JPH0355550B2 - - Google Patents

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JPH0355550B2
JPH0355550B2 JP1240900A JP24090089A JPH0355550B2 JP H0355550 B2 JPH0355550 B2 JP H0355550B2 JP 1240900 A JP1240900 A JP 1240900A JP 24090089 A JP24090089 A JP 24090089A JP H0355550 B2 JPH0355550 B2 JP H0355550B2
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shaft
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gear
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 A 産業上の利用分野 本発明は、基板表面の溝の側壁を、放射源から
の放射物に対して一定角度で露出させることで、
前記の表面部分に所定特性をもつ層を形成するよ
う改良した方法に関する。
本発明は、基板ホルダに支持された基板表面の
溝の側壁を、放射源から斜めに衝突する放射物に
対して一定角度で露出させる装置(角度付露出装
置)の改良された機構に関し、この機構が基板ホ
ルダを移動させることで、前記表面部分が受ける
放射物の均一性が改良される。
本発明は、本発明の方法により、複数のレーザ
反射面(フアセツト)が互いに平行に形成され、
放射源からの放射物に対して露出した半導体ウエ
ハに関する。また、本発明の方法により、レーザ
反射フアセツトが2組あり、各組が、ウエハ上に
互いに平行に形成された複数のフアセツトからな
り、各組のフアセツトも互いに平行に向き合い、
各フアセツトが放射源からの放射物に対して個別
に露出される半導体ウエハに関する。
B 従来技術 基板ホルダの位置を変えて、露出した表面に形
成される層の均一性や厚みなどを改良するため、
様々な蒸着方法、蒸着装置が考案されている。こ
のような方法や装置は、密閉された容器内で角度
をつけて露出させることを考慮した設計とはなつ
ておらず、したがつて放射物に対する基板ホルダ
の向きを一定に保てないという面で不適である。
さらに、同じ1つの基板の各面に応じて一定角度
の露出を行うことができない。
この分野で代表的な装置には次のものがある。
L.Nowakowski IBM Technical Disclosure Bulletin(TDB)
vol.29、No.4(1986年9月)、1805−6頁 基板、静止ピンホイールと、これと係合したこ
のまわりを回るスプロケツトからなる駆動機構に
よつて、遊星運動が重なつた一定の軌道を描いて
移動する。
J.A.Horton、R.P.King IBM TDB Vol.21、No..6(1978年11月)、
2419−20頁 基板は、3つの回転部を持つ駆動機構によつ
て、遊星運動が重なつた一定の軌道を描いて動
き、軌道と遊星運動で回転角度相互間に単純な関
係が保たれる。
M.S.Lee IBM TBD Vol.16、No.9(1974年2月)、2865
−8頁 3つの回転部が半径の大きい方から順次に歯車
と係合する装置によつて得られる結果について論
じている。
これらはどれも、エツチングされた半導体ウエ
ハの溝の側面を一定角度でスパツタすることに関
して、Bull.P.M.E.(T.I.T.)No..58(1986年9月)
17−19頁(Research Laboratory of Precision
Machinery and Electronics、Tokyo Institute
of Technology出版)でK.イガ、Y.モリ、Y.コ
タキが示した種類のレーザ反射面を一定角度で露
出させることと多少とも一致する運動を与えるこ
とはできない。したがつて、これら先行技術はい
ずれも、上記のような一定角度の露出状態の均一
性を改良することができない。
C 発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、基板表面の溝の側壁を放射源
