイプシステム内の位置に関する流出開口
部の抵抗係数が受器内への制御されたガス流が発生する
ように各流出開口部において定められることである。
【００１５】パイプシステム内の各位置におけるガス流
がこのように制御可能であることによって、受器内のガ
ス分配に影響を与えて、これを要求通りに、できる限り
均質に構成することが可能になる。
【００１６】本発明により提案される解決方法によっ
て、反応ガスを正確に配量し、かつ／または、分配して
ターゲットに導入し、特に直接ターゲットに導入するこ
とが可能になり、従来技術においては、これとは異な
り、反応ガスをターゲットから離すことが教示されてい
る。
【００１７】まず、ガス導入装置の流出開口部が少なく
とも１つのターゲット、ないしは、材料源、および／ま
たは、１つあるいは複数の基板に関してほぼ均一に分配
して配置されていると効果的である。それによって、供
給されるガスが局所的に高い濃度を発生することが防止
される。
【００１８】さらに、パイプシステムがこのように構成
されており、ないしは、個々の流出開口部の抵抗係数が
ほぼ等しいので、各流出開口部を通して単位時間当りほ
ぼ同一量のガスが受器内に放出されると効果的である。
この方法によっても、最終的に、受器内で、それがター
ゲットの近傍であろうと、あるいは、１つあるいは複数
の基板の近傍であろうと、ほぼ均一なガス分配が保証さ
れる。
【００１９】それぞれの流出開口部の個々の抵抗係数が
ほぼ等しくなるようにするために、他の実施例によれ
ば、ガス源から流出開口部までの個々の道筋長さがほぼ
同一の長さであって、かつ個々の流出開口部の横断面積
がほぼ同一の大きさに形成されることが提案されてい
る。この要求を満たすために、例えば、ガス源から各ガ
ス流出開口部まで、ほぼ同一の直径と同一の道筋長さを
有する別体の移送パイプを配置することが可能である。
【００２０】しかし、また、ガス源の流出開口部への接
続を、ガス源からないしはパイプシステム内の各分岐か
ら等間隔で後段に接続された、ないしは、後続の２つの
分岐に供給が行われ、その分岐自体が、場合によって
は、それぞれ２つの後段に接続された分岐、ないしは、
場合によっては流出開口部に供給を行うことによって、
いわゆる多段二股分岐のシステムと同様に形成すること
も可能である。
【００２１】本発明が基本的に教示することは、真空受
器内へのガス流を、供給パイプを介して、あるいは流出
開口部の断面を介して、あるいは２つの方法を用いて調
節可能ないしは再現可能に調節できることである。
【００２２】例えば、一方では、ターゲットの近傍で、
そして、他方では、１つあるいは複数の基板の近傍で、
多数のガスを受器内に導入する場合には、導入すべき作
業ガスあるいは反応ガス毎にガス導入装置をターゲット
および１つあるいは複数の基板に関して配置すると効果
的であって、その場合には上述したように、それぞれの
ガス導入装置が本発明に従って形成される。
【００２３】上述のように本発明によって定義された装
置、ないしは、ガス導入装置は、特に、蒸発すべき、な
いしは、スパッタリングすべき材料を有する面を備え
た、少なくとも１つのターゲットを用いてスパッタリン
グあるいは蒸発を行う装置に適している。
【００２４】例として形成された装置として、マグネト
ロンとして駆動されるターゲットと、ターゲット、ない
しは、カソードの少なくとも一部を包囲、ないしは、包
含するガス導入装置とを有するカソードスパッタリング
装置を説明することとし、その場合に、好ましくは、流
出開口部はマグネトロンに関して、ほぼ均一に配置され
ている。この種のカソードスパッタリング装置の好まし
い実施例によれば、ガス導入装置はマグネトロンのカソ
ードを包囲するアノードフレーム内に一体的に配置され
ており、それによって、それ自体がアノードの一部であ
ることが提案されている。それによって目標の放電が流
出開口部上に引き付けられ、それによって反応ガスの能
率的な励起が得られる。
【００２５】他の実施例によれば、ガス導入装置を電気
的に絶縁して駆動し、あるいはまた、他の放電回路を形
成するために、電圧ないしアースに接続させることが可
能である。
【００２６】本発明によるカソードスパッタリング装置
の好ましい実施例によれば、マグネトロンはターゲッ
ト、アノードフレームおよびアノードフレーム内に一体
的に配置されたガス流出開口部によって形成されてお
り、そのアノードフレームは好ましくは水冷され、かつ
場合によってはターゲット端縁を越えて引き込まれてお
り、それによって流出開口部がターゲットの侵食孔上に
向けられ、その場合に、好ましくは暗部間隔がどこでも
同一に形成されている。
【００２７】アノードフレーム内に一体的に配置された
ガス導入装置に加えて、他のガス導入装置を設けて、例
えば、反応ガスを、処理すべき、ないしは、コーティン
グすべき基板の領域に導入することももちろん可能であ
る。しかし、その場合にはガス導入装置は必ずしもアノ
ードフレーム内に一体的に配置する必要はなく、アノー
ドフレームとは無関係にいずれかのフレーム内に一体的
に配置することができる。
【００２８】最後に、特に物理的、あるいは化学的なコ
ーティング方法を用いて、例えば、スパッタリング方
法、あるいはエッチング方法を用いて、受器内で基板を
均一に処理する方法が提案されており、その場合に、多
数の流出開口部を有するガス導入装置を介して、与えら
れたガス圧を有する、少なくとも１つのガス源から、少
なくとも１つの作業ガス、および／または、処理に反応
的に関与するガスが受器内に導入され、その場合に各流
出開口部において流出するガス流は、与えられたガス圧
を有するパイプシステム内の位置に関する個々の流出開
口部の抵抗係数が要求されるガス流に相当するように定
められることによって制御される。好ましくは各流出開
口部において単位時間当り同一量のガスが受器内に導入
される。
【００２９】上述の本発明による装置並びに方法は、も
ちろん、例として記載されたマグネトロンを有するカソ
ードスパッタリング装置に限定されるものではなく、基
板の均一な処理、ないし、コーティングが必要とされる
任意の処理、ないし、コーティング装置で使用すること
ができる。その場合に、受器内で通常の作業圧で行われ
るか、あるいは、例えば、高真空あるいは超高真空の様
