JP5493139B1 - ナノクラスター生成装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ナノクラスター生成装置において、ナノクラスターのサイズ制御及び構造制御を向上させる。また、サイズ及び構造の少なくとも一方が選択されたナノクラスターの収量および収率を増大させる。
【解決手段】ナノクラスター生成装置１０は、真空容器１１と、パルス放電を行い、プラズマを発生させるスパッタ源１３と、スパッタ源１３に対し、パルス状の電力を供給するパルス電源１６と、スパッタ源１３に対し第１の不活性ガスを供給する第１不活性ガス供給手段１７と、真空容器１１内に収容されるナノクラスター成長セル１２と、ナノクラスター成長セル１２内に第２の不活性ガスを導入する第２不活性ガス導入手段１８と、を備える。
【選択図】図１
【解決手段】ナノクラスター生成装置１０は、真空容器１１と、パルス放電を行い、プラズマを発生させるスパッタ源１３と、スパッタ源１３に対し、パルス状の電力を供給するパルス電源１６と、スパッタ源１３に対し第１の不活性ガスを供給する第１不活性ガス供給手段１７と、真空容器１１内に収容されるナノクラスター成長セル１２と、ナノクラスター成長セル１２内に第２の不活性ガスを導入する第２不活性ガス導入手段１８と、を備える。
【選択図】図１
Description
本発明は、ナノクラスター生成装置に関する。
ナノクラスターは、原子一個の増減による性質の変化が著しいことから、ナノクラスター生成において、ナノクラスターを構成する原子数（以下、クラスターサイズという）の分布を制御したナノクラスタービームの手法開発が課題となっている。
直流電源を利用したマグネトロンスパッタリング法（以下DC−MSP法）を用いたナノクラスター源の開発によって上記課題は相対的に向上、改善されている。例えば、非特許文献１のものは、主としてHe分圧を制御することにより、クラスターサイズを制御し得るという可能性を示唆するものである（非特許文献１の図４参照）。また、非特許文献２においては、Heガス用ノズルの形状がクラスターサイズに与える影響についての記載がある（非特許文献２の図４参照）。
しかしながら、サイズ分布制御の困難性、サイズ選択されたナノクラスターイオンビームの強度数十pA（０．６〜３×１０８個／秒）以下と微弱生成量が少ない）といった課題については依然として解決が求められている。
直流電源を利用したマグネトロンスパッタリング法（以下DC−MSP法）を用いたナノクラスター源の開発によって上記課題は相対的に向上、改善されている。例えば、非特許文献１のものは、主としてHe分圧を制御することにより、クラスターサイズを制御し得るという可能性を示唆するものである（非特許文献１の図４参照）。また、非特許文献２においては、Heガス用ノズルの形状がクラスターサイズに与える影響についての記載がある（非特許文献２の図４参照）。
しかしながら、サイズ分布制御の困難性、サイズ選択されたナノクラスターイオンビームの強度数十pA（０．６〜３×１０８個／秒）以下と微弱生成量が少ない）といった課題については依然として解決が求められている。
S. Pratontep, S. J. Carroll, C. Xirouchaki, M. Streun, R. E. Palmer, Rev. Sci. Instrum. 76, 045103 (2005)
U. Heiz, F. Vanolli, L. Trento, W.-D. Schneider, Rev. Sci. Instrum. 68, 1986-1994 (1997)
そこで、本発明の目的の一つは、ナノクラスター生成装置において、ナノクラスターのサイズ制御及び構造制御を向上させることにある。また、本発明のもう一つの目的は、ナノクラスターの生成効率を向上させることにより、サイズ及び構造の少なくとも一方が選択されたナノクラスターの収量および収率を増大させることにある。
本発明の第1の局面によるナノクラスター生成装置は、
真空容器と、
パルス放電を行い、プラズマを発生させるスパッタ源と、
スパッタ源に対し、パルス状の電力を供給するパルス電源と、
スパッタ源に対し、第１の不活性ガスを供給する第１不活性ガス供給手段と、
真空容器内に収容されるナノクラスター成長セルと、
ナノクラスター成長セル内に第２の不活性ガスを導入する第２不活性ガス導入手段と、を備えるナノクラスター生成装置である。
真空容器と、
パルス放電を行い、プラズマを発生させるスパッタ源と、
スパッタ源に対し、パルス状の電力を供給するパルス電源と、
スパッタ源に対し、第１の不活性ガスを供給する第１不活性ガス供給手段と、
真空容器内に収容されるナノクラスター成長セルと、
ナノクラスター成長セル内に第２の不活性ガスを導入する第２不活性ガス導入手段と、を備えるナノクラスター生成装置である。
上記構成によれば、スパッタ源に対し、パルス状の電力を供給することにより、DC−MSP法の場合と比べて、非常に高いピーク出力の下においても安定な放電が維持でき、実効的な平均出力を高めることができる。これにより、クラスターの生成量を増大させることができる。また、クラスターのサイズ及び構造の選択性が向上する。
本発明の第２の局面によれば、上記のナノクラスター生成装置は、パルス状の電力のデューティ比およびピーク放電電力を可変とするようにパルス電源を制御する制御手段、を更に備える。このような制御手段を用いてパルス状の電力のデューティ比とピーク放電電力を最適化することにより、クラスター生成量を極大化することが可能となる。また、クラスターのサイズ及び構造の選択性が向上する。
本発明の第３の局面によれば、上記のナノクラスター生成装置において、スパッタ源は、カソードとしてのターゲットを有し、
ターゲットのスパッタ面と、ナノクラスター成長セルの内側面は、ナノクラスターを成長させるためのナノクラスター成長空間を規定し、
制御手段は、ターゲットのスパッタ面からのナノクラスター成長空間の延伸距離、ナノクラスター成長セル内の第２不活性ガスの温度および圧力の少なくとも一つに応じて、パルス状の電力のデューティ比及びピーク放電電力の少なくとも一方を可変とする。
このような構成により、装置構成やクラスター生成条件に応じて、パルス状の電力のデューティ比やピーク放電電力を最適化することができる。
ターゲットのスパッタ面と、ナノクラスター成長セルの内側面は、ナノクラスターを成長させるためのナノクラスター成長空間を規定し、
制御手段は、ターゲットのスパッタ面からのナノクラスター成長空間の延伸距離、ナノクラスター成長セル内の第２不活性ガスの温度および圧力の少なくとも一つに応じて、パルス状の電力のデューティ比及びピーク放電電力の少なくとも一方を可変とする。
このような構成により、装置構成やクラスター生成条件に応じて、パルス状の電力のデューティ比やピーク放電電力を最適化することができる。
本発明の第４の局面によれば、上記のナノクラスター生成装置において、制御手段は、パルス状の電力の繰り返し周波数を可変とするようにパルス電源を制御する。このような制御手段を用いてパルス状の電力の繰り返し周波数を最適化することにより、クラスター生成量を極大化することが可能となる。また、クラスターのサイズ及び構造の選択性が向上する。
本発明の第５の局面によれば、上記のナノクラスター生成装置において、スパッタ源は、カソードとしてのターゲットを有し、
ターゲットのスパッタ面と、ナノクラスター成長セルの内側面は、ナノクラスターが成長するナノクラスター成長空間を規定し、
制御手段は、ターゲットのスパッタ面からのナノクラスター成長空間の延伸距離、ナノクラスター成長セル内の第２不活性ガスの温度および圧力の少なくとも一つに応じて、パルス状の電力の繰り返し周波数を可変とする。
このような構成により、装置構成やクラスター生成条件に応じて、パルス状の電力の繰り返し周波数を最適化することができる。
ターゲットのスパッタ面と、ナノクラスター成長セルの内側面は、ナノクラスターが成長するナノクラスター成長空間を規定し、
制御手段は、ターゲットのスパッタ面からのナノクラスター成長空間の延伸距離、ナノクラスター成長セル内の第２不活性ガスの温度および圧力の少なくとも一つに応じて、パルス状の電力の繰り返し周波数を可変とする。
このような構成により、装置構成やクラスター生成条件に応じて、パルス状の電力の繰り返し周波数を最適化することができる。
本発明の第６の局面によれば、上記のナノクラスター生成装置において、真空容器はナノクラスター成長セル内で生成したナノクラスターをビームとして取り出すためのビーム取り出し口を有し、
ナノクラスター生成装置は更に、ビーム取り出し口からのビームの取り出しを許可または禁止のいずれかとするゲートを備え、
制御手段は、スパッタ源に対するパルス状の電力の供給を開始するタイミングを基準として、ゲートによるビーム取り出し口からのイオンビームの取り出しの許可と禁止とを切り替えるタイミングを設定する。
このような構成によれば、ゲートを操作して特定の時間帯にビーム取出し口に到達するビームのみを選択的に取り出すことができ、例えば、特定のサイズ又は構造を有するクラスターの堆積を行うことができる。
ナノクラスター生成装置は更に、ビーム取り出し口からのビームの取り出しを許可または禁止のいずれかとするゲートを備え、
制御手段は、スパッタ源に対するパルス状の電力の供給を開始するタイミングを基準として、ゲートによるビーム取り出し口からのイオンビームの取り出しの許可と禁止とを切り替えるタイミングを設定する。
このような構成によれば、ゲートを操作して特定の時間帯にビーム取出し口に到達するビームのみを選択的に取り出すことができ、例えば、特定のサイズ又は構造を有するクラスターの堆積を行うことができる。
本発明の第７の局面によれば、上記のナノクラスター生成装置において、制御手段は、ビーム取り出し口からのビームの取り出しを許可する期間と禁止する期間とを、パルス状放電と同期した一定のパターンとして設定し、該設定したパターンに従って、パルス状の電力の繰り返し周期と同期させてビーム取り出し口からのビームの取り出しの許可と禁止とを繰り返す。
このような構成によれば、パルス状の電力の繰り返し周期と同期した所定の時間帯にビーム取出し口に到達するビームのみを繰り返し取り出すことができ、これにより、特定の性質を有するクラスターイオンの収量及び収率を向上させることが可能となる。なお、例えば、収率とは、スパッタ源のターゲットからクラスター成長セル内に供給されるスパッタ放出粒子の総量に対する、所望のクラスターの生成量の割合として定義することができる。
