JP4435353B2 - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4435353B2 JP4435353B2 JP2000005744A JP2000005744A JP4435353B2 JP 4435353 B2 JP4435353 B2 JP 4435353B2 JP 2000005744 A JP2000005744 A JP 2000005744A JP 2000005744 A JP2000005744 A JP 2000005744A JP 4435353 B2 JP4435353 B2 JP 4435353B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- coil
- sputtering
- workpiece
- resputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、工作物上に材料を被着させるためのスパッタリング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
材料を1つの標的からスパッタリングし、真空チャンバ内でイオン化しその後例えば半導体ウェハである工作物に対し電界を用いて引きつけさせることができるということは周知のことである。
【0003】
スパッタリングされた材料をイオン化する1つの適切な手段は、無線周波数で駆動される液浸コイルを使用することにあり、かかる装置については、「内蔵高周波コイル型スパッタリング装置の基本的特性」、J.Vac, Sci. Technol.A7(2),Mar/Apr 1989、の中で記述されている。しかしながら、スパッタリングされた材料を充分に高い割合でイオン化するためには、比較的高い(〜4.0Pa、即ち〜30mT)チャンバ圧力が必要とされる。この圧力は、イオン化用RFコイルの存在と組合わさって、例えば典型的に20〜30%の表面厚みの標準偏差といった受容できないほど高い被着不均等性を工作物全体に渡って作り出す。非常に不均等ではあるものの、基板上の被着は、半径方向の対称性を有するように、つまり中心が最も厚く縁部が最も薄くなるように工学処理され得る。かかる対称性は、スパッタリング材料の二次的供給源を基板のまわりに同心的に位置づけして付加することによって、かかる不均等性を補償する可能性を提供する。第2の供給源は好ましくは、基板縁部に材料を被着させ、例えば表面厚みの標準偏差<8%といった受容可能な均等な全体的厚みプロフィールを提供することになる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
2部分標的については、米国特許第4606806号に記述されており、これは、内側平面部分と円錐台形外側部分を含んでいる。欧州特許A−0807954においては、補償標的は、イオン化コイル及び二次スパッタ供給源の両方として動作する標的材料のソレノイド環を含んで成る。この装置は、金属のグレードが約99.999%の精製率でなくてはならないことから製造が非常に高くつきかつ消費されるにつれて頻繁に交換する必要があるという多大な欠点を有する。かかる材料の成形は非常に高くつき、これらを経済的な形で冷却することは極めて困難である。このことは、結果として生じる熱応力が剥離をもたらすことから、不利である。
【0005】
かくして、欧州特許A−0807954では、一次標的から二次標的/コイル上へのスパッタリングを防ぐため、遮蔽リンダが具備されている。多くのプロセスにとって、これは適切にうまく機能するが、好ましくは同じチャンバ内でTiとそれに続くTiNから成る種々の層を半導体ウェハ上に被着させるための一般的プロセス必要条件に関して問題が生じる。TiNは、Tiスパッタリングプロセス中に少量の窒素を流動させることによって被着させられる。こうして、チタン標的表面は窒化させられ、窒化チタンが基板表面上にスパッタリングされる。
【0006】
TiとTiNは、非常に異なる熱膨張係数を有し、あらゆる熱循環が付加的な応力を作り出して特に未冷却標的コイルからの剥離の確率をさらに高くする。EP−A−0807944の装置は、Ti及びTiNプロセスの間に極度に長いエッチングプロセスを発生させない限り、この問題を充分に克服するものではない。
【0007】
本発明は、これらの問題の少なくともいくつかを緩和することを目的とし、いくつかの実施形態は、全ての面で有意義な改善を提供している。
【0008】
【課題を解決するための手段】
1つの態様によると、本発明は、チャンバ、チャンバ内に露出された標的及びチャンバ内で標的とは反対側に位置設定された工作物サポートを内含する、工作物上に材料を被着させるためのスパッタリング装置において、この装置にはさらに、被着の均等性を高めるべく工作物の周囲上に再度スパッタリングするために、標的材料のコーティングを受けるための導電性非標的材料の工作物と該標的の間に配置された再スパッタリング表面、及びコーティングの再スパッタリングを可能にするため該表面を負にバイアスさせるための手段が含まれていることを特徴とするスパッタリング装置から成る。
【0009】
