TWI470098B - Gas release device for coating process - Google Patents

Gas release device for coating process Download PDF

Info

Publication number
TWI470098B
TWI470098B TW102104036A TW102104036A TWI470098B TW I470098 B TWI470098 B TW I470098B TW 102104036 A TW102104036 A TW 102104036A TW 102104036 A TW102104036 A TW 102104036A TW I470098 B TWI470098 B TW I470098B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
distribution
groove
section
longitudinal
grooves
Prior art date
Application number
TW102104036A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201432070A (zh
Inventor
Shiezen Huang
Original Assignee
Adpv Technology Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Adpv Technology Ltd filed Critical Adpv Technology Ltd
Priority to TW102104036A priority Critical patent/TWI470098B/zh
Priority to US14/166,704 priority patent/US20140216577A1/en
Publication of TW201432070A publication Critical patent/TW201432070A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI470098B publication Critical patent/TWI470098B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8593—Systems
    • Y10T137/85938—Non-valved flow dividers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

用於鍍膜製程之氣體釋出裝置
本發明與鍍膜製程有關，特別是指一種用於鍍膜製程之氣體釋出裝置。
簡單來說，所謂的真空鍍膜是將一待鍍物(例如基板)放到一真空腔體內，接著將一蒸鍍源(例如硒)加熱至汽化昇華的狀態，使蒸鍍源之氣體附著至待鍍物之表面而形成一層薄膜。
然而，在目前的鍍膜製程當中只能等待蒸鍍源之氣體自行附著於待鍍物之表面，除了相當耗時之外，最後在待鍍物之表面所形成之薄膜厚度亦容易有不均勻的狀況，進而連帶影響待鍍物的鍍膜品質。
本發明之主要目的在於提供一種用於鍍膜製程之氣體釋出裝置，其能提高薄膜厚度的均勻性，以提升鍍膜製程的品質。
為了達成上述目的，本發明之氣體釋出裝置包含有二板件，各該板件具有一頂面、一底面，以及一鄰接該頂、底兩面之接合側面，該二板件藉由該二接合側面相互接合在一起，各該板件之接合側面具有一進氣槽，該進氣槽之頂端於該頂面形成一進氣口，該進氣槽之底端銜接一第一 分配槽，該第一分配槽之兩端分別銜接一第二分配槽，各該第二分配槽之兩端分別銜接一第三分配槽，各該第三分配槽之兩端分別銜接一第四分配槽，各該第四分配槽之兩端分別銜接一第五分配槽，各該第五分配槽之底端於該底面形成一排氣口。藉此，當蒸鍍源之氣體自該進氣口進入該進氣槽之後會藉由該第一分配槽、各該第二分配槽、各該第三分配槽、各該第四分配槽，以及各該第五分配槽的平均分配，最後再從各該排氣口釋出大致相等的氣體量，如此便能有效提高薄膜厚度的均勻性，進而達到提升鍍膜製程品質的目的。
為了詳細說明本發明之結構、特徵及功效所在，茲列舉一較佳實施例並配合下列圖式說明如後。
