KR20000053393A - 스퍼터링 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 공작물에 재료를 용착하기 위한 스퍼터링(sputtering) 장치에 관련된다.

상기 장치는 제작상의 편의를 위해 타깃 물질과 다른 물질로 만들어지고 타깃 물질을 코팅하여 덮은 코일을 포함한다. 주요 타깃(13)을 마주보는 암(暗) 부분에 있는 영역에서 코일이 보호되도록 부가적 타깃(22) 및 시일딩이 제공된다.

Description

스퍼터링 장치{Sputtering Apparatus}

본 발명은 공작물에 재료를 용착하기 위한 스퍼터링 장치에 관련된다.

재료는 타깃으로부터 스퍼터링되어서, 진공 챔버에서 이온화된 후, 전기장에 의해 반도체 웨이퍼와 같은 공작물로 끌어당겨진다는 것은 공지되어 있다.

스퍼터링 된 물질을 이온화하는 편리한 방법은 고주파에서 구동되는, 침하 코일을 사용하는 것이고, 이런 장치는 "Fundamental Characteristics of built-in high-frequency coil-type sputtering apparatus", J.Vac.Sci Technol. A7(2), Mar/Apr 1989에서 설명된다. 그러나 스퍼터링 된 물질의 상당량을 충분히 이온화하기 위해서, 비교적 높은(∼30mT) 챔버 압력이 요구된다. 이온화 RF 코일의 존재와 더불어, 이 압력은 공작물에 대해 용착할 때 수용할 수 없을 정도로 높은 불균일함을 발생시키는데, 일반적으로 20%-30%인 표면 두께의 표준 편차를 발생시킨다. 비록 아주 불균일하지라도, 기판에서 용착은 방사상 대칭을 이루도록 처리될 것이다; 중심이 가장 두껍고 가장자리가 가장 얇다. 이런 대칭은 기판 둘레에 동심 배치된 스퍼터링 된 물질의 2차 공급원을 부가함으로써 불균일함을 보상할 수 있다. 유리하게도 제 2 공급원은 수용할 수 있을 만큼 균일한, 즉 8% 이하의 표면 두께의 표준 편차를 가지는 전체 두께 프로파일(profile)을 주는 기판 가장자리에 물질을 용착할 것이다.

두 부분으로 이루어진 타깃은 U.S. 특허 4606806에서 설명되고 안쪽 평면 부분과 바깥쪽 원뿔대 부분으로 구성된다. EP-A-0807954에서 보상 타깃은 이온화 코일과 2차 스퍼터 공급원으로서 사용되는 타깃 물질의 솔레노이드 고리를 포함한다. 이런 배치는, 금속 등급이 약 99.999% 제련된 금속이어야 하고 소모되었을 때 자주 교체해야 하므로 코일/2차 타깃은 제조하는데 고비용이 드는 중요한 단점을 가진다. 이런 재료의 성형은 고비용이 들고 경제적으로 냉각시키기에 어렵다. 결과적으로 발생하는 열적 응력은 조각으로 벗겨지게 할 수 있으므로, 불리하다. 따라서 EP-A-0807954에서 시일드 링은 1차 타깃으로부터 2차 타깃/코일로 스퍼터링을 방지하기 위해서 구비된다. 여러 공정 중에 이것은 적절하게 작동하지만, 동일한 챔버 내에서, TiN에 의해 수반되는 Ti로 구성된 반도체 웨이퍼에 가변 층을 용착하는 동일 공정에서 문제점이 생긴다. 이 TiN은 Ti 스퍼터링 공정 중에 소량의 질소를 흘러보냄으로써 용착된다. 이것은 티타늄 타깃 표면을 질화시키고 티타늄 질화물은 기판 표면으로 스퍼터링된다.

Ti와 TiN은 아주 다른 열 팽창 계수를 가지고 모든 열 주기는 특히 냉각되지 않은 타깃 코일로부터, 플레이킹(flaking) 과정이 보다 쉽게 일어나도록 하는 부가 응력을 생성할 것이다. EP-A-0807944에 따른 배치는, 만일 Ti와 TiN 프로세스 사이에서 장시간의 에칭이 일어나지 않는다면 전술한 문제점을 충분히 해결하지 못한다.

