JPH04173971A - マグネトロン型スパッタ装置 - Google Patents
マグネトロン型スパッタ装置Info
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- JPH04173971A JPH04173971A JP29742190A JP29742190A JPH04173971A JP H04173971 A JPH04173971 A JP H04173971A JP 29742190 A JP29742190 A JP 29742190A JP 29742190 A JP29742190 A JP 29742190A JP H04173971 A JPH04173971 A JP H04173971A
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- JP
- Japan
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- wafers
- sputtering
- target
- wafer
- turntable
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- Pending
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマグネトロン型スパッタ装置に関し、特にター
ンテーブルとスパッタガンとの機構に関する。
ンテーブルとスパッタガンとの機構に関する。
従来のマグネトロン型スパッタ装置は、半導体基板上に
膜を形成する際に、基板の段差部でのステップカバレジ
を向上させるために、半導体基板表面と対向するターゲ
ット表面とにある角度を持たせて配置し、半導体基板を
回転させなからマグネトロン放電により膜形成を行って
いた。次に第３図を用いて、従来のマグネトロン型スパ
ッタ装置について説明する。
膜を形成する際に、基板の段差部でのステップカバレジ
を向上させるために、半導体基板表面と対向するターゲ
ット表面とにある角度を持たせて配置し、半導体基板を
回転させなからマグネトロン放電により膜形成を行って
いた。次に第３図を用いて、従来のマグネトロン型スパ
ッタ装置について説明する。
１Ｏ−３ＴｏｒｒオーダーのＡｒ雰囲気のスパッタチャ
ンバー３内において、電源１０により負電圧を印加され
たターゲット１１から放出された電子は、スパッタガン
６を構成するマグネットにて形成される磁界の影響を受
け、ターゲット１１の表面でサイクロイド運動を行いＡ
ｒイオンを作り出す。Ａｒイオンは陰極であるターゲッ
ト１１に衝突してターゲット粒子１２を叩き出す、そし
て、叩き出されたターゲット粒子１２のほとんどは、タ
ーゲット表面に対して垂直に飛び出し、ターゲット表面
に対して３０〜６０°の角度を持たせて回転軸１３に接
続されたホルダー５上のウェハー１に堆積して薄膜を形
成する。
ンバー３内において、電源１０により負電圧を印加され
たターゲット１１から放出された電子は、スパッタガン
６を構成するマグネットにて形成される磁界の影響を受
け、ターゲット１１の表面でサイクロイド運動を行いＡ
ｒイオンを作り出す。Ａｒイオンは陰極であるターゲッ
ト１１に衝突してターゲット粒子１２を叩き出す、そし
て、叩き出されたターゲット粒子１２のほとんどは、タ
ーゲット表面に対して垂直に飛び出し、ターゲット表面
に対して３０〜６０°の角度を持たせて回転軸１３に接
続されたホルダー５上のウェハー１に堆積して薄膜を形
成する。
この従来のマグネトロン型スパッタ装置においては、ス
パッタ中にウェハーを回転させているため、駆動部から
の発塵によるパーティクルがウェハー表面に付着しやす
い。また、ウェハーを載置したホルダーを回転させると
いう複雑な機構を有するため、ウェハー回転機構のチャ
ンバー内を占める容積が大きく、ウェハー回転機構を同
一チャンバー内にいくつも設置できないため、スループ
ットが低いという問題点があった。
パッタ中にウェハーを回転させているため、駆動部から
の発塵によるパーティクルがウェハー表面に付着しやす
い。また、ウェハーを載置したホルダーを回転させると
いう複雑な機構を有するため、ウェハー回転機構のチャ
ンバー内を占める容積が大きく、ウェハー回転機構を同
一チャンバー内にいくつも設置できないため、スループ
ットが低いという問題点があった。
本発明のマグネトロン型スパッタ装置は、複数の半導体
基板を保持するホルダーを備えたターンテーブルと、こ
のターンテーブルの周囲に設けられ前記半導体基板の表
面に対向するターゲット面がそれぞれ異なる方向に所定
の角度を持つように設定された複数のスパッタガンとを
含んで構成される。
基板を保持するホルダーを備えたターンテーブルと、こ
のターンテーブルの周囲に設けられ前記半導体基板の表
面に対向するターゲット面がそれぞれ異なる方向に所定
の角度を持つように設定された複数のスパッタガンとを
含んで構成される。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１−の実施例の上面図である。
第１図において、スパッタチャンバー３内には複数のウ
ェハー１を保持するホルダー５を備えたターンテーブル
４が設けられている。そしてこのターンテーブル４の周
囲にはウェハー１の表面に対向するターゲット１１の面
がそれぞれ異なる方向に所定の角度（上下左右方向に３
０〜６０°傾斜）を持つように設定された４個のスパッ
タガン６〜９が設けられている。以下動作と共に更に説
明する。
ェハー１を保持するホルダー５を備えたターンテーブル
４が設けられている。そしてこのターンテーブル４の周
囲にはウェハー１の表面に対向するターゲット１１の面
がそれぞれ異なる方向に所定の角度（上下左右方向に３
０〜６０°傾斜）を持つように設定された４個のスパッ
タガン６〜９が設けられている。以下動作と共に更に説
明する。
ウェハー１は、ロード・アンロード部２より１０−’Ｔ
ｏｒｒオーダーのＡｒ雰囲気のスパッタチャンバー３内
へ搬送され、回転するターンテーブル４に設置されたホ
ルダー５へオリエンテーションフラットが真下となるよ
うに装着される。そして、ターンテーブル４が回転し、
ウェハー１はウェハー表面とスパッタガンを構成するタ
ーゲット１１の表面が左右方向に３０〜６０°の傾斜を
持つように設置されたスパッタガン６の前に運ばれて、
所望の膜厚の１／４の分だけスパッタされたターゲット
粒子１２により成膜される。次にスパッタガン６と逆の
方向に同じ角度の傾斜を持ったスパッタガンフ、続いて
上下方向に３０〜６０°の傾斜を相対する方向に持った
スパッタガン８及び９の前面にてそれぞれ膜厚の１／４
ずつスパッタされる。この動作により所望の膜厚の膜が
ステップカバレジの良い状態にてウェハー１上に形成さ
れる。
ｏｒｒオーダーのＡｒ雰囲気のスパッタチャンバー３内
へ搬送され、回転するターンテーブル４に設置されたホ
ルダー５へオリエンテーションフラットが真下となるよ
うに装着される。そして、ターンテーブル４が回転し、
ウェハー１はウェハー表面とスパッタガンを構成するタ
ーゲット１１の表面が左右方向に３０〜６０°の傾斜を
持つように設置されたスパッタガン６の前に運ばれて、
所望の膜厚の１／４の分だけスパッタされたターゲット
粒子１２により成膜される。次にスパッタガン６と逆の
方向に同じ角度の傾斜を持ったスパッタガンフ、続いて
上下方向に３０〜６０°の傾斜を相対する方向に持った
スパッタガン８及び９の前面にてそれぞれ膜厚の１／４
ずつスパッタされる。この動作により所望の膜厚の膜が
ステップカバレジの良い状態にてウェハー１上に形成さ
れる。
第２図は本発明の第２の実施例の上面図である。ここで
は、傾斜するのがスパッタガン上のターゲットではなく
、ウェハー１の載置されたホルダー５が、ターンテーブ
ル４の回転と同期して、ターゲット１１の表面との角度
が変わるように構成されている。この角度の設定は第１
の実施例と同様に任意に選ぶことができるように構成さ
れている。
は、傾斜するのがスパッタガン上のターゲットではなく
、ウェハー１の載置されたホルダー５が、ターンテーブ
ル４の回転と同期して、ターゲット１１の表面との角度
が変わるように構成されている。この角度の設定は第１
の実施例と同様に任意に選ぶことができるように構成さ
れている。
例えば、ホルダー５をスプリングによりターンテーブル
に固定すると共に、ターンテーブル４の内側に異った角
度に設定されたホルダー押えと、このホルダー押えを動
作させるエアシリンダを設けておく。そしてターンテー
ブル４を回転させウェハー１がターゲット１１とマグネ
ットからなるスパッタガンの前に位置したとき停止させ
、この時エアシリンダを動作させてホルダー押えにより
ホルダー５の角度を所定の値にする。
に固定すると共に、ターンテーブル４の内側に異った角
度に設定されたホルダー押えと、このホルダー押えを動
作させるエアシリンダを設けておく。そしてターンテー
ブル４を回転させウェハー１がターゲット１１とマグネ
ットからなるスパッタガンの前に位置したとき停止させ
、この時エアシリンダを動作させてホルダー押えにより
ホルダー５の角度を所定の値にする。
このように構成された第２の実施例によっても各スパッ
タガン６〜９により１／４ずつ膜が形成されるため、ウ
ェハー１上にステップカバレジの良い膜を形成すること
ができる。
タガン６〜９により１／４ずつ膜が形成されるため、ウ
ェハー１上にステップカバレジの良い膜を形成すること
ができる。
以上説明したように本発明は、ウェハー表面に対向する
ターゲット表面が、それぞれ異なる方向にある角度を持
つ複数のスパッタガンを用いることにより、スパッタ中
にウェハーを回転させる必要がなくなる。そのため、発
塵量がウェハーを回転させた時と比較して１／２〜１／
３に減少する。また、複数のターゲットを用いて一つの
膜を形成するためにスループットが向上し、しかも段差
部でのステップカバレジを良好にした薄膜を得ることが
できるという効果がある。
ターゲット表面が、それぞれ異なる方向にある角度を持
つ複数のスパッタガンを用いることにより、スパッタ中
にウェハーを回転させる必要がなくなる。そのため、発
塵量がウェハーを回転させた時と比較して１／２〜１／
３に減少する。また、複数のターゲットを用いて一つの
膜を形成するためにスループットが向上し、しかも段差
部でのステップカバレジを良好にした薄膜を得ることが
できるという効果がある。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の上
面図、第３図は従来のマグネトロン型スパッタ装置の上
面図である。 １・・・ウェハー、２・・・ロード・アンロード部、３
・・・スパッタチャンバー、４・・・ターンテーブル、
５・・・ホルダー、６，７．８．９・・・スパッタガン
、１０・・・電源、１１・・・ターゲット、１２・・・
ターゲット粒子、１３・・・回転軸。
面図、第３図は従来のマグネトロン型スパッタ装置の上
面図である。 １・・・ウェハー、２・・・ロード・アンロード部、３
・・・スパッタチャンバー、４・・・ターンテーブル、
５・・・ホルダー、６，７．８．９・・・スパッタガン
、１０・・・電源、１１・・・ターゲット、１２・・・
ターゲット粒子、１３・・・回転軸。
Claims (1)
- 複数の半導体基板を保持するホルダーを備えたターン
テーブルと、このターンテーブルの周囲に設けられ前記
半導体基板の表面に対向するターゲット面がそれぞれ異
なる方向に所定の角度を持つように設定された複数のス
パッタガンとを含むことを特徴とするマグネトロン型ス
パッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29742190A JPH04173971A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | マグネトロン型スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29742190A JPH04173971A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | マグネトロン型スパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04173971A true JPH04173971A (ja) | 1992-06-22 |
Family
ID=17846294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29742190A Pending JPH04173971A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | マグネトロン型スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04173971A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002063064A1 (fr) * | 2001-02-07 | 2002-08-15 | Asahi Glass Company, Limited | Dispositif de projection et procede pour realiser un film de projection |
| US7749622B2 (en) | 2002-10-22 | 2010-07-06 | Asahi Glass Company, Limited | Multilayer film-coated substrate and process for its production |
-
1990
- 1990-11-02 JP JP29742190A patent/JPH04173971A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002063064A1 (fr) * | 2001-02-07 | 2002-08-15 | Asahi Glass Company, Limited | Dispositif de projection et procede pour realiser un film de projection |
| US6863785B2 (en) | 2001-02-07 | 2005-03-08 | Asahi Glass Company, Limited | Sputtering apparatus and sputter film deposition method |
| US7749622B2 (en) | 2002-10-22 | 2010-07-06 | Asahi Glass Company, Limited | Multilayer film-coated substrate and process for its production |
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