JP3360102B2 - イオンビームスパッタ装置 - Google Patents
イオンビームスパッタ装置Info
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- JP3360102B2 JP3360102B2 JP32951596A JP32951596A JP3360102B2 JP 3360102 B2 JP3360102 B2 JP 3360102B2 JP 32951596 A JP32951596 A JP 32951596A JP 32951596 A JP32951596 A JP 32951596A JP 3360102 B2 JP3360102 B2 JP 3360102B2
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- energy
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、イオンビームス
パッタ装置に関し、特に、低エネルギスパッタ粒子を選
択して低エネルギスパッタ粒子のみにより成膜するイオ
ンビームスパッタ装置に関する。
パッタ装置に関し、特に、低エネルギスパッタ粒子を選
択して低エネルギスパッタ粒子のみにより成膜するイオ
ンビームスパッタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来例を図４を参照して説明する。図４
はイオンビームスパッタ装置の垂直断面を側方から視た
ところを示す図である。１１はイオンビームスパッタ装
置の真空チャンバーを示す。この真空チャンバー１１内
には、イオンガン１２、真空ポンプ１６、基板ホルダ１
３が収容取り付けられている。基板ホルダ１３には基板
１８が取り付けられている。基板ホルダ１３の前部近傍
にはシャッタ２０、膜厚計２２が設置されている。１４
はターゲットホルダであり、真空チャンバー１１の側面
から挿入された回転軸１９に取り付け、支持されてい
る。ターゲットホルダ１４はその両面に互いに異なるタ
ーゲット１７が形成されている。
はイオンビームスパッタ装置の垂直断面を側方から視た
ところを示す図である。１１はイオンビームスパッタ装
置の真空チャンバーを示す。この真空チャンバー１１内
には、イオンガン１２、真空ポンプ１６、基板ホルダ１
３が収容取り付けられている。基板ホルダ１３には基板
１８が取り付けられている。基板ホルダ１３の前部近傍
にはシャッタ２０、膜厚計２２が設置されている。１４
はターゲットホルダであり、真空チャンバー１１の側面
から挿入された回転軸１９に取り付け、支持されてい
る。ターゲットホルダ１４はその両面に互いに異なるタ
ーゲット１７が形成されている。
【０００３】ここで、おのイオンビームスパッタ装置の
動作について説明する。真空チャンバー１１は真空ポン
プ１６により排気される。ターゲットホルダ１４に成膜
したい物質より成るターゲット１７を取り付け、次い
で、イオンガン１２からイオンビームを発生させる。イ
オンガン１２から発生放射せしめられたイオンビームは
ターゲット１７に衝突し、ターゲット１７を構成する物
質をスパッタリングさせる。スパッタリングされたター
ゲット構成物質の粒子は基板１８の表面に付着してここ
にターゲット構成物質の薄膜が形成される。回転軸１９
を回転駆動してターゲット１７を１８０゜回転させるこ
とにより、選択的に２種類のターゲット物質をスパッタ
リングさせ、多層膜を成膜することができる。基板１８
の表面に成膜される膜厚は膜厚計２２によりモニタし、
必要な膜厚に到達した時にシャッタ２０を閉成し、イオ
ンガン１２のビーム発生を停止して薄膜形成を終了させ
る。
動作について説明する。真空チャンバー１１は真空ポン
プ１６により排気される。ターゲットホルダ１４に成膜
したい物質より成るターゲット１７を取り付け、次い
で、イオンガン１２からイオンビームを発生させる。イ
オンガン１２から発生放射せしめられたイオンビームは
ターゲット１７に衝突し、ターゲット１７を構成する物
質をスパッタリングさせる。スパッタリングされたター
ゲット構成物質の粒子は基板１８の表面に付着してここ
にターゲット構成物質の薄膜が形成される。回転軸１９
を回転駆動してターゲット１７を１８０゜回転させるこ
とにより、選択的に２種類のターゲット物質をスパッタ
リングさせ、多層膜を成膜することができる。基板１８
の表面に成膜される膜厚は膜厚計２２によりモニタし、
必要な膜厚に到達した時にシャッタ２０を閉成し、イオ
ンガン１２のビーム発生を停止して薄膜形成を終了させ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このイオンビームスパ
ッタ装置の従来例においては、薄膜を形成するターゲッ
ト１７のスパッタ粒子は、図５に示される如く、６０ｅ
Ｖ以上の高エネルギ粒子成分を含むエネルギ分布を有し
ている。図５において、横軸はエネルギを示し、縦軸は
分布を示す。多層膜を成膜するに際して、スパッタ粒子
の内に高エネルギ粒子成分が含まれていると、これは多
層膜相互の界面において界面拡散層、反応層を形成させ
て多層膜ミラーの性能を低下させる要因となる。図６は
界面反応層の有無による多層膜ミラーの反射率の違いを
示す図である。２種類の物質としてＭｏ、Ｓｉの組み合
わせを選び、１ペア６６Ａ°の厚さで４５ペア積層した
ときの反射率を示す。
ッタ装置の従来例においては、薄膜を形成するターゲッ
ト１７のスパッタ粒子は、図５に示される如く、６０ｅ
Ｖ以上の高エネルギ粒子成分を含むエネルギ分布を有し
ている。図５において、横軸はエネルギを示し、縦軸は
分布を示す。多層膜を成膜するに際して、スパッタ粒子
の内に高エネルギ粒子成分が含まれていると、これは多
層膜相互の界面において界面拡散層、反応層を形成させ
て多層膜ミラーの性能を低下させる要因となる。図６は
界面反応層の有無による多層膜ミラーの反射率の違いを
示す図である。２種類の物質としてＭｏ、Ｓｉの組み合
わせを選び、１ペア６６Ａ°の厚さで４５ペア積層した
ときの反射率を示す。
【０００５】この発明は、イオンビームスパッタ装置に
よる多層膜形成の際に、スパッタ粒子の内から数ｅＶ程
度の低エネルギのスパッタ粒子のみを選択してこれら低
エネルギスパッタ粒子により成膜することにより多層膜
界面における両物質の拡散、反応を抑制するイオンビー
ムスパッタ装置を提供するものである。
よる多層膜形成の際に、スパッタ粒子の内から数ｅＶ程
度の低エネルギのスパッタ粒子のみを選択してこれら低
エネルギスパッタ粒子により成膜することにより多層膜
界面における両物質の拡散、反応を抑制するイオンビー
ムスパッタ装置を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１：真空チャンバ
１１、真空チャンバ底部に設置したイオンガン１２、真
空チャンバ側壁を介して挿入される回転軸によりイオン
ガンに対向して上方に支持固定されるターゲットホルダ
１４、薄膜が形成されるべき基板１８が着脱される基板
ホルダ１３、基板ホルダ１３の前部近傍に設置されるシ
ャッタ、および真空チャンバ内を吸引排気する真空ポン
プ１６より成り、低エネルギスパッタ粒子を選択して薄
膜を形成するイオンビームスパッタ装置において、シャ
ッタ動作に同期してイオンビームをパルス的に発生する
イオンガン１２を具備し、開孔回転板２０より成るシャ
ッタを具備し、イオンガンに加えられる加速電圧をオ
ン、オフ制御するパルススイッチ２３を具備し、光路に
開孔回転板２０を介在させて相対向配置されるＨｅ−Ｎ
ｅレーザ２４および光検出器２５を具備して光検出器の
検出出力２５によりパルススイッチ２３を駆動制御し、
光検出器の検出出力の立ち下がり時にパルススイッチを
オン制御するイオンビームスパッタ装置を構成した。
１１、真空チャンバ底部に設置したイオンガン１２、真
空チャンバ側壁を介して挿入される回転軸によりイオン
ガンに対向して上方に支持固定されるターゲットホルダ
１４、薄膜が形成されるべき基板１８が着脱される基板
ホルダ１３、基板ホルダ１３の前部近傍に設置されるシ
ャッタ、および真空チャンバ内を吸引排気する真空ポン
プ１６より成り、低エネルギスパッタ粒子を選択して薄
膜を形成するイオンビームスパッタ装置において、シャ
ッタ動作に同期してイオンビームをパルス的に発生する
イオンガン１２を具備し、開孔回転板２０より成るシャ
ッタを具備し、イオンガンに加えられる加速電圧をオ
ン、オフ制御するパルススイッチ２３を具備し、光路に
開孔回転板２０を介在させて相対向配置されるＨｅ−Ｎ
ｅレーザ２４および光検出器２５を具備して光検出器の
検出出力２５によりパルススイッチ２３を駆動制御し、
光検出器の検出出力の立ち下がり時にパルススイッチを
オン制御するイオンビームスパッタ装置を構成した。
【０００７】そして、請求項２：請求項１に記載される
イオンビームスパッタ装置において開孔回転板は扇形の
開孔が穿設されるものであるイオンビームスパッタ装置
を構成した。
イオンビームスパッタ装置において開孔回転板は扇形の
開孔が穿設されるものであるイオンビームスパッタ装置
を構成した。
【０００８】
【発明の実施の形態】この発明のイオンビームスパッタ
装置はイオンビームの発生をパルス的に実施し、イオン
ビームの発生に連動して時間差を設けてシャッタを開口
する構成を採用し、低エネルギスパッタ粒子を選択して
これのみにより成膜するものである。薄膜を形成するス
パッタ粒子ビームの速度はスパッタ粒子の有するエネル
ギに比例する。即ち、高エネルギを有するスパッタ粒子
の速度は低エネルギを有するスパッタ粒子と比較して大
である。高エネルギを有するスパッタ粒子は、低エネル
ギを有するスパッタ粒子より先に成膜されるべき基板に
飛来することになる。換言すれば、高エネルギを有する
スパッタ粒子が基板に飛来した後、遅れて低エネルギを
有するスパッタ粒子が基板に飛来する。従って、イオン
ガンを駆動し、ターゲットをスパッタッタリングしてか
ら僅かの時間の間はシャッタを閉じて高エネルギを有す
るスパッタ粒子が飛来してもこれを遮断し、この僅かの
時間経過後にシャッタを開口してこれより遅れて飛来す
る低エネルギスパッタ粒子を通過せしめて低エネルギス
パッタ粒子により基板に薄膜を成膜することができる。
装置はイオンビームの発生をパルス的に実施し、イオン
ビームの発生に連動して時間差を設けてシャッタを開口
する構成を採用し、低エネルギスパッタ粒子を選択して
これのみにより成膜するものである。薄膜を形成するス
パッタ粒子ビームの速度はスパッタ粒子の有するエネル
ギに比例する。即ち、高エネルギを有するスパッタ粒子
の速度は低エネルギを有するスパッタ粒子と比較して大
である。高エネルギを有するスパッタ粒子は、低エネル
ギを有するスパッタ粒子より先に成膜されるべき基板に
飛来することになる。換言すれば、高エネルギを有する
スパッタ粒子が基板に飛来した後、遅れて低エネルギを
有するスパッタ粒子が基板に飛来する。従って、イオン
ガンを駆動し、ターゲットをスパッタッタリングしてか
ら僅かの時間の間はシャッタを閉じて高エネルギを有す
るスパッタ粒子が飛来してもこれを遮断し、この僅かの
時間経過後にシャッタを開口してこれより遅れて飛来す
る低エネルギスパッタ粒子を通過せしめて低エネルギス
パッタ粒子により基板に薄膜を成膜することができる。
【０００９】
【実施例】この発明の実施例を図１および図２を参照し
て説明する。真空チャンバー１１内にはイオンガン１
２、真空ポンプ１６および基板ホルダ１３が収容取り付
けられている。基板ホルダ１３には基板１８が取り付け
られている。基板ホルダ１３の前部近傍には膜厚計２２
が設置されている。１４はターゲットホルダであり、真
空チャンバー１１の側面から挿入された回転軸１９に取
り付け、支持されている。ターゲットホルダ１４はその
両面に互いに異なるターゲット１７が形成されている。
て説明する。真空チャンバー１１内にはイオンガン１
２、真空ポンプ１６および基板ホルダ１３が収容取り付
けられている。基板ホルダ１３には基板１８が取り付け
られている。基板ホルダ１３の前部近傍には膜厚計２２
が設置されている。１４はターゲットホルダであり、真
空チャンバー１１の側面から挿入された回転軸１９に取
り付け、支持されている。ターゲットホルダ１４はその
両面に互いに異なるターゲット１７が形成されている。
【００１０】この発明の実施例は、基板ホルダ１３の前
部近傍に、従来例のシャッタとして開孔回転板２０が設
置されている。この開孔回転板２０は図示されない適宜
の定速回転駆動装置により正確に一定速度に回転制御さ
れている。開孔回転板２０が解放する開孔期間を規定す
る開孔２０１は図示される通り回転板の中心を中心とす
る扇形とされる。そして、イオンガン１２に加えられる
加速電圧をオン、オフ制御するパルススイッチ２３を具
備している。特に、図２を参照するに、更に、このパル
ススイッチ２３をオン、オフ制御するスイッチ制御部を
構成するＨｅ−Ｎｅレーザ２４およびこのレーザ光を受
光する光検出器２５を具備している。このＨｅ−Ｎｅレ
ーザ２４から放射されるレーザ光はシャッタである開孔
回転板２０を介して光検出器２５に到達する。シャッタ
である開孔回転板２０、光検出器２５およびパルススイ
ッチ２３の動作のタイミングチャートは図３に示され
る。即ち、開孔回転板２０の開孔２０１がＨｅ−Ｎｅレ
ーザ２４から放射されるレーザ光の光路に対応してレー
ザ光が通過している間、光検出器２５はレーザ光を受光
してこれを検出する。そして、パルススイッチ２３は、
光検出器２５がレーザ光を受光していてこの受光を遮断
された時に短時間オン動作制御される。
部近傍に、従来例のシャッタとして開孔回転板２０が設
置されている。この開孔回転板２０は図示されない適宜
の定速回転駆動装置により正確に一定速度に回転制御さ
れている。開孔回転板２０が解放する開孔期間を規定す
る開孔２０１は図示される通り回転板の中心を中心とす
る扇形とされる。そして、イオンガン１２に加えられる
加速電圧をオン、オフ制御するパルススイッチ２３を具
備している。特に、図２を参照するに、更に、このパル
ススイッチ２３をオン、オフ制御するスイッチ制御部を
構成するＨｅ−Ｎｅレーザ２４およびこのレーザ光を受
光する光検出器２５を具備している。このＨｅ−Ｎｅレ
ーザ２４から放射されるレーザ光はシャッタである開孔
回転板２０を介して光検出器２５に到達する。シャッタ
である開孔回転板２０、光検出器２５およびパルススイ
ッチ２３の動作のタイミングチャートは図３に示され
る。即ち、開孔回転板２０の開孔２０１がＨｅ−Ｎｅレ
ーザ２４から放射されるレーザ光の光路に対応してレー
ザ光が通過している間、光検出器２５はレーザ光を受光
してこれを検出する。そして、パルススイッチ２３は、
光検出器２５がレーザ光を受光していてこの受光を遮断
された時に短時間オン動作制御される。
【００１１】次に、実施例の動作を説明するに、真空チ
ャンバー１１は真空ポンプ１６により真空排気する。タ
ーゲット回転軸１９を介してターゲットホルダ１４を回
転させ、必要とされる物質の一方のターゲット１７を選
択する。イオンガン１２からパルス的に発生させたイオ
ンビームはターゲット１７に衝突し、そのターゲット物
質をスパッタリングする。図３に示される如く、開孔回
転板２０の開孔２０１がＨｅ−Ｎｅレーザ２４から放射
されるレーザ光の光路に対応してレーザ光が通過してい
る間、光検出器２５はレーザ光を受光してこれを検出
し、パルススイッチ２３は光検出器２５がレーザ光を受
光していてこの受光を遮断された時に短時間オン動作制
御され、この短時間オン動作に対応してイオンガン１２
に加えられる加速電圧はオンとされ、イオンは加速放出
されてスパッタリングが行われることになる。ターゲッ
ト１７からスパッタリングされたターゲット物質粒子
は、開孔回転板２０の開孔２０１が基板１８の直前を通
過する時は基板１８表面に付着され、薄膜を形成する。
薄膜の膜厚は膜厚計２２によりモニターし、膜厚が必要
な膜厚に到達したとき成膜を終了させる。
ャンバー１１は真空ポンプ１６により真空排気する。タ
ーゲット回転軸１９を介してターゲットホルダ１４を回
転させ、必要とされる物質の一方のターゲット１７を選
択する。イオンガン１２からパルス的に発生させたイオ
ンビームはターゲット１７に衝突し、そのターゲット物
質をスパッタリングする。図３に示される如く、開孔回
転板２０の開孔２０１がＨｅ−Ｎｅレーザ２４から放射
されるレーザ光の光路に対応してレーザ光が通過してい
る間、光検出器２５はレーザ光を受光してこれを検出
し、パルススイッチ２３は光検出器２５がレーザ光を受
光していてこの受光を遮断された時に短時間オン動作制
御され、この短時間オン動作に対応してイオンガン１２
に加えられる加速電圧はオンとされ、イオンは加速放出
されてスパッタリングが行われることになる。ターゲッ
ト１７からスパッタリングされたターゲット物質粒子
は、開孔回転板２０の開孔２０１が基板１８の直前を通
過する時は基板１８表面に付着され、薄膜を形成する。
薄膜の膜厚は膜厚計２２によりモニターし、膜厚が必要
な膜厚に到達したとき成膜を終了させる。
【００１２】ここで、薄膜を形成するスパッタ粒子ビー
ムの速度はスパッタ粒子の有するエネルギに比例する。
即ち、高エネルギを有するスパッタ粒子の速度は数ｅＶ
程度の低エネルギのスパッタ粒子と比較して大である。
高エネルギを有するスパッタ粒子は低エネルギを有する
スパッタ粒子より先に成膜されるべき基板１８に飛来す
ることになる。換言すれば、高エネルギを有するスパッ
タ粒子が基板１８に飛来した後、遅れて低エネルギを有
するスパッタ粒子が基板１８に飛来する。従って、イオ
ンガン１２を駆動し、ターゲット１７をスパッタッタリ
ングしてから僅かの時間の間はシャッタである開孔回転
板２０を閉じて高エネルギを有するスパッタ粒子が飛来
してもこれを遮断し、この僅かの時間経過後シャッタ２
０を開口してこれより遅れて飛来する数ｅＶ程度の低エ
ネルギスパッタ粒子を通過せしめて低エネルギスパッタ
粒子のみにより基板１８に薄膜を成膜することができ
る。
ムの速度はスパッタ粒子の有するエネルギに比例する。
即ち、高エネルギを有するスパッタ粒子の速度は数ｅＶ
程度の低エネルギのスパッタ粒子と比較して大である。
高エネルギを有するスパッタ粒子は低エネルギを有する
スパッタ粒子より先に成膜されるべき基板１８に飛来す
ることになる。換言すれば、高エネルギを有するスパッ
タ粒子が基板１８に飛来した後、遅れて低エネルギを有
するスパッタ粒子が基板１８に飛来する。従って、イオ
ンガン１２を駆動し、ターゲット１７をスパッタッタリ
ングしてから僅かの時間の間はシャッタである開孔回転
板２０を閉じて高エネルギを有するスパッタ粒子が飛来
してもこれを遮断し、この僅かの時間経過後シャッタ２
０を開口してこれより遅れて飛来する数ｅＶ程度の低エ
ネルギスパッタ粒子を通過せしめて低エネルギスパッタ
粒子のみにより基板１８に薄膜を成膜することができ
る。
【００１３】以上の動作を数値を使用して具体的に説明
するに、一般に、エネルギ粒子が１ｅＶのエネルギを有
する場合、エネルギ粒子の速度は４５ｍ／ｓｅｃであ
る。イオンガン１２から撃ち出されるイオンビームは高
電圧により加速され、通常は１ｋｅＶ以上の高エネルギ
を有しているので、その速度は１ｅＶ程度のエネルギを
有するエネルギ粒子の速度である４５ｍ／ｓｅｃと比較
して充分に大である。従って、イオンビームがイオンガ
ン１２からターゲット１７に到達するに必要とされる時
間は格別に考慮する必要はない。即ち、ターゲット１７
はイオンビームがイオンガン１２から撃ち出された瞬間
にスパッタッタリングされるものとして差し支えない。
するに、一般に、エネルギ粒子が１ｅＶのエネルギを有
する場合、エネルギ粒子の速度は４５ｍ／ｓｅｃであ
る。イオンガン１２から撃ち出されるイオンビームは高
電圧により加速され、通常は１ｋｅＶ以上の高エネルギ
を有しているので、その速度は１ｅＶ程度のエネルギを
有するエネルギ粒子の速度である４５ｍ／ｓｅｃと比較
して充分に大である。従って、イオンビームがイオンガ
ン１２からターゲット１７に到達するに必要とされる時
間は格別に考慮する必要はない。即ち、ターゲット１７
はイオンビームがイオンガン１２から撃ち出された瞬間
にスパッタッタリングされるものとして差し支えない。
【００１４】
【発明の効果】以上の通りであって、この発明は、ター
ゲット１７と基板１８との間の距離が１ｍである装置の
場合、イオンビームがイオンガン１２から撃ち出される
とこれがターゲット１７に衝突して放出した１ｅＶのエ
ネルギを有するスパッタリング粒子の場合、ターゲット
１７を放出後０．０２２秒程度で基板１８に到達する。
そして、開孔回転板２０を毎秒４５回転程度の速度で定
速回転させると、開孔回転板２０の開孔２０１は０．０
２２秒程度の周期で基板１８の前を通過する。図３をも
参照するに、この具体例の場合、光検出器２５の検出光
の立ち下がり時にイオンガン１２からイオンビームを撃
ち出し、開孔回転板２０を毎秒４５回転程度の速度で定
速回転させることにより、０．０２２秒程度の周期で開
孔回転板２０の開孔２０１は開となる。これはターゲッ
ト１７を放出後０．０２２秒程度で基板１８に到達する
数ｅＶ程度の低エネルギのスパッタリング粒子に同期し
てこれを通過させることができる。図３において、イオ
ンガン１２がオン動作してから開孔回転板２０が遮断し
ている間は高速度で放射される高エネルギのスパッタリ
ング粒子が開孔回転板２０に到達してこれにより遮断さ
れている期間であり、この開孔回転板２０の遮断期間が
経過して開孔２０１が開となったところで数ｅＶ程度の
低エネルギの低速のスパッタリング粒子が遅れて到達し
て通過することができる。スパッタリング粒子のエネル
ギ分布は図４に示される如きものであって、多層膜成膜
に好適な低エネルギのスパッタリング粒子は数ｅＶ程度
のエネルギの領域に多量に分布しており、これらを効率
的に選択すると共に多層膜成膜に不適当な高エネルギの
スパッタリング粒子は有効に排除することができる。開
孔回転板２０の遮断期間、開孔期間は回転駆動速度を調
整すると共に、扇形の開孔２０１の大きさを調整するこ
とにより設定することができる。
ゲット１７と基板１８との間の距離が１ｍである装置の
場合、イオンビームがイオンガン１２から撃ち出される
とこれがターゲット１７に衝突して放出した１ｅＶのエ
ネルギを有するスパッタリング粒子の場合、ターゲット
１７を放出後０．０２２秒程度で基板１８に到達する。
そして、開孔回転板２０を毎秒４５回転程度の速度で定
速回転させると、開孔回転板２０の開孔２０１は０．０
２２秒程度の周期で基板１８の前を通過する。図３をも
参照するに、この具体例の場合、光検出器２５の検出光
の立ち下がり時にイオンガン１２からイオンビームを撃
ち出し、開孔回転板２０を毎秒４５回転程度の速度で定
速回転させることにより、０．０２２秒程度の周期で開
孔回転板２０の開孔２０１は開となる。これはターゲッ
ト１７を放出後０．０２２秒程度で基板１８に到達する
数ｅＶ程度の低エネルギのスパッタリング粒子に同期し
てこれを通過させることができる。図３において、イオ
ンガン１２がオン動作してから開孔回転板２０が遮断し
ている間は高速度で放射される高エネルギのスパッタリ
ング粒子が開孔回転板２０に到達してこれにより遮断さ
れている期間であり、この開孔回転板２０の遮断期間が
経過して開孔２０１が開となったところで数ｅＶ程度の
低エネルギの低速のスパッタリング粒子が遅れて到達し
て通過することができる。スパッタリング粒子のエネル
ギ分布は図４に示される如きものであって、多層膜成膜
に好適な低エネルギのスパッタリング粒子は数ｅＶ程度
のエネルギの領域に多量に分布しており、これらを効率
的に選択すると共に多層膜成膜に不適当な高エネルギの
スパッタリング粒子は有効に排除することができる。開
孔回転板２０の遮断期間、開孔期間は回転駆動速度を調
整すると共に、扇形の開孔２０１の大きさを調整するこ
とにより設定することができる。
【００１５】上述した通り、この発明は、数ｅＶ程度の
低いエネルギを有するスパッタ粒子のみにより薄膜を形
成することができる。これにより、多層膜ミラーを形成
する際に、多層膜界面において拡散層、反応層の形成を
抑制することができ、高性能の多層膜ミラーを形成する
ことができる。
低いエネルギを有するスパッタ粒子のみにより薄膜を形
成することができる。これにより、多層膜ミラーを形成
する際に、多層膜界面において拡散層、反応層の形成を
抑制することができ、高性能の多層膜ミラーを形成する
ことができる。
【図１】実施例を説明する図。
【図２】図１の一部の断面を示す図。
【図３】タイミングチャート。
【図４】従来例を説明する図。
【図５】スパッタ粒子のエネルギ分布を示す図。
【図６】多層膜ミラーの反射率を示す図。
１１ 真空チャンバー １２ イオンガン １３ 基板ホルダ １４ ターゲットホルダ １６ 真空ポンプ １７ ターゲット １８ 基板 １９ 回転軸 ２０ 開孔回転板 ２０１ 開孔 ２１ 駆動モータ ２２ 膜厚計 ２３ パルススイッチ ２４ Ｈｅ−Ｎｅレーザ ２５ 光検出器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−93445（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−199370（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−20459（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−30168（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 H01L 21/203
Claims (2)
- 【請求項１】 真空チャンバ、真空チャンバ底部に設置
したイオンガン、真空チャンバ側壁を介して挿入される
回転軸によりイオンガンに対向して上方に支持固定され
るターゲットホルダ、薄膜が形成されるべき基板が着脱
される基板ホルダ、基板ホルダの前部近傍に設置される
シャッタ、および真空チャンバ内を吸引排気する真空ポ
ンプより成り、低エネルギスパッタ粒子を選択して薄膜
を形成するイオンビームスパッタ装置において、 シャッタ動作に同期してイオンビームをパルス的に発生
するイオンガンを具備し、 開孔回転板より成るシャッタを具備し、 イオンガンに加えられる加速電圧をオン、オフ制御する
パルススイッチを具備し、 光路に開孔回転板を介在させて相対向配置されるＨｅ−
Ｎｅレーザおよび光検出器を具備して光検出器の検出出
力によりパルススイッチを駆動制御し、 光検出器の検出出力の立ち下がり時にパルススイッチを
オン制御することを特徴とするイオンビームスパッタ装
置。 - 【請求項２】 請求項１に記載されるイオンビームスパ
ッタ装置において、 開孔回転板は扇形の開孔が穿設されるものであることを
特徴とするイオンビームスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32951596A JP3360102B2 (ja) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | イオンビームスパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32951596A JP3360102B2 (ja) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | イオンビームスパッタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10168567A JPH10168567A (ja) | 1998-06-23 |
| JP3360102B2 true JP3360102B2 (ja) | 2002-12-24 |
Family
ID=18222245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32951596A Expired - Fee Related JP3360102B2 (ja) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | イオンビームスパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3360102B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002260218A (ja) | 2001-03-05 | 2002-09-13 | Anelva Corp | 磁気記録ディスク、磁気記録ディスク製造方法及び磁気記録ディスク製造装置 |
| JP2003073825A (ja) | 2001-08-30 | 2003-03-12 | Anelva Corp | 薄膜作成装置 |
| JP5493139B1 (ja) | 2013-05-29 | 2014-05-14 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ナノクラスター生成装置 |
| CN115302113B (zh) * | 2022-08-17 | 2025-04-11 | 北京大学 | 一种激光打靶防溅射装置及方法 |
-
1996
- 1996-12-10 JP JP32951596A patent/JP3360102B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10168567A (ja) | 1998-06-23 |
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