본 발명은 전술한 몇 가지 문제점을 해소하고 특정 실시예는 전면에서 주요 개선점을 제공한다.

첫째 본 발명은 챔버, 챔버에 노출된 타깃과 이 타깃과 대향한 챔버에 놓인 공작물 지지부를 포함하는 공작물에 재료를 용착하기 위한 스퍼터링 장치를 제공하는데 이 장치의 특징에 따르면 용착의 균일성을 높이도록 공작물의 둘레에 다시 스퍼터링하도록 타깃 재료의 코팅을 수용하기 위한 전기 전도성 넌-타깃 재료로 이루어진 공작물과 타깃 사이에 배치된 리스퍼터링(re-sputtering) 표면 및, 코팅의 리스퍼터링을 할 수 있도록 표면을 음(-)의 방향으로 바이어스하기 위한 수단을 포함한다는 것이다.

선호적으로 리스퍼터링 표면은 지지부 주변에 배치되고 표면 또는 그 일부분은 지지부를 향하여 기울어져 있다. 상기 리스퍼터링 표면은 링의 형태이고 이 링은 삼각형의 횡단면을 가진다. 이 표면은 스테인레스 강 또는 진공 환경 내에서 이용할 수 있는 그 밖의 알맞은 강하고 쉽게 형성되는 재료로 만들어질 수 있다. 본 발명에 따른 장치는 표면에 타깃 재료의 접착, 예를 들어 몰리브덴의 코팅을 향상시키기 위해 리스퍼터링 표면과 접착력 증대 코팅을 포함한다.

RF 코일은 타깃과 리스퍼터링 표면 사이에서 챔버에 배치될 수 있다. 이 경우에 RF 코일은 넌-타깃 물질로 형성되고 넌-타깃 물질의 스퍼터링을 방지하도록 타깃 재료의 코팅을 수용하기 위한 바깥쪽 표면을 가진다. 편리하게도 리스퍼터링 표면은 코일과 지지부 사이에 놓여서 이것은 타깃에 대해 암 영역에 있는 코일 부분으로 물질을 스퍼터링할 수 있다.

상기 코일과 리스퍼터링 표면은 중공이 있어서 액체 냉각제를 위한 통로를 한정하고 코일은 스테인레스 강 또는 그 밖의 적합한 물질로 만들어진다.

이 경우에 장치를 예비-처리 하는 동안, 즉 지지부에 공작물을 위치 설정하기 전의 조작동안 타깃으로부터 스퍼터링함으로써 리스퍼터링 표면 및 코일 일부를 코팅할 수 있다.

이것은 공작물에 용착하기 전에 일반적인 관행대로 타깃의 예비-스퍼터링과 동시에 일어날 수 있다. 셔터는 일반적으로 공작물 지지부에 스퍼터링 물질이 용착되는 것을 막기 위해서 적용된다.

본 발명에 따른 장치는, 다음 공정을 위해 타깃 재료로 리스퍼터링 표면과 코일을 코팅하도록, 공작물이 존재하지 않는, 제 1 예비-처리 모드와 타깃 물질이 공작물에 용착되는 제 2 용착 모드에서 장치를 작동하기 위한 제어 장치를 포함한다. 상기 제어 장치는 특정한 선택된 제 2 모드 작동에 대해 제 1 모드에 필요한 조건을 계산하는 컴퓨터 프로그램을 포함한다.

또 본 발명은 챔버, 챔버에 배치된 타깃, 타깃과 대향한 챔버에 놓인 공작물 지지부 및 타깃과 지지부 사이의 챔버 안쪽에 배치된 RF 코일을 포함하는 공작물을 처리하기 위한 스퍼터링 장치로 이루어지는데 이 장치의 특징에 따르면 코일은 넌-타깃 재료와 캐리(carries)로 만들어지고 공작물을 처리하기 전/또는 처리하는 동안 타깃 재료를 코팅하며 또다른 타깃은 언급한 제 1 타깃에 대해 암 영역에 있는 코일 부분으로 재료를 스퍼터링 하기 위한 지지부와 코일 사이에 놓인다.