な減圧下で作業が行われるかどうかは重要ではない。本
発明により定義されたガス導入装置とそれに対応する方
法は、何等かの作業ガスあるいは反応ガスを受器内に導
入するのに適している。
【００３０】
【実施例】次に、添付図面を参照して本発明を詳細に説
明する。図１には、従来技術から知られているようなガ
ス導入装置が図示されており、ガス導入装置内には、個
々の流出開口部６の前段に接続されて、緩衝室１０が配
置されている。この緩衝室１０に沿って個々の流出開口
部が、長手方向に延び、かつ、好ましくは互いに同一の
間隔で配置されている。緩衝室１０の横断面１１が大き
く選択されるほど、個々の流出開口部の抵抗係数が等し
くなること、ないしは、個々の流出開口部を同一量のガ
スが通過することがさらに保証される。もちろん、実際
には、同一量のガスが流出するためには、この種の緩衝
室、ないしは、ガス管シャワーの断面を比較的大きく選
択しなければならないことが明らかにされている。さら
に、この種のガス管シャワーが機能を発揮することは選
択された全体のガス流量と流れの種類に大きく左右され
るので、選択された流量においては均一な分布は得られ
るが、一方で、全体の流量が異なると分布は、もはや一
様ではなくなる。緩衝室内にさらに偏向マスクあるいは
抵抗部材を配置することは可能であるが、この種の構造
の計算はきわめて複雑であって、その場合でも緩衝室全
体において流れの種類が常に同様であることは保証され
ない。
【００３１】この理由から本発明によれば、以下の図面
で説明するような、より簡単な他の方法が提案される。
【００３２】図２には作業ガスあるいは反応ガスを受器
内に導入するガス導入装置が図示されている。ガス源１
からパイプが第１の分岐２まで導かれている。この分岐
から等距離隔てて、同一に寸法決めされた２つのパイプ
を介して第２の分岐３に供給が行われる。この分岐３か
ら新たに同一長さおよび同一寸法のパイプを介してそれ
ぞれ他の第３の分岐４に供給が行われる。最後に他の第
４の分岐５からそれぞれ２つの流出開口部６に供給が行
われる。このような構造のガス導入システムによって、
各流出開口部６が同一の抵抗係数を有し、従って各流出
開口部６を通して単位時間当り同一量のガスが受器内に
放出されることが保証される。もちろん、分岐を他の平
面に形成することも可能であって、その場合には分岐な
いし流出開口部の数は、導入すべきガスが放出されるタ
ーゲットないし基板の大きさに基づいて選択される。
【００３３】図２に示すガス導入装置によって、基板、
あるいは、ターゲットにわたって分配して均質なガス分
配を達成することが可能になり、それによって、例え
ば、均質な反応率が得られる。それによって、課題に従
って要求された均質な層特性が、上述したように、処理
すべき、ないしは、コーティングすべき基板全体にわた
って得られる。
【００３４】本発明による導入装置の他の変形例が図３
に概略図示されている。ガス源１から同一長さおよび同
一に寸法決めされた移送パイプ８を介して、それぞれ端
部に固定配置されたガス流出開口部６に供給が行われ
る。その場合に、このガス流出開口部６は、ほとんど同
一に寸法決めされている、すなわち流出開口部の断面は
同一に寸法決めされている。ガス導入システムをこのよ
うに形成することによっても、個々のガス流出開口部の
抵抗係数が同一であって、従って単位時間当り同一のガ
ス量が受器内に放出されることが保証される。
【００３５】図２と３に示す図においては、いずれの場
合にも同一長さのパイプが明らかにされ、その場合に選
択された流出開口部の直径が等しければ各流出開口部内
のガス流も同一である。しかし、同一のパイプ断面を有
する同一長さの供給パイプにおいて直径ないしは断面積
を変化させることによって、各流出開口部内でガス流を
再現可能に所望通りに制御することが可能である。同様
にして、逆に、供給パイプの長さあるいは断面を変化さ
せることによって、同一の大きさの流出開口部において
ガス流を再現可能に制御することができる。このように
ガス流を再現可能に所望通りに調節することは、例え
ば、図１に示すようなガス管シャワーでは不可能であ
る。
【００３６】図４には、カソードスパッタリング装置の
ターゲット、ないしは、マグネトロンに関して配置され
た、例えば、図２に示すようなガス導入装置が概略図示
されている。ターゲット２２およびターゲットの全部の
側を包囲する、例えば、水冷されるアノードフレーム２
８を含むマグネトロンの長手方向の広がりの両側に、ガ
ス流出開口部６がターゲット２２に向けて配置されてい
る。このガス流出開口部６は、ガス源１から始まるパイ
プシステムによって供給され、ガス源は分岐２に供給を
行い、分岐２は次に分岐３ないし４に供給を行う。その
場合に図５から明らかなように、ガス源１ないしは分岐
２、３および４によってそれぞれ他の分岐あるいはガス
流出開口部６が供給を行われることによって、図１と同
様のパイプシステムは多段二股分岐に従って形成されて
ており、ガス流出開口部はそれぞれ対応する分岐から同
一の距離で配置されている。それによって、ガス源１か
ら各流出開口部６までパイプシステム内で同じ距離をと
らなければならないことが保証される。利点は、この配
置においては導入される１つ、または複数のガスの有効
性が流れの種類ないしは流れの領域とは関係なく常に等
しいことである。
【００３７】従って、パイプ断面がどこでも等しく、か
つ各流出開口部６において開口部断面も等しい大きさで
あると仮定して、ここでも流出開口部６全体の抵抗係数
は同一であって、それによって各流出開口部において単
位時間当り流れの種類とは関係なく同一のガス量がター
ゲットに対して放出される。放出すべきガスは、不活性
な希ガス、例えば、アルゴンなどの作業ガスでもよく、
あるいは、例えば、窒素あるいは酸素などの反応ガスで
あっても、あるいは、例えば、不活性の希ガス（Ａｒ）
と酸素（Ｏ2 ）からなる混合ガスであってもよい。反応
ガスは蒸発ないしはスパッタリングすべき金属と反応
し、その場合に基板上に窒化物または酸化物層を形成す
るために、それに応じた窒化物ないしは酸化物を形成す
ることができる。その場合に窒化物ないし酸化物形成
は、すでにターゲット表面上で行われ、あるいは金属の