このような構成によれば、パルス状の電力の繰り返し周期と同期した所定の時間帯にビーム取出し口に到達するビームのみを繰り返し取り出すことができ、これにより、特定の性質を有するクラスターイオンの収量及び収率を向上させることが可能となる。なお、例えば、収率とは、スパッタ源のターゲットからクラスター成長セル内に供給されるスパッタ放出粒子の総量に対する、所望のクラスターの生成量の割合として定義することができる。
本発明の第８の局面によれば、上記のナノクラスター生成装置において、制御手段は、ビームの取り出しの許可と禁止とを切り替えるタイミングを可変とすることで、ビーム取り出し口を介して取り出されるナノクラスターのサイズ及び構造の少なくとも一方を制御する。
パルス状の電力の繰り返し周期内において発生するナノクラスターのサイズや構造が時間分布を有している場合、上記構成によれば、ビーム取り出し口を介して取り出されるナノクラスターのサイズや構造を制御することが可能となる。
パルス状の電力の繰り返し周期内において発生するナノクラスターのサイズや構造が時間分布を有している場合、上記構成によれば、ビーム取り出し口を介して取り出されるナノクラスターのサイズや構造を制御することが可能となる。
本発明の第９の局面によれば、上記のナノクラスター生成装置において、ゲートは、電場、磁場、または電磁場により、ビーム取り出し口からのビームの取り出しを許可又は禁止する。このような構成によれば、上記したような作用を持つゲートを提供することができる。
本発明の第１０の局面によれば、上記のナノクラスター生成装置において、ゲートは、ビームの飛行経路を遮断し、又は、開放することにより、ビーム取り出し口からのビームの取り出しを禁止し、又は、許可する。このような構成によっても、上記したような作用を持つゲートを提供することができる。
本発明の第１０の局面によれば、上記のナノクラスター生成装置において、ゲートは、ビームの飛行経路を遮断し、又は、開放することにより、ビーム取り出し口からのビームの取り出しを禁止し、又は、許可する。このような構成によっても、上記したような作用を持つゲートを提供することができる。
本発明の第１１の局面によれば、上記のナノクラスター生成装置は、クラスター成長セルの内部に設置され、ナノクラスターの通過を許可し、又は禁止する別のゲートを更に備える。
このような構成によれば、クラスター成長セル内部においてゲートにより選別したクラスターを対象として、更にクラスター成長セル内部において成長させたり、あるいは、加速や減速等の制御をしたりすることが可能となる。
このような構成によれば、クラスター成長セル内部においてゲートにより選別したクラスターを対象として、更にクラスター成長セル内部において成長させたり、あるいは、加速や減速等の制御をしたりすることが可能となる。
本発明の第１２の局面によれば、上記のナノクラスター生成装置において、第１の不活性ガスはアルゴンガスである。
これによれば、アルゴンガスに基づくプラズマを発生させることができる。
これによれば、アルゴンガスに基づくプラズマを発生させることができる。
本発明の第１３の局面によれば、上記のナノクラスター生成装置において、第２の不活性ガスはヘリウムガスである。
この場合、ヘリウムガスを冷媒として用いることで、スパッタ源からの金属原子を冷却・凝集し、ナノクラスターへと成長させることができる。
この場合、ヘリウムガスを冷媒として用いることで、スパッタ源からの金属原子を冷却・凝集し、ナノクラスターへと成長させることができる。
本発明の第１４の局面によれば、上記のナノクラスター生成装置において、第１不活性ガス供給手段は、第１不活性ガスを噴射するガス噴射弁を有し、
制御手段は、ガス噴射弁が間欠的に第１不活性ガスを噴射するように、かつ、スパッタ源においてパルス放電が発生する期間が、ガス噴射弁により第１不活性ガスを噴射する期間内に含まれるように、スパッタ源及びガス噴射弁を制御する。
このような構成よれば、噴射弁を用いて第１不活性ガスを間欠的に噴射供給するため、第１不活性ガスを連続的に供給する場合に比べてその使用量を削減することができる。結果として、第１不活性ガスを供給・排出するための装置の小型化を図ることができる。更に上記局面によれば、制御手段は、スパッタ源においてパルス放電が発生する期間が、噴射弁により第１不活性ガスを噴射し供給する期間内に含まれるように、スパッタ源及び噴射弁を制御する。このことにより、第１不活性ガスの噴射による供給が間欠的なものであっても、パルス放電が行われるタイミングにおいては、スパッタ源に対して十分な量の第１不活性ガスが供給されるものとすることができる。これにより、第１不活性ガスに基づくプラズマの発生を確実なものとすることができる。
更には、ヘリウム等の第２不活性ガスの分圧を高く維持することができるため、安定したスパッタリングを行いながら、クラスターの冷却効率を向上させることができる。
制御手段は、ガス噴射弁が間欠的に第１不活性ガスを噴射するように、かつ、スパッタ源においてパルス放電が発生する期間が、ガス噴射弁により第１不活性ガスを噴射する期間内に含まれるように、スパッタ源及びガス噴射弁を制御する。
このような構成よれば、噴射弁を用いて第１不活性ガスを間欠的に噴射供給するため、第１不活性ガスを連続的に供給する場合に比べてその使用量を削減することができる。結果として、第１不活性ガスを供給・排出するための装置の小型化を図ることができる。更に上記局面によれば、制御手段は、スパッタ源においてパルス放電が発生する期間が、噴射弁により第１不活性ガスを噴射し供給する期間内に含まれるように、スパッタ源及び噴射弁を制御する。このことにより、第１不活性ガスの噴射による供給が間欠的なものであっても、パルス放電が行われるタイミングにおいては、スパッタ源に対して十分な量の第１不活性ガスが供給されるものとすることができる。これにより、第１不活性ガスに基づくプラズマの発生を確実なものとすることができる。
更には、ヘリウム等の第２不活性ガスの分圧を高く維持することができるため、安定したスパッタリングを行いながら、クラスターの冷却効率を向上させることができる。
本発明の第１５の局面によれば、上記ナノクラスター生成装置において、制御手段は、パルス状の電気信号である噴射信号に応じて、ガス噴射弁に電力を供給することにより、ガス噴射弁を駆動して第１不活性ガスを噴射させ、
制御手段は、噴射信号を、複数のパルス信号群により構成し、かつ、噴射信号を構成するパルス信号群における複数のパルス信号のデューティ比又は周波数を可変とする。
このような構成により、第１不活性ガスの時間当たりの噴射量（即ち噴射率）を、１噴射期間中に変化させることができる。
制御手段は、噴射信号を、複数のパルス信号群により構成し、かつ、噴射信号を構成するパルス信号群における複数のパルス信号のデューティ比又は周波数を可変とする。
このような構成により、第１不活性ガスの時間当たりの噴射量（即ち噴射率）を、１噴射期間中に変化させることができる。
本発明の第１６の局面によれば、上記のナノクラスター生成装置において、制御手段は、パルス状の電気信号であるスパッタ信号に応じて、スパッタ源に対してパルス状の電力を供給し、
制御手段は、電気信号を、複数のパルス信号群により構成し、かつ、電気信号を構成するパルス信号群における複数のパルス信号のデューティ比又は周波数を可変とする。
このような構成によれば、スパッタ源に対してパルス状の電力を供給する態様を任意に変化させることができ、ナノクラスター生成量を向上させる等の目的に応じたより好ましい放電態様を実現することができる。
制御手段は、電気信号を、複数のパルス信号群により構成し、かつ、電気信号を構成するパルス信号群における複数のパルス信号のデューティ比又は周波数を可変とする。
このような構成によれば、スパッタ源に対してパルス状の電力を供給する態様を任意に変化させることができ、ナノクラスター生成量を向上させる等の目的に応じたより好ましい放電態様を実現することができる。
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態によるナノクラスター生成装置１０について説明する。図１は本実施形態のナノクラスター生成装置１０の構成を概略的に示す説明図である。ナノクラスター生成装置１０は、真空引きされるチャンバ１１と、該チャンバ内に設置されるナノクラスター成長セル１２と、該ナノクラスター成長セル１２内に設置されるスパッタ源１３（マグネトロンスパッタ源）を備える。本実施形態のナノクラスター成長セル１２は、その周囲を液体窒素ジャケット１４で囲まれており、該液体窒素ジャケット１４内を液体窒素（Ｎ２）が流通するように構成されている。ナノクラスター生成装置１０は更に、制御システムの構成要素として、制御装置１５、スパッタ源用パルス電源１６を備える。
以下、本発明の第１実施形態によるナノクラスター生成装置１０について説明する。図１は本実施形態のナノクラスター生成装置１０の構成を概略的に示す説明図である。ナノクラスター生成装置１０は、真空引きされるチャンバ１１と、該チャンバ内に設置されるナノクラスター成長セル１２と、該ナノクラスター成長セル１２内に設置されるスパッタ源１３（マグネトロンスパッタ源）を備える。本実施形態のナノクラスター成長セル１２は、その周囲を液体窒素ジャケット１４で囲まれており、該液体窒素ジャケット１４内を液体窒素（Ｎ２）が流通するように構成されている。ナノクラスター生成装置１０は更に、制御システムの構成要素として、制御装置１５、スパッタ源用パルス電源１６を備える。
ナノクラスター生成装置１０は更に、プラズマを発生させるための第１不活性ガス（例えば、アルゴンガス（Ａｒ））をスパッタ源１３に対して供給するための第１不活性ガス供給パイプ１７、および、スパッタ源１３から発生した金属原子や金属イオンを冷却し凝集させ、ナノクラスターとして成長させるための第２不活性ガス（例えばヘリウムガス（Ｈｅ））をナノクラスター成長セル１２内へ供給するための第２不活性ガス供給パイプ１８を備える。第２不活性ガス供給パイプ１８は、その主要部が、液体窒素ジャケット１４内に格納され、液体窒素ジャケット１４の内部を螺旋状に周回して、その端部が、ナノクラスター成長セル１２の内側に突出している。