からの放射物に対して一定角度で露出させ、前記
溝の側壁表面に所定特性をもつ層を形成し、前記
の基板の溝の側壁表面に衝突する前記放射物に対
して前記溝の側壁表面を連続して露出させ、基板
を支持する基板ホルダを用意して、基板ホルダを
この上に支持される基板とともに移動させなが
ら、前記一定角度の露出状態を保つことによつ
て、前記の形成された層の特性の均一性を改良す
る方法を提供することにある。
本発明の目的は、基板ホルダ上に支持された基
板表面の溝の側壁を、斜めに衝突する放射物に対
して一定角度で露出させる装置において、基板ホ
ルダを移動させ、 前記溝の側壁表面が受ける放射物の均一性を改良
する機構を提供することにある。
D 問題点を解決するための手段 上記の目的は、以下の説明から明らかになる他
の目的も含めて、本発明により、前記の方法を改
良することで達成される。すなわち、基板ホルダ
を移動させながら、放射源に対する溝の側壁表面
が維持される。基板ホルダは、並進運動だけで変
位しながら平面上の閉じた経路を連続して辿るよ
うにするのがよい。これにより、前記の表面の溝
の側壁に、基板によつて決定される座標に対して
基本的に一定の方向で衝突する放射物に対して一
定角度の露出状態が得られる。
本発明の目的は、基板ホルダを駆動して並進運
動だけで変位させながら、平面上の閉じた経路を
連続して辿るようにする駆動手段を設けることで
前記装置において達成される。前記装置において
基板ホルダを移動させる機構は、角度付露出装置
の基部で回転可能に支持されてジヤーナルをなす
第1のシヤフトと、第1のシヤフトを駆動・回転
させる手段と、第1のシヤフトと平行であつて、
基板ホルダが固定され、支持構造で回転可能に支
持されてジヤーナルをなす第2のシヤフトと、第
1シヤフトと同軸の角度付露出装置の基部で支持
される第1のホイール手段と、第1のホイール手
段を、基部に対して所定角度で位置づけるストツ
パ手段と、同軸の第2のシヤフトで固定支持され
る第2のホイール手段と、第1と第2のホイール
手段を連結して、第2のシヤフトに第1のシヤフ
トと反対方向の回転を与える手段とからなる機構
が望ましい。
この機構の一実施例では、第1と第2のホイー
ル手段は、歯数が等しい歯車であり、第1と第2
の歯車を連結する手段は、同軸の第3のシヤフト
(支持構造で回転可能に支持されてジヤーナルを
なす)で支持・固定される第3を歯車であり、第
3の歯車は、第1と第2の歯車の両方に係合す
る。
この機構の一実施例では、第1と第2のホイー
ル手段は、第1の歯数と第2の歯数をもつ歯車で
あり、第1と第2の歯車を連結する手段は、第3
の歯数と第4の歯数をもつ第3と第4の歯車から
なり、第3と第4の歯車は両方とも、これらと同
軸の第3の共通シヤフトで支持・固定され、第3
の共通シヤフト自体は支持構造で回転可能に支持
されてジヤーナルをなし、第3の歯車は第1の歯
車と係合し、第4の歯車は第2の歯車と係合し、
第1の歯数の第2の歯数に対する比は、第3の歯
数の第4の歯数に対する比に等しい。
この機構の一実施例では、第1と第2のホイー
ル手段は、切込みの数が等しい第1と第2の切込
み溝をもつベルト・プーリであり、第1と第2の
切込み付ベルト・プーリを連結する手段は、第1
と第2の切込み溝の両方に係合し支持される切込
み付ベルトである。
この機構の一実施例では、第1のホイール手段
が、角度付露出装置の基部でアイドル回転するよ
う支持され、ストツパ手段が、第1のホイール手
段に固定されるアイドル・ストツパと、基部に固
定される固定ストツパとからなり、アイドル・ス
トツパが、第1ホイール手段の回転後に固定スト
ツパと接するようにされ、これによつてアイドル
回転が止められる。アイドル・ストツパは、第1
ホイール手段の径方向に対向する2つの角位置で
固定ストツパと接するようにするのが望ましい。
固定ストツパは、基部に固定されるペグとし、そ
の軸を第1シヤフトと平行するか、またはペグ支
持材に固定されるペグとし、その軸を第1シヤフ
トと平行にしてもよい。後者の場合、ペグ支持材
は、ペグと離隔した第1シヤフトと同軸の基部で
回転可能に支持されてジヤーナルをなし、またペ
グ支持材を基部に対して回転させることで、中心
が第1シヤフトと同軸の円弧を描くようペグを移
動させて、基板表面の少なくとも1部分の向きを