好ましくは再スパッタリング表面は、一般にサポートの周辺に配置されており、この再スパッタリング表面又はその一部分はサポートに向かって傾斜させられていてよい。再スパッタリング表面はリングの形をしていてよく該リングは、台形の断面を有していてよい。表面は、ステンレス鋼又はその他の、真空環境内で使用可能で容易に成形され又は頑強である適切な材料でできていてよい。この装置は、さらに表面に対する標的材料の付着性を増強するため、再スパッタリング表面上に例えばモリブデンのコーティングといった付着性増強用コーティングをさらに含んでいてよい。
【0010】
チャンバ内には、標的と再スパッタリング表面の間にRFコイルが配置されていてよい。この場合、RFコイルは好ましくは非標的材料で形成され、非標的材料のスパッタリングを防ぐため標的材料のコーティングを受けるための外側表面又は複数の表面を有する。適切には、再スパッタリング表面は、標的に対して影になっているコイルの部分上に材料をスパッタリングできるようにコイルとサポートの間に位置設定される。
【0011】
コイル及び/又はスパッタリング表面は、中に液体冷却材のための通路を構成するため中空であってよく、コイルは、ステンレス鋼又はその他の適切な材料で作られていてよい。
これらのケースのいずれにおいても、再スパッタリング表面及び/又はコイル上のコーティングの少なくとも一部分は、装置の前処理作業中、すなわちサポート上への工作物の位置づけに先立って行なわれる作業の間に標的からスパッタリングすることによって形成され得る。
【0012】
一般的な実践方法であるように、工作物上への被着に先立って、これは、好ましくは標的の予備スパッタリングと同時に行なうことができる。スパッタ材料が工作物サポート上に被着するのを防ぐため、一般にシャッタが利用される。
【0013】
この装置は、その後に続くプロセスのため標的材料で再スパッタリング表面及び/又はコイルをコーティングするための工作物が存在しない第1の前処理モード及び、標的材料が同じく工作物上に被着される第2の被着モードで装置を作動させるための制御手段を内含していて良い。この制御手段は、全ての特定の選択された第2のモードでの作動のために、第1のモードについて必要な条件を計算するためのコンピュータプログラムを内含することができる。
【0014】
さらなる態様によると、本発明は、チャンバ、チャンバ内に配置された標的、チャンバ内で標的と反対側に位置設定された工作物サポート、及びチャンバ内で標的とサポートの間に配置されたRFコイルを内含する、工作物を処理するためのスパッタリング装置において、コイルが非標的材料で作られており、工作物の処理以前及び/又はその間、標的材料のコーティングを支持するか又は具備していること、及び、最初に言及した標的との関係において影になっているコイルの部分上に材料をスパッタリングするため、コイルとサポートの間にさらなる標的が位置設定されていることを特徴とするスパッタリング装置から成っていてよい。
【0015】
さらなる標的は環状であってよく、又一般に台形の断面を有していてよい。コイル及び/又はさらなる標的は、中に液体冷却材のための通路を構成するべく中空であってよく、それらの各々又はいずれかはステンレス鋼でできていてよい。コイル上のコーティングは少なくとも部分的に、装置の前処理作業中に標的から、又はさらなる標的が非標的材料でできている場合にはまず第1に最初の標的からスパッタリングすることによって形成することができる。
【0016】
コイルは、好ましくは、その直流電位を最小限におさえ、かくしてその正味のスパッタリングを最小限にし、かくしてそれが工作物処理全体を通して標的材料でコーティングされた状態に確実にとどまることになるような周波数、電力及びモードで作動させられる。これは、正味の接地電位で、セグメント化された状態で、又はその他の方法で、プロセスと矛盾しない程度に低い負の直流バイアスで作動させることができる。
【0017】
さらにもう1つの態様によると、本発明は、チャンバ及びチャンバ内に配置された標的を内含する、工作物上に材料を被着させるためのスパッタリング装置において、この装置にはさらに、再スパッタリングするために、標的材料のコーティングを受けるための導電性非標的材料の再スパッタリング用表面、及び、コーティングが表面上に形成されかつ同様に工作物上へのスパッタ被着の間に実質的に再スパッタリング表面全ての上に標的材料のコーティングがつねに存在するような形で再スパッタリングされるように、表面のバイアスを制御するための手段が含まれていることを特徴とする装置から成る。
【0018】
本発明は更に、非標的材料が処理作業中にスパッタリングされないように及び/又は被着の均等性が増強されるように、非標的材料から作られている装置の予備コーティング要素を内含するスパッタリング装置の作動方法にも関する。本発明は更に、以上に記したその他の段階も内含しうる。
本発明について以上で定義したが、本発明は、以上で述べた又は以下に記載される特徴の発明的な全ての組合せを含むことを理解すべきである。
【0019】
【発明の実施の形態】
本発明は、種々の方法で実行でき、次に一例として、添付図面を参照しながら、1つの特定の実施形態について記述する。
【0020】
全体として10で表されているスパッタリング装置が、図1に概略的に示されている。この装置は、ポンプ(図示せず)に連結されている排出用出口12をもつ真空チャンバ11を内含している。チャンバ11の上端部は、実質的に、高度に精製された標的材料で作られた標的13により形成され、その上には標的13の均等な消耗を高めるため当該技術分野において周知である通りに構成され作動させられるマグネトロンアセンブリ14が載っている。工作物つまりウェハのサポート15が、標的13の反対側に工作物を支持するように位置設定され、RF電源17によりバイアスされうる。