다른 타깃은 고리 모양이고 일반적으로 삼각형의 단면을 가진다. 상기 코일 및 또다른 타깃은 공동이 있어서 액체 냉각제를 위한 통로를 한정하고 이것은 각각 스테인레스 강으로 만들어진다. 주로 제 1 타깃에서, 또다른 타깃이 넌-타깃 물질로 만들어지고 코팅될 때, 또는 장치를 예비-처리 조작하는 동안 타깃으로부터 스퍼터링함으로써 코일을 코팅할 수 있다.

상기 코일은 DC 포텐셜을 최소화하는 모드와 주파수, 동력에서 작동되어서 순(純) 스퍼터링을 최소화하므로 공작물 가공하는 동안 타깃 물질로 코팅된 채로 유지되도록 보장한다. 이것은 순 대지 포텐셜에서 작동되고, 공정에 적합한 낮은 음(-)의 DC 바이어스에서 분할된다.

본 발명은 챔버와 이 챔버에 배치된 타깃을 포함하는 공작물에 물질을 용착하기 위한 스퍼터링 장치로 구성되는데 본 발명의 특징에 의하면 리스퍼터링하기 위한 타깃 물질의 코팅을 수용하기 위한 전기 전도성 넌-타깃 물질의 리스퍼터링 표면과 이 표면의 바이어싱을 제어하기 위한 수단으로 이루어져서 코팅은 표면에 형성되고 공작물에 스퍼터링 용착하는 동안 모든 리스퍼터링 표면에, 존재하는 타깃 물질의 코팅이 항상 존재하도록 리스퍼터링된다.

본 발명은, 넌-타깃(non-target) 물질이 처리 조작 중에 스퍼터링되지 않도록 또는/ 용착의 균일함이 증진되도록 넌-타깃 물질로 만들어진 장치의 예비-코팅재로 만들어진 장치의 예비-코팅 요소를 포함하는 스퍼터링 장치를 작동하는 방법에 관련된다. 본 발명은 전술한 다른 단계도 포함할 수 있다.

비록 본 발명은 위에서 정의되었지만 하기 상세한 설명 및 전술한 특징의 모든 결합을 포함한다는 것을 이해해야 한다.

본 발명은 다양한 방법으로 실시될 수 있고 예로서 첨부 도면을 참고로 특정 실시예가 기술된다:

도 1 은 스퍼터링 장치의 개략도;

도 2 는 한 가지 조건에서 스퍼터링 장치를 작동하는 동안 균일도를 보여주는 표;

도 3 은 선호되는 일련의 조건에서 도 2와 대응하는 표.

*부호 설명

10 ... 스퍼터링 장치 11 ... 진공 챔버

12 ... 배출구 13 ... 타깃(target)

14 ... 마그네트론 조립체 15 ... 웨이퍼 지지부

16 ... 공작물 17, 19 ... RF 동력원

18 ... 코일 20 ... DC 동력원

21 ... 가스 유입구 22 ... 링

스퍼터링 장치(10)는 도 1에 개략적으로 나타나 있다. 이 장치(10)는 펌프(도시되지 않음)와 연결된, 배출구(12)를 가지는 진공 챔버(11)를 포함한다. 챔버(11)의 상측 단부는 고-정련 타깃 물질로 만들어진 타깃(13)에 의해 형성되고 이것은 타깃(13)의 균일한 마모를 향상시키도록 당해 분야에 공지된 대로, 구조되고 조작되는 마그네트론 조립체(14)가 위에 놓여있다. 공작물 또는 웨이퍼 지지부(15)는 타깃(13)과 대향해 공작물(16)을 지지하도록 배치되고 RF 동력원(17)에 의해 바이어스될 수 있다. 코일(18)은 타깃(13)으로부터 스퍼터링 된 물질을 이온화하도록 지지부(15)와 타깃(13) 사이의 챔버(11) 안쪽에 배치되어서 이것은 지지부(15)에서 음의 바이어스에 의해 웨이퍼(16)를 향해 배향될 수 있다. 코일(18)은 RF 동력원(19)에 의해 동력을 공급받고 타깃(13)은 DC 동력원(20)에 의해 음의 DC 바이어스된다. 가스 유입구(21)는 가스의 유입을 허용하는데 이 가스는 예를 들어 반응 스퍼터링에서 모든 반응과 타깃(13)으로부터 물질을 스퍼터링하는 이온을 발생시킨다.