こうして、液体窒素により冷却されたヘリウム等の第２不活性ガスをナノクラスター成長セル１２内に導入することができる。クラスター成長セル１２内の圧力が約１０〜４０Ｐａに維持されるようにする（圧力制御のためにクラスター成長セル１２に備えられる圧力計、ガス供給系に備えられるマスフローコントローラ等の装置については、図示を省略している。）
ナノクラスター生成装置１０は更にターボ分子ポンプ等からなる排気装置１９を備え、この排気装置１９により、チャンバ１１内が所定の真空度（例えば１０−１〜１０−４Pa）まで排気される。
ナノクラスター生成装置１０は更にターボ分子ポンプ等からなる排気装置１９を備え、この排気装置１９により、チャンバ１１内が所定の真空度（例えば１０−１〜１０−４Pa）まで排気される。
スパッタ源１３はターゲット１３１（金属ターゲット）、アノード１３２、磁石ユニット１３３から構成され、ターゲット１３１はカソードとしてスパッタ源用パルス電源１６に接続される。第１不活性ガス供給パイプ１７からナノクラスター成長セル１２内にＡｒガスが供給され、スパッタ源用パルス電源１６からパルス状の電力が供給される（即ち、ターゲット１３１とアノード１３２の間に高電圧がパルス状に印加される）ことにより、ターゲット１３１及びアノード１３２間にグロー放電が生じる。また、磁石ユニット１３３によりターゲット１３１の表面付近に磁場を印加することで、本実施形態のナノクラスター生成装置１０はマグネトロンスパッタを行い、さらに強いグロー放電を生成することが可能である。
本実施形態においては、第１不活性ガス供給パイプ１７の先端は、第１不活性ガスをスパッタ源１３のターゲット１３１とアノード１３２との間の一箇所または複数の箇所から噴射するように構成されている。ただし、このような構成に限らず、第１不活性ガスを、ターゲット１３１に向かうように供給できる構成である限り、任意の構成を採用可能である。
スパッタ源１３は、ナノクラスター成長セル１２内に、管軸方向に移動自在に収容される。これにより、ナノクラスター成長領域の管軸方向の延伸距離（成長領域長、すなわち、ターゲット１３１面からビーム取出し口１２１までの距離）を規定する。
スパッタ源１３は、ナノクラスター成長セル１２内に、管軸方向に移動自在に収容される。これにより、ナノクラスター成長領域の管軸方向の延伸距離（成長領域長、すなわち、ターゲット１３１面からビーム取出し口１２１までの距離）を規定する。
ナノクラスターを生成するためには、液体窒素温度に冷却された第２不活性ガスをナノクラスター成長セル１２内に導入した状態で、スパッタ源１３に第１不活性ガスを供給するとともに、スパッタ源用パルス電源１６からパルス電力を供給する。パルス電力が供給されると、ターゲット１３１から第２不活性ガス中に、ターゲット１３由来の中性原子及びイオン等のスパッタ粒子が集団として放出される。
この集団は、スパッタ源１３に印加されるパルス電力の繰り返し周波数の間隔で放出されて第２不活性ガスの流れに沿って移動する。この時、集団を構成する中性の原子及びイオン等のスパッタ粒子は第２不活性ガス中において互いに結合して種々のサイズのナノクラスターを生成する。生成したナノクラスターはナノクラスター成長セル１２のビーム取出し口１２１を通過した後、後段のイオン検出装置等へ進入する。
イオン検出装置として、例えば図２に示す構成のものを用いることができる。図２に示すイオン検出装置２０は、ナノクラスター成長セル１２のビーム取出し口１２１の近傍外側にイオンガイド電極２１を有し、これにより、ナノクラスター成長セル１２のビーム取出し口１２１から放出されるナノクラスターイオンをガイドする。図２に示すように、イオン検出装置２０は、イオンガイド電極２１のビーム取出し口側に設けられる四重極形イオン偏向器２２を備える。四重極形イオン偏向器２２は、ナノクラスターの内の正イオン或いは負イオンの一方のみを偏向させることにより取り出す。
イオン検出装置２０は、取り出されたナノクラスターの質量を分析する四重極質量分析計２３を有し、特定の質量のナノクラスターのみを取り出して、その生成量をバイアスの印加ができるイオン検出器２４（ピコアンメーター）により測定する。例えば、イオン検出器２４で測定された１００ｐＡの電流は、クラスター量としては、０．６×１０９個／秒（＝１ｆｍｏｌ／秒）に相当する。また、イオン検出器２４の代わりに成膜基板を配置すれば、特定の質量のナノクラスターのみを成膜基板上に堆積させることができる。
（実施例）
次に、上記構成のナノクラスター生成装置１０によりナノクラスター生成を実施した例を説明する。以下は、本実施例に関する装置諸元および実験パラメータである。
スパッタ源： Angstrom Sciences社製 ONYX-2
パルス電源： Zpulser社製 AXIA-150
ターゲット： Ag（直径２インチ、純度99.99%）
Arガス流量： 40-200sccm
Heガス流量： 60-600sccm
成長セル内圧力： 10-40Pa
成長セル内径： 110 mm
成長領域長さ： 190-290mm
ビーム取出し口径： 12 mm
上記設定により生成したナノクラスターイオンを、イオン検出装置２０により検出した。
次に、上記構成のナノクラスター生成装置１０によりナノクラスター生成を実施した例を説明する。以下は、本実施例に関する装置諸元および実験パラメータである。
スパッタ源： Angstrom Sciences社製 ONYX-2
パルス電源： Zpulser社製 AXIA-150
ターゲット： Ag（直径２インチ、純度99.99%）
Arガス流量： 40-200sccm
Heガス流量： 60-600sccm
成長セル内圧力： 10-40Pa
成長セル内径： 110 mm
成長領域長さ： 190-290mm
ビーム取出し口径： 12 mm
上記設定により生成したナノクラスターイオンを、イオン検出装置２０により検出した。
本実施例で用いたスパッタ源用パルス電源１６は、オンオフ時間（オン時間：tON、オフ時間：tOFF）で繰り返し放電を行うものであり、デューティ比（tON/(tON+tOFF）、またはtON/tTOTにおいてtTOT=tON+tOFF）、および、直流電圧ＤＣＶによりパワーを制御することが可能な変調パルス電源（Modulated Pulse Power: MPP）である。本実施例で用いたスパッタ源用パルス電源１６はパルスジェネレータを内蔵するものであり、同電源１６からの供給電圧ＤＣＶは８０Ｖから６００Ｖまで制御可能であり、それに伴って、ピーク電圧、ピーク電流が変動する。なお、ピーク放電電力は、ピーク電圧×ピーク電流で表される。
図３は、ナノクラスター生成装置１０により生成されたＡｇナノクラスター正イオンのサイズ分布を説明するための説明図であり、スパッタ源用パルス電源１６の平均放電電力を約３０Ｗ、供給電圧ＤＣＶを１０５Ｖとし、放電の繰り返し周波数を７０Ｈｚとした場合の質量スペクトルである。クラスターあたりの質量数（ｍ／Ｚ）を横軸とし、クラスターイオンの生成量に相当するイオン電流（ｎＡ）を縦軸とした。
図４は、変調パルス電源を用いた変調パルスパワーマグネトロンスパッタリング法（以下、ＭＰＰ−ＭＳＰ法という）により得られたAgナノクラスター負イオンの質量スペクトル（ａ）と、直流マグネトロンスパッタリング法（ＤＣ−ＭＳＰ法）により得られたAgナノクラスター負イオンの質量スペクトル（ｂ）とを比較して表したものである。ＭＰＰ−ＭＳＰ法においては、繰り返し周波数を１００Ｈｚ、ピーク放電電力を２００Ｗとし、平均放電電力を約３０Ｗに制御している。ＤＣ−ＭＳＰ法においては、放電電力を３０Ｗにしている。また、いずれの場合も、Ａｒの流量を１００ｓｃｃｍとし、Ｈｅの流量を６００ｓｃｃｍとしている。図４より、ＭＰＰ−ＭＳＰ法における最も支配的な質量数（ｎ＝１９）は、ＤＣ−ＭＳＰ法における最も支配的な質量数（ｎ＝５４）から変化していることが分かる。また、ＭＰＰ−ＭＳＰ法における上記質量数ｎ＝１９のイオン量（１．９ｎＡ）は、ＤＣ−ＭＳＰ法における上記質量数ｎ＝５４のイオン量（０．１６ｎＡ）と比較して１０倍程度多いことが分かる。また、生成された全サイズ領域において、ＭＰＰ−ＭＳＰ法の方が、クラスター生成強度が高いことがわかる。
図５は、変調パルス電源のパラメータを制御することにより、イオン強度を増強できることを示す図である。図５は、（ａ）放電電力が３７０Ｗの場合、（ｂ）放電電力が３２０Ｗの場合、（ｃ）放電電力が２１０Ｗの場合のイオン強度をそれぞれ表している。図の横軸はクラスターあたりの原子数を示し、縦軸はパルス放電の繰り返し周波数を示す。また、図中の各ますの色合いは、色合いが明るいほど（白色に近いほど）、イオン強度が高いことを示す。本例においては各パルス放電の発生継続時間を一定とした（約１ｍｓ）。そのため、パルス放電のデューティ比は繰り返し周波数に比例する（すなわち、繰り返し周波数７Ｈｚ〜１５０Ｈｚに対し、デューティ比が約０．００７〜０．１５である）。図５から、ピーク放電電力と放電の繰り返し周波数（またはデューティ比）の２次元的制御（最適化）により、イオン強度（収量および収率）を増強できることが読み取れる。
図６は、ＭＰＰ−ＭＳＰ法においてピーク放電電力を変化させた場合のクラスターサイズ及びイオン強度への影響を説明するための説明図であり、ピーク放電電力をそれぞれ(a)２２０Ｗ、(b)２９０Ｗ、(c)３５０Ｗ、(d)３８０Ｗ、(e)５６０Ｗとした場合のナノクラスター負イオンのサイズ分布をオフセットして表している。いずれの場合もＡｒ流量を１２０ｓｃｃｍ、Ｈｅ流量を６００ｓｃｃｍ、放電繰り返し周波数を１０Ｈｚとした。図６からは、ピーク放電電力に依存してクラスターサイズの分布が変化すること、すなわち、ピーク放電電力が大であるほど、クラスターサイズの分布が大きい方へ変化する傾向があることが読み取れる。