【0021】
チャンバ11内部でサポート15と標的13の間には、標的13からスパッタリングされた材料をイオン化しかくしてそれが好ましくはサポート15上の負のバイアスによりウェハ16に向かって導かれ得るようにするため、コイル18が配置されている。コイル18は、RF電源19により給電を受け、標的13は、直流電源20により負に直流バイアスされる。標的13から材料をスパッタリングするイオン及び例えば反応性スパッタリングの場合のように何らかのさらなる反応を作り出すガスの導入を可能にするため、ガス入口21が具備されている。
【0022】
ここまで、装置は基本的に従来通りであり、その動作は、当該技術分野の範囲内で充分理解される。手順は、John Wyllie and Sonsにより出版された Brian Chapmanによる「グロー放電プロセス」の第6章において特によく記述されており、この章の関連するセクションは本書に参考として内含されている。
しかしながら、以上で説明してきた通り、標的材料からコイルを形成すること及び均等な被着を達成することに関し問題が存在する。これらの問題は、以下の特徴によって現出願の中で対処されている:
【0023】
1.コイル18は、矢印Aで示されているようにコイルの中を通過させることのできる液体冷却材(例えば水)のための通路を構成するような形で、ステンレス鋼管で形成される。
【0024】
2.コイル18は、構築に先立って標的材料で予備コーティングしてもよいが、より一般的には、前処理動作で装置11を作動させることによって、標的材料で少なくとも部分的にコーティングされる。この前処理動作は、どの様な場合でも、この様な装置の標準的な動作の一部分である。いずれの場合でも、コーティングは、ステンレス鋼管のスパッタリングに対して保護し、工作物の処理中にコイルから再スパッタリングされるあらゆる材料が確実に標的材料であるようにする。標的材料のさらなる被着は、工作物処理段階中に起こることになる。
【0025】
3.二次的標的つまり再スパッタリング表面を、サポートとコイル18の間及びサポート15の周辺に配置されるリング22によって形成することが可能である。このリング22は、標的13との関係において影になっているコイルの部分上に標的材料を再スパッタリングすることができる。
【0026】
4.リング22は、好ましくは標的材料で形成されているが、それ自体ステンレス鋼で形成し、前処理作業中及び工作物処理中の両方において、標的から再スパッタリングのための標的材料コーティングを獲得することもできる。この場合、リングは、中空で冷却されていてよく、これによっても又ステンレス鋼は保護され得る。
【0027】
5.標的リング22は、優先的にウェハ16の縁部に向かって材料をスパッタリングしかくして均等性を高めるべく位置づけされ形作られる。それが確実に標的材料でコーティングされた状態にとどまるようにするため、その負のバイアス(直流又はRF電源23)は、中央制御装置25によって入念に制御される。標的リング22には、ウェハ16の縁部上への優先的スパッタリングを増強するため傾斜した表面24aが具備されていてよく、このリングは、コイル18の外側部分に達するための面24bをさらに内含していてよい。
【0028】
6.コイル18及び/又はリング22は、標的材料の付着性を高めるためモリブデンといった材料で予備コーティングされていてよく、さらには標的材料のプリコートを有していてもよい。
【0029】
これらの特徴の組合せは、均質性の問題に対処すると同時に、比較的廉価で冷却可能な液浸コイルの使用をも可能にするということがわかるだろう。環状の標的は、均等性の補償を提供し、これらの特徴のいずれかを独立して利用することが可能である。コイルが標的リングから別個に使用される場合には、ステンレス鋼がイオン化に対し露出される可能性を克服するべく、ダークスペース遮蔽を利用することができる。
【0030】
標的リング22の形状、場所及びサイズは、いずれかの特定のチャンバ又は工作物の幾何形状及びさらには実行されるべきプロセスに従って変動しうるということがわかるだろう。一般に、リングのサイズは、主標的13より大きくなく、この標的の反対側に位置設定されることになる。内側の傾斜表面24aは一般に、基板表面に対して鈍角を成すことになる。電源23及び17は、単一電源によって形成されうる。
【0031】
装置の動作は、適切な制御によって大幅に強化することが可能で、電源、バルブ及びポンプは中央制御装置25にリード線26によって接続されていることが観察されるだろう。制御装置25は好ましくは、前処理及び被着段階中に被着されるべき厚み及び必要とされる動作順序を計算するべく予備プログラミングされうるコンピュータを内含している。
【0032】