蒸発後に行われるようにしてもよい。好ましくは個々の
ガス流出開口部６は互いに等距離で配置され、それによ
ってターゲットにわたって均一なガス分配が得られる。
【００３８】もちろん図４に示すガス導入装置と同様
に、システムを多段二股分岐として形成することによっ
て、ガス導入装置を基板に対抗して配置することも可能
である。
【００３９】図５にはマグネトロンのターゲットおよび
ターゲットを包囲するアノードフレームの断面が、例え
ば、図４のＩ−Ｉ線に沿った断面で示されている。図５
に示す装置を説明するために図６を参照し、図６には図
５に示す装置に使用されているようなアノードフレーム
の一部の詳細が部分的に断面で示されている。その場合
に、この部分はアノードフレームのガス管、ないしは、
流出開口部６が配置されている箇所を示すものである。
【００４０】マグネトロンのアノードフレーム２８はタ
ーゲット２２の側方に配置されており、ターゲット２２
はターゲット冷却プレート２１上に接するように載置さ
れており、それもまた、マグネットシステム２０を有す
る水冷装置上に接するように載置されている。従って図
示の装置はいわゆるマグネトロンであって、例えば、カ
ソードスパッタリング装置に使用される。ターゲット２
２は最終的にいわゆるターゲットクリップリング２３に
よってターゲット冷却プレート２１上に側方から保持さ
れている。その場合にターゲット２２、冷却プレート２
１、マグネットシステム２０およびターゲットクリップ
リング２３が共に図示のマグネトロンのカソード２４を
形成する。
【００４１】カソード２４に対して側方に配置されたア
ノードは、まずアノードフレームを有し、このアノード
フレームを通して前面側にガス流出開口６を有するガス
管２９が延びている。アノードフレーム２８を冷却する
ために水冷装置２７が設けられており、この冷却は反応
ガスの能率的な励起をもたらすために、ガス開口部上に
放電が引き付けられる場合には特に重要である。このこ
とは特に、ガス管自体がアノードの一部であり、ないし
は、ガスの流出がアノードに対して絶縁されていない場
合に得られる。このようにアノード内にガス流出部を一
体的に配置することによって、層質にもコーティング率
にも積極的な作用がもたらされる。さらに、ガス流出開
口部６が、図６ではターゲット２２の表面の凹部３２に
よって概略図示されているターゲットの侵食孔上に向け
られていると効果的である。
【００４２】アノードフレーム２８はアノード基礎プレ
ート２６上に載置されており、アノード基礎プレートに
はフレームのベースプレートが、例えば、ボルトを介し
て結合固定されており、それによってアノードフレーム
は容易に取り外すことができる。基礎プレート２６自体
はアノードベースプレート２５上に配置されている。ア
ノードベースプレート２５、基礎プレート２６およびア
ノードフレーム２８はもちろん一部品から形成すること
も可能である。
【００４３】図６に示す詳細なスケッチにおいてはアノ
ード基礎プレート２６はターゲットクリップリング２３
を越えてターゲット端縁上まで引き込まれており、それ
によってターゲットの端縁領域に生じる放電(Ueberscla
ege)を効果的に抑圧することができる。もちろん、アノ
ード基礎プレート２６をターゲットを越えてさらに引き
込むことも可能である。その場合に重要なことは、暗部
間隔３０がどこでも同一になることであって、それによ
ってターゲットの上方に形成されるプラズマが有効にシ
ールドされる。もちろん、このプラズマのシールドは多
数の方法でもたらすことができるが、図６に例示する実
施例が効果的であることが明かにされている。
【００４４】図４から６に示す本発明のガス導入装置の
使用例は、本発明を詳細に説明するための１実施例に過
ぎない。すなわち、例えば、ガス導入パイプをアノード
フレームとは関係なく配置すること、すなわちアノード
フレームから絶縁して、ターゲットを包囲するどこかの
フレーム内に配置することも可能である。さらにガス導
入装置を接地し、あるいは別の電圧に接続することも可
能である。
【００４５】もちろん、種々に説明され、かつ請求され
ているガス導入装置の実施例を、受器内で基板の表面が
処理される、可能なすべての処理装置ないしコーティン
グ装置で使用することができる。その場合に、特に物理
蒸着法（ＰＶＤ）および化学蒸着法（ＣＶＤ）プロセス
を実施するために使用される装置のすべての可能な実施
形態において使用することができる。
【００４６】また、本発明により定義されたガス導入装
置自体の実施態様は図２および３の例に限定されるもの
ではなく、ガス導入が制御して行われ、ないしは所望通
りのガス導入を用いて好ましい均一なガス分配をもたら
すことのできる装置の全ガス導入システムを含むもので
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】いわゆる緩衝室、ないしは、ガス管シャワーを
有する、従来技術に基づくガス導入装置を示すものであ
る。
【図２】いわゆる多段二股分岐として形成された本発明
によるガス導入装置を示すものである。
【図３】ガス導入装置の他の実施例を示すものである。
【図４】マグネトロンと、例えば、図２に示すようなガ
ス導入装置とを有するカソードスパッタリング装置を示
すものである。
【図５】図４に概略図示するものと同様のカソードスパ
ッタリング装置のアノードフレームとターゲットの横断
面を示すものである。
【図６】例えば、図５に使用されるようなガス流出開口
部を有するアノードフレームの好ましい実施例の一部を
詳細に示すものである。
【符号の説明】
１…ガス源 ２…分岐 ３…分岐 ４…分岐 ５…分岐 ６…流出開口部 ８…移送パイプ １０…緩衝室 １１…横断面 ２０…マグネットシステム ２１…ターゲット冷却プレート ２２…ターゲット ２３…ターゲットクリップリング ２４…カソード ２５…アノードベースプレート ２６…アノード基礎プレート ２８…アノードフレーム ２９…ガス管 ３０…暗部間隔 ３２…凹部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 (72)発明者 ルディギアー ヘルムト スイス国，ツェーハー−7310 バート ラ ガツ，サントシュトラーセ ３

