JPH02122074A - 溝の側壁に層を形成する方法及びそのための機構 - Google Patents

溝の側壁に層を形成する方法及びそのための機構

Info

Publication number
JPH02122074A
JPH02122074A JP1240900A JP24090089A JPH02122074A JP H02122074 A JPH02122074 A JP H02122074A JP 1240900 A JP1240900 A JP 1240900A JP 24090089 A JP24090089 A JP 24090089A JP H02122074 A JPH02122074 A JP H02122074A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
shaft
substrate holder
radiation
radiation source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1240900A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0355550B2 (ja
Inventor
Hans P Dietrich
ハンス・ペーテル・デイートリツヒ
Hanspeter Ott
ハンスペーテル・オツト
David J Webb
ダビツド・ジヨン・ウエブ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPH02122074A publication Critical patent/JPH02122074A/ja
Publication of JPH0355550B2 publication Critical patent/JPH0355550B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 A、産業上の利用分野 本発明は、基板表面の少なくとも1部分を、放q−を源
からの放射物に対して一定角度で露出させることで、前
記の表面部分に所定特性をもつ層を形成するよう改良し
た方法に関する。
本発明は、基板ホルダに支持された基板表面の少なくと
も1部分を、放射源から斜めに衝突する放射物に対して
一定角度で露出させる装置(角度付露出装置)の改良さ
れた機構に関し、この機構が基板ホルダを移動させるこ
とで、前記表面部分が受ける放射物の均一性が改良され
る。
本発明は1本発明の方法により、複数のレーザ反対面(
ファセット)が互いに平行に形成され、放射源からの放
射物に対して露出した半導体ウェハに関する。また、本
発明の方法により、レーザ反射ファセットが2組あり、
各組が、ウェハ上に互いに平行に形成された複数のファ
セットからなり、各組のファセットも互いに平行に向き
合い、各ファセットが放射源からの放射物に対して個別
に露出される半導体ウェハに関する。
B、従来技術 基板ホルダの位置を変^て、露出した表面に形成される
層の均一性や厚みなどを改良するため、様々な蒸着方法
、蒸着装置が考案されている。このような方法や装置は
、!!!閉された容器内で角度をつけて露出させること
を考慮した設計とはなっておらず、したがって放射物に
対する基板ホルダの向きを一定に保てないという面で不
適である。
さらに、同じ1つの基板の各面に応じて一定角度の露出
を行うことができない。
この分野で代表的な装置には次のものがある。
L、  Nowakowski 【口M  ’rechnical  Disclosu
re  Bu目etin  (TDBI  Vo129
、 No、4(1986年9月)、1805−6頁 基板は、静止ビンホイールと、これと係合しこのまわり
を回るスプロケットからなる駆動機構によって、遊星運
動が重なった一定の軌道を描いて移動する。
J、 A、 1lorton、 R,P、にing■口
MTDB  Vol、2 1.   No、6  (1
978年 11月)、2419−20頁 基板は、3つの回転部を持つ駆動機構によって、遊星運
動が重なった一定の軌道を描いて動き、軌道と遊星運動
で回転角度相互間に単純な関係が保たれる。
賛、 S、 Lee IHTDB Vol、 l 6、 No、9(1974
年2月)、2865−8頁 3つの回転部が半径の大きい方から順次に歯車と係合す
る装置によって得られる結果について論じている。
これらはどれも、エツチングされた半導体ウェハの溝の
側面を一定角度でスッパタすることに関して1口u11
. P、 ki、 H,IT、 l T、l No、 
 58 (1986年9月)17−19頁 (Re5e
archLaboratory of Precisi
on Macbinery andElectroni
cs、 Tokyo In5titute of Te
chnology出版)でに、イガ、Y、モリ、Y、コ
タキが示した神類のレーザ反射面を一定角度で露出させ
ることと多少とも一致する運動を与えることはできない
、したがって、これら先行技術はいずれも、上記のよう
な一定角度の露出状態の均一性を改良することができな
い。
C0発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、基板表面の少なくとも1部分を放射源
からの放射物に一対して一定角度で露出させ、+iii
記表面部表面部分特性をもつ層を形成し、前記の基板の
表面部分に衝突する前記放射物に対して11?i記表面
部分を連続して露出させ、基板を支持する基板ホルダを
用意して、基板ホルダをこの一トに支持される基板とと
もに移動させながら、前記一定角度の露出状、態を保つ
ことによって、Ii?i記の形成された層の特性の均一
性を改良する方法を提供することにある。
本発明の目的は、基板ホルダ上に支持された基板表面の
少なくとも1部分を、放射源からの前記表面部分に斜め
に衝突する放射物に対して一定角度で露出させる装置に
おいて、基板ホルダを移動させ、前記表面部分が受ける
放射物の均一性を改良する機構を提供することにある。
D9問題点を解決するための手段 上記の目的は、以下の説明から明らかになる他の目的も
含めて、本発明により、前記の方法を改良することで達
成される。すなわち、基板ホルダを移動させながら、放
射源に対するその向き−が維持される。基板ホルダは、
・■進運動だけで変位しながら平面上の閉じた経路を連
続して辿るようにするのがよい、これにより、前記の表
面の少なくとも1部分に、基板によって決定される座標
に対して基本的に一定の方向で衝突する放射物に対して
一定角度の露出状態が得られる。
本発明の目的は、基板ホルダを駆動して並進運動だけで
変位させながら、平面上の閉じた経路を連続して辿るよ
うにする駆動手段を設けることで前記装置において達成
される。前記装置において基板ホルダを移動させる機構
は、角度付露出装置の基部で回転可能に支持されてジャ
ーナルをなす第1のシャフトと、第1のシャフトを駆動
・回転させる手段と、第1のシャフトと平行であって、
基板ホルダが固定され、支持1造で回転可能に支持され
てジャーナルをなす第2のシャフトと、第1シヤフトと
同軸の角度付露出装置の基部で支持される第1のホイー
ル手段と、第1のホイール手段を、基部に対して所定角
度で位置づけるストッパ手段と、同軸の第2のシャフト
で固定支持される第2のホイール手段と、第1と第2の
ホイール手段を連結して、第2のシャフトに第1のシャ
フトと反対方向の回転を与える手段とからなる機構が望
ましい。
この機構の一実施例では、第1と第2のホイール手段は
、(fl数が等しい歯車であり、第1と第2の歯diを
連結する手段は、同軸の第3のシャフト(支持構造で回
転可能に支持されてジャーナルをなす)で支持・固定さ
れる第3の歯車であり、第3の歯車は、第1と第2の歯
車の両方に係合する。
この機構の一実施例では、第1と第2のホイール手段は
、第1の歯数と第2の歯数をもつ歯車であり、第1と第
2の歯車を連結する手段は、第3の歯数と第4の歯数を
もつ第3と第4の歯車からなり、第3と第4の歯車は両
方とも、これらと同軸の第3の共通シャフトで支持・固
定され、第3の共通シャフト自体は支持構造で回転可能
に支持されてジャーナルをなし、第3の歯車は第1の歯
車と係合し、第4の歯車は第2の歯車と係合し、第1の
歯数の第2の歯故に対する比は、第3の歯数の第4の歯
故に対する比に等しい。
この機構の一実施例では、第1と第2のホイール手段は
、切込みの数が等しい第1と第2の切込み溝をもつベル
ト・ブーりであり5第1と第2の切込み付ベルト・ブー
りを連結する手段は、第1と第2の切込み満の両方に係
合し支持される切込み付ベルトである。
この機構の一実施例では、第1のホイール手段が、角度
付露出装置の基部でアイドル回転するよう支持され、ス
トッパ手段が、第1のホイール手段に固定されるアイド
ル・ストッパと、基部に固定される固定ストッパとから
なり、アイドル・ストッパが、第1ホイール手段の回転
後に固定ストッパと接するようにされ、これによってア
イドル回転が止められる。アイドル・ストッパは、第1
ホイール手段の径方向に対向する2つの角位置で固定ス
トッパと接するようにするのが望ましい、固定ストッパ
は、基部に固定されるベグとし、その軸を第1シヤフト
と平行にするか、またはベグ支持材に固定されるベグと
し、その軸を第1シヤフトと′ド行にしてもよい、後者
の場合、ペグ支持材は、ベグと離隔した第1シヤフトと
同軸の基部で回転FIT能に支持されてジャーナルをな
し、またペグ支持材を基部に対して回転させることで、
中心が第1シヤフトと同軸の円弧を描くようベグを移動
させて、基板表面の少なくとも1部分の向きを調整する
手段が備えられる。また、第1シヤフトと、部材の少な
(とも1組との間に摩擦力を生じさせる手段を設けるこ
ともできる。この部材は、第1ホイール手段、アイドル
・ス1−ツバ、およびアイドル・ストッパを第1ホイー
ル手段に固定する手段からなり、第1ホイール手段は、
第1シヤフトによって基部で支持できる。
本発明による方法は1本発明による機構によって実現す
るのが望ましく、放射源がらの放射物に対して表面を露
出させるものであり、このとき、前記表面が受ける放射
物の同質性が改良されるとともに、tIIQ・を物の入
射方向が前記表面に対して一定に保たれる。
本発明による方法は、本発明による機構にょって実現す
るのが望ましく、2Inの表面を、密閉容器内の(たと
えば真空被覆、イオン・エツチング、放射線重合などを
目的とした)放Q−を源がらの放射物に対して順次に、
また個別に露出させるものである。連続2回の露出の間
に基板または基板ホルダにアクセスしたりこれを操作し
たりする必要はなく、基板を放射源に対して再度位置づ
けるため容器を外部の雰囲気/条件下に戻す必要もない
したがって本発明により、たとえばエツチングされた半
導体ウェハ上の2組のレーザ反射面を(不動態化や反射
率を変えるなどのため)!l111することが可能であ
る。半導体基板を真空被覆用の容器に取り付けた後、1
組の反射面(たとえば前面の)を同時に、また他の組(
たとえば後面の反射面)とは別に被層し1次に別の組を
波層できる。この間、容器を再度開ける必要がない、基
板ホルダを駆動する手段の回転方向を逆にした後。
基板は180°回転させられ、反射面の1組または別の
組が、放84mからの放射物に対して露出される。
I三 実施例 第1図でJ↓板1は半導体ウェハであり、複数個のげi
2が、たとえばエツチングによって形成され、レーザ反
射ファセットなどを構成する。ファセ・ント2は互いに
平行であり、組2Aのファセットがすべて1方向を向き
、組2Bのファセットがすべて逆方向を向き、2組のフ
ァセットが対になっC向き合う、というように2つの組
2A、2Bが形成される。第1図に示すとおり、ファセ
ットの組2Aは、たとえば所定の厚みや反射率など所定
特性を有する層をファセット2Aにy11!するため、
放射IP!A4の放射物3に対して露出される。
この層を形成するため、放Qt物3はファセット2Aの
表面に斜めに衝突し、放射源4と基板lの距離は、ファ
セット2Aかずべて、はぼ同じ角度、たとえば4・5°
で放Q、を物3を受ける程度である。
しかし実際には放a−を物(図では被覆される粒子の放
射流)は、ファセット2Aの全部が常に一定の流れを受
けるほど均一ではなく、放q・1源4とに面2の距離は
、ファセット2Aの全部に対する入射角が一定になるほ
ど延長することができない、これらの理由から、基へは
、放射物に対して露出されるその表面に形成される層の
均一性を改良できるよう移動させなければならない、こ
の動きは、放射源に対する基板の向きが維持されるとい
う条件を満足しなければならないため、基板の各位置の
入射強度と入射角の変化の平均がとられ。
これにより、ファセット2Aがすべて常に均等に露出さ
れる6 さらにファセッ1〜の組2Aが放q−を源4の放射物3
に露出された後、普通は、露出時間など条件を変えてか
ら、もう一方の組2Bも放射物3に対して露出させるの
がよい、たとえば、レーザ反射ファセットを波mする。
ため真空容器中で露出を行う際、半導体材料からレーザ
・ビームを引き出す(反射させる)ためには、1組のフ
ァセット2Aに完全反射層を、もう1組のファセット2
Bには部分反射層を形成するのが望ましい場合がある。
この場合、谷1t4は、基板lの向きを変えるなどのた
めv4空状態を中断することなく、それぞれ独立に順次
形成するのがよい、他の場合、露出された表面にイオン
を衝突させてエツチングを行なうか、あるいは表面に形
成された層を硬化させたり放射線によって!■合したり
することを目的として露出を行える。上記のいずれの場
合も、ファセットの絹2Bの露出は、ファセットの組2
Δの露出後に行われる。このような継続的な露出は、そ
れぞれ独立に密閉容器内で一括して行うのがよくこの際
、放射源に対して基板の向きを変えるなどのL:め周囲
の雰囲気や条件に戻す操作は必要なし\ 。
第2図は、本発明の方法を実施する装置の原理を簡略に
示したものである。基板lは、基板ホルダ5上に位置し
これに支持され、必要なら基板ホルダに固定することも
できる。第1図のファセット2の長手方向は、基板Iの
線6で示している。
基板ホルダ5は、第1図の1組のファセット(ファセッ
!・2Aなど)が一定角度で露出されるよう放Qt#i
4との相対位置に置かれる。したがってファセット2A
からなる基ff1lの表面は、ファセット2Aに斜めに
衝突する放射物に対して連続して露出される。
第、2図の実施例では基板ホルダが水平ディスクとして
形成され、これに係合する水平バッフル・ディスク7の
円形開口に、自由に回転できるよう組み入れられる。た
だしバッフル・ディスク7を使用するかどうかは任意で
あり、以下に述べる部材や手段を、/& Q−を物に対
する不要な露出から保護するため婦えるものである。こ
こでの、バッフル・ディスク7はあくまで説明の便宜か
ら示したものである。また、基板ホルダ5を水平にする
のも任意であり、あくまで説明の便宜から示したもので
ある。
基板ホルダ5には垂直回転軸8が、バッフル・ディスク
7には垂直回転軸9がある。基板lが放射物3に対して
一定角度で露出される際、バッフル・ディスク7は軸9
を中心に連続回転する。これにより、基板ホルタ5の軸
8は軸9のまわりを連続移動する。J、(板lはこの動
きに追従し続け、その中心は軸9のまわりの円形軌道を
描き続ける。その結果、基板1は、一定時間の経過後に
lo と示した位置に達する。
本発明の方法により、基板ホルダ5(およびこれに支持
されるJ5扱l)の動きは、放射源に対するその向きが
維持されるような運動である。いいかえれば、マーク線
6の方向は常に一定であり。
よって基板1のマーク線6は、基板1の移動後の位置l
°のマーク線6°と平行である。第2図の例で、基板l
の露出表面2に衝突する放射物に対する定角度の露出状
態を、基板によって決定される座標との関係からみれば
、基板ホルダ5とこれに支持される基)N lは、並進
運動だけで変位しながら、平面上の円形経路を移動し続
ける。以下、このような方法で基板ホルダ5を駆動し変
位させる1段について述べる。
第2図とあわせて述べた実施例はもちろん、放射源が、
軸9からの距離が軸8から軸9までの距離より長い位置
にある場合にも適用できる。いいかえれば、この実施例
は、放射源4をバクフルディスク7の平面に正投影した
位置が、軸9を中心として径方向に基板1に可能な位置
l゛より外…りにある場合に適用できる(バッフル・デ
ィスク7よりかなり外側にある場合が望ましい〕。
しかし放射源を軸9に近づけたとき、その間の距離が軸
8から軸9までの距離より短い場合でも、すなわち放射
源4をバッフル・ディスク7の平面に正投影したときの
位置が、基板lに可能な位置1゛よりも軸9に近い場合
でも、本発明は。
基板ホルダを移動させながら、放射源に対するその向き
を維持する方法を示すという点で有効である。このよう
な場合、基板ホルタ5とこれに支持される基i1は、月
が地球のまわりを回るのと同様に軸9を中心に回転する
ことになる。
本発明により、本発明の方法を実施するよう基板ホルダ
を移動させるため改良された機構に、本発明による駆動
機構とストッパ手段を実施した例を第3図と第4図に示
す、第3図は前面の概略図、第4図は平面の概略図であ
る。基部Inは。
たとえば真空被覆、イオン・エツチング、放射線重合そ
の他同様の工程で、基板が一定角度で露出されることを
考慮して、密閉容器(図示せず)内でここに述べる改良
された機構を支持するものである。第1シヤフト11は
、基部10で回転可能に支持されてジャーナルをなす。
シャフト11は、8器の外側(たとえばシャフト11の
一端)に電動モータなどの駆動手段12を設けてこれに
よって駆動・回転させることができる。この場合、基部
10は、容器の壁面の開口に装着されてシールを加えた
フランジをなし、シャフト11用の回転シール13を備
える。バッフル・ディスク7は、これと同軸のシャフト
IIの内側の端部で支持され、これによりバッフル・デ
ィスク7の軸9もシャフト11の軸に加わる。
たとえば梁のようなほぼ角柱形の支持構造14は、シャ
フト11で支持・固定される。第2のシャフト15はシ
ャフト11と平行でこれと離隔した位置に置かれ、梁1
4で回転可能に支持され、シャフト15の一端付近でジ
ャーナルをなす、シャフト15は、もう一端の近(で、
これと同軸に固定された基板ホルタ5を支持する。これ
により基板ホルダの軸8もシャフト15の軸に加わる。
シャフト11に同軸な第1のホイール手段は。
基部IOで支持される第1の歯車16である。歯車16
は基部lOに直接固定できる。しかし図の実施例は、た
とえば洗浄の際の装着、脱着を容易にするため、歯車1
6がシャフトllで回転できるようジャーナルをなし、
基部10に対してストッパ手段によって固定されること
で、歯車16と基部10との所定の相対角度を維持する
ものである6図の実施例で、ストッパ手段は、歯車16
と同軸でこれに固定されるディスク17と、基部IOに
固定されるペグ18と、対応する開口19に係合するデ
ィスク17とよりなる。ディスク17をIJ ili 
I 6とともに回転させるため、シャフト11上のディ
スク17がアイドル回転できるようにしている。これは
たとえば、ディスク17がシャフト11から軸方向に離
隔しているか、またはシャフト11でアイドル回転でき
るようジャナルをなす場合である。
梁14付近に位置する第2のシャフト15の端部には、
第2のホイール手段があり、これはシャフト15と同軸
でこれに支持・固定される第2の1薊1020をなす、
したがって基板ホルダ8と歯車20は、梁14の中のシ
ャフト15で支持され、これとともに回転する。
第3図、第4図の実施例で歯車16.20は歯数が等し
い。
シャフト11と角速度は悼しいが方向が逆の回転運動を
シャフト15に与えるため、歯@16.20を連結する
手段は、同軸のシャツ1−22の一端付近で支持、固定
される第3の歯Qi21をなす、シャフト22は、もう
一端の付近では梁14で回転=r能に支持され、軸23
を中心・にジャーナルをなす、軸23は軸8.9と同一
モ面上にあり、それらと等間隔の位置にあって、歯車2
1は歯車lG、20の両方と係合する。
シャフト11が基部で回転するとき、歯車16は、ペグ
18がディスク17の回転を防ぐため、静正したままで
ある。しかし梁14とこれに支持される各部材はシャフ
ト11とともに回転する。
したがって歯車21は歯車16のまわりの軌道を移動し
、この運動によって歯車21はその軸23を中心に回転
する。この回転により歯車20が回転する。歯車21の
歯数が歯車16.20と同じかどうかに関係なく、シャ
フト11とシャフト15上の歯車20は常に互いに逆方
向に、等しい角速度で回転することは明らかである。し
たがって、シャフト15はシャツl−11のまわりの軌
道を移動するが、これは並進運動のみであり、よって空
間内の、特に放射源に対する基板ホルダ5の向きが維持
される。
また、歯車16.20を向き合わせに配置する必要はな
く、第5図のように上下にずらして千鳥配列とすること
もできる。この場合、歯車21は、それぞれシャフト2
2と同軸でこれに支持・固定される2つの部材21’ 
、21”からなる、実際には部材21゛は、第1の歯車
16と係合する第3の歯fμとして、部材21゛は、第
2の歯車20と係合する第4のfM iljとして1動
く1部材21’、21”は両方ともこれと同軸の第3の
共通シャフト22で支持・固定され、シャフト22自体
は支持構造14で回転可能に支持されてジャーナルをな
す。
歯車16.20をこのように千、1配列とすることの利
点は、歯1T16.20が互いに第6図のように東なり
合うことで、基板ホルダ5を、第3図、第4図の場合よ
りもその軌道の軸9に近づけられる点にある。
実施例によっては、歯@2Iの部材2+’、21゛°は
歯数を等しくすることができ、これにより第3図、第4
図の単一の歯車21として機能する。これに変更を加え
たものが第6図である。2つの部材21°、21” は
ここで一体止され1つの歯ItT21をなし、軸はこの
場合でも、両市16.20の両方と正しく係合する長さ
である。
歯車16.20をこのような千鳥配列にする利点は、歯
車16.20の歯数を変えられる点にもある、この実施
例では、シャフト15に、シャフト11の回転と角速度
が等しく方向が逆の回転を与えるため、部材21′ (
第:3の歯車として働く)と部材21”(第4の歯車と
して働く)の歯数を変えて第3の歯数、第4の歯数を設
定する。すなわち、第1の歯数(歯車16の歯数)の第
2の歯数(歯車20の歯数)に対する比を、第3の歯数
(部材21’の歯数〕の第4の歯数(部材21゛°の歯
数)に対する比と等しくする。
F記の実施例と同等の他の実施例で、各歯車とその係合
を、摩擦係合する摩擦ホイールに置き換えることもでき
る。したがって、たとえば第1と第2のホイール手段を
、直径が等しい摩擦ホイールとすることができる。この
場合、第1と第2の摩擦ホイールを連結する手段は、同
軸の第3のシャフトで支持・固定される第3の摩擦ホイ
ールである。第3のシャフト自体は支持構造で回転可能
に支持されてジャーナルをなす、第3のFJ[ホイール
は、第1と第2の摩擦ホイールとIll!ifi係合す
る。これに代えて、第1と第2のホイール手段を、第1
と第2の直径を有する摩擦ホイールとすることもできる
。この場合、第1と第2の1γ擦ホイールを連結するf
段は、第3と第4の直径を有する第3と第4の摩1察ホ
イールからな・す、第3と第4の摩擦ホイールは両方と
も、同軸の第3のシャフトで支持・固定される。第3の
シャフト自体は支持構造で回転可能に支持されてジャー
ナルをなし、第3の)!11m!ホイールは第1の歯車
と、第4の摩擦ホイールは第2の歯車と係合し、第1の
直径の第2の直径に対する比は、第3の直径の第4の直
径に対する比に等しい。
第7図に概略を示した実施例で、第1と第2のホイール
手段は、切込み満26.27を持つベルト・プーリ24
.25である。切込み付ベルト・プーリ24.25を連
結する手段は、切込み満26.27に係合するベルト・
プーリ24.25で支持される切込み付ベルト28であ
る。シャフト15に、シャフト11の回転と角速度が同
じで方向が逆の回転を与えるには、伝動比を1.1に、
すなわち切込み?426.27の切込み散を同じにしな
ければならない。
第8図、第9図に示したストッパ手段のχ施例と組み合
わせると、第1ホイール手段は(たとえば歯車16)、
基部10でアイドル回転できるよう支持される。ストッ
パ手段はアイドル・ストッパと固定ストッパからなる。
アイドル・ストッパは、第3図、第4図の実施例の歯車
16に固定されるディスク17と同様な構成で歯車16
に固定されるカム・ディスク29である。固定ストッパ
は、基部lOに固定されるペグ30であり、たとえばそ
の軸をシャフト11の軸9に平行にした円柱形のペグで
ある。カム・ディスク29は、これが回転すると、カム
・ランプ29°、29”がペグ30に接するようになっ
ており、これによってアイドル回転が2箇所の接触位置
の間に限られる。これら2箇所の接触位置は、カム・デ
ィスク29の径方向に対向する2つの角位置、したがっ
て歯車16のその位置にも対応する。
2つの接触位置の間では、カム・ディスク29はシャフ
ト11の回転に伴って回転するようにする。このため、
歯H1i l 6、カム・ディスク29゜カム・ディス
ク2つを歯車16に固定する)段(図示なし)からなる
部材をまとめてシャフトllによって基部10で支持す
ることができる。この場合、この部材のグループのアイ
ドル回転用のジャーナルに残る摩擦により、所要の付随
回転が(11られる。第8図の実施例では、カラー″、
31が山i1i 16に固定され、これと同軸のシャフ
ト11が密閉され、その間の摩擦が制(卸される。これ
はもらろ/υ、たとえば扱ばわを歯車16に固定し。
シャフトtiと摩擦係合する構造とした摩1察干段とし
て用いることに等しく、また、前記板ばねをカム・ディ
スク29またはカム・ディスクをIa屯16に固定する
手段(図示なし)に固定することにも等しい。
シャフト11が1方向に回転するとき、カム・ディスク
2つはこの回転に追随し、この状態はカム・ディスクが
接触位置に達するまで続くことは明らかである。カム・
ディスク29がこのように回転する際、シャフト15は
その軸8を中心に回転しない、これは梁14と歯車16
間に相対運動が生じないからである。したがって基板ホ
ルダ5はシャフト11と同じ角度で回転し、この状態は
カム・ディスク29が接触位置に達するまで続く、これ
は、シャフト11の他の回転方向についても同様である
。したがって、シャフト11が1方向から他の方向へ1
80°以上回転するとすれば、シャフト11の回転感度
を変えることにより、基板ホルダ5の向きは180°変
化する。この特性により、本発明によって改良される機
構は、半導体ウェハ上に形成された複数個のファセット
からなり、2組のファセットが互いに平行に向き合うレ
ーザ反q=tファセットを、順次に、また個別に放H源
からの放射物に対して露出させることができる。
この実施例に変更を加えたものを第1O図に示した。こ
こでの固定ストッパも、たとえば円筒形のペグなとのペ
グ30として形成される。ただし、このペグはベグ支持
材に固定される。このペグ支持材は、たとえばペグ担持
ディスク32であり、ディスク32自体は基部10で回
転可能に支持され、シャフト11と同軸のジャーナルを
なす、ベク30は、ベグ担持ディスク32の軸がシャツ
l−11の軸9と平行でこれと離隔するよう組み込まれ
る。ベグ担持ディスク32を基部10に対して回転させ
、ペグ30をシャフト11の軸9と中心が同軸の円弧を
描くよう移動させるため、たとえばレバー33の形の調
節手段が設けられる。もちろんこの調節手段は、たとえ
ば基部lOを介して機械的に、または基部IOに位置す
るモータによって電気的に遠隔操作することができる。
この特性により、基板ホルタ5を上述のように180°
回転させることのほか、その向きを任意の方向に調節す
ることが可能になる。
ド1発明の効果 本発明により、基板表面の少なくとも1部分をIIIQ
−を源からの放り4物に一定角度で露出させ、所定特性
を有する層を前記表面部分に形成する改良された方法を
提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の方法による、放射物に対して露出さ
せるファセフトを持った半導体ウェハの概略図である。 第2図は、第1図の半導体ウェハなどの基板の表面に対
して本発明の方法を実施する装置の原理を示す概略図で
ある。 第3図は、本発明の方法を実施するよう基板ホルタを移
動させる機構の中の本発明による駆動機構とストッパ手
段の前面概略図である。 第4図は、第3図の駆動機構とストッパ手段の平面概略
図である。 第5図は、駆動機構の一実施例を示す前面概略図である
。 第6図は、第5図の駆動機構な変更した平面概略図であ
る。 第7図は、駆動機構の一実施例を示す前面概略図である
。 第8図は、第3図の駆動機構にストッパ手段の一実施例
を組み合わせた前面概略図である。 第9図は、第8図のストッパ手段の平面概略図である。 第10図は、第8図のストッパ手段の実施例に変更を加
えて第3図の駆動機構と組み合わせた前面概略図である
。 14・・・梁、+1.15.22・・・シャツ1 .1
G  、   2 0 、  2 1  ・  ・  
・  歯 車 、   l  7  ・ディスク、18
・・・ペグ。 出願人  インターナショナル・ビジネスマシーンズ・
コーポレーション 代理人  弁理士  山  本  仁  朗(外1名) 2B FIG、 1

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)基板(1)の少なくとも1表面部分(2)を、放
    射源(4)からの放射物(3)に対して一定角度で露出
    させることにより、前記表面部分(2)上に所定の特性
    を有する層を形成する方法であって、 基板(1)の前記表面部分が、前記表面部分(2)に斜
    めに衝突する前記放射物に対して連続的にさらされ、 基板を支持する基板ホルダ(5)を備え、 基板ホルダ(5)がこれに支持される基板とともに移動
    しながら、前記一定角度の露出が行われることで、形成
    された層の前記特性の均一性が改良される方法にして、 基板ホルダ(5)を移動させつつ、放射源 (4)に対するその傾斜角を維持することを特徴とする
    方法。 (2)基板ホルダ(5)上に支持される基板(1)の少
    なくとも1表面部分(2)を、放射源(4)から前記表
    面部分(2)に斜めに衝突する放射物(3)に対して一
    定角度で露出させる装置において、 基板ホルダ(5)を移動させることで、前記表面部分(
    2)が受ける放射物(3)の均一性を改良する機構であ
    って、 基板ホルダ(5)を駆動して並進運動だけで変位させな
    がら、平面上の閉じた経路を連続して辿るようにした手
    段を具備する機構。
JP1240900A 1988-10-03 1989-09-19 溝の側壁に層を形成する方法及びそのための機構 Granted JPH02122074A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP88116352A EP0362418A1 (en) 1988-10-03 1988-10-03 Improved method and system for the angled exposition of a surface portion to an emission impinging obliquely thereon, and semiconductor wafers having facets exposed according to said method
EP88116352.1 1988-10-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02122074A true JPH02122074A (ja) 1990-05-09
JPH0355550B2 JPH0355550B2 (ja) 1991-08-23

Family

ID=8199417

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1240900A Granted JPH02122074A (ja) 1988-10-03 1989-09-19 溝の側壁に層を形成する方法及びそのための機構

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5029555A (ja)
EP (1) EP0362418A1 (ja)
JP (1) JPH02122074A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011135810A1 (ja) * 2010-04-28 2011-11-03 株式会社アルバック 成膜装置

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2291889B (en) * 1994-07-27 1998-02-25 Gec Marconi Avionics Holdings Depositing coatings of materials on a substrate
US5643362A (en) * 1995-06-05 1997-07-01 Garves; John C. Centerless turning lathe for refinishing rollers
US5993298A (en) * 1997-03-06 1999-11-30 Keltech Engineering Lapping apparatus and process with controlled liquid flow across the lapping surface
US6120352A (en) * 1997-03-06 2000-09-19 Keltech Engineering Lapping apparatus and lapping method using abrasive sheets
US5967882A (en) * 1997-03-06 1999-10-19 Keltech Engineering Lapping apparatus and process with two opposed lapping platens
US6048254A (en) * 1997-03-06 2000-04-11 Keltech Engineering Lapping apparatus and process with annular abrasive area
US5910041A (en) * 1997-03-06 1999-06-08 Keltech Engineering Lapping apparatus and process with raised edge on platen
US6149506A (en) * 1998-10-07 2000-11-21 Keltech Engineering Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen
US6139678A (en) 1997-11-20 2000-10-31 Trusi Technologies, Llc Plasma processing methods and apparatus
US6102777A (en) * 1998-03-06 2000-08-15 Keltech Engineering Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen
DE19922498A1 (de) * 1999-05-15 2000-11-30 Hans Moritz Vorrichtung zum einseitigen Ätzen einer Halbleiterscheibe
US6287976B1 (en) 1999-05-19 2001-09-11 Tru-Si Technologies, Inc. Plasma processing methods and apparatus
US7081166B2 (en) * 1999-12-15 2006-07-25 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Planetary system workpiece support and method for surface treatment of workpieces
US6749764B1 (en) * 2000-11-14 2004-06-15 Tru-Si Technologies, Inc. Plasma processing comprising three rotational motions of an article being processed
DE10103114A1 (de) * 2001-01-24 2002-10-31 Univ Stuttgart Herstellen elektrischer Verbindungen in Substratöffnungen von Schaltungseinheiten mittels gerichteter Abscheidung leitfähiger Schichten
US6774373B2 (en) * 2002-07-29 2004-08-10 Axcelis Technologies, Inc. Adjustable implantation angle workpiece support structure for an ion beam implanter
US20050126497A1 (en) * 2003-09-30 2005-06-16 Kidd Jerry D. Platform assembly and method
US7828929B2 (en) * 2004-12-30 2010-11-09 Research Electro-Optics, Inc. Methods and devices for monitoring and controlling thin film processing
KR101021020B1 (ko) * 2005-08-05 2011-03-09 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드 아시아 반도체 공작물 처리 장치
CN100358098C (zh) * 2005-08-05 2007-12-26 中微半导体设备(上海)有限公司 半导体工艺件处理装置
US9230846B2 (en) 2010-06-07 2016-01-05 Veeco Instruments, Inc. Multi-wafer rotating disc reactor with inertial planetary drive
TW201213587A (en) * 2010-09-21 2012-04-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Conveying mechanism and deposition device with same
KR20120065841A (ko) * 2010-12-13 2012-06-21 삼성전자주식회사 기판 지지 유닛과, 이를 이용한 박막 증착 장치
HK1215127A2 (zh) 2015-06-17 2016-08-12 Master Dynamic Ltd 製品塗層的設備、儀器和工藝

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5679435A (en) * 1979-11-30 1981-06-30 Fujitsu Ltd Rotary evaporation device

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3598083A (en) * 1969-10-27 1971-08-10 Varian Associates Complex motion mechanism for thin film coating apparatuses
US3783822A (en) * 1972-05-10 1974-01-08 J Wollam Apparatus for use in deposition of films from a vapor phase
US3853091A (en) * 1973-12-03 1974-12-10 Ibm Thin film coating apparatus
FR2298880A1 (fr) * 1975-01-22 1976-08-20 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif d'implantation ionique
US4284033A (en) * 1979-10-31 1981-08-18 Rca Corporation Means to orbit and rotate target wafers supported on planet member
JPS6118132A (ja) * 1984-07-04 1986-01-27 Toshiba Corp ドライエツチング装置
JPS61112224U (ja) * 1984-12-26 1986-07-16
JP2582552B2 (ja) * 1986-05-29 1997-02-19 三菱電機株式会社 イオン注入装置
JPS63117417A (ja) * 1986-11-05 1988-05-21 Nec Corp 気相成長装置
US4777908A (en) * 1986-11-26 1988-10-18 Optical Coating Laboratory, Inc. System and method for vacuum deposition of thin films
JPS6433320A (en) * 1987-07-28 1989-02-03 Mitsui Toatsu Chemicals Method and apparatus for bellows-folding of flexible cylindrical film

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5679435A (en) * 1979-11-30 1981-06-30 Fujitsu Ltd Rotary evaporation device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011135810A1 (ja) * 2010-04-28 2011-11-03 株式会社アルバック 成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5029555A (en) 1991-07-09
JPH0355550B2 (ja) 1991-08-23
EP0362418A1 (en) 1990-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02122074A (ja) 溝の側壁に層を形成する方法及びそのための機構
JP2540043B2 (ja) イオンインプランテ−ション装置
US3993909A (en) Substrate holder for etching thin films
TW201207138A (en) Deposition apparatus
JP2011063845A (ja) ワーク反転ユニット
US5468930A (en) Laser sputtering apparatus
JPH08213305A (ja) 荷電ビーム転写装置および転写方法
US11016390B2 (en) Method for exposing wafer
JP3306394B2 (ja) 膜厚測定装置および膜厚測定方法
JPS6194000A (ja) 素材の特性を改善する方法及び装置
JPH0348200A (ja) シンクロトロン放射光利用装置及びその方法
JP2011500971A (ja) 薄膜コーティングシステムおよび方法
JPH05271925A (ja) イオンビームスパッタ装置
US3387742A (en) Chip changing apparatus
JP2521211B2 (ja) ディスク用紫外線硬化方法およびその装置
JP2707080B2 (ja) イオン打込方法及びその装置
JPS5932545B2 (ja) スパッタ装置
JPS61179885A (ja) 自公転装置
JPH06108232A (ja) 真空用高比率遊星駆動方法および装置
JPH0527488Y2 (ja)
JP2557301B2 (ja) イオン注入装置
JPH05295540A (ja) 真空成膜装置
SU602072A1 (ru) Зеркало дл отражени и фокусировкиСиНХРОТРОННОгО излучЕНи
JPH04291000A (ja) シンクロトロン放射光発生装置及び露光装置
KR0144877B1 (ko) 자외선 조사장치