図1に示す装置は、チタン用イオン化スパッタリングのために利用されてきた。各ケースにおいて、標的は直流3kwで、イオン化コイルはRF1.5kwで作動され、4.0Pa(30mT)の圧力でアルゴンが供給された。第1の例では、ウェハ及びリング22は、共用電源により−50Vの比較的低い値まで直流バイアスされ、これにより30%というフィルム厚みの標準偏差(不均等性)をもたらした。この多少の差こそあれ典型的な結果は、バイアス電圧が、その特定の標的材料について再スパッタリングが起こるためのしきい値近くまたはそれより低いものであり、従って均等性の改善は見られない、ということを表わしている。これらの結果は図2に例示されている。図3では、ウェハ及びリング上の直流バイアスは−350Vでありかくしてリングからの再スパッタリングを著しく増大させ、不均等性は7.6%まで低減した。測定は、抵抗率マッピングを用いたものであり、等抵抗率ラインが「輪郭」マップとして示されている。
【0033】
この実験はかくして、イオン化されたスパッタリング装置内の被着の均等性を改善するための再スパッタリングの使用を立証した。
さらなる実験も行なわれ、例としては、以下の結果が達成された。
【0034】
【0035】
絶対値では、被着された材料の厚みの増加が、ホールのベースにおいてもフィールド内でもほぼ同じであることがわかるだろう。このことは驚くべきことに、再スパッタリングされた材料が高度にイオン化されていることを示唆している。
さらなる実験は、内側斜面24aの角度が好ましくは50°の領域内にあることを示唆し、53°という角度が特に適していることが証明された。実際には、2MHzが単巻コイルのための適切な駆動周波数であることが証明された。
【0036】
TiNをスパッタリングする場合、ウェハは典型的に、−30〜40Vの直流にバイアスされ、再スパッタリングは、ウェハフィールド全体に渡って受容可能な均等性を提供するよう直流1000Vで駆動された。高い直流電圧は、RFコイルによりクランプされている電流に起因し、従って、TiNといったさらに低い収量の材料についてはパルス直流又はRF電源を使用することが望ましいかもしれない。このような手段により、電圧を再スパッタリングのリング上で減少させることが可能である。高圧は、真空フィードスルー及び遮蔽及びチャンバ部分に対するアークの発生についての問題をもたらす。
【0037】
コイル及びさらなる標的の有効なプリスパッタコーティングを可能にする最適化されたプロセス順序は、DRAM相互接続ライナーのためには以下のとおりである。
【0038】
1.ウェハサポート15をシャッタでカバーし、チタン13に例えば1.6Pa(12mT)で30秒間直流15000Wを給電する。この段階は、全てのスパッタリングシステムにおいて、そして以前にスパッタリングされた材料が窒化チタンであってしかも標的表面が窒素で汚染されることになるために特にこのプロセスフローにおいては、ウェハ上へのチタンのスパッタリングに先立って行なわれる。このシステムでは、この標的清浄段階は同様にイオン化コイル及び第2の標的22の再スパッタリング表面上に新鮮な材料を「貼りつける」。
【0039】
2.ウェハを投入し、シャッタを開く。
3.典型的に20nmの厚さを有するチタンをスパッタリングする。
プロセス:
直流750Wを標的マグネトロン14に印加。
直流250Wを再スパッタリング用第2の標的22に印加。
直流接地電位イオン化コイル18に対し2MHzのRF電力1000Wを印加。
60秒間、4.7Pa(35mT)で13.56mhz のRF電力により、ウェハに−35V直流をバイアス。
この段階中、第2の標的22から旧標的材料のみが再スパッタリングされる。
【0040】
4.典型的に40nmの厚さを有する窒化チタンをスパッタリングする。
プロセス:
4,000Wの直流電力を標的マグネトロン14に印加。
直流2,200Wを再スパッタリング表面標的22に印加。
直流接地電位イオン化コイル18に対し3000Wの2MHzRF電力を印加。
70秒間、3.3Pa(25mT)で13.56mhz のRF電力により、−35Vがウェハに直流バイアス。
この段階中、再スパッタリングされた材料は消費され、再スパッタリング用標的22の一部も同様に消費され、かくしてこの実験には、再スパッタリング用標的22が基本的に標的材料と同一の材料の表面を有することが必要とされる。
【0041】
RFイオン化コイルは直流接地され従ってかなりのスパッタリング力(イオンボンバードメント)を受けていないこと、さらに標的によってその上に被着されず、その結果PRイオン化コイルに対して標的材料の被着が無いので、RFイオン化コイルはスパッタしない。
25枚のウェハのバッチについての結果は以下の結果を生み出した。
【0042】
【図面の簡単な説明】
【図1】スパッタリング装置の概略図である。
【図2】1つの条件下でのスパッタリング装置の作動中の均等性レベルを示すチャート及び表である。
【図3】好ましい1セットの条件についての図2と同じ表及びダイアグラムである。
【符号の説明】
10…スパッタリング装置
11…真空チャンバ
12…排出用出口
13…標的
14…マグネトロンアセンブリ
15…サポート
16…ウェハ
17…RF電源
18…コイル
19…RF電源
20…直流電源
21…入口
22…リング
23…直流又はRF電源
24…表面
25…中央制御装置
26…リード線
Claims (21)