이 점에서, 상기 장치의 본질적인 부분은 선행 기술에 공지된 대로이며 그 조작은 당해 기술 분야 내에서 이해할 수 있다. 이 과정은 John Wyllie와 Sons에 의해 발표되고 Brian Champan에 의한 글로우 방전 프로세스(Glow Discharge Process)의 6장에서 자세히 설명되고 이 장의 관련 부분은 참고로 본원에 포함된다.

그러나, 앞서 설명한 대로, 타깃 물질로 코일을 성형하고 균일하게 용착하는데 몇 가지 문제점이 있다. 이것은 본원에서 다음 특징에 의해 다루어진다:

1. 코일(18)은 스테인레스 강 관으로 형성되므로 이것은 화살표 A로 나타낸 대로 코일을 통하여 통과시킬 수 있는 액체 냉각제(예. 물)를 위한 통로를 한정한다.

2. 코일(18)은 구조하기 전에 타깃 물질로 예비-코팅될 수 있지만, 예비-처리 조작시에 장치(11)를 작동함으로써 타깃 물질로 일부 코팅될 수 있는데, 이것은 모든 경우에 상기 장치 작동의 표준 부분이다. 각 경우에 코팅은 스테인레스 강 관의 스퍼터링에 대해 보호하고 공작물을 처리하는 동안 코일로부터 리스퍼터링 된 모든 물질이 타깃 물질이 되도록 보장한다. 공작물을 처리하는 동안 타깃 물질을 용착할 수 있다.

3. 2차 타깃 또는 리스퍼터링 표면은 링(22)에 의해 구비되는데, 이것은 지지부와 코일(18) 사이에서 지지부(15) 주변에 배치된다. 상기 링(22)은 타깃(13)을 마주보는 암 영역에 있는 코일(18) 일부분으로 타깃 물질을 리스퍼터링 할 수 있다.

4. 상기 링(22)은 타깃 물질로 형성되는 것이 유리하지만, 스테인레스 강으로 형성될 수도 있고 예비-처리 조작 중 및 공작물 처리 중에 타깃으로부터 리스퍼터링하기 위해, 타깃 물질의 코팅을 증대할 수 있다. 이 경우에 이것은 공동을 가지고 냉각될 수 있으며 스테인레스 강은 보호될 수 있다.

5. 웨이퍼(16)의 가장자리를 향해 물질을 스퍼터링하여서 균일함을 높이도록 타깃 링(22)은 위치 설정되고 성형된다. 타깃 물질로 코팅되어 유지되도록 DC 또는 RF 공급원(23)에 의한 음의 바이어스는 중심 제어기(25)에 의해 주의깊게 제어된다. 상기 타깃 링(22)은 웨이퍼(16)의 가장자리로 스퍼터링을 강화하기 위해서 경사면(24a)을 갖추고 있고 코일(18)의 바깥쪽 부분에 도달하는 경사면(24b)을 가질 수도 있다.

6. 상기 코일(18) 및/ 링(22)은 타깃 물질의 접착을 향상시키도록 몰리브덴과 같은 물질로 예비 코팅되고 실제로 타깃 물질의 예비-코팅을 유지할 수 있다.

전술한 특징들을 결합하면 균일도에 관련된 문제점을 처리할 수 있고 비교적 값싼 냉각 가능한 침하 코일을 사용할 수 있다는 것을 알 수 있다. 환상 타깃은 균일도를 보상하고 각 특징은 개별적으로 이용될 수 있다. 만일 코일이 타깃 링과 독립적으로 사용된다면, 암 공간 차단은 스테인레스 강의 이온화를 막기 위해서 사용된다.