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 スパッタリング、ないし、蒸発すべき材
    料を有する面を備えた、少なくとも１つのターゲットを
    有し、物理的または化学的な処理方法を用いて、あるい
    はエッチング方法を用いて真空受器内で基板を処理する
    装置であって、 作業ガス、および／または、処理に反応的に関与するガ
    スあるいは混合ガスを受器内に導入する多数のガス流出
    開口部（６）を備えた、少なくとも１つのガス導入装置
    を有し、 前記受器はパイプシステムを介して与えられたガス圧を
    有する、少なくとも１つのガス源（１）と接続されてい
    て、 流出開口部（６）の抵抗係数が与えられたガス圧を有す
    るパイプシステム内の箇所に関して、各開口部において
    制御されたガス流が流出するように、定められているこ
    とを特徴とする真空受器内で基板を処理する装置。
  2. 【請求項２】 流出開口部（６）が、少なくとも１つの
    ターゲット（２２）ないしは材料源、および／または、
    １つあるいは多数の基板に関して、ほぼ設定された分配
    プロフィールに従って形成され、例えば、均一に分配し
    て配置されていることを特徴とする請求項１に記載の装
    置。
  3. 【請求項３】 ガス導入装置が、それぞれ、個々の流出
    開口部の抵抗係数が、少なくともほぼ設定された値を有
    し、例えば、ほぼ等しいように形成されているので、流
    れ領域ないしは流れの種類に関係なく各流出開口部を通
    して単位時間当り、少なくともほぼ設定された量、例え
    ば、同一量のガスが受器内に流出することを特徴とする
    請求項１あるいは２に記載の装置。
  4. 【請求項４】 ガス源（１）から流出開口部（６）まで
    の個々の道筋長さがほぼ等しいことを特徴とする請求項
    １から３までのいずれか１項に記載の装置。
  5. 【請求項５】 ガス源から各ガス流出開口部まで、ほぼ
    同一の直径と同一の道筋長さを有する別体の移送パイプ
    （８）が配置されていることを特徴とする請求項１から
    ４までのいずれか１項に記載の装置。
  6. 【請求項６】 ガス源（１）のガス流出開口部（６）へ
    の接続が、ガス源（１）から、ないしは、パイプシステ
    ム内の各分岐（２、３、４）から等距離隔てた２つの後
    段に接続された、ないしは、後続の分岐（３、４、５）
    に供給が行われ、これらの分岐自体必要に応じて、それ
    ぞれ２つの後段に接続された分岐（４、５）、ないし
    は、場合によっては流出開口部（６）に供給を行うこと
    によって、いわゆる多段二股分岐(binaeren Baumes) の
    システムと同様に形成されていることを特徴とする請求
    項１から４までのいずれか１項に記載の装置。
  7. 【請求項７】 ターゲット、ないしは、材料源、および
    ／または、１つまたは複数の基板に関して、少なくとも
    それぞれ１つのガス導入装置が設けられていることを特
    徴とする請求項２から６までのいずれか１項に記載の装
    置。
  8. 【請求項８】 装置がマグネトロンとして駆動されるタ
    ーゲットとマグネトロン、ないし、カソードを、少なく
    とも部分的に包囲し、ないしは、包含するガス導入装置
    を有するカソードスパッタリング装置であって、その場
    合に、好ましくは、各流出開口部からのガス流は設定さ
    れた値を有し、かつ、例えば、ほぼ均一にマグネトロン
    に作用することを特徴とする請求項１から７までのいず
    れか１項に記載の装置。
  9. 【請求項９】 ガス導入装置がマグネトロンのカソード
    を包囲するアノードフレーム内に統合して配置されてい
    ることを特徴とする請求項８に記載の装置。
  10. 【請求項１０】 ガス導入装置が、放電が、例えば、ガ
    ス導入装置に電圧を印加することによって、流出開口部
    上に所望通りに引き付けられるように形成され、開口部
    が放電区間の電極の一部を形成することを特徴とする請
    求項８あるいは９に記載の装置。
  11. 【請求項１１】 ガス導入装置が、第２の放電回路を形
    成するために電気的に絶縁されていることを特徴とする
    請求項８から１０項までのいずれか１項に記載の装置。
  12. 【請求項１２】 マグネトロンがターゲット、アノード
    フレームおよびアノードフレーム内に統合して配置され
    た流出開口部によって形成され、 前記アノードフレームが、好ましくは、水冷されてお
    り、かつ、ターゲットの端縁ゾーンの放電(Ueberschlae
    ge) を抑圧するために、ターゲット端縁を越えて引き込
    まれて形成されており、 かつ、ガス流出開口部が、好ましくは、ターゲットの侵
    食孔上に向けられていることを特徴とする請求項８から
    １１までのいずれか１項に記載の装置。
  13. 【請求項１３】 少なくとも１つの基板に関して、少な
    くとも１つの他のガス導入装置が配置されていることを
    特徴とする請求項８から１２までのいずれか１項に記載
    の装置。
  14. 【請求項１４】 スパッタリングないしは蒸発すべき材
    料を有する面を備えた、少なくとも１つのターゲットを
    有する真空受器内で、物理的あるいは化学的なコーティ
    ング方法、またはエッチング方法によって基板を均一に
    処理する方法であって、 前記受器内に、与えられたガス圧を有する、少なくとも
    １つのガス源から多数の流出開口部を有するガス導入装
    置を介して、少なくとも１つの作業ガス、および／また
    は、処理に反応的に関与するガスが導入され、 流入開口部の抵抗係数が、与えられたガス圧を有するパ
    イプシステム内の位置に関して、所望通りのガス流に相
    当するように定められることによって、各流出開口部に
    おいて流出するガス流が制御されることを特徴とする真
    空受器内で物理的あるいは化学的なコーティング方法、
    またはエッチング方法によって基板を均一に処理する方
    法。
  15. 【請求項１５】 各流出開口部において単位時間当り少
    なくともほぼ同一量のガスが受器内に導入されることを
    特徴とする請求項１４に記載の方法。
JP08476394A 1993-04-22 1994-04-22 ガス導入装置および方法 Expired - Lifetime JP3706157B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH01240/93A CH687258A5 (de) 1993-04-22 1993-04-22 Gaseinlassanordnung.
CH01240/93-9 1993-04-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0790572A true JPH0790572A (ja) 1995-04-04
JP3706157B2 JP3706157B2 (ja) 2005-10-12