- チャンバ、該チャンバ内に配置された標的及び該チャンバ内で標的とは反対側に位置設定された工作物サポートを内含する、工作物上に材料を被着させるためのスパッタリング装置において、該装置にはさらに、被着の均等性を高めるべく工作物の周囲上に再度スパッタリングするために、標的材料のコーティングを有し及び/又は標的材料のコーティングを受けるための再スパッタリング表面であって、前記工作物サポートと該標的の間に配置された再スパッタリング表面、コーティングの再スパッタリングを可能にするため前記再スパッタリング表面を負にバイアスさせるための手段、及び、前記標的と前記再スパッタリング表面の間に配置されたRFコイル、が含まれていることを特徴とするスパッタリング装置。
- 前記再スパッタリング表面が、一般に前記サポートの周辺に配置されている、請求項1に記載の装置。
- 前記再スパッタリング表面又はその一部分が前記サポートに向かって傾斜させられている、請求項1又は2に記載の装置。
- 前記再スパッタリング表面がリングの上に形成される、請求項1〜3のいずれか1項に記載の装置。
- 前記リングが一般に台形の断面を有する請求項4に記載の装置。
- 前記表面が前記標的材料のコーティングで形成されるか、又は、少なくとも前記標的材料を有している、請求項1〜5のいずれか1項に記載の装置。
- 前記表面がステンレス鋼でできている、請求項1〜5のいずれか1項に記載の装置。
- 前記表面に対する標的コーティング材料の付着性を増強するため前記再スパッタリング表面上に付着性増強用コーティングをさらに含んで成る、請求項1〜7のいずれか1項に記載の装置。
- 前記再スパッタリング表面をDCバイアスするための手段をさらに内含する、請求項1〜8のいずれか1項に記載の装置。
- 前記RFコイルが非標的材料で形成されており、非標的材料のスパッタリングを防ぐべく標的材料のコーティングを受けるための外側表面又は複数の表面を有している、請求項1に記載の装置。
- 前記再スパッタリング表面は、標的に関して影になっている前記RFコイルの部分上に材料をスパッタリングするため、前記工作物サポートと前記RFコイルの間に位置設定されている、請求項10に記載の装置。
- 前記RFコイル及び/又は前記再スパッタリング表面が、その中に液体冷却材のための通路を構成するため中空である、請求項1〜11の何れか1項に記載の装置。
- 前記RFコイルがステンレス鋼で作られている、請求項1〜12のいずれか1項に記載の装置。
- 前記再スパッタリング表面及び/又は前記RFコイルを前記標的材料でコーティングするための、工作物が存在しない第1の前処理モード及び、前記標的材料が工作物上に被着される第2の被着モードで装置を作動させるための制御手段を内含する、請求項1〜13のいずれか1項に記載の装置。
- 前記制御手段は、標的材料が前記コイル及び前記再スパッタリング表面上に確実に存在するようにするために必要な条件を計算するべくプログラミングされたコンピュータを内含する、請求項14に記載の装置。
- チャンバ、該チャンバ内に配置された標的、該チャンバ内で前記標的の反対側に位置設定された工作物サポート、及びチャンバ内で標的とサポートの間に配置されたRFコイルを内含する、工作物を処理するためのスパッタリング装置において、前記コイルが非標的材料で作られており、工作物の処理以前には標的材料のコーティングを支持するか又は具備していること、及び、最初に言及した前記標的との関係において影になっているコイルの部分上に材料をスパッタリングするため、前記コイルと前記サポートの間にさらなる標的が位置設定されていることを特徴とするスパッタリング装置。
- 前記さらなる標的が環状である、請求項16に記載の装置。
- 前記さらなる標的が一般に台形の断面を有する、請求項16又は17に記載の装置。
- 前記コイル及び/又は前記さらなる標的が、中に液体冷却材用通路を構成するべく中空である、請求項16〜18のいずれか1項に記載の装置。
- 前記コイル及び/又は前記さらなる標的がステンレス鋼でできている、請求項16〜19のいずれか1項に記載の装置。
- 前記コイル上のコーティングが、当該装置の前処理作業中少なくとも部分的に前記標的からスパッタリングされることによって形成されるように、当該装置を動作させるための制御手段をさらに含む、請求項16〜20のいずれか1項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GBGB9900168.7A GB9900168D0 (en) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | Sputtering apparatus |
GB9900168:7 | 1999-07-31 | ||
GBGB9917966.5A GB9917966D0 (en) | 1999-07-31 | 1999-07-31 | Sputtering apparatus |
GB9917966:5 | 1999-07-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000232068A JP2000232068A (ja) | 2000-08-22 |
JP4435353B2 true JP4435353B2 (ja) | 2010-03-17 |
Family
ID=26314957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000005744A Expired - Lifetime JP4435353B2 (ja) | 1999-01-06 | 2000-01-06 | スパッタリング装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6660140B2 (ja) |