図７は、ＭＰＰ−ＭＳＰ法において放電のデューティ比tON/tTOTを変化させた場合のクラスターサイズ及びイオン強度への影響を説明するための説明図であり、図上段より、デューティ比tON/tTOTをそれぞれ０．０１５、０．０３、０．０６、０．１５とした場合をオフセットして表している。併せて、デューティ比tON/tTOT＝１の場合、つまりＤＣ−ＭＰＰ法の場合も比較のため示している。図示するように、最も支配的な質量数は、デューディ比＝１としてＤＣ−ＭＰＰ法とする場合のｎ＝５８から、デューティ比tON/tTOT＝０．０６とする場合のｎ＝１９に変化していることが分かる。また、上記各質量数におけるイオン強度については、ＤＣ−ＭＰＰ法の場合の１５０ｐＡ（ｎ＝５８）と比べて、デューティ比tON/tTOT＝０．０６とする場合の７００ｐＡ（ｎ＝１９）へと、４．７倍程度増強できることが明らかとなった。また、図から、特定のサイズ分布範囲内のイオン強度が最適化されるデューティ比tON/tTOTの範囲が存在することが読み取れる。また、デューティ比tON/tTOTが０．０３または０．０６の場合が、他の場合と比較して、全体的にイオン強度が高い。
図８は、クラスター成長領域長がクラスターサイズ及びイオン強度に与える影響を説明するための説明図であり、(a)２１０ｍｍ、(b)２５０ｍｍ、(c)２８０ｍｍの場合をそれぞれオフセットして表したものである。いずれの場合も、Ａｒガスの流量を８０ｓｃｃｍ、Ｈｅガスの流量を６００ｓｃｃｍ、供給電圧ＤＣＶを９０Ｖ、放電の繰り返し周波数を７０Ｈｚとしている。
図９は、Ａｒガス流量がクラスターサイズ及びイオン強度に与える影響を説明するための説明図であり、Ａｒガス流量が(a)４０ｓｃｃｍ、(b)６０ｓｃｃｍ、(c)１００ｓｃｃｍ、（ｄ）１２０ｓｃｃｍ、（ｅ）１６０ｓｃｃｍの場合のクラスターサイズ分布をそれぞれ表したものである。いずれの場合も、Ｈｅガスの流量を６００ｓｃｃｍ、クラスター成長領域長を２９０ｍｍ、供給電圧ＤＣＶを９０Ｖ、放電の繰り返し周波数を７０Ｈｚとしている。
図９は、Ａｒガス流量がクラスターサイズ及びイオン強度に与える影響を説明するための説明図であり、Ａｒガス流量が(a)４０ｓｃｃｍ、(b)６０ｓｃｃｍ、(c)１００ｓｃｃｍ、（ｄ）１２０ｓｃｃｍ、（ｅ）１６０ｓｃｃｍの場合のクラスターサイズ分布をそれぞれ表したものである。いずれの場合も、Ｈｅガスの流量を６００ｓｃｃｍ、クラスター成長領域長を２９０ｍｍ、供給電圧ＤＣＶを９０Ｖ、放電の繰り返し周波数を７０Ｈｚとしている。
図１０は、Ｈｅガス流量の変化がクラスターサイズ及びイオン強度に与える影響を説明するための説明図であり、Ｈｅガス流量が(a)１４０ｓｃｃｍ、(b)２００ｓｃｃｍ、(c)４００ｓｃｃｍ、（ｄ）６００ｓｃｃｍの場合のクラスターサイズ分布をそれぞれオフセットして表したものである。いずれの場合も、Ａｒガスの流速を８０ｓｃｃｍ、クラスター成長領域長を２９０ｍｍ、供給電圧ＤＣＶを９０Ｖ、放電の繰り返し周波数を７０Ｈｚとしている。
これらの図８〜図１０より、クラスターのサイズ分布とイオン強度が、クラスター成長領域長、Ａｒガス流量、Ｈｅガス流量に依存して変化していることが分かる。
これらの図８〜図１０より、クラスターのサイズ分布とイオン強度が、クラスター成長領域長、Ａｒガス流量、Ｈｅガス流量に依存して変化していることが分かる。
以上より、本実施形態のナノクラスター生成装置１０においては、パルス電力を印加するマグネトロンスパッタリング法を用いているので、従来の直流電力マグネトロンスパッタリング法に比べて、生成するナノクラスターのサイズ選択性が良好になるとともに収量および収率が向上する。
さらに、パルス電力の繰り返し周波数、ピーク放電電力、或いは、パルス波形（デューティ比）を制御することによって、生成するナノクラスターのサイズ選択性を向上することができる。
（第２実施形態）
次に、図１１を参照して、本発明の第２実施形態に係るナノクラスター生成装置１００について説明する。図１１（Ａ）に示すように、本実施形態に係るナノクラスター生成装置１００は、第１実施形態に係るナノクラスター生成装置１０の構成に加えて、ナノクラスター成長セル１２のビーム取出し口１２１をナノクラスターイオンが通過することを許可または禁止するゲート３０、ゲート用パルス電源３１、遅延発生器３２を備える。
次に、図１１を参照して、本発明の第２実施形態に係るナノクラスター生成装置１００について説明する。図１１（Ａ）に示すように、本実施形態に係るナノクラスター生成装置１００は、第１実施形態に係るナノクラスター生成装置１０の構成に加えて、ナノクラスター成長セル１２のビーム取出し口１２１をナノクラスターイオンが通過することを許可または禁止するゲート３０、ゲート用パルス電源３１、遅延発生器３２を備える。
ゲート３０は、例えば金属メッシュ電極であり、チャンバ１１内のナノクラスター成長セル１２のビーム取出し口１２１付近に設置され、ナノクラスターイオンの内の一方の極性のナノクラスターイオンのみにつき、その通過を許可または禁止するために用いられる。
次に、本実施形態に係るナノクラスター生成装置１００の制御システムおよび制御方法について説明する。ナノクラスター生成装置１００の制御システムは、図１１（Ｂ）に示すように、制御装置１５、スパッタ源用パルス電源１６、遅延発生器３２、ゲート用パルス電源３１により構成される。制御装置１５は、パルスジェネレータ１５１を有する。ただし、制御装置１５を備えず、パルスジェネレータがスパッタ源用パルス電源１６に内蔵されているものであっても良い。スパッタ源用パルス電源１６は、スパッタ信号発生器１６１、及び、スパッタ源用電源本体１６２を有する。ゲート用パルス電源３１は、ゲート信号発生器３１１、及び、ゲート用電源本体３１２を有する。
クラスターを生成する際、パルスジェネレータ１５１はパルス状のクロック信号を発生し、スパッタ源用パルス電源１６のスパッタ信号発生器１６１に送る。
クラスターを生成する際、パルスジェネレータ１５１はパルス状のクロック信号を発生し、スパッタ源用パルス電源１６のスパッタ信号発生器１６１に送る。
スパッタ信号発生器１６１は、クロック信号を受け取るとパルス状のスパッタ信号を生成し、スパッタ源用電源本体１６２に送るとともに、同期信号を遅延発生器３２に送る。スパッタ源用電源本体１６２は、スパッタ信号がオンの間、スパッタ源１３にパルス状の高電圧を印加する。
遅延発生器３２は同期信号を受け取ると、同期信号を基準とする所定のディレイを有するディレイ信号を発生し、当該ディレイ信号をゲート用パルス電源３１に送る。ゲート用パルス電源３１のゲート信号発生器３１１は、ディレイ信号を受け取るとパルス状のゲート信号を生成し、ゲート用電源本体３１２に送る。ゲート用電源本体３１２は、ゲート信号に応じて、ゲートに電圧を印加する。例えば、ゲート用電源本体３１２は、ゲート信号がオフの間のみ、ゲートに正または負の電圧を印加する。
次に、図１２のタイミングチャートを参照して、制御装置１５、スパッタ源用パルス電源１６、遅延発生器３２、ゲート用パルス電源３１からなるナノクラスター生成装置１００の制御システムによるパルス放電制御及びゲート制御について説明する。図１２に示す例においては、制御装置１５からのクロック信号に基づき時刻ｓ１にスパッタ信号が発せられると、直後の時刻ｓ３に、スパッタ源１３においてパルス放電が発生する。
スパッタ信号発生器１６１は、時刻ｓ１に、遅延発生器３２に対して同期信号を送る。遅延発生器３２は、受け取った同期信号を基準とする所定のディレイを有するディレイ信号を発生し、当該ディレイ信号をゲート用パルス電源３１に送る。ゲート用パルス電源３１のゲート信号発生器３１１は、ディレイ信号を受け取るとパルス状のゲート信号（ｔ１〜ｔ２）を生成し、ゲート用電源本体３１２に送る。ゲート用電源本体３１２は、ゲート信号に応じて、ゲートに電圧を印加する。本例では、ゲート信号がオフの間のみ、ゲートに正の電圧＋Ｖを印加し、ゲート信号がオンの間のみ、ゲートに印加する電圧を０Ｖとする。ゲートに正の電位＋Ｖが印加されている間は、クラスター成長セル１２のビーム取出し口１２１から放出される正のクラスターイオンはゲート３０に跳ね返され、ゲート３０を通過することができない。ゲート３０の電位が０Ｖの間のみ、正のクラスターイオンはゲート３０を通過することができ、後段のイオン検出装置等へと進入することができる。このようにゲート３０の電位を０Ｖとし、通過の許可／不許可の対象とする符号のクラスターイオンの通過を許可する時間枠（ｔ１〜ｔ２）を、通過許可ウィンドウと呼ぶこととする。
このような構成において、スパッタ信号の立ち上がり時ｓ１から、ゲート信号の立ち上がり時ｔ１までのディレイΔｔを種々変更しながら、後段のイオン検出装置（例えば図１のイオン検出装置２０）により検出されたクラスターイオンのサイズを測定した結果を図１３に示す。図１３においては、スパッタ信号が立ち上がった時刻ｓ１からの各経過時間におけるクラスターイオンのサイズの分布をプロットしたものであり、下から順に、０ｍｓ、４０ｍｓ、５０ｍｓ、６０ｍｓ、７０ｍｓ、９０ｍｓ、１００ｍｓ、１４０ｍｓの時点のものを表している。図示されるように、スパッタ信号が発せられ、パルス放電が始まってから時間が経過するに従い、検出されるクラスターイオンのサイズの分布が変化する、つまり、クラスターサイズが時間分布を有していることが分かる。この例においては、クラスター成長領域長を２９０ｍｍ、供給電圧を１２０Ｖ、繰り返し周波数を７Ｈｚ、通過許可ウィンドウを４ｍｓとしている。
図１３において、質量数４０００付近のイオン電流が５０ｍｓ〜７０ｍｓの範囲で高く、９０ｍｓにおいて一旦小さくなり、１００ｍｓで再び増加していることが分かる。このことから、同じサイズのクラスターであっても、飛行時間が異なるものがあることが読み取れる。同じサイズのクラスターの飛行時間に差が生じるのは、それらの移動度の差に起因していることが考えられる。すなわち、同じサイズのクラスターであって、構造の異なるもの（構造異性体）が、異なる時間帯にゲート３０に到達し、取り出されていることを示唆するものである。
図１４Ａは、スパッタ信号が発せられてからの経過時間を横軸として、１回のパルス放電周期中の各時刻において検出されるイオン量を縦軸に黒丸によりプロットしたものである。曲線は近似曲線である。図示するように、時刻０においてスパッタ信号が発せられその直後に放電が生じると、クラスターイオンがクラスター成長セル１２内を飛行してゲート３０に最初に到達するまでの飛行時間の経過の後、クラスターイオンが検出され始める。
イオン発生量がピークとなる時点Ｂに通過許可ウィンドウを設定することで、その時点におけるクラスターイオンのみを取り出すことができ、これを別途の計測装置により計測することで、クラスターサイズ分布を計測した結果を図１４Ｂに示す。同様に計測したパルス後半での時点Ｃにおけるクラスターサイズ分布（図１４Ｃ）と比べると、ピーク時点Ｂにおけるクラスターサイズ分布がより大きい方へ遷移していることが、この図からもわかる。