調整する手段が備えられる。また、第1シヤフト
と、部材の少なくとも1組との間に摩擦力を生じ
させる手段を設けることもできる。この部材は、
第1ホイール手段、アイドル・ストツパ、および
アイドル・ストツパを第1ホイール手段に固定す
る手段からなり、第1ホイール手段は、第1シヤ
フトによつて基部で支持できる。
本発明による方法は、本発明による機構によつ
て実現するのが望ましく、放射源から放射物に対
して溝の側壁表面を露出させるものであり、この
とき、前記溝の側壁表面が受ける放射物の均一性
が改良されるとともに、放射物の入射方向が前記
溝の側壁表面に対して一定に保たれる。
本発明による方法は、本発明による機構によつ
て実現するのが望ましく、2組の溝の側壁表面
を、密閉容器内の(たとえば真空被覆、イオン・
エツチング、放射線重合などを目的とした)放射
源からの放射物に対して順次に、また個別に露出
させるものである。連続2回の露出の間に基板ま
たは基板ホルダにアクセスしたりこれを操作した
りする必要はなく、基板を放射源に対して再度位
置づけるため容器を外部の雰囲気/条件下に戻す
必要もない。
したがつて本発明により、たとえばエツチング
された半導体ウエハ上の2組のレーザ反射面を
(不動態化や反射率を変えるなどのため)被覆す
ることが可能である。半導体基板を真空被覆用の
容器に取り付けた後、1組の反射面(たとえば前
面の)を同時に、また他の組(たとえば後面の反
射面)とは別に被覆し、次に別の組を被覆でき
る。この間、容器を再度開ける必要がない。基板
ホルダを駆動する手段の回転方向を逆にした後、
基板180°回転させられ、反射面の1組または別の
組が、放射源からの放射物に対して露出される。
E 実施例 第1図で基板1は半導体ウエハであり、複数個
の面2が、たとえばエツチングによつて形成さ
れ、レーザ反射フアセツトなどを構成する。フア
セツト2は互いに平行であり、組2Aのフアセツ
トがすべて1方向を向き、組2Bのフアセツトが
すべて逆方向を向き、2組のフアセツトが対にな
つて向き合う、というように2つの組2A,2B
が形成される。第1図に示すとおり、フアセツト
の組2Aは、たとえば所定の厚みや反射率など所
定特性を有する層をフアセツト2Aに被覆するた
め、放射源4の放射物3に対して露出される。こ
の層を形成するため、放射物3はフアセツト2A
の表面に斜めに衝突し、放射源4と基板1の距離
は、フアセツト2Aがすべて、ほぼ同じ角度、た
とえば45°で放射物3を受ける程度である。
しかし実際には放射物(図では被覆される粒子
の放射流)は、フアセツト2Aの全部が常に一定
の流れを受けるほど均一ではなく、放射源4と表
面2の距離は、フアセツト2Aの全部に対する入
射角が一定になるほど延長することができない。
これらの理由から、基板は、放射物に対して露出
されるその表面に形成される層の均一性を改良で
きるよう移動させなければならない。この動き
は、放射源に対する基板の向きが維持されるとい
う条件を満足しなければならないため、基板の各
位置の入射強度と入射角の変化の平均がとられ、
これにより、フアセツト2Aがすべて常に均等に
露出される。
さらにフアセツトの組2Aが放射源4の放射物
3に露出された後、普通は、露出時間など条件を
変えてから、もう一方の組2Bも放射物3に対し
て露出させるのがよい。たとえば、レーザ反射フ
アセツトを被覆するため真空容器中で露出を行う
際、半導体材料からレーザ・ビームを引き出す
(反射させる)ためには、1組のフアセツト2A
に完全反射層を、もう1組のフアセツト2Bには
部分反射層を形成するのが望ましい場合がある。
この場合、各層は、基板1の向きを変えるなどの
ため真空状態を中断することなく、それぞれ独立
に順次形成するのがよい。他の場合、露出された
表面にイオンを衝突させてエツチングを行なう
か、あるいは表面に形成された層を硬化させたり
放射線によつて重合したりすることを目的として
露出を行える。上記のいずれの場合も、フアセツ
トの組2Bの露出は、フアセツトの組2Aの露出
後に行われる。このような継続的な露出は、それ
ぞれ独立に密閉容器内で一括して行うのがよく、
この際、放射源に対して基板の向きを変えるなど
のため周囲の雰囲気や条件に戻す操作は必要な
い。
第2図は、本発明の方法を実施する装置の原理
を簡略に示したものである。基板1は、基板ホル
ダ5上に位置しこれに支持され、必要なら基板ホ
ルダに固定することもできる。第1図のフアセツ
ト2の長手方向は、基板1の線6で示している。
基板ホルダ5は、第1図の1組のフアセツト(フ
アセツト2Aなど)が一定角度で露出されるよう
放射源4との相対位置に置かれる。したがつてフ
アセツト2Aからなる基板1の表面は、フアセツ
ト2Aに斜めに衝突する放射物に対して連続して
露出される。
第2図の実施例では基板ホルダが水平デイスク
として形成され、これに係合する水平バツフル・
デイスク7の円形開口に、自由に回転できるよう
組み入れられる。ただしバツフル・デイスク7を
使用するかどうかは任意であり、以下に述べる部
材や手段を、放射物に対する不要な露出から保護
するため備えるものである。ここでのバツフル・
デイスク7はあくまで説明の便宜から示したもの
である。また、基板ホルダ5を水平にするのも任
意であり、あくまで説明の便宜から示したもので
ある。
基板ホルダ5には垂直回転軸8が、バツフル・
デイスク7には垂直回転軸9がある。基板1が放
射物3に対して一定角度で露出される際、バツフ
ル・デイスク7は軸9を中心に連続回転する。こ
れにより、基板ホルダ5の軸8は軸9のまわりを
連続移動する。基板1はこの動きに追従し続け、
その中心は軸9のまわりの円形軌道を描き続け
る。その結果、基板1は、一定時間の経過後に
1′と示した位置に達する。
本発明の方法により、基板ホルダ5(およびこ
れに支持される基板1)の動きは、放射源に対す
るその向きが維持されるような運動である。いい
かえれば、マーク線6の方向は常に一定であり、
よつて基板1のマーク線6は、基板1の移動後の
位置1′のマーク線6′と平行である。第2図の例
で、基板1の露出表面2に衝突する放射物に対す
る定角度の露出状態を、基板によつて決定される
座標との関係からみれば、基板ホルダ5とこれに
支持される基板1は、並進運動だけで変位しなが
ら、平面上の円形経路を移動し続ける。以下、こ
のような方法で基板ホルダ5を駆動し変位させる
手段について述べる。
第2図とあわせて述べた実施例はもちろん、放
射源が、軸9からの距離が軸8から軸9までの距
離より長い位置にある場合にも適用できる。いい
かえれば、この実施例は、放射源4をバツフル・
デイスク7の平面に正投影した位置が、軸9を中
心として径方向に基板1に可能な位置1′より外
側にある場合に適用できる(バツフル・デイスク
7よりかなり外側にある場合が望ましい)。
しかし放射源を軸9に近づけたとき、その間の
距離が軸8から軸9までの距離より短い場合で
も、すなわち放射源4をバツフル・デイスク7の
平面に正投影したときの位置が、基板1に可能な
位置1′よりも軸9に近い場合でも、本発明は、
基板ホルダを移動させながら、放射源に対するそ
の向きを維持する方法を示すという点で有効であ
る。このような場合、基板ホルダ5とこれに支持
される基板1は、月が地球のまわりを回るのと同
様に軸9を中心に回転することになる。
本発明により、本発明の方法を実施するよう基
板ホルダを移動させるため改良された機構に、本
発明による駆動機構とストツパ手段を実施した例
を第3図と第4図に示す。第3図は前面の概略
図、第4図は平面の概略図である。基部10は、
たとえば真空被覆、イオン・エツチング、放射線
重合その他同様の工程で、基板が一定角度で露出
されることを考慮して、密閉容器(図示せず)内
でここに述べる改良された機構を支持するもので
ある。第1シヤフト11は、基部10で回転可能
に支持されてジヤーナルをなす。シヤフト11
は、容器の外側(たとえばシヤフト11の一端)
に電動モータなどの駆動手段12を設けてこれに
よつて駆動・回転させることかできる。この場
合、基部10は、容器の壁面の開口に装着されて
シールを加えたフランジをなし、シヤフト11用
の回転シール13を備える。バツフル・デイスク
7は、これと同軸のシヤフト11の内側の端部で
支持され、これによりバツフル・デイスク7の軸
9もシヤフト11の軸に加わる。
たとえば梁のようなほぼ角柱形の支持構造14
は、シヤフト11で支持・固定される。第2のシ
ヤフト15はシヤフト11と平行でこれと離隔し
た位置に置かれ、梁14で回転可能に支持され、
シヤフト15の一端付近でジヤーナルをなす。シ
ヤフト15は、もう一端の近くで、これと同軸に
固定された基板ホルダ5を支持する。これにより
基板ホルダの軸8もシヤフト15の軸に加わる。
シヤフト11に同軸な第1のホイール手段は、
基部10で支持される第1の歯車16である。歯
車16は基部10に直接固定できる。しかし図の
実施例は、たとえば洗浄の際の装着、脱着を容易
にするため、歯車16がシヤフト11で回転でき
るようジヤーナルをなし、基部10に対してスト
ツパ手段によつて固定されることで、歯車16と
基部10との所定の相対角度を維持するものであ
る。図の実施例で、ストツパ手段は、歯車16と
同軸でこれに固定されるデイスク17と、基部1
0に固定されるペグ18と、対応する開口19に
係合するデイスク17とよりなる。デイスク17
を歯車16とともに回転させるため、シヤフト1
1上のデイスク17がアイドル回転できるように
している。これはたとえば、デイスク17がシヤ
フト11から軸方向に離隔しているか、またはシ
ヤフト11でアイドル回転できるようジヤーナル
をなす場合である。
梁14付近に位置する第2のシヤフト15の端
部には、第2のホイール手段があり、これはシヤ
フト15と同軸でこれに支持・固定される第2の
歯車20をなす。したがつて基板ホルダ8と歯車
20は、梁14の中のシヤフト15で支持され、
これとともに回転する。
第3図、第4図の実施例で歯車16,20は歯
数が等しい。
シヤフト11と角速度は等しいが方向が逆の回
転運動をシヤフト15に与えるため、歯車16,
20を連結する手段は、同軸のシヤフト22の一
端付近で支持、固定される第3の歯車21をな
す。シヤフト22は、もう一端の付近では梁14
で回転可能に支持され、軸23を中心にジヤーナ
ルをなす。軸23は軸8,9と同一平面上にあ
り、それらと等間隔の位置にあつて、歯車21は
歯車16,20の両方と係合する。
シヤフト11が基部で回転するとき、歯車16
は、ペグ18がデイスク17の回転を防ぐため、
静止したままである。しかし梁14とこれに支持
される部材はシヤフト11とともに回転する。し
たがつて歯車21は歯車16のまわりの軌道を移
動し、この運動によつて歯車21はその軸23を
中心に回転する。この回転により歯車20が回転
する。歯車21の歯数が歯車16,20と同じか
どうかに関係なく、シヤフト11とシヤフト15
上の歯車20は常に互いに逆方向に、等しい角速
度で回転することは明らかである。したがつて、
シヤフト15はシヤフト11のまわりの軌道を移
動するが、これは並進運動のみであり、よつて空
間内の、特に放射源に対する基板ホルダ5の向き
が維持される。
また、歯車16,20の向き合わせに配置する
必要はなく、第5図のように上下にずらして千鳥
配列とすることもできる。この場合、歯車21
は、それぞれシヤフト22と同軸でこれに支持・
固定される2つの部材21′,21″からなる。実
際には部材21′は、第1の歯車16と係合する
第3の歯車として、部材21″は、第2の歯車2
0と係合する第4の歯車として働く。部材21′,
21″は両方ともこれと同軸の第3の共通シヤフ
ト22で支持・固定され、シヤフト22自体は支
持構造14で回転可能に支持されてジヤーナルを
なす。
歯車16,20をこのように千鳥配列とするこ
との利点は、歯車16,20が互いに第6図のよ
うに重なり合うことで、基板ホルダ5を、第3
図、第4図の場合よりもその軌道の軸9に近づけ
られる点にある。
実施例によつては、歯車21の部材21′,2
1″は歯数を等しくすることができ、これにより
第3図、第4図の単一の歯車21として機能す
る。これに変更を加えたものが第6図である。2
つの部材21′,21″はここで一体化され1つの
歯車21をなし、軸はこの場合でも、歯車16,
20の両方と正しく係合する長さである。
歯車16,20をこのような千鳥配列にする利
点は、歯車16,20の歯数を変えられる点にも
ある。この実施例で、シヤフト15に、シヤフト
11の回転と角速度が等しく方向が逆の回転を与
えるため、部材21′(第3の歯車として働く)
と部材21″(第4の歯車として働く)の歯数を
変えて第3の歯数、第4の歯数を設定する。すな
わち、第1の歯数(歯車16の歯数)の第2の歯
数(歯車20の歯数)に対する比を、第3の歯数
(部材21′の歯数)の第4の歯数(部材21″の
歯数)に対する比と等しくする。
上記の実施例と同等の他の実施例で、各歯車と
その係合を、摩擦係合する摩擦ホイールに置き換
えることもできる。したがつて、たとえば第1と
第2のホイール手段を、直径が等しい摩擦ホイー
ルとすることができる。この場合、第1と第2の
摩擦ホイールを連結する手段は、同軸の第3のシ
ヤフトで支持・固定される第3の摩擦ホイールで
ある。第3のシヤフト自体は支持構造で回転可能
に支持されてジヤーナルをなす。第3の摩擦ホイ
ールは、第1と第2の摩擦ホイールと摩擦係合す
る。これに代えて、第1と第2のホイール手段
を、第1と第2の直径を有する摩擦ホイールとす
ることもできる。この場合、第1と第2の摩擦ホ
イールを連結する手段は、第3と第4の直径を有
する第3と第4の摩擦ホイールからなり、第3と
第4の摩擦ホイールは両方とも、同軸の第3のシ
ヤフトで支持・固定される。第3のシヤフト自体
は支持構造で回転可能に支持されてジヤーナルを
なし、第3の摩擦ホイールは第1の歯車と、第4
の摩擦ホイールは第2の歯車と係合し、第1の直
径の第2の直径に対する比は、第3の直径の第4
の直径に対する比に等しい。
第7図に概略を示した実施例で、第1と第2の
ホイール手段は、切込み溝26,27を持つベル
ト・プーリ24,25である。切込み付ベルト・
プーリ24,25を連結する手段は、切込み溝2
6,27に係合するベルト・プーリ24,25で
支持される切込み付ベルト28である。シヤフト
15に、シヤフト11の回転と各速度が同じで方
向が逆の回転を与えるには、電動比を1:1に、
すなわち切込み溝26,27の切込み数を同じに
しなければならない。
第8図、第9図に示したストツパ手段の実施例
と組み合わせると、第1ホイール手段は(たとえ
ば歯車16)、基部10でアイドル回転できるよ
う支持される。ストツパ手段はアイドル・ストツ
パと固定ストツパからなる。アイドル・ストツパ
は、第3図、第4図の実施例の歯車16に固定さ
れるデイスク17と同様な構成で歯車16に固定
されるカム・デイスク29である。固定ストツパ
は、基部10に固定されるペグ30であり、たと
えばその軸をシヤフト11の軸9に平行にした円
柱形のペグである。カム・デイスク29は、これ
が回転すると、カム・ランプ29′,29″がペグ
30に接するようになつており、これによつてア
イドル回転が2箇所の接触位置の間に限られる。
これら2箇所の接触位置は、カム・デイスク29
の径方向に対向する2つの角位置、したがつて歯
車16のその位置にも対応する。
2つの接触位置の間では、カム・デイスク29
はシヤフト11の回転に伴つて回転するようにす
る。このため、歯車16、カム・デイスク29、
カム・デイスク29を歯車16に固定する手段
(図示なし)からなる部材をまとめてシヤフト1
1によつて基部10で支持することができる。こ
の場合、この部材のグループのアイドル回転用の
ジヤーナルに残る摩擦により、所要の付随回転が
得られる。第8図の実施例では、カラー31が歯
車16に固定され、これと同軸のシヤフト11が
密閉され、その間の摩擦が制御される。これはも
ちろん、たとえば板ばねを歯車16に固定し、シ
ヤフト11と摩擦係合する構造とした摩擦手段と
して用いることに等しく、また、前記板ばねをカ
ム・デイスク29またはカム・デイスクを歯車1
6に固定する手段(図示なし)に固定することに
も等しい。
シヤフト11が1方向に回転するとき、カム・
デイスク29はこの回転に追随し、この状態はカ
ム・デイスクが接触位置に達するまで続くことは
明らかである。カム・デイスク29がこのように
回転する際、シヤフト15はその軸8を中心に回
転しない。これは梁14と歯車16間に相対運動
が生じないからである。したがつて基板ホルダ5
はシヤフト11と同じ角度で回転し、この状態は
カム・デイスク29が接触位置に達するまで続
く。これは、シヤフト11の他の回転方向につい
ても同様である。したがつて、シヤフト11が1
方向から他の方向へ180°以上回転するとすれば、
シヤフト11の回転感度を変えることにより、基
板ホルダ5の向きは180°変化する。この特性によ
り、本発明によつて改良される機構は、半導体ウ
エハ上に形成された複数個のフアセツトからな
り、2組のフアセツトが互いに平行に向き合うレ
ーザ反射フアセツトを、順次に、また個別に放射
源からの放射物に対して露出させることができ
る。
この実施例に変更を加えたものを第10図に示
した。ここでの固定ストツパも、たとえば円筒形
のペグなどのペグ30として形成される。ただ
し、このペグはペグ支持材に固定される。このペ
グ支持材は、たとえばペグ担持デイスク32であ
り、デイスク32自体は基部10で回転可能に支
持され、シヤフト11と同軸のジヤーナルをな
す。ペグ30は、ペグ担持デイスク32の軸がシ
ヤフト11の軸9と平行でこれと離隔するよう組
み込まれる。ペグ担持デイスク32を基部10に
対して回転させ、ペグ30をシヤフト11の軸9
と中心が同軸の円弧を描くように移動させるた
め、たとえばレバー33の形の調節手段が設けら
れる。もちろんこの調節手段は、たとえば基部1
0を介して機械的に、または基部10に位置する
モータによつて電気的に遠隔操作することができ
る。この特性により、基板ホルダ5を上述のよう
に180°回転させることのほか、その向きを任意の
方向に調節することが可能になる。
F 発明の効果 本発明により、基板表面の少なくも1部分を放
射源からの放射物に一定角度で露出させ、所定特
性を有する層を前記表面部分に形成する改良され
た方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の方法による、放射物に対し
て露出させるフアセツトを持つた半導体ウエハの
概略図である。第2図は、第1図の半導体ウエハ
などの基板の表面に対して本発明の方法を実施す
る装置の原理を示す概略図である。第3図は、本
発明の方法を実施するよう基板ホルダを移動させ
る機構の中の本発明による駆動機構とストツパ手
段の前面概略図である。第4図は、第3図の駆動
機構とストツパ手段の平面概略図である。第5図
は、駆動機構の一実施例を示す前面概略図であ
る。第6図は、第5図の駆動機構を変更した平面
概略図である。第7図は、駆動機構の一実施例を
示す前面概略図である。第8図は、第3図の駆動
機構にストツパ手段の一実施例を組み合わせた前
面概略図である。第9図は、第8図のストツパ手
段の平面概略図である。第10図は、第8図のス
トツパ手段の実施例に変更を加えて第3図の駆動
機構と組み合わせた前面概略図である。 14……梁、11,15,22……シヤフト、
16,20,21……歯車、17……デイスク、
18……ペグ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 互いに平行に形成された側壁より成る溝を有
    する基板1における前記溝の側壁表面2を、放射
    源4から前記溝の側壁表面2に斜めに衝突する放
    射物3に対して一定角度で露出させることによ
    り、前記溝の側壁表面2上に所定の特性を有する
    層を形成する方法において、 基板1を支持する基板ホルダ5をこれに支持さ
    れる基板1とともに移動させながら前記一定角度
    の露出を行うことによつて、前記層の特性の均一
    性を改良する方法であつて、 前記基板ホルダ5を移動させつつ、前記放射源
    4に対する前記溝の側壁表面2の傾斜角を維持す
    ることを特徴とする方法。 2 互いに平行に形成された側壁より成る溝を有
    する基板1における前記溝の側壁表面2を、放射
    源4から前記溝の側壁表面2に斜めに衝突する放
    射物3に対して一定角度で露出させることによ
    り、前記溝の側壁表面2上に所定の特性を有する
    層を形成する装置において、 基板ホルダ5を移動させることで、前記表面部
    分2が受ける放射物3の均一性を改良する機構で
    あつて、 平面上の閉じた経路を連続して辿り、前記溝の
    側壁表面2が放射物3に対して一定角度を維持す
    るように、基板ホルダ5上の基板1の溝を一定方
    位に維持して基板を移動させるための手段を具備
    する機構。
JP1240900A 1988-10-03 1989-09-19 溝の側壁に層を形成する方法及びそのための機構 Granted JPH02122074A (ja)

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