Family

ID=4205759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP08476394A Expired - Lifetime JP3706157B2 (ja) 1993-04-22 1994-04-22 ガス導入装置および方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5622606A (ja)
JP (1) JP3706157B2 (ja)
CH (1) CH687258A5 (ja)
DE (1) DE4412541B4 (ja)
FR (1) FR2705690B1 (ja)
GB (1) GB2277327B (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004079904A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Sony Corp 成膜装置
JP2004172622A (ja) * 2002-11-15 2004-06-17 Samsung Electronics Co Ltd 半導体処理システムのガス注入装置
JP2006502553A (ja) * 2002-10-10 2006-01-19 ユーティーシー フューエル セルズ，エルエルシー 燃料電池用のカスケード燃料入口マニホールド
US7105100B2 (en) 1998-04-15 2006-09-12 Applied Materials, Inc. System and method for gas distribution in a dry etch process
WO2011077641A1 (ja) * 2009-12-24 2011-06-30 信越半導体株式会社 エピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長装置の製造方法
JP2012021209A (ja) * 2010-07-16 2012-02-02 Ulvac Japan Ltd 蒸着装置及び蒸着方法
WO2013122058A1 (ja) * 2012-02-14 2013-08-22 東京エレクトロン株式会社 蒸着ヘッド及び蒸着装置
JP2014057047A (ja) * 2012-08-10 2014-03-27 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及びガス供給装置
JP2016008348A (ja) * 2014-06-26 2016-01-18 住友金属鉱山株式会社 ガス放出ユニット及びこれを具備する成膜装置
JPWO2018042877A1 (ja) * 2016-09-05 2019-04-04 信越半導体株式会社 気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置用のアタッチメント
JP2020033614A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 住友金属鉱山株式会社 成膜装置と成膜方法