JP (1) | JP4435353B2 (ja) |
KR (1) | KR20000053393A (ja) |
DE (1) | DE10000019A1 (ja) |
GB (1) | GB2346155B (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6277253B1 (en) * | 1999-10-06 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | External coating of tungsten or tantalum or other refractory metal on IMP coils |
JP2005504171A (ja) * | 2001-09-27 | 2005-02-10 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | エピ層を高い蒸着速度でスパッタ蒸着するための方法および装置 |
US20040084305A1 (en) * | 2002-10-25 | 2004-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering system and manufacturing method of thin film |
US20050098427A1 (en) * | 2003-11-11 | 2005-05-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | RF coil design for improved film uniformity of an ion metal plasma source |
US9659758B2 (en) | 2005-03-22 | 2017-05-23 | Honeywell International Inc. | Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production |
US9194036B2 (en) * | 2007-09-06 | 2015-11-24 | Infineon Technologies Ag | Plasma vapor deposition |
JP4405588B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2010-01-27 | パナソニック株式会社 | プラズマドーピング装置及び方法並びに半導体装置の製造方法 |
CN103031525B (zh) * | 2011-10-06 | 2017-04-19 | 南通大富服饰有限公司 | 多弧离子镀膜装置 |
GB201511282D0 (en) | 2015-06-26 | 2015-08-12 | Spts Technologies Ltd | Plasma etching apparatus |
US11183373B2 (en) | 2017-10-11 | 2021-11-23 | Honeywell International Inc. | Multi-patterned sputter traps and methods of making |
US11823964B2 (en) | 2021-04-16 | 2023-11-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Deposition system and method |
US11939664B2 (en) * | 2021-08-30 | 2024-03-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method for performing semiconductor processes with coated bell jar |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1069977A (en) * | 1963-12-23 | 1967-05-24 | Ibm | Sputtering method |
US3766041A (en) * | 1970-09-29 | 1973-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of producing piezoelectric thin films by cathodic sputtering |
US4731539A (en) * | 1983-05-26 | 1988-03-15 | Plaur Corporation | Method and apparatus for introducing normally solid material into substrate surfaces |
CH659484A5 (de) * | 1984-04-19 | 1987-01-30 | Balzers Hochvakuum | Anordnung zur beschichtung von substraten mittels kathodenzerstaeubung. |
DE3790317C2 (ja) * | 1986-06-18 | 1990-06-07 | Ricoh Co., Ltd., Tokio/Tokyo, Jp | |
JP2834797B2 (ja) * | 1989-10-25 | 1998-12-14 | 株式会社リコー | 薄膜形成装置 |
US5178739A (en) * | 1990-10-31 | 1993-01-12 | International Business Machines Corporation | Apparatus for depositing material into high aspect ratio holes |
DE59207306D1 (de) * | 1991-04-12 | 1996-11-14 | Balzers Hochvakuum | Verfahren und Anlage zur Beschichtung mindestens eines Gegenstandes |
US5403459A (en) * | 1993-05-17 | 1995-04-04 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of a PVD chamber containing a collimator |
US5382339A (en) * | 1993-09-17 | 1995-01-17 | Applied Materials, Inc. | Shield and collimator pasting deposition chamber with a side pocket for pasting the bottom of the collimator |
US6368469B1 (en) * | 1996-05-09 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Coils for generating a plasma and for sputtering |
TW335504B (en) * | 1996-07-09 | 1998-07-01 | Applied Materials Inc | A method for providing full-face high density plasma deposition |
IT1283424B1 (it) | 1996-07-11 | 1998-04-21 | Marzoli & C Spa | Apritoio a doppio tamburo e relativo procedimento di apertura e pulizia ad azione progressiva per fibre in fiocco |
US5707498A (en) * | 1996-07-12 | 1998-01-13 | Applied Materials, Inc. | Avoiding contamination from induction coil in ionized sputtering |
JPH11158621A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-15 | Nec Corp | 半導体装置製造方法および製造装置 |
JPH11200032A (ja) * | 1998-01-12 | 1999-07-27 | Ulvac Corp | 絶縁膜のスパッタ成膜方法 |
-
1999
- 1999-12-24 GB GB9930606A patent/GB2346155B/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-01-03 DE DE10000019A patent/DE10000019A1/de not_active Withdrawn
- 2000-01-05 US US09/477,819 patent/US6660140B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-01-06 KR KR1020000000384A patent/KR20000053393A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-01-06 JP JP2000005744A patent/JP4435353B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000232068A (ja) | 2000-08-22 |
US20020000374A1 (en) | 2002-01-03 |
GB2346155A (en) | 2000-08-02 |
US6660140B2 (en) | 2003-12-09 |
GB2346155B (en) | 2003-06-25 |
DE10000019A1 (de) | 2000-07-13 |
KR20000053393A (ko) | 2000-08-25 |
GB9930606D0 (en) | 2000-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6296747B1 (en) | Baffled perforated shield in a plasma sputtering reactor | |
US6358376B1 (en) | Biased shield in a magnetron sputter reactor | |
US5707498A (en) | Avoiding contamination from induction coil in ionized sputtering | |
US6767436B2 (en) | Method and apparatus of plasma-enhanced coaxial magnetron for sputter-coating interior surfaces | |
US5830330A (en) | Method and apparatus for low pressure sputtering | |
US10060024B2 (en) | Sputtering target for PVD chamber | |
US5976327A (en) | Step coverage and overhang improvement by pedestal bias voltage modulation | |
KR101138566B1 (ko) | 유도 결합 플라스마의 균등성을 증가시키는 측벽 자석 및이에 사용되는 쉴드 | |
US5439574A (en) | Method for successive formation of thin films | |
US9222165B2 (en) | Cooled PVD shield | |
US20070012558A1 (en) | Magnetron sputtering system for large-area substrates | |
US6132575A (en) | Magnetron reactor for providing a high density, inductively coupled plasma source for sputtering metal and dielectric films | |
JP4435353B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
US6258217B1 (en) | Rotating magnet array and sputter source | |
US8992741B2 (en) | Method for ultra-uniform sputter deposition using simultaneous RF and DC power on target | |
US20010050220A1 (en) | Method and apparatus for physical vapor deposition using modulated power | |
JP3737363B2 (ja) | 不均一性補償を伴う表面の物理的気相処理 | |
US20050098427A1 (en) | RF coil design for improved film uniformity of an ion metal plasma source | |
US6258219B1 (en) | Two-step deposition process for preventing arcs | |
KR20010021278A (ko) | 자가 스퍼터링에 사용되는 후방 냉각 가스 | |
EP0861920A1 (en) | Method for depositing titanium nitride | |
US6468404B2 (en) | Apparatus and method for reducing redeposition in a physical vapor deposition system | |
JP2018204060A (ja) | スパッタリング装置 | |
JP2002294441A (ja) | バイアススパッタリング装置 | |
JP2000129439A (ja) | スパッタリング装置および方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090127 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090427 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090501 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090727 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091124 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091224 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4435353 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |