CN103993265A - 用于镀膜制程的气体释出装置 - Google Patents

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CN103993265A CN201310054162.9A CN201310054162A CN103993265A CN 103993265 A CN103993265 A CN 103993265A CN 201310054162 A CN201310054162 A CN 201310054162A CN 103993265 A CN103993265 A CN 103993265A
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CN201310054162.9A
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黄世壬
廖科峰
赖文波
陈君健
黎胜
孟良
曾昭隆
陈官璧
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Sheng Yangxin Material Technology (ningbo) Co Ltd
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Sheng Yangxin Material Technology (ningbo) Co Ltd
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Abstract

本发明有关于一种用于镀膜制程的气体释出装置,包含有由下而上依序堆叠的一下板、一第二中间板、一第一中间板,以及一上板,上板具有一进气孔,下板具有多数排气孔,上板与第一中间板之间藉由一分配槽及一顶面凹槽而连通、第一中间板与第二中间板之间藉由至少二顶面凹槽、至少二底面凹槽,以及至少二分配孔而连通,第二中间板与下板之间藉由至少四顶面凹槽、至少四底面凹槽,以及至少四分配孔而连通,藉此,当蒸镀源的气体进入进气孔之后可以从各排气孔释出大致相同的气体量,以提高薄膜厚度的均匀性而提升镀膜制程的品质。

Description

用于镀膜制程的气体释出装置
技术领域
本发明与镀膜制程有关,特别是指一种用于镀膜制程的气体释出装置。
背景技术
简单来说,所谓的真空镀膜是将一待镀物(例如基板)放到一真空腔体内,接着将一蒸镀源(例如硒)加热至汽化升华的状态,使蒸镀源的气体附着至待镀物之表面而形成一层薄膜。
然而,在目前的镀膜制程当中只能等待蒸镀源的气体自行附着于待镀物的表面,除了相当耗时之外,最后在待镀物的表面所形成的薄膜厚度亦容易有不均匀的状况,进而连带影响待镀物的镀膜品质。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种用于镀膜制程的气体释出装置,其能提高薄膜厚度的均匀性,以提升镀膜制程的品质。
为了达成上述目的,本发明气体释出装置包含有一下板、一第二中间板、一第一中间板,以及一上板。该第二中间板堆叠于该下板的顶面,该第一中间板堆叠于该第二中间板的顶面,该上板堆叠于该第一中间板的顶面,其中:该上板具有一贯穿顶、底两面的进气孔及一连接该进气孔底端的分配槽;该第一中间板具有一第一顶面凹槽,该第一顶面凹槽接合该上板的分配槽且连接有至少二贯穿顶、底两面的第一分配孔,各个第一分配孔连接一第一底面凹槽;该第二中间板具有至少二第二顶面凹槽,各个第二顶面凹槽接合该第一中间板的一该第一底面凹槽且连接有二贯穿顶、底两面的第二分配孔,各个第二分配孔连接一第二底面凹槽;该下板具有至少四承接槽,各个承接槽接合该第二中间板的一该第三底面凹槽且连接有多数个贯穿顶、底两面的排气孔。藉此,该上板的进气孔至该下板的各个排气孔之间具有相同的路径长度,使得蒸镀源的气体自该进气孔进入之后会从各个排气孔释出大致相等的气体量,以提高薄膜厚度的均匀性,进而达到提升镀膜制程品质的目的。
附图说明
图1为本发明一较佳实施例的立体图,主要显示上板的进气孔。
图2为本发明一较佳实施例的另一立体图,主要显示下板的排气孔。
图3为本发明一较佳实施例的立体分解图。
图4为本发明一较佳实施例的组合剖视图。
具体实施方式
为了详细说明本发明的结构、特征及功效所在,兹列举一较佳实施例并配合下列图式说明如后。
请参阅图1至图3,为本发明一较佳实施例所提供的气体释出装置10,在本实施例中是使用在真空镀膜制程,当然亦可以依据实际需要而使用在任何气体环境下操作的镀膜制程。本发明气体释出装置10包含有一上板20、一第一中间板30、一第二中间板40,以及一下板50,前述各板件均是由耐高温及抗腐蚀的材料所制成的矩形体结构。
请配合参阅图4,上板20具有一分配槽22及一进气孔24,进气孔24贯穿上板20的顶、底两面,分配槽22位于上板20的底面且连接进气孔24的底端。分配槽22的断面形状以半圆形为最佳实施态样,当然也可以是矩形或其它几何形状,进气孔24的断面形状以圆形为最佳实施态样,当然也可以是矩形或其它几何形状。
第一中间板30具有一第一顶面凹槽32,第一顶面凹槽32连接有呈对称分布的四个第一分配孔36,每一个第一分配孔36贯穿第一中间板30的顶、底两面且连接一个第一底面凹槽34。第一顶面凹槽32及第一底面凹槽34的断面形状以半圆形为最佳实施态样,当然亦可以是矩形或其它几何形状,第一分配孔36的断面形状以圆形为最佳实施态样,当然也可以是矩形或其它几何形状,此外,第一顶面凹槽32的槽径等于上板20的分配槽22的槽径且大于第一底面凹槽34的槽径,各第一分配孔36的孔径小于上板20的进气孔24的孔径。
第二中间板40具有四个第二顶面凹槽42,每一个第二顶面凹槽42连接有呈对称分布的两个第二分配孔46,每一个第二分配孔46贯穿第二中间板40的顶、底两面且连接一个第二底面凹槽44。第二顶面凹槽42及第二底面凹槽44的断面形状以半圆形为最佳实施态样,当然亦可以是矩形或其它几何形状,第二分配孔46的断面形状以圆形为最佳实施态样,当然也可以是矩形或其它几何形状,此外,第二顶面凹槽42的槽径等于第一中间板30的第一底面凹槽34的槽径且大于第二底面凹槽44的槽径,各第二分配孔46的孔径小于第一中间板30的第一分配孔36的孔径。
下板50具有八个承接槽52,每一个承接槽52连接有呈对称分布的六个排气孔54,各排气孔54贯穿下板50的顶、底两面,如图2及图4所示。承接槽52的断面形状以半圆形为最佳实施态样,当然亦可以是矩形或其它几何形状,排气孔54的断面形状以圆形为最佳实施态样,当然也可以是矩形或其它几何形状,此外,承接槽52的槽径等于第二中间板40的第二底面凹槽44的槽径,各排气孔54的孔径小于第二中间板40的第二分配孔46的孔径。
在组装时,如图3及图4所示,将第二中间板40堆叠于下板50的顶面,使第二中间板40的各第二底面凹槽44与下板50的各承接槽52相互接合而形成一第三通道64,接着将第一中间板30堆叠于第二中间板40的顶面,使第一中间板30的各第一底面凹槽34与第二中间板40的各第二顶面凹槽42相互接合而形成一第二通道62,最后将上板20堆叠于第一中间板30的顶面,使上板20的分配槽22与第一中间板30的第一顶面凹槽32相互接合而形成一第一通道60,如此即完成本发明的组装。
经由上述结构可知,当蒸镀源的气体经由上板20的进气孔24进入上板20的分配槽22及第一中间板30的第一顶面凹槽32所形成的第一通道60内时,首先会经由第一中间板30的各第一分配孔36平均分配至第一中间板30的各第一底面凹槽34与第二中间板40的各第二顶面凹槽42所形成的第二通道62内,接着再经由第二中间板40的各第二分配孔46平均分配至第二中间板40的各第二底面凹槽44及下板50的各承接槽52所形成的第三通道64内,最后再从下板50的各排气孔54共同释放至一待镀物的表面。
在整个过程中,由于上板20及第一中间板30之间所形成的第一通道60、第一中间板30及第二中间板40之间所形成的第二通道62,以及第二中间板40及下板50之间所形成的第三信道64是呈倍数增加且呈对称分布,再配合上板20的进气孔24、第一中间板30的第一分配孔36、第二中间板40的第二分配孔46,以及下板50的排气孔54亦是呈倍数增加且呈对称分布,使得上板20的进气孔24至下板50的各排气孔54之间会具有相同的路径长度。如此一来,蒸镀源的气体从下板50的各排气孔54所释出的气体量会大致相等,因而在待镀物的表面会形成具有均匀厚度的薄膜,以达到提高镀膜制程品质及效率的目的。
最后,本发明于前揭实施例中所揭露的构成组件,仅为举例说明,并非用来限制本案的保护范围,其它等效组件的替代或变化,亦应为本案申请专利保护范围所涵盖。

Claims (7)

1.一种用于镀膜制程的气体释出装置,其特征在于,包含有:
一下板;
一第二中间板,堆叠于该下板的顶面;
一第一中间板,堆叠于该第二中间板的顶面;以及
一上板,堆叠于该第一中间板的顶面;
其中,该上板具有一贯穿顶、底两面的进气孔及一连接该进气孔底端的分配槽,该第一中间板具有一第一顶面凹槽,该第一顶面凹槽接合该上板的分配槽且连接有至少二贯穿顶、底两面的第一分配孔,各个第一分配孔连接一第一底面凹槽,该第二中间板具有至少二第二顶面凹槽,各个第二顶面凹槽接合该第一中间板的一该第一底面凹槽且连接有二贯穿顶、底两面的第二分配孔,各个第二分配孔连接一第二底面凹槽,该下板具有至少四承接槽,各个承接槽接合该第二中间板的一该第二底面凹槽且连接有多数个贯穿顶、底两面的排气孔。
2.根据权利要求1所述的用于镀膜制程的气体释出装置,其特征在于,该进气孔的断面形状、各个第一分配孔的断面形状、各个第二分配孔的断面形状及各个排气孔的断面形状均为圆形。
3.根据权利要求2所述的用于镀膜制程的气体释出装置,其特征在于,该进气孔的孔径大于各个第一分配孔的孔径,各个第一分配孔的孔径大于各个第二分配孔的孔径,各个第二分配孔的孔径大于各个排气孔的孔径。
4.根据权利要求1所述的用于镀膜制程的气体释出装置,其特征在于,该分配槽、该第一顶面凹槽、该第一底面凹槽、各个第二顶面凹槽、各个第二底面凹槽及各个承接槽的断面形状均为半圆形。
5.根据权利要求4所述的用于镀膜制程的气体释出装置,其特征在于,该分配槽的槽径等于该第一顶面凹槽的槽径,该第一顶面凹槽的槽径大于该第一底面凹槽的槽径,该第一底面凹槽的槽径等于该第二顶面凹槽的槽径,该第二顶面凹槽的槽径大于该第二底面凹槽的槽径,该第二底面凹槽的槽径等于该承接槽的槽径。
6.根据权利要求1所述的用于镀膜制程的气体释出装置,其特征在于,该第一分配孔的数目、该第一底面凹槽的数目及该第二顶面凹槽的数目均为四,该第二分配孔的数目、该第二底面凹槽的数目及该承接槽的数目均为八。
7.根据权利要求6所述的用于镀膜制程的气体释出装置,其特征在于,各个承接槽连接有六个排气孔。
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