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19501733C1 (de) * 1995-01-20 1996-05-15 Heraeus Quarzglas Vorrichtung zur Aufteilung eines Gasstromes in mehrere Teilgasströme
US6383954B1 (en) 1999-07-27 2002-05-07 Applied Materials, Inc. Process gas distribution for forming stable fluorine-doped silicate glass and other films
US6502530B1 (en) 2000-04-26 2003-01-07 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Design of gas injection for the electrode in a capacitively coupled RF plasma reactor
DE10045958B4 (de) * 2000-09-16 2008-12-04 Muegge Electronic Gmbh Vorrichtung zum Leiten eines gasförmigen Mediums in eine und/oder aus einer Prozeßkammer
DE10100670A1 (de) 2001-01-09 2002-08-14 Univ Braunschweig Tech Zuführvorrichtung für eine CVD-Anlage
US20040142558A1 (en) * 2002-12-05 2004-07-22 Granneman Ernst H. A. Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates
US7601223B2 (en) * 2003-04-29 2009-10-13 Asm International N.V. Showerhead assembly and ALD methods
US7537662B2 (en) 2003-04-29 2009-05-26 Asm International N.V. Method and apparatus for depositing thin films on a surface
EP1629522A4 (en) * 2003-05-30 2008-07-23 Aviza Tech Inc GAS DISTRIBUTION SYSTEM
KR101070353B1 (ko) * 2003-06-25 2011-10-05 주성엔지니어링(주) 반도체 소자 제조장치의 가스 인젝터
US20050118487A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Whiton John H. Small volume, fuel cell inlet fuel gas distributor having low pressure drop
DE102004008425B4 (de) * 2004-02-19 2011-12-29 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Gasführungsanordnung in einer Vakuumbeschichtungsanlage mit einer längserstreckten Magnetronanordnung
US20050223984A1 (en) * 2004-04-08 2005-10-13 Hee-Gyoun Lee Chemical vapor deposition (CVD) apparatus usable in the manufacture of superconducting conductors
US20050223983A1 (en) 2004-04-08 2005-10-13 Venkat Selvamanickam Chemical vapor deposition (CVD) apparatus usable in the manufacture of superconducting conductors
US7387811B2 (en) * 2004-09-21 2008-06-17 Superpower, Inc. Method for manufacturing high temperature superconducting conductors using chemical vapor deposition (CVD)
JP5046334B2 (ja) * 2004-10-11 2012-10-10 ソレラス・アドヴァンスト・コーティングス・ナムローゼ・フェンノートシャップ 長型ガス分配システム
DE102005035247B9 (de) * 2005-07-25 2012-01-12 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Fluidverteiler mit binärer Struktur
EP1913172A2 (en) * 2005-07-29 2008-04-23 Aviza Technology, Inc. Gas manifold valve cluster
WO2007045110A2 (en) * 2005-10-17 2007-04-26 Oc Oerlikon Balzers Ag Cleaning means for large area pecvd devices using a remote plasma source
GB0522147D0 (en) * 2005-10-31 2005-12-07 3M Innovative Properties Co Emergency spill kit
WO2007118204A2 (en) * 2006-04-06 2007-10-18 Applied Materials, Inc. Reactive sputtering zinc oxide transparent conductive oxides onto large area substrates
US20070235320A1 (en) * 2006-04-06 2007-10-11 Applied Materials, Inc. Reactive sputtering chamber with gas distribution tubes
US7850828B2 (en) * 2006-09-15 2010-12-14 Cardinal Cg Company Enhanced virtual anode
JP2008127615A (ja) * 2006-11-20 2008-06-05 Fujitsu Ltd 薄膜形成方法、薄膜形成装置および積層膜
JP2008212814A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Canon Inc 流体搬送路、流体処理装置および流体処理システム
WO2008113571A1 (de) * 2007-03-20 2008-09-25 Leybold Optics Gmbh Gasverteilersystem
US8512509B2 (en) * 2007-12-19 2013-08-20 Applied Materials, Inc. Plasma reactor gas distribution plate with radially distributed path splitting manifold
US20110070370A1 (en) * 2008-05-28 2011-03-24 Aixtron Ag Thermal gradient enhanced chemical vapour deposition (tge-cvd)
TWI498053B (zh) * 2008-12-23 2015-08-21 Ind Tech Res Inst 電漿激發模組
CN202855717U (zh) 2009-09-10 2013-04-03 朗姆研究公司 等离子体反应室的可替换上室部件
CN101899652B (zh) * 2009-12-01 2012-05-02 东莞宏威数码机械有限公司 气体供应系统及方法
CN101813236B (zh) * 2009-12-01 2013-01-23 东莞宏威数码机械有限公司 气体输送装置及输送方法
BR112013025622A2 (pt) * 2011-04-07 2016-12-27 Sage Electrochromics Inc método para depositar um filme ou revestimento de lítio sobre um substrato, sistema de pulverização catódica, e, processo de monitoramento ou modificação da uniformidade ou taxa de deposição de lítio sobre um substrato
US9245717B2 (en) 2011-05-31 2016-01-26 Lam Research Corporation Gas distribution system for ceramic showerhead of plasma etch reactor
CN103205719B (zh) * 2012-01-17 2015-09-09 上海北玻镀膜技术工业有限公司 气体通道模块及应用其的气体分配装置
GB201212540D0 (en) 2012-07-13 2012-08-29 Uab Electrum Balticum Vacuum treatment process monitoring and control
KR101541154B1 (ko) * 2012-12-13 2015-08-03 엘아이지인베니아 주식회사 원자층 증착장치
CN103993265A (zh) * 2013-02-20 2014-08-20 生阳新材料科技（宁波）有限公司 用于镀膜制程的气体释出装置
WO2014163742A1 (en) * 2013-03-12 2014-10-09 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas injection assembly with azimuthal and radial distribution control
US9633823B2 (en) * 2013-03-14 2017-04-25 Cardinal Cg Company Plasma emission monitor and process gas delivery system
US9353439B2 (en) * 2013-04-05 2016-05-31 Lam Research Corporation Cascade design showerhead for transient uniformity
JP5493139B1 (ja) * 2013-05-29 2014-05-14 独立行政法人科学技術振興機構 ナノクラスター生成装置
CN103697557A (zh) * 2013-12-19 2014-04-02 常熟市联诚光源电器配件有限公司 芯柱生产设备集中送风系统
CN103712229A (zh) * 2013-12-19 2014-04-09 常熟市联诚光源电器配件有限公司 新型芯柱生产设备集中送风系统
KR102194915B1 (ko) * 2014-01-13 2020-12-28 삼성디스플레이 주식회사 스퍼터링 장치 및 스퍼터링용 가스 공급관
US20170252756A1 (en) * 2014-09-17 2017-09-07 Tokyo Electron Limited Shower head and film forming apparatus
CN104404458A (zh) * 2014-11-05 2015-03-11 上海大学 一种大面积均匀通气的气路结构
JP6293643B2 (ja) * 2014-11-05 2018-03-14 株式会社東芝 ノズル装置及び処理装置
TW201634738A (zh) * 2015-01-22 2016-10-01 應用材料股份有限公司 用於在空間上分離之原子層沉積腔室的經改良注射器
US9812296B2 (en) 2015-02-03 2017-11-07 Cardinal Cg Company Sputtering apparatus including gas distribution system
US10023959B2 (en) 2015-05-26 2018-07-17 Lam Research Corporation Anti-transient showerhead
JP6462613B2 (ja) * 2016-03-15 2019-01-30 株式会社東芝 分流構造
WO2021078442A1 (en) 2019-10-24 2021-04-29 Evatec Ag Vacuum process treatment chamber and method of treating a substrate by means of a vacuum treatment process

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS644473A (en) * 1987-06-26 1989-01-09 Mitsubishi Electric Corp Sputtering device
JPS6439363A (en) * 1987-08-04 1989-02-09 Nitto Denko Corp Method and device for forming thin film of conductive and transparent metal oxide by reactive sputtering
JPH03503547A (ja) * 1988-02-11 1991-08-08 サウスウォール　テクノロジーズ　インコーポレイテッド 延伸基板への薄膜堆積時において横方向均一性を得る方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3854443A (en) * 1973-12-19 1974-12-17 Intel Corp Gas reactor for depositing thin films
US4172021A (en) * 1978-10-13 1979-10-23 Western Electric Company, Inc. Method and glow-suppression devices for transporting a gas across a voltage drop
US4270999A (en) * 1979-09-28 1981-06-02 International Business Machines Corporation Method and apparatus for gas feed control in a dry etching process
DE3129327C2 (de) * 1981-07-24 1985-09-12 Flachglas AG, 8510 Fürth Vorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten durch Kathodenzerstäubung
JPS5830125A (ja) * 1981-08-18 1983-02-22 Toshiba Corp グロ−放電による膜形成装置
US4425218A (en) * 1982-03-30 1984-01-10 Shatterproof Glass Corporation Gas distribution system for sputtering cathodes
JPS58221276A (ja) * 1982-06-17 1983-12-22 Toshiba Corp スパツタリング装置
DE3331707A1 (de) * 1983-09-02 1985-03-21 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren und vorrichtung zum reaktiven aufstaeuben von verbindungen von metallen und halbleitern
JPS60198822A (ja) * 1984-03-23 1985-10-08 Anelva Corp ドライエツチング装置
JPS6139234A (ja) * 1984-07-30 1986-02-25 Fuji Photo Film Co Ltd 薄膜形成装置
GB2169003B (en) * 1984-11-16 1987-12-31 Sony Corp Chemical vapour deposition
DE3521053A1 (de) * 1985-06-12 1986-12-18 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Vorrichtung zum aufbringen duenner schichten auf ein substrat
NL8602356A (nl) * 1985-10-07 1987-05-04 Epsilon Ltd Partnership Inrichting en werkwijze voor een axiaal symmetrische reactor voor het chemische uit damp neerslaan.
DE3611492A1 (de) * 1986-04-05 1987-10-22 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Verfahren und vorrichtung zum beschichten von werkzeugen fuer die zerspanungs- und umformtechnik mit hartstoffschichten
US4774416A (en) * 1986-09-24 1988-09-27 Plaser Corporation Large cross-sectional area molecular beam source for semiconductor processing
US4976996A (en) * 1987-02-17 1990-12-11 Lam Research Corporation Chemical vapor deposition reactor and method of use thereof
US4780169A (en) * 1987-05-11 1988-10-25 Tegal Corporation Non-uniform gas inlet for dry etching apparatus
JPH0333058Y2 (ja) * 1987-06-26 1991-07-12
FR2618799B1 (fr) * 1987-07-27 1989-12-29 Inst Nat Rech Chimique Reacteur de depot en phase vapeur
US4931158A (en) * 1988-03-22 1990-06-05 The Regents Of The Univ. Of Calif. Deposition of films onto large area substrates using modified reactive magnetron sputtering
DE3821207A1 (de) * 1988-06-23 1989-12-28 Leybold Ag Anordnung zum beschichten eines substrats mit dielektrika
JPH02114530A (ja) * 1988-10-25 1990-04-26 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
US4987856A (en) * 1989-05-22 1991-01-29 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. High throughput multi station processor for multiple single wafers
DE4006411C2 (de) * 1990-03-01 1997-05-28 Leybold Ag Vorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten auf ein Substrat
JPH07116586B2 (ja) * 1990-05-31 1995-12-13 株式会社芝浦製作所 バルブ機構を備えた配管装置
DE4120176C1 (ja) * 1991-06-19 1992-02-27 Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De
EP0537854B1 (en) * 1991-10-18 1997-09-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a semiconductor device whereby a layer of material is deposited on the surface of a semiconductor wafer from a process gas
DE4140862A1 (de) * 1991-12-11 1993-06-17 Leybold Ag Kathodenzerstaeubungsanlage
EP0574075B1 (en) * 1992-06-09 1996-02-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a semiconductor device by means of a chemical vapour deposition
WO1994015707A2 (de) * 1993-01-15 1994-07-21 Aixtron Gmbh Vorrichtung zum gleichzeitigen einlassen wenigstens eines prozessgases in eine mehrzahl von reaktionskammern
DE4311360C2 (de) * 1993-04-06 2002-10-24 Applied Films Gmbh & Co Kg Anordnung zum reaktiven Abscheiden von Werkstoffen als Dünnfilm durch Mittelfrequenz-Kathodenzerstäubung

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS644473A (en) * 1987-06-26 1989-01-09 Mitsubishi Electric Corp Sputtering device
JPS6439363A (en) * 1987-08-04 1989-02-09 Nitto Denko Corp Method and device for forming thin film of conductive and transparent metal oxide by reactive sputtering
JPH03503547A (ja) * 1988-02-11 1991-08-08 サウスウォール　テクノロジーズ　インコーポレイテッド 延伸基板への薄膜堆積時において横方向均一性を得る方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7105100B2 (en) 1998-04-15 2006-09-12 Applied Materials, Inc. System and method for gas distribution in a dry etch process
JP2004079904A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Sony Corp 成膜装置
JP2006502553A (ja) * 2002-10-10 2006-01-19 ユーティーシー フューエル セルズ，エルエルシー 燃料電池用のカスケード燃料入口マニホールド
JP2004172622A (ja) * 2002-11-15 2004-06-17 Samsung Electronics Co Ltd 半導体処理システムのガス注入装置
WO2011077641A1 (ja) * 2009-12-24 2011-06-30 信越半導体株式会社 エピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長装置の製造方法
JP2011134871A (ja) * 2009-12-24 2011-07-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd エピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長装置の製造方法
JP2012021209A (ja) * 2010-07-16 2012-02-02 Ulvac Japan Ltd 蒸着装置及び蒸着方法
WO2013122058A1 (ja) * 2012-02-14 2013-08-22 東京エレクトロン株式会社 蒸着ヘッド及び蒸着装置
JP2014057047A (ja) * 2012-08-10 2014-03-27 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及びガス供給装置
JP2016008348A (ja) * 2014-06-26 2016-01-18 住友金属鉱山株式会社 ガス放出ユニット及びこれを具備する成膜装置
JPWO2018042877A1 (ja) * 2016-09-05 2019-04-04 信越半導体株式会社 気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置用のアタッチメント
JP2020033614A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 住友金属鉱山株式会社 成膜装置と成膜方法

Also Published As

Publication number Publication date
GB2277327B (en) 1997-03-26
GB2277327A (en) 1994-10-26
DE4412541A1 (de) 1994-10-27
FR2705690A1 (fr) 1994-12-02
FR2705690B1 (fr) 1997-05-30
CH687258A5 (de) 1996-10-31
JP3706157B2 (ja) 2005-10-12
GB9407818D0 (en) 1994-06-15
DE4412541B4 (de) 2011-03-10
US5622606A (en) 1997-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3706157B2 (ja) ガス導入装置および方法
JP5043657B2 (ja) 事前に組立済みのプロセス配管の内部表面を現場においてコーティングする方法及びシステム
US5439574A (en) Method for successive formation of thin films
JPH05214522A (ja) スパッタリング方法及び装置
EP2016609A1 (en) Electrode systems and methods of using electrodes
EP0983394A1 (en) Method and apparatus for low pressure sputtering
JP2006511715A (ja) アノードガス供給装置を備えたマグネトロンスパッタリング装置
JPH09170080A (ja) 基板を被覆する装置
JP2007035623A (ja) プラズマ活性を向上させる装置
US5690796A (en) Method and apparatus for layer depositions
JP4435353B2 (ja) スパッタリング装置
JPH06158316A (ja) 反応度を制御する方法とコーティング装置
JPH05320891A (ja) スパッタリング装置
JPH07238370A (ja) スパッタリング式成膜装置
JP2001220668A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法、並びにそれを用いて製作された薄膜デバイス
JP2007277649A (ja) 真空処理装置
JP3327618B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2006169589A (ja) 表面処理装置
JPH0645896B2 (ja) 低温プラズマ処理装置
JP4675617B2 (ja) 表面処理装置
JPH04228566A (ja) スパッターイオンめっきによる導電性繊維被覆方法および装置
JP3728925B2 (ja) スパッタリング装置
Fancey et al. The influence of neon in the deposition of titanium nitride by plasma-assisted physical vapour deposition
Charrier et al. Carbon films deposited by the physical vapour deposition focused-arc evaporation technique
JPH0555206A (ja) 減圧成膜装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20031202

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040227

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050628

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050728

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080805

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090805

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090805

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100805

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100805

Year of fee payment: 5

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100805

Year of fee payment: 5

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100805

Year of fee payment: 5

R370 Written measure of declining of transfer procedure

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100805

Year of fee payment: 5

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100805

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110805

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110805

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120805

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130805

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term