타깃 링(22)의 모양, 위치 및 크기는 특정 챔버나 공작물의 구조 및 실제로 이루어지는 공정에 따라 바뀔 수 있다는 것을 이해할 것이다. 일반적으로 상기 링은 주요 타깃(13)보다 크기가 크지 않고 타깃과 대향하여 배치될 것이다. 안쪽 경사면(24a)은 일반적으로 기판 표면에 대해 둔각을 이룰 것이다. 동력원(23,17)은 단일 동력원으로 구성될 것이다.

장치의 작동은 적절한 제어에 의해 향상되고 동력원, 밸브와 펌프는 리드(lead)(26)에 의해 중심 제어기(25)에 연결된다는 것을 알 수 있다. 상기 제어 장치(25)는 유리하게도 컴퓨터를 포함하는데 이것은 예비-처리 단계 및 용착 단계 중에 용착되는 두께와 필요한 작동 시퀀스를 계산하기 위해서 미리 프로그램될 수 있다.

도 1에 나타낸 장치는 티타늄에 대한 이온화된 스퍼터링을 위해 이용되어 왔다. 각 경우에 타깃은 3kw로 작동되고, 아르곤과 1.5kw RF에서 이온화 코일은 30mT의 압력으로 공급되었다. 첫 번째 예에서 웨이퍼와 링(22)은 30%의 필름 막의 표준 편차(불균일도)를 부여하는 공유된 동력원에 의해 마이너스 50v의 비교적 낮은 값으로 DC 바이어스 되었다. 이 표준 결과는, 바이어스 전압이 특정 타깃 물질에 대해 발생하도록 리스퍼터링하기 위한 임계값과 근사의 값이거나 이하의 값이고 균일도는 향상되지 않는다는 것을 나타낸다. 이 결과는 도 2에 나타내었다. 도 3에서 웨이퍼와 링에서 DC 바이어스는 -350볼트이므로 링으로부터 리스퍼터링을 상당히 증가시키고 불균일함은 7.6%로 감소되었다. 이 측정 결과는 저항 함수에 의해 얻어질 수 있고 동일-저항 선은 "등고선"도로 나타낸다.

이 실험은, 이온화된 스퍼터링 장치에서 용착의 균일도를 높이기 위해서 리스퍼터링 링을 사용하는 것에 대해 설명하였다.

또다른 실험이 실시되었고 예를 들어 다음 결과를 얻었다:

바이어스 대 의사 타깃: 개선점

Off On 절대 백분율

재료의 두께(nm):

중심 장 83 99 16 19%

구멍의 중심 베이스 64 80 16 25%

가장자리 장 55 89 34 61%

구멍의 가장자리 베이스 37 61 35 64%

절대적으로, 용착된 재료의 두께 증가는 구멍의 베이스와 장에서 거의 동일하다는 것을 알 수 있다. 이것은, 리스퍼터링 된 물질이 많이 이온화되었다는 것을 제시한다.

또다른 실험은, 내부 기울기(24a)가 50。의 영역에 있고 53。의 각이 가장 적합한 것으로 판명된다는 것을 보여준다. 실제로 2Mhz는 단일 터언 코일에 대해 적합한 구동 주파수로 증명되었다.

TiN을 스퍼터링할 때 상기 웨이퍼는 일반적으로 마이너스 30-40 볼트 DC로 바이어스되고 리스퍼터링 링은 웨이퍼 장을 가로질러 수용 가능한 균일도를 부여하도록 1000V DC 이상에서 구동된다. RF 코일에 의해 클램프되는 전류 때문에 DC 전압은 높고 TiN과 같은 낮은 수득률 물질에 대해 펄스로 된 DC 또는 RF 동력원을 사용하는 것이 바람직하다. 이런 장치에 의해 전압은 리스퍼터링 링에서 감소될 것이다. 높은 전압은 시일딩 및 챔버 부분으로 진공 이송과 아크에 대해 문제점을 발생시킨다.

DRAM 상호 연결 선에 대해, 코일과 다른 타깃의 효과적인 전-스퍼터링 코팅을 허용하는 최적의 공정 과정은 다음과 같다:

1. 셔터로 웨이퍼 지지부(15)를 덮고 12mT에서 30초동안 15,000 W에서 티타늄(13)에 동력을 공급한다. 이 과정은 모든 통상적인 스퍼터링 시스템에서, 특히 스퍼터링 된 앞의 물질이 티타늄 질화물이 되고 상기 타깃 표면이 질소 오염되는 공정 흐름에서 티타늄을 웨이퍼로 스퍼터링 하기 전에 실시된다. 이 시스템에서 전술한 타깃 세척 단계는 제 2 타깃(22)의 리스퍼터링 표면과 이온화 코일로 새로운 타깃 물질을 바른다.

2. 웨이퍼를 적재하고, 셔터를 개방한다.

3. 일반적으로 20nm 두께인 티타늄을 스퍼터링한다.

프로세스:

750 W DC 동력이 타깃 마그네트론(14)에 적용된다.

250 W DC가 리스퍼터링 제 2 타깃(22)에 적용된다.

2MHz RF 동력의 1,000 W가 DC 대지 포텐셜 이온화 코일(18)에 적용된다.

-35 볼트 DC는 60초동안, 13.56mhz RF 동력 35 mT에 의해 웨이퍼를 바이어스한다.

이 단계 중에 단지 전-타깃 물질만 제 2 타깃(22)으로부터 리스퍼터링된 물질이다.

4. 일반적으로 40nm 두께의, 티타늄 질화물을 스퍼터링한다.

프로세스:

4,000 W DC 동력은 타깃 마그네트론(14)에 적용된다.

2,200 W DC는 리스퍼터링 표면 타깃(22)에 적용된다.

2 MHz RF 동력의 3,000 W는 DC 대지 포텐셜 이온화 코일(18)에 적용된다.

-35 볼트 DC는 70초동안, 13.56mhz RF 동력 25mT에 의해 웨이퍼를 바이어스한다.

이 단계 중에 리스퍼터링 된 물질이 소비되고 리스퍼터링 된 타깃(22)의 일부도 소비되어서 상기 실험은 리스퍼터링 타깃(22)이 타깃 물질과 동일한 물질로 이루어진 타깃을 가지도록 요구한다.

RF 이온화 코일은, DC 접지되어서 상당한 스퍼터링 힘을 받지 않지만, 타깃에 의해 용착되고 RF 이온화 코일로 타깃 물질의 순 용착이 있으므로, 스퍼터링 하지 않는다.

한 묶음의 25 웨이퍼에 대한 결과는 다음과 같다:

웨이퍼 카세트 평균 시트 저항력 불균일도

슬롯 수 (ohms/sq.) %평균표준편차

5 8.5 6.1

10 8.6 5.8

20 8.8 5.7

25 8.6 5.5

Claims (27)

1. 챔버, 챔버에 배치된 타깃과 이 타깃과 마주보는 챔버에 놓인 공작물 지지부를 포함하는 공작물에 재료를 배치하기 위한 스퍼터링 장치에 있어서,

   상기 장치는 코팅의 리스퍼터링을 가능하게 하도록 표면을 음의 방향으로 바이어싱하기 위한 장치와 용착의 균일도를 높이도록 공작물의 둘레에 리스퍼터링하도록 타깃 물질의 코팅을 수용하고 전기 전도성 넌-타깃 물질의 공작물과 타깃 사이에 배치된 리스퍼터링 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 리스퍼터링 표면은 지지부 주변에 배치되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
3. 제 1항 또는 2항에 있어서, 리스퍼터링 표면 및 그 일부분은 지지부를 향해 기울어져 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
4. 상기 청구항 중 한 항에 있어서, 리스퍼터링 표면은 링에 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
5. 제 4 항에 있어서, 상기 링은 삼각형의 횡단면을 가지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
6. 상기 청구항 중 한 항에 있어서, 표면은 타깃 물질로 코팅되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
7. 제 1항 내지 5항 중 한 항에 있어서, 표면은 스테인레스 강으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
8. 상기 청구항 중 한 항에 있어서, 표면에 타깃 코팅 물질의 부착을 향상시키기 위해 리스퍼터링 표면에 부착 강화 코팅을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
9. 상기 청구항 중 한 항에 있어서, 리스퍼터링 표면을 DC 바이어싱하기 위한 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
10. 상기 청구항 중 한 항에 있어서, 타깃과 리스퍼터링 표면 사이의 챔버에 배치된 RF 코일을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
11. 제 10 항에 있어서, RF 코일은 넌-타깃 물질로 형성되고 넌-타깃 물질의 스퍼터링을 방지하기 위해서 타깃 물질의 코팅을 수용하기 위한 외부 면 또는 표면을 가지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
12. 제 11 항에 있어서, 리스퍼터링 표면은 타깃에 대해 암 영역에 있는 코일의 부분으로 물질을 스퍼터링하기 위해 코일과 지지부 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
13. 제 10항 또는 11항에 있어서, 코일 및/ 스퍼터링 표면은 액체 냉각제를 위한 통로를 한정하도록 공동을 가지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
14. 상기 청구항 중 한 항에 있어서, 코일은 스테인레스 강으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
15. 상기 청구항 중 한 항에 있어서, 장치를 예비-처리 조작하는 동안 타깃으로부터 스퍼터링 함으로써 리스퍼터링 표면 및 코일에 코팅을 할 수 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
16. 상기 청구항 중 한 항에 있어서, 리스퍼터링 표면 및 코일을 코팅하기 위해서, 어떠한 공작물도 없는 제 1 예비-처리 모드 및 타깃 물질이 공작물에 용착되는 제 2 용착 모드에서 장치를 작동하기 위한 제어 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
17. 제 14 항에 있어서, 타깃 물질이 코일과 리스퍼터링 표면에 있도록 보장하는 필수 조건을 구하기 위해서 프로그램된 컴퓨터를 제어 장치가 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
18. 챔버, 챔버에 배치된 타깃, 타깃과 대향하여 챔버에 놓인 공작물 지지부 및 타깃과 지지부 사이의 챔버 내에 배치된 RF 코일을 포함하는 공작물을 처리하기 위한 스퍼터링 장치에 있어서, 코일은 넌-타깃 물질과 캐리로 만들어지고 공작물을 처리하기 전에 타깃 물질로 코팅되며 상기 제 1 타깃에 대해 암 영역에 있는 코일의 부분으로 물질을 스퍼터링 하기 위해 코일과 지지부 사이에 또다른 타깃이 배치되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
19. 제 18 항에 있어서, 또다른 타깃은 환상 형태인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
20. 제 19항 또는 20항에 있어서, 또다른 타깃의 단면은 삼각형인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
21. 제 18항 내지 20항 중 한 항에 있어서, 코일 및/ 다른 타깃은 액체 냉각제의 통로를 한정하도록 공동을 가지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
22. 제 18항 내지 21항 중 한 항에 있어서, 코일 및 다른 타깃은 스테인레스 강으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
23. 제 18항 내지 22항 중 한 항에 있어서, 장치의 예비-처리 조작 중에 타깃으로부터 스퍼터링함으로써 코일에 코팅이 제공되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
24. 챔버와 챔버에 배치된 타깃을 포함하는 공작물에 물질을 용착하기 위한 스퍼터링 장치에 있어서, 상기 장치는, 공작물을 코팅하는 동안 표면으로부터 코팅이 스퍼터링되도록 표면을 바이어싱하기 위한 장치 및, 리스퍼터링하기 위해 타깃 물질의 코팅을 수용하도록 전기 전도성 넌-타깃 물질의 리스퍼터링 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
25. 챔버, 챔버에 배치된 타깃, 타깃과 대향하여 챔버에 놓인 공작물 지지부 및 타깃과 지지부 사이에 배치된 RF 코일을 포함하는 공작물을 처리하기 위한 스퍼터링 장치에 있어서, 코일은 넌-타깃 물질과 캐리로 만들어지고, 공작물을 처리하기 전에 타깃 물질로 코팅되며, 상기 코일은 충분히 코팅되지 않은 모든 부분에 대해 시일딩을 가지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
26. 제 24 항에 있어서, 시일딩은 코일의 지지부에 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
27. 첨부 도면을 참고로 본원에 기술한 대로 공작물을 처리하기 위한 스퍼터링 장치.