イオン発生量がピークとなる時点Ｂに通過許可ウィンドウを設定することで、その時点におけるクラスターイオンのみを取り出すことができ、これを別途の計測装置により計測することで、クラスターサイズ分布を計測した結果を図１４Ｂに示す。同様に計測したパルス後半での時点Ｃにおけるクラスターサイズ分布（図１４Ｃ）と比べると、ピーク時点Ｂにおけるクラスターサイズ分布がより大きい方へ遷移していることが、この図からもわかる。
よって、ディレイΔｔを変更して、パルス放電に同期した所定の時間帯（通過許可ウインドウ）にのみクラスターイオンの通過を許可することにより、サイズ分布が高精度に制御されたナノクラスタービームを得ることが可能となる。同じ操作を繰り返し周期ごとに繰り返すことにより、サイズ分布が高精度に制御されたナノクラスタービームの収量を増やすことができる。
図１１の例においては、ゲート３０を金属メッシュとしたが、本発明はこれに限られない。即ち、電場、磁場、または電磁場を用いてクラスターイオンの通過を許可または禁止し、または、飛行軌道を変更することができる装置（例えば、デフレクタ等）であればゲート３０として用いることが可能である。更には、中性クラスターに対してレーザ照射や電子線照射等を行いイオン化すれば、中性クラスター由来のクラスターイオンについても、ゲート３０により通過の許可／禁止の操作を行うことができる。
更に、上記に限らず、ビームの飛行経路を物理的に遮断したり、開放したりすることで、ビームの通過を禁止し、あるいは許可するといった操作を行い得るシャッターや、所定のスリットを有し、高速に回転し得る円盤等の機械的な装置を、ゲート３０の代わりに用いても良い。この場合、中性クラスター、クラスターイオンのいずれに対してもゲートとして用いることができる。
更に、上記に限らず、ビームの飛行経路を物理的に遮断したり、開放したりすることで、ビームの通過を禁止し、あるいは許可するといった操作を行い得るシャッターや、所定のスリットを有し、高速に回転し得る円盤等の機械的な装置を、ゲート３０の代わりに用いても良い。この場合、中性クラスター、クラスターイオンのいずれに対してもゲートとして用いることができる。
（第３実施形態）
次に、図１５を参照して、本発明の第３実施形態に係るナノクラスター生成装置２００について説明する。本実施形態のナノクラスター生成装置２００は、クラスター成長セル１２内部にもゲートを備えることを特徴とする。すなわち、図１５に示すように、ゲートとして、クラスターイオン成長セル１２内部に設置される第１ゲート４０と、クラスター成長セル１２のビーム取出し口１２１付近に設置される第２ゲート５０とを有する。更に、第１ゲート用パルス電源４１と、第２ゲート用パルス電源５１を備える。更に、第１ゲート４０に印加される電圧が、その上流側および下流側の電場に影響を与えることを回避するために、第ゲート４０を覆う金属製のグランド部材４２（例えば、金属メッシュ）を備えている。グランド部材４２の電位はクラスター成長セル１２と同電位とされている。第１ゲート４０は、クラスター成長セル１２の内部空間の中心付近に延在している。
次に、図１５を参照して、本発明の第３実施形態に係るナノクラスター生成装置２００について説明する。本実施形態のナノクラスター生成装置２００は、クラスター成長セル１２内部にもゲートを備えることを特徴とする。すなわち、図１５に示すように、ゲートとして、クラスターイオン成長セル１２内部に設置される第１ゲート４０と、クラスター成長セル１２のビーム取出し口１２１付近に設置される第２ゲート５０とを有する。更に、第１ゲート用パルス電源４１と、第２ゲート用パルス電源５１を備える。更に、第１ゲート４０に印加される電圧が、その上流側および下流側の電場に影響を与えることを回避するために、第ゲート４０を覆う金属製のグランド部材４２（例えば、金属メッシュ）を備えている。グランド部材４２の電位はクラスター成長セル１２と同電位とされている。第１ゲート４０は、クラスター成長セル１２の内部空間の中心付近に延在している。
クラスター成長セル１２の内部空間は、第１ゲート４０によって、上流側の領域と、下流側の領域に区画されている。この上流側の領域において成長したクラスターイオンが第１ゲート４０を通過することを、第２実施形態において説明したのと同様の制御を第１ゲート４０について行うことにより、許可したり禁止したりすることができる。すなわち、第１ゲート４０につき所定の通過許可ウィンドウを設定することで、正または負のクラスターイオンにつき、特定のサイズ分布を有するクラスターイオンのみを、第１ゲート４０を選択的に通過させることができる。
そして本実施形態においては、クラスター成長セル１２の内部であって第１ゲート４０の下流側の領域は、第１ゲート４０を通過したナノクラスターイオンの飛行軌道や飛行速度を制御する領域として構成されている。図１５に示すものは、クラスター成長セル１２内に設置された複数のイオン運動制御電極６０により、通過するクラスターイオンを加速または減速したり、その飛行経路を変更したりすることによって、クラスターイオンの質量や移動度の違いを利用して、クラスターイオンの成長の促進や抑制、サイズや構造の選択制御を行うものである。イオン運動制御電極６０はイオン運動制御器６１による電圧の印加により制御され、イオン運動制御器６１は、スパッタ信号と同期して遅延発生器３２から発せられる制御信号により制御される。
ナノクラスターイオンの飛行軌道や飛行速度を制御する方法はこれに限定されず、電磁場等を利用して、クラスターイオンの飛行軌道や飛行速度を制御可能であれば、いかなる構成を用いても良い。
ナノクラスターイオンの飛行軌道や飛行速度を制御する方法はこれに限定されず、電磁場等を利用して、クラスターイオンの飛行軌道や飛行速度を制御可能であれば、いかなる構成を用いても良い。
（第４実施形態）
次に、図１６を参照して、本発明の第４実施形態に係るナノクラスター生成装置３００について説明する。図１６（Ａ）に示すように、本実施形態に係るナノクラスター生成装置３００は、第１実施形態のナノクラスター生成装置１０の構成に加え、第１不活性ガスとしてのＡｒガスを噴射する噴射弁７０と、噴射弁７０の動作を制御する噴射弁用パルス電源７１を備える。これにより、Ａｒガスをパルス状に噴射することが可能となっている。すなわち、噴射弁７０はチャンバ１１の外側に設置され、噴射弁用パルス電源７１からパルス状に電力が供給されることにより、第１不活性ガス供給パイプ１７を介して、間欠的にＡｒガスを噴射可能である。第不活性ガス供給パイプ１７の開口部から噴射されたＡｒガスは、ターゲット１３１のスパッタ面近傍のアノード１３２の内周面の一箇所または複数個所から、ターゲット１３１と略並行に噴出し、所定の角度をもって広がる。なお、Ａｒガスは、図示しない高圧ガス供給装置から噴射弁７０に供給される。高圧ガス供給装置は例えば、Ａｒガスを貯蔵するＡｒガスタンクおよび圧力調整器、マスフローコントローラ等からなる。
次に、図１６を参照して、本発明の第４実施形態に係るナノクラスター生成装置３００について説明する。図１６（Ａ）に示すように、本実施形態に係るナノクラスター生成装置３００は、第１実施形態のナノクラスター生成装置１０の構成に加え、第１不活性ガスとしてのＡｒガスを噴射する噴射弁７０と、噴射弁７０の動作を制御する噴射弁用パルス電源７１を備える。これにより、Ａｒガスをパルス状に噴射することが可能となっている。すなわち、噴射弁７０はチャンバ１１の外側に設置され、噴射弁用パルス電源７１からパルス状に電力が供給されることにより、第１不活性ガス供給パイプ１７を介して、間欠的にＡｒガスを噴射可能である。第不活性ガス供給パイプ１７の開口部から噴射されたＡｒガスは、ターゲット１３１のスパッタ面近傍のアノード１３２の内周面の一箇所または複数個所から、ターゲット１３１と略並行に噴出し、所定の角度をもって広がる。なお、Ａｒガスは、図示しない高圧ガス供給装置から噴射弁７０に供給される。高圧ガス供給装置は例えば、Ａｒガスを貯蔵するＡｒガスタンクおよび圧力調整器、マスフローコントローラ等からなる。
噴射弁７０としては、例えば、自動車用燃料噴射弁（例えば、ディーゼルエンジン用インジェクタ）を用いることができる。弁の駆動方式による分類においては、電磁バルブや、ピエゾバルブでも良く、下記に述べる駆動を実行可能であればどのような方式の噴射弁でも用いることができる。
次に、本実施形態に係るパルススパッタ装置３００の制御システムおよび制御方法について説明する。パルススパッタ装置３００の制御システムは、図１６（Ｂ）に示すように、制御装置１５、スパッタ源用パルス電源１６、遅延発生器３２、ゲート用パルス電源３１、及び、噴射弁用パルス電源７１により構成される。噴射弁用パルス電源７１は、噴射信号発生器７１１、及び、噴射弁用電源本体７１２を有する。他の構成については第２実施形態と同様である。
パルスジェネレータ１５１はパルス状のクロック信号を発生し、遅延発生器３２に送る。遅延発生器３２は多チャンネルディレイ装置であり、クロック信号を基準とする第１のディレイを有する第１ディレイ信号と、第１のディレイとは異なる第２のディレイを有する第２ディレイ信号と、更に異なる第３のディレイを有する第３ディレイ信号を発生する。そして、第１ディレイ信号をスパッタ源用パルス電源１６に送り、第２ディレイ信号を噴射弁用パルス電源７１に送り、第３ディレイ信号をゲート用パルス電源３１に送る。
スパッタ源用パルス電源１６のスパッタ信号発生器１６１は、第１ディレイ信号を受け取るとパルス状のスパッタ信号を生成し、スパッタ源用電源本体１６２に送る。スパッタ源用電源本体１６２は、スパッタ信号がオンの間、スパッタ源１３にパルス状の高電圧を印加する。
噴射弁用パルス電源７１の噴射信号発生器７１１は、第２ディレイ信号を受け取るとパルス状の噴射信号を生成し、噴射弁用電源本体７１２に送る。噴射弁用電源本体７１２は、噴射信号に応じて、噴射弁７０にパルス状の電力を供給する（例えば、噴射信号がオンの間、噴射弁７０に電圧を印加する）。
以上により、噴射弁７０から金属ターゲット１３１のスパッタ面近傍に対してＡｒガスが供給され、スパッタ源１３でパルス放電が生じることで、金属ターゲット１３１からスパッタ粒子が放出される。以降はゲート３０の動作を含み、第２実施形態と同様である。特に、スパッタ源用パルス電源１６とゲート用パルス電源３１の制御については、本実施形態では２つのディレイ信号を用いているものの、実質的には図１２と同様である。
噴射弁用パルス電源７１の噴射信号発生器７１１は、第２ディレイ信号を受け取るとパルス状の噴射信号を生成し、噴射弁用電源本体７１２に送る。噴射弁用電源本体７１２は、噴射信号に応じて、噴射弁７０にパルス状の電力を供給する（例えば、噴射信号がオンの間、噴射弁７０に電圧を印加する）。
以上により、噴射弁７０から金属ターゲット１３１のスパッタ面近傍に対してＡｒガスが供給され、スパッタ源１３でパルス放電が生じることで、金属ターゲット１３１からスパッタ粒子が放出される。以降はゲート３０の動作を含み、第２実施形態と同様である。特に、スパッタ源用パルス電源１６とゲート用パルス電源３１の制御については、本実施形態では２つのディレイ信号を用いているものの、実質的には図１２と同様である。
次に、図１７を参照して、本実施形態の制御システムによるパルス放電制御及び不活性ガス供給制御について説明する。図１７に示す例においては、時刻ｓ１にスパッタ信号が発せられると、システム毎に異なる遅れ時間の経過後の時刻ｓ３に、スパッタ源１３においてパルス放電が発生する。
一方、時刻ｒ１に噴射信号が発せられると、噴射弁７０のアクチュエータが駆動を開始する。こうして、時刻ｒ１から遅れ時間が経過した時刻ｒ３において、噴射弁７０の噴射孔からのＡｒガスの噴射が開始される。
時刻ｒ２において噴射信号がオフになると、遅れ時間の経過後の時刻ｒ４において、Ａｒガスの噴射が終了する。
一方、時刻ｒ１に噴射信号が発せられると、噴射弁７０のアクチュエータが駆動を開始する。こうして、時刻ｒ１から遅れ時間が経過した時刻ｒ３において、噴射弁７０の噴射孔からのＡｒガスの噴射が開始される。
時刻ｒ２において噴射信号がオフになると、遅れ時間の経過後の時刻ｒ４において、Ａｒガスの噴射が終了する。
この一連の動作において、遅延発生器３２が第１、第２ディレイ信号によりスパッタ信号の送信開始時刻ｓ１と噴射信号の送信開始時刻ｒ１を適切に制御し、スパッタ信号発生器１６１がスパッタ信号の送信終了時刻ｓ２（あるいはスパッタ信号の継続時間）を適切に制御し、噴射信号発生器７１１が噴射信号の送信終了時刻ｒ２（あるいは噴射信号の継続時間）を適切に制御することにより、パルス放電が実際に生じる期間ｓ３〜ｓ４の全体が、Ａｒガスが実際に噴射される期間ｒ３〜ｒ４内に含まれるようにしている。
このようにすることで、Ａｒガスを連続的に供給する場合と比べてその供給量を大幅に低減しつつも、Ａｒガスが実際に利用される期間、即ち、パルス放電の発生する期間の直前から直後までの期間において、必要な量のＡｒガスを確実に供給することができる。
このようにすることで、Ａｒガスを連続的に供給する場合と比べてその供給量を大幅に低減しつつも、Ａｒガスが実際に利用される期間、即ち、パルス放電の発生する期間の直前から直後までの期間において、必要な量のＡｒガスを確実に供給することができる。
第１、第２ディレイ信号のディレイを適切に設定することにより、Ａｒガスの噴射が実際に開始される時刻ｒ３からパルス放電が実際に開始される時刻ｓ３までに所定の遅れ時間を設定することが好ましい。これによって、スパッタリングに十分な量のＡｒガスがターゲット１３１に対して供給されている状態でパルス放電を発生させることができる。
また、実際のパルス放電が終了する時刻ｓ４から実際のＡｒガスの噴射が終了する時刻ｒ４までには、所定の遅れ時間を設定することが好ましい。これにより、スパッタリングの完了以降までＡｒガスの噴射を継続することができる。こうして、噴射弁７０の噴射孔がスパッタ粒子（金属粒子）の堆積により閉塞されることを、噴射弁７０の噴射孔から噴出し続けるＡｒガスの流れにより抑制することができる。
なお、Ａｒガスの間欠的な供給により、Ａｒガスの供給及び排出のための装置の小型化を図るという十分な効果を得るためには、噴射弁７０のデューティ比（つまり、噴射弁７０が実際に噴射を行っている時間の割合）を５０％以下とすることが好ましい。
本実施形態においては、第１不活性ガス供給パイプ１７の先端は、第１不活性ガスをスパッタ源１３のターゲット１３１とアノード１３２との間の一箇所または複数の箇所から噴射するように構成されている。ただし、このような構成に限らず、第１不活性ガスがターゲット１３１に向かうように第１不活性ガスを供給できる構成である限り、任意の構成を採用することができる。
また、Ａｒガスをターゲット１３１に向かって噴射供給できる限り、噴射弁７０はチャンバ１１内部や、クラスター成長セル１２内部、あるいは、スパッタ源１３内部に設置されていても良い。
また、Ａｒガスをターゲット１３１に向かって噴射供給できる限り、噴射弁７０はチャンバ１１内部や、クラスター成長セル１２内部、あるいは、スパッタ源１３内部に設置されていても良い。
（変形例）
上記各実施形態においては、スパッタ源用パルス電源１６のスパッタ信号発生器１６１が発するスパッタ信号を、単一のパルス状信号とした（図１２参照）が、これに限らず、図１８の上段に示すように、スパッタ信号を、複数のマイクロパルス信号からなる信号群として発するようにしても良い。この場合、スパッタ信号発生器１６１を、マイクロパルス発生器により構成する方法が考えられる。その一つの例として、変調パルス電源の利用が挙げられる。各マイクロパルス信号のパルス幅は例えば約１０マイクロ秒であり、これを複数、引き続いて発することにより、全体として約１００マイクロ秒〜３ミリ秒の期間に及ぶ信号群としてスパッタ信号を発する。そしてスパッタ源用電源本体１６２は、受け取ったスパッタ信号に応じて、スパッタ源１３に対して電力を供給する。
上記各実施形態においては、スパッタ源用パルス電源１６のスパッタ信号発生器１６１が発するスパッタ信号を、単一のパルス状信号とした（図１２参照）が、これに限らず、図１８の上段に示すように、スパッタ信号を、複数のマイクロパルス信号からなる信号群として発するようにしても良い。この場合、スパッタ信号発生器１６１を、マイクロパルス発生器により構成する方法が考えられる。その一つの例として、変調パルス電源の利用が挙げられる。各マイクロパルス信号のパルス幅は例えば約１０マイクロ秒であり、これを複数、引き続いて発することにより、全体として約１００マイクロ秒〜３ミリ秒の期間に及ぶ信号群としてスパッタ信号を発する。そしてスパッタ源用電源本体１６２は、受け取ったスパッタ信号に応じて、スパッタ源１３に対して電力を供給する。
このような構成によれば、各マイクロパルス信号を制御することにより、１周期ごとの放電期間中に、供給する電力を可変とすることができる。図１８の例においては、期間ｓ１〜ｓ２においてマイクロパルス信号の周波数を比較的低くし（すなわち、マイクロパルス信号群を疎とし）、期間ｓ２〜ｓ３のマイクロパルス信号の周波数を比較的高くしている（すなわち、マイクロパルス信号群を密としている）。これにより、スパッタ源１３に供給される電力は、電力印加初期の期間ｓ４〜ｓ５においては比較的小さな値となり、それ以降、印加終了までの期間ｓ５〜ｓ６においては比較的大きな値となっている。これにより、放電初期において比較的弱い放電によりＡｒに基づくプラズマが着火し、放電の後期においては、より多量のプラズマを発生させることができる。このようなプラズマ発生態様は、より安定したプラズマの発生、ひいては、より多量の金属原子を放出させるために好ましい。なお、マイクロパルス信号の周波数を可変とすることに限らず、あるいはそれに加えて、マイクロパルス信号のデューティ比を可変としても良い。また、スパッタ源用電源本体１６２の電圧値を変更しても良い。また、噴射信号発生器７１１についても、スパッタ信号発生器１６１と同様、マイクロパルス発生器により構成しても良い。
上記各実施形態においては、スパッタ源１３をクラスター成長セル１２内に設置するものとしたが、本発明はこれに限定されない。即ち、スパッタ源１３がチャンバ１１内部にあり、スパッタ源１３のターゲット１３１から弾き出された金属原子が直後にクラスター成長セル１２内部へと速やかに進入できる構成となっている限り、スパッタ源１３はクラスター成長セル１２の外部に配置されていても良い。
図１５に示す第３実施形態で用いたグランド部材４２を、クラスター成長セル１２のビーム取出し口１２１近辺に設置されるゲート３０、５０に用いることで、その上流もしくは下流の電位に対する影響を回避することも可能である。
上記各実施形態では液体窒素による冷却ジャケット１４を用いた。本発明はこれに限定されず、例えば、液体ヘリウムをクラスター成長セル１２内部へ導入する構成とすることによって、冷却ジャケット１４を省略しても、同様のクラスター生成・成長効果を得ることができる。
上記の各実施形態において説明した制御システムの構成（図１１（Ｂ）、図１６（Ｂ）その他参照）は一例に過ぎず、上記した各制御と同様の制御を行い得るものであれば、どのようなシステム構成を採用しても良い。例えば、図１１（Ｂ）のパルスジェネレータ１５１からのクロック信号が、直接、遅延発生器３２に送られるような構成とすること等も可能である。
上記の各実施形態および変形例において説明した各構成や各制御方法は、可能な限り任意に組み合わせて用いることができ、そのような組み合わせも本発明に属するものである。
上記の各実施形態において説明した制御システムの構成（図１１（Ｂ）、図１６（Ｂ）その他参照）は一例に過ぎず、上記した各制御と同様の制御を行い得るものであれば、どのようなシステム構成を採用しても良い。例えば、図１１（Ｂ）のパルスジェネレータ１５１からのクロック信号が、直接、遅延発生器３２に送られるような構成とすること等も可能である。
上記の各実施形態および変形例において説明した各構成や各制御方法は、可能な限り任意に組み合わせて用いることができ、そのような組み合わせも本発明に属するものである。
１０、１００、２００、３００ ナノクラスター生成装置
１１ チャンバ
１２ クラスター成長セル
１３ スパッタ源
１４ 冷却ジャケット
１５ 制御装置
１６ スパッタ源用パルス電源
１７ 第１不活性ガス供給パイプ
１８ 第２不活性ガス供給パイプ
１９ 排気装置
２０ イオン検出装置
２１ イオンガイド
２２ 四重極形イオン偏向器
２３ 四重極質量分析計
２４ イオン検出器
３０ ゲート
３１ ゲート用パルス電源
３２ 遅延発生器
４０ 第１ゲート
４１ 第１ゲート用パルス電源
４２ グランド部材
５０ 第２ゲート
５１ 第２ゲート用パルス電源
６０ イオン運動制御電極
６１ イオン運動制御器
７０ 噴射弁
７１ 噴射弁用パルス電源
１１ チャンバ
１２ クラスター成長セル
１３ スパッタ源
１４ 冷却ジャケット
１５ 制御装置
１６ スパッタ源用パルス電源
１７ 第１不活性ガス供給パイプ
１８ 第２不活性ガス供給パイプ
１９ 排気装置
２０ イオン検出装置
２１ イオンガイド
２２ 四重極形イオン偏向器
２３ 四重極質量分析計
２４ イオン検出器
３０ ゲート
３１ ゲート用パルス電源
３２ 遅延発生器
４０ 第１ゲート
４１ 第１ゲート用パルス電源
４２ グランド部材
５０ 第２ゲート
５１ 第２ゲート用パルス電源
６０ イオン運動制御電極
６１ イオン運動制御器
７０ 噴射弁
７１ 噴射弁用パルス電源
Claims (16)
- 真空容器と、
カソードとしてのターゲットを有し、パルス放電によるマグネトロンスパッタを行い、プラズマを発生させるスパッタ源と、
前記スパッタ源に対し、パルス状の電力を供給するパルス電源と、
前記スパッタ源に対し、第１の不活性ガスを供給する第１不活性ガス供給手段と、
前記真空容器内に収容されるナノクラスター成長セルと、
前記ナノクラスター成長セル内に第２の不活性ガスを導入する第２不活性ガス導入手段と、を備えるナノクラスター生成装置。 - 前記パルス状の電力のデューティ比およびピーク放電電力を可変とするように前記パルス電源を制御する制御手段、を更に備える請求項１に記載のナノクラスター生成装置。
- 前記ターゲットのスパッタ面と、前記ナノクラスター成長セルの内側面は、ナノクラスターを成長させるためのナノクラスター成長空間を規定し、
前記制御手段は、前記ターゲットの前記スパッタ面からの前記ナノクラスター成長空間の延伸距離、前記ナノクラスター成長セル内の前記第２不活性ガスの温度および圧力の少なくとも一つに応じて、前記パルス状の電力のデューティ比及びピーク放電電力の少なくとも一方を可変とする、請求項２に記載のナノクラスター生成装置。 - 前記制御手段は、前記パルス状の電力の繰り返し周波数を可変とするように前記パルス電源を制御する、請求項２に記載のナノクラスター生成装置。
- 前記ターゲットのスパッタ面と、前記ナノクラスター成長セルの内側面は、ナノクラスターが成長するナノクラスター成長空間を規定し、
前記制御手段は、前記ターゲットの前記スパッタ面からの前記ナノクラスター成長空間の延伸距離、前記ナノクラスター成長セル内の前記第２不活性ガスの温度および圧力の少なくとも一つに応じて、前記パルス状の電力の繰り返し周波数を可変とする、請求項４に記載のナノクラスター生成装置。 - 前記真空容器は前記ナノクラスター成長セル内で生成したナノクラスターをビームとして取り出すためのビーム取り出し口を有し、
前記ナノクラスター生成装置は更に、前記ビーム取り出し口からの前記ビームの取り出しを許可または禁止のいずれかとするゲートを備え、
前記制御手段は、前記スパッタ源に対するパルス状の電力の供給を開始するタイミングを基準として、前記ゲートによる前記ビーム取り出し口からの前記ビームの取り出しの許可と禁止とを切り替えるタイミングを設定する、請求項２〜５のいずれか一項に記載のナノクラスター生成装置。 - 前記制御手段は、前記ビーム取り出し口からの前記ビームの取り出しを許可する期間と禁止する期間とを、パルス状放電と同期した一定のパターンとして設定し、該設定したパターンに従って、前記パルス状の電力の繰り返し周期と同期させて前記ビーム取り出し口からの前記ビームの取り出しの許可と禁止とを繰り返す、請求項６に記載のナノクラスター生成装置。
- 前記制御手段は、前記ビームの取り出しの許可と禁止とを切り替えるタイミングを可変とすることで、前記ビーム取り出し口を介して取り出されるナノクラスターのサイズ及び構造の少なくとも一方を制御する、請求項６または７に記載のナノクラスター生成装置。
- 前記ゲートは、電場、磁場、または電磁場により、前記ビーム取り出し口からの前記ビームの取り出しを許可又は禁止する、請求項６〜８のいずれか一項に記載のナノクラスター生成装置。
- 前記ゲートは、前記ビームの飛行経路を遮断し、又は、開放することにより、前記ビーム取り出し口からの前記ビームの取り出しを禁止し、又は、許可する、請求項６〜８のいずれか一項に記載のナノクラスター生成装置。
- 前記クラスター成長セルの内部に設置され、前記ナノクラスターの通過を許可し、又は禁止する別のゲートを更に備える、請求項６〜１０のいずれか一項に記載のナノクラスター生成装置。
- 前記第１不活性ガス供給手段は、前記第１不活性ガスを噴射するガス噴射弁を有し、
前記制御手段は、前記ガス噴射弁が間欠的に前記第１不活性ガスを噴射するように、かつ、前記スパッタ源においてパルス放電が発生する期間が、前記ガス噴射弁により前記第１不活性ガスを噴射する期間内に含まれるように、前記スパッタ源及び前記ガス噴射弁を制御する、請求項２〜１１のいずれか一項に記載のナノクラスター生成装置。 - 前記制御手段は、パルス状の電気信号である噴射信号に応じて、前記ガス噴射弁に電力を供給することにより、前記ガス噴射弁を駆動して前記第１不活性ガスを噴射させ、
前記制御手段は、前記噴射信号を、複数のパルス信号群により構成し、かつ、前記噴射信号を構成する前記パルス信号群における複数のパルス信号のデューティ比又は周波数を可変とする、ことを特徴とする請求項１２に記載のナノクラスター生成装置。 - 前記制御手段は、パルス状の電気信号であるスパッタ信号に応じて、前記スパッタ源に対してパルス状の電力を供給し、
前記制御手段は、前記スパッタ信号を、複数のパルス信号群により構成し、かつ、前記スパッタ信号を構成する前記パルス信号群における複数のパルス信号のデューティ比又は周波数を可変とする、ことを特徴とする請求項２〜１３のいずれか一項に記載のナノクラスター生成装置。 - 前記第１の不活性ガスはアルゴンガスである、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のナノクラスター生成装置。
- 前記第２の不活性ガスはヘリウムガスである、請求項１〜１５のいずれか一項に記載のナノクラスター生成装置。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016036739A1 (en) * | 2014-09-05 | 2016-03-10 | Tel Epion Inc. | Process gas enhancement for beam treatment of a substrate |
| WO2018038098A1 (ja) * | 2016-08-22 | 2018-03-01 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | メモリデバイス |
| CN108136357A (zh) * | 2015-08-17 | 2018-06-08 | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 | 纳米团簇分散液及其制造方法及其制造装置、纳米团簇膜、纳米团簇分散体 |
| WO2021251395A1 (ja) | 2020-06-08 | 2021-12-16 | 学校法人慶應義塾 | 担持体、担持体の製造装置及び担持体の製造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11094515B2 (en) | 2016-12-19 | 2021-08-17 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Sputtering apparatus and sputtering method |
| JP7087634B2 (ja) | 2018-04-26 | 2022-06-21 | 富士通株式会社 | リソース管理装置及びリソース管理プログラム |
| ES2883375T3 (es) * | 2018-07-31 | 2021-12-07 | Consejo Superior Investigacion | Dispositivo para la fabricación estable de nanoagregados |
| CN114318280B (zh) * | 2021-12-02 | 2023-12-01 | 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院) | 一种用于测量和控制纳米团簇生长的方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000144392A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-26 | Canon Inc | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| JP2001200359A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-24 | Tsukuba Nano Technology:Kk | クラスターイオンビーム発生装置 |
| WO2005057716A1 (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体電極及びその製造方法並びにその半導体電極を用いた光電池 |
| JP2007162059A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | クラスター成膜装置及び成膜方法、並びにクラスター生成装置及び生成方法 |
| JP2007327095A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Toyota Motor Corp | 金属クラスター生成装置 |
| JP2008158091A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Ricoh Co Ltd | トナーの製造方法、トナー、２成分現像剤、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
| JP2012243309A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-10 | Fujitsu Ltd | キーワードを取得する方法及び装置 |
| JP2013096004A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-20 | Hitachi Tool Engineering Ltd | 耐剥離性に優れる被覆工具およびその製造方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61261473A (ja) | 1985-05-15 | 1986-11-19 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパツタリング装置 |
| US5126028A (en) * | 1989-04-17 | 1992-06-30 | Materials Research Corporation | Sputter coating process control method and apparatus |
| CH687258A5 (de) * | 1993-04-22 | 1996-10-31 | Balzers Hochvakuum | Gaseinlassanordnung. |
| JP3360102B2 (ja) | 1996-12-10 | 2002-12-24 | 日本航空電子工業株式会社 | イオンビームスパッタ装置 |
| JP2957161B1 (ja) | 1998-04-27 | 1999-10-04 | 株式会社 つくばクラスター研究所 | クラスターの生成方法及びその装置 |
| JP2001011621A (ja) | 1999-06-30 | 2001-01-16 | Hitachi Ltd | マグネトロンスパッタ装置 |
| US20060222790A1 (en) * | 2003-07-30 | 2006-10-05 | The Regents Of The University Of California | Preparation of library that includes monodisperse nanoclusters |
| JP2008260999A (ja) | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Toyota Motor Corp | クラスターの生成方法および装置 |
| FR2924359B1 (fr) | 2007-11-30 | 2010-02-12 | Commissariat Energie Atomique | Procede de preparation de depot de nanoparticules metalliques par depot physique en phase vapeur |
| GB2473655A (en) | 2009-09-21 | 2011-03-23 | Mantis Deposition Ltd | Magnetron sputtering techiques and apparatus |
| SE535381C2 (sv) * | 2010-02-24 | 2012-07-17 | Plasmadvance Ab | Plasmasputtringsprocess för att producera partiklar |
| US8338806B2 (en) * | 2010-05-05 | 2012-12-25 | Tel Epion Inc. | Gas cluster ion beam system with rapid gas switching apparatus |
| JP5683902B2 (ja) | 2010-10-29 | 2015-03-11 | 株式会社東芝 | レーザ・イオン源 |
-
2013
- 2013-05-29 JP JP2013112995A patent/JP5493139B1/ja active Active
-
2014
- 2014-05-26 EP EP14803503.3A patent/EP3006594B1/en active Active
- 2014-05-26 US US14/893,775 patent/US10283333B2/en active Active
- 2014-05-26 WO PCT/JP2014/063877 patent/WO2014192703A1/ja active Application Filing
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000144392A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-26 | Canon Inc | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| JP2001200359A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-24 | Tsukuba Nano Technology:Kk | クラスターイオンビーム発生装置 |
| WO2005057716A1 (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体電極及びその製造方法並びにその半導体電極を用いた光電池 |
| JP2007162059A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | クラスター成膜装置及び成膜方法、並びにクラスター生成装置及び生成方法 |
| JP2007327095A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Toyota Motor Corp | 金属クラスター生成装置 |
| JP2008158091A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Ricoh Co Ltd | トナーの製造方法、トナー、２成分現像剤、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
| JP2012243309A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-10 | Fujitsu Ltd | キーワードを取得する方法及び装置 |
| JP2013096004A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-20 | Hitachi Tool Engineering Ltd | 耐剥離性に優れる被覆工具およびその製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016036739A1 (en) * | 2014-09-05 | 2016-03-10 | Tel Epion Inc. | Process gas enhancement for beam treatment of a substrate |
| US9735019B2 (en) | 2014-09-05 | 2017-08-15 | Tel Epion Inc. | Process gas enhancement for beam treatment of a substrate |
| CN108136357A (zh) * | 2015-08-17 | 2018-06-08 | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 | 纳米团簇分散液及其制造方法及其制造装置、纳米团簇膜、纳米团簇分散体 |
| EP3351298A4 (en) * | 2015-08-17 | 2019-09-25 | Japan Science and Technology Agency | DISPERSION OF LIQUID NANO-AGGREGATES, NANO-AGGREGATE FILM, DISPERSION OF SOLID NANO-AGGREGATES, PROCESS FOR PRODUCTION OF DISPERSION OF LIQUID NANO-AGGREGATES, AND DEVICE FOR PRODUCING A DISPERSION OF LIQUID NANO-AGGREGATES |
| US11059014B2 (en) | 2015-08-17 | 2021-07-13 | Japan Science And Technology Agency | Nanocluster liquid dispersion, nanocluster film, nanocluster solid dispersion, method for producing nanocluster liquid dispersion, and device for producing nanocluster liquid dispersion |
| WO2018038098A1 (ja) * | 2016-08-22 | 2018-03-01 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | メモリデバイス |
| WO2021251395A1 (ja) | 2020-06-08 | 2021-12-16 | 学校法人慶應義塾 | 担持体、担持体の製造装置及び担持体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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