請參閱第一至三圖，為本發明一較佳實施例所提供之氣體釋出裝置10，在本實施例中是使用在真空鍍膜製程，當然亦可以依據實際需要而使用在任何氣體環境下操作之鍍膜製程。本發明之氣體釋出裝置10包含有二板件20，各板件20是由耐高溫及抗腐蝕的材料所製成之矩形體結構，並且具有一頂面22、一底面24，以及一垂直鄰接頂、底兩面22、24之接合側面26。
各板件20之接合側面26具有一進氣槽28，進氣槽28之頂端於頂面22形成一進氣口282，進氣槽28之底端銜接一第一橫向段32之中央，第一橫向段32之兩端分別銜 接一第一縱向段34而與兩第一縱向段34之間形成一第一分配槽30，各第一縱向段34之底端銜接一第二橫向段42之中央，各第二橫向段42之兩端分別銜接一第二縱向段44而與兩第二縱向段44之間形成一第二分配槽40，各第二縱向段44之底端銜接一第三橫向段52之中央，各第三橫向段52之兩端分別銜接一第三縱向段54而與兩第三縱向段54之間形成一第三分配槽50，各第三縱向段54之底端銜接一第四橫向段62之中央，各第四橫向段62之兩端分別銜接一第四縱向段64而與兩第四縱向段64之間形成一第四分配槽60，各第四縱向段64之底端銜接一第五橫向段72之中央，各第五橫向段72之兩端分別銜接一第五縱向段74而與兩第五縱向段74之間形成一第五分配槽70，各第五縱向段74之底端於底面24形成一排氣口742，如第二圖所示。
此外，進氣槽28的斷面形狀、第一分配槽30的斷面形狀、各第二分配槽40的斷面形狀、各第三分配槽50的斷面形狀、各第四分配槽60的斷面形狀，以及各第五分配槽70的斷面形狀均以半圓形為最佳實施態樣，當然亦可以是矩形或其他幾何形狀，而且，進氣槽28的槽徑等於第一分配槽30的槽徑，第一分配槽30的槽徑大於各第二分配槽40的槽徑，各第二分配槽40的槽徑大於各第三分配槽50的槽徑，各第三分配槽50的槽徑大於各第四分配槽60的槽徑，各第四分配槽60的槽徑大於各第五分配槽70的槽徑。
在組裝時，兩板件20是藉由兩接合側面26相互接合在一起，在相互接合之後，兩板件20之進氣槽28、第一分配槽30、各第二分配槽40、各第三分配槽50、各第四分配槽60，以及各第五分配槽70會形成一分配通道80，如第一圖所示。
經由上述結構可知，當蒸鍍源之氣體自各進氣槽28之進氣口282進入由兩板件20之進氣槽28、第一分配槽30、各第二分配槽40、各第三分配槽50、各第四分配槽60，以及各第五分配槽70所形成之分配通道80之後，最後會從各排氣口742共同釋放至一待鍍物之表面，在整個過程中，由於第一分配槽30、各第二分配槽40、各第三分配槽50、各第四分配槽60，以及各第五分配槽70是呈倍數增加且呈對稱分佈，使得進氣口282至各排氣口742之間具有相同的路徑長度，所以從各排氣口742所釋出的氣體量會大致相等，因此，蒸鍍源之氣體在待鍍物之表面會形成具有均勻厚度的薄膜，以達到提高鍍膜製程品質及效率的目的。
最後，本發明於前揭實施例中所揭露的構成元件，僅為舉例說明，並非用來限制本案之範圍，其他等效元件的替代或變化，亦應為本案之申請專利範圍所涵蓋。
10‧‧‧氣體釋出裝置
20‧‧‧板件
22‧‧‧頂面
24‧‧‧底面
26‧‧‧接合側面
28‧‧‧進氣槽
282‧‧‧進氣口
30‧‧‧第一分配槽
32‧‧‧第一橫向段
34‧‧‧第一縱向段
40‧‧‧第二分配槽
42‧‧‧第二橫向段
44‧‧‧第二縱向段
50‧‧‧第三分配槽
52‧‧‧第三橫向段
54‧‧‧第三縱向段
60‧‧‧第四分配槽
62‧‧‧第四橫向段
64‧‧‧第四縱向段
70‧‧‧第五分配槽
72‧‧‧第五橫向段
74‧‧‧第五縱向段
742‧‧‧排氣口
80‧‧‧分配通道
第一圖為本發明一較佳實施例之頂面立體圖。
第二圖為本發明一較佳實施例之立體分解圖。
第三圖為本發明一較佳實施例之底面立體圖。
10‧‧‧氣體釋出裝置
20‧‧‧板件
26‧‧‧接合側面
28‧‧‧進氣槽
30‧‧‧第一分配槽
32‧‧‧第一橫向段
34‧‧‧第一縱向段
40‧‧‧第二分配槽
42‧‧‧第二橫向段
44‧‧‧第二縱向段
50‧‧‧第三分配槽
52‧‧‧第三橫向段
54‧‧‧第三縱向段
60‧‧‧第四分配槽
62‧‧‧第四橫向段
64‧‧‧第四縱向段
70‧‧‧第五分配槽
72‧‧‧第五橫向段
74‧‧‧第五縱向段

Claims (4)

  1. 一種用於鍍膜製程之氣體釋出裝置，包含有：二板件，分別具有一頂面、一底面，以及一鄰接該頂、底兩面之接合側面，該二板件藉由該二接合側面相互接合在一起，各該板件之接合側面具有一進氣槽，該進氣槽之頂端於該頂面形成一進氣口，該進氣槽之底端銜接一第一分配槽，該第一分配槽之兩端分別銜接一第二分配槽，各該第二分配槽之兩端分別銜接一第三分配槽，各該第三分配槽之兩端分別銜接一第四分配槽，各該第四分配槽之兩端分別銜接一第五分配槽，各該第五分配槽之底端於該底面形成一排氣口。
  2. 如請求項1所述之用於鍍膜製程之氣體釋出裝置，其中該進氣槽的斷面形狀、該第一分配槽的斷面形狀、各該第二分配槽的斷面形狀、各該第三分配槽的斷面形狀、各該第四分配槽的斷面形狀，以及各該第五分配槽的斷面形狀均呈半圓形。
  3. 如請求項2所述之用於鍍膜製程之氣體釋出裝置，其中該進氣槽的槽徑等於該第一分配槽的槽徑，該第一分配槽的槽徑大於各該第二分配槽的槽徑，各該第二分配槽的槽徑大於各該第三分配槽的槽徑，各該第三分配槽的槽徑大於各該第四分配槽的槽徑，各該第四分配槽的槽徑大於各該第五分配槽的槽徑。
  4. 如請求項3所述之用於鍍膜製程之氣體釋出裝置，其中該第一分配槽具有一第一橫向段及二第一縱向段，該 第一橫向段之中央銜接該進氣槽之底端，該第一橫向段之兩端分別銜接一該第一縱向段，各該第二分配槽具有一第二橫向段及二第二縱向段，該第二橫向段之中央銜接該第一縱向段之底端，該第二橫向段之兩端分別銜接一該第二縱向段，各該第三分配槽具有一第三橫向段及二第三縱向段，該第三橫向段之中央銜接該第二縱向段之底端，該第三橫向段之兩端分別銜接一該第三縱向段，各該第四分配槽具有一第四橫向段及二第四縱向段，該第四橫向段之中央銜接該第三縱向段之底端，該第四橫向段之兩端分別銜接一該第四縱向段，各該第五分配槽具有一第五橫向段及二第五縱向段，該第五橫向段之中央銜接該第四縱向段之底端，該第五橫向段之兩端分別銜接一該第五縱向段，各該第五縱向段之底端形成該排氣口。
TW102104036A 2013-02-01 2013-02-01 Gas release device for coating process TWI470098B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102104036A TWI470098B (zh) 2013-02-01 2013-02-01 Gas release device for coating process
US14/166,704 US20140216577A1 (en) 2013-02-01 2014-01-28 Gas release device for coating process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102104036A TWI470098B (zh) 2013-02-01 2013-02-01 Gas release device for coating process

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201432070A TW201432070A (zh) 2014-08-16
TWI470098B true TWI470098B (zh) 2015-01-21

Family

ID=51258259

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102104036A TWI470098B (zh) 2013-02-01 2013-02-01 Gas release device for coating process

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20140216577A1 (zh)
TW (1) TWI470098B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI496918B (zh) * 2013-02-05 2015-08-21 Adpv Technology Ltd Intetrust Gas release device for coating process
KR102215965B1 (ko) 2014-04-11 2021-02-18 주성엔지니어링(주) 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP6293643B2 (ja) * 2014-11-05 2018-03-14 株式会社東芝 ノズル装置及び処理装置
TWI723024B (zh) 2015-06-26 2021-04-01 美商應用材料股份有限公司 用於改良的氣體分配的遞迴注入設備
CN113481469A (zh) * 2021-06-04 2021-10-08 广东铭丰包装材料有限公司 一种匀气机构及镀铝机

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7619867B2 (en) * 2002-10-10 2009-11-17 International Business Machines Corporation Conformal coating enhanced to provide heat detection
US7687225B2 (en) * 2004-09-29 2010-03-30 Intel Corporation Optical coatings
WO2010132581A2 (en) * 2009-05-13 2010-11-18 Cv Holdings, Llc Vessel coating and inspection
TW201109462A (en) * 2009-09-08 2011-03-16 Ind Tech Res Inst Coating machine with lifting system
TW201116720A (en) * 2009-06-18 2011-05-16 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Gas discharge structure, and device and method for plasma processing
US7985188B2 (en) * 2009-05-13 2011-07-26 Cv Holdings Llc Vessel, coating, inspection and processing apparatus
TW201126016A (en) * 2010-01-29 2011-08-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Coating device
TW201132791A (en) * 2010-03-29 2011-10-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Plasma coating equipment
TW201200628A (en) * 2010-06-29 2012-01-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Coating apparatus
TW201224198A (en) * 2010-12-15 2012-06-16 Yu-Nan Lin Plasma coating device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4420510A (en) * 1982-03-23 1983-12-13 Weyerhaeuser Company Method for applying a foamed adhesive under start-stop conditions
US4572435A (en) * 1984-05-30 1986-02-25 Owens-Corning Fiberglas Corporation Foamable liquid distributing means
DE29517100U1 (de) * 1995-10-17 1997-02-13 Zimmer, Johannes, Klagenfurt Strömungsteilungs- und -umformungskörper
US6686052B2 (en) * 2001-06-20 2004-02-03 Showa Denko, K.K. Cooling plate and production method therefor

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7619867B2 (en) * 2002-10-10 2009-11-17 International Business Machines Corporation Conformal coating enhanced to provide heat detection
US7687225B2 (en) * 2004-09-29 2010-03-30 Intel Corporation Optical coatings
WO2010132581A2 (en) * 2009-05-13 2010-11-18 Cv Holdings, Llc Vessel coating and inspection
US7985188B2 (en) * 2009-05-13 2011-07-26 Cv Holdings Llc Vessel, coating, inspection and processing apparatus
TW201116720A (en) * 2009-06-18 2011-05-16 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Gas discharge structure, and device and method for plasma processing
TW201109462A (en) * 2009-09-08 2011-03-16 Ind Tech Res Inst Coating machine with lifting system
TW201126016A (en) * 2010-01-29 2011-08-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Coating device
TW201132791A (en) * 2010-03-29 2011-10-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Plasma coating equipment
TW201200628A (en) * 2010-06-29 2012-01-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Coating apparatus
TW201224198A (en) * 2010-12-15 2012-06-16 Yu-Nan Lin Plasma coating device

Also Published As

Publication number Publication date
US20140216577A1 (en) 2014-08-07
TW201432070A (zh) 2014-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI470098B (zh) Gas release device for coating process
JP6239286B2 (ja) 蒸着装置およびこれを用いた有機発光表示装置の製造方法
KR20140119654A (ko) 단일 포인트 선형 증발원 시스템
TWI673379B (zh) 真空蒸鍍裝置
TWI495741B (zh) 蒸發源組件和薄膜沉積裝置和薄膜沉積方法
TWI760764B (zh) 噴淋頭總成及其組件
KR102046441B1 (ko) 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
JP6671095B2 (ja) 真空蒸着装置用マニホールド
JP2013513239A5 (zh)
KR101976674B1 (ko) 진공 증착 시스템용 인젝터
US20170330819A1 (en) Heat exchanging apparatus and semiconductor refrigerator having the same
JP2014220398A5 (ja) 原子層堆積装置、原子層堆積方法、及びデバイスの製造方法
TW201250025A (en) Deposition device and deposition method
TWI496918B (zh) Gas release device for coating process
JP2022113863A (ja) 蒸発源及び蒸着装置
KR102039684B1 (ko) 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
TWM459240U (zh) 用於鍍膜製程之氣體釋出裝置
TWM455016U (zh) 用於鍍膜製程之氣體釋出裝置
TW202020194A (zh) 蒸鍍裝置以及蒸鍍方法
TWI667362B (zh) 濺射靶材
CN103993263A (zh) 用于镀膜制程的气体释出装置
KR101456099B1 (ko) 무 바인더 세라믹 코팅 메탈마스크
JP6941547B2 (ja) 蒸着装置、蒸着方法及び制御板
WO2021111993A1 (ja) チップ状電子部品用セッター
TWI579216B (zh) Fixed pin for fixed wafer in crystal boat and its manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees