JPS62116764A - 工作物表面へのフイルム折出方法と装置 - Google Patents

工作物表面へのフイルム折出方法と装置

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JPS62116764A
JPS62116764A JP61221775A JP22177586A JPS62116764A JP S62116764 A JPS62116764 A JP S62116764A JP 61221775 A JP61221775 A JP 61221775A JP 22177586 A JP22177586 A JP 22177586A JP S62116764 A JPS62116764 A JP S62116764A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ca業上の利用分野) この発明は半導体ウェファ−などの工作物表面へのフィ
ルム析出方法と装置に関するものである。
(従来技術) 一般にフィルムを表面に析出するに当たっては3つの問
題がある。第1はフィルム厚さの均一性であり、第2は
表面上の粗さに対したの被覆効果であり、第3はフィル
ムの形状制御である。アダトムが成長中のフィルムの表
面に到達すると、必ずしも最初の投射点に留まる訳でな
くフィルムの性質、表面の413造、成長中のフィルム
の温度、没at角度などの如河に応じて相当の距離に互
って拡散する。
瀧れた位置から析出を行なうと目標の形状、表面の状況
および析出距離などにより投射角度にバラツキがでる。
従来の場合には多くは目標の形状が一定しており、最も
典型的には傾斜角が30度位の円錐状であった。このよ
うな場合には析出された材料の分散は一定していた。上
記のような析出においては成長中のフィルムに自己シャ
ドー効果が発生するために析出が理想的に行なわれない
従来かかる自己シャドーを除くには熱とバイアスを掛け
てアダトムの活性を挙げることが行なわれている。しか
し満足できる被覆を得るには加熱時間を長くする必要が
あった。しかもこのような方法によると被覆の問題は解
決されるにしても、粒度が大きくなりしかも変動すると
いう欠点があった。これは半導体クエファーなどの場合
大きな問題である (発明の要旨) この発明は上記の様な諸問題を全て解決することにある
この発明の方法によれば、処理室内に放射面を具えた析
出物源を設け、この析出物源から列間して処理室内にフ
ィルム収受面を具えた工作物を架設し、析出物源を励起
して放射面からフィルム形成材料を散布せしめ、この間
析出物源に対して工作物を回転せしめるに際して、放射
面とフィルム収受面とを10〜45度の範囲にある角度
(a)をなすそれぞれの垂直面内に保ち、更に析出物源
の放射面に直交する仮想線と架設状態の工作物のフィル
ム収受面に直交する仮想線との間に上記の角度が画定さ
れている。
この発明の装置によれば、処理室を画定する手段と、こ
の処理室内の第1の位置に設けられてかつ放射面を具え
た析出物源と、この放射面からフィルム形成材料を散布
させる散布手段と、フィルム収受面を具えた工作物を析
出物源に対して回転可能に処理室内の第2の位置に架設
する手段とを有してなり、放射面とフィルム収受面とが
10〜45度の範囲の角度(a)をなすそれぞれの垂直
面内に配置され、かつ析出物源の放射面に直交する仮想
線架設状態の工作物のフィルム収受面に直交する仮想線
の間に上記の角度が画定されているものである。
(実施態様) 第1図においてこの発明の析出装置10番士ケース12
を有しており、このケース12は析出物源14とこの析
出物源14に高圧を印加するための電源16を具えてい
る。半導体ウェファ−などの一般に円形の工作物18は
駆動手段24に連結された中心軸22に架設されており
、この中心軸22と工作物18は析出物源14に対して
回転できるようになっている。析出物源14を横切フて
電圧が印加されると、駆動手段24が励起されて中心@
A22について工作物18を回転し、工作物18の露出
表面上に材料フィルムの析出が均一に行なわれる。
第2図にはいかにじて工作物中の凹部36中の表面30
.32および34に材料の層26が均一に形成されるか
を示している。第1図に示すような相対角度で析出物源
14と工作物18とを配置しかつ少なくとも析出物源1
4と工作物18とを相対回転させることにより、従来技
術における自己シャドー効果が減少し、第2図に示すよ
うに殆ど無視できるくらいになる。ここで角度aは工作
物18のフィルム収受面28に直交する仮想線40と析
出物源14(一般に平な散布源)の放射面15に直交す
る仮想線46との間の角度である。工作物18に結合さ
れた駆動手段24はケース12に固定された支持台45
の上面に架設された1対のトラック44にも結合されて
いる。これにより工作物18とffi勅手段24とは仮
想線4゜の方向に沿って析出物源14に対して接近離間
できる。駆動手段24に取付けられたリードネジ46が
、ケース12に固定された可逆駆動源47が励起される
と、駆動手段24と工作物!8とを運動させる。支持台
45は駆動手段52に連結された+M48に結合された
側壁49を有しており、この軸48が第4図に示す矢5
4の方向に駆動手段24を前後動させかつ回転させる。
これに伴なって工作物18は垂直面内のアークに沿って
往復する。このアーク運動によりフィルムの工作物上へ
の析出がより効率的かつ均一となる。運転に当たっては
、工作物18は釉22に架設され、析出物@14は第1
.4図に示すようにケース12内に配置される。析出物
源14に対して工作物18を適宜回転することにより、
第3図に示すようにフィルム上に工作物が析出される。
必要ならこの回転と同時に駆動手段52に駆動されて駆
動手段24が軸48の中心について回転される。更にこ
の析出作用中にリードネジ46を回転させる駆動#47
により工作物1Bを析出物#14に対して接近離間させ
る。リードネジに代えて適宜なピニオンラック1ilt
 4Mを用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の装置を示す概略平面図、第2図はこ
の発明によフた場合のフィルム析出状態を示す断面側面
図、第3図は従来技術によった場合のフィルム析出状態
を示す断面側面図、第4図は第1図の装置の側面図であ
る。 10・・・析出装置      14・・・析出物源1
8・・・工作物       24・・・駆動手段28
・・・フィルム収受面   47・・・駆動源52・・
・駆動手段 特許出願代理人 弁理士 菅原一部 FIG、 I

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 [1]処理室内に放射面を具えた析出物源を設け、この
    析出物源から離間して処理室内にフィルム収受面を具え
    た工作物を架設し、析出物源を励起して放射面からフィ
    ルム形成材料を散布せしめ、この間析出物源に対して工
    作物を回転せしめるに際して、 放射面(15)とフィルム収受面(28)とを10〜4
    5度の範囲にある角度(a)をなすそれぞれの垂直面内
    に保ち、更に 析出物源の放射面に直交する仮想線(46)と架設状態
    の工作物のフィルム収受面に直交する仮想線(40)と
    の間に上記の角度が画定されている 如き工作物表面へのフィルム析出方法。 [2]前記の角度(a)がほぼ30度である如き特許請
    求の範囲第[1]項記載の方法。 [3]析出物源を静止させてる間工作物を回転させる 如き特許請求の範囲第[1]または[2]項記載の方法
    。 [4]更に工作物と析出物源間の距離を調節する如き特
    許請求の範囲第[1]〜[3]のいずれかの項記載の方
    法。 [5]工作物を析出に対して回転させながら両者間の距
    離を調節する 如き特許請求の範囲第[1]〜[4]のいずれかの項記
    載の方法。 [6]工作物を析出物源に対して第1の軸(22)につ
    いて回転させ、かつ この第1の軸に対して垂直な第2の軸(48)について
    も工作物を回転させる 如き特許請求の範囲第[1]〜[5]のいずれかの項記
    載の方法。 [7]工作物を第2の軸(48)について回転させなが
    ら、同軸について前後動させる 如き特許請求の範囲第[6]項記載の方法。 [8]工作物のフィルム収受面(28〜34)が平坦で
    ない 如き特許請求の範囲第[1]〜[7]のいずれかの項記
    載の方法。 [9]前記の平坦でない面(28〜34)をフィルム形
    成材料層(26)で被覆する 如き特許請求の範囲第[8]項記載の方法。 [10]処理室を画定する手段と、この処理室内の第1
    の位置に設けられてかつ放射面を具えた析出物源と、こ
    の放射面からフィルム形成材料を散布させる散布手段と
    、フィルム収受面を具えた工作物を析出物源に対して回
    転可能に処理室内の第2の位置に架設する手段とを有し
    てなり、 放射面(15)とフィルム収受面(28)とが10〜4
    5度の範囲の角度(a)をなすそれぞれの垂直面内に配
    置され、かつ 析出物源の放射面に直交する仮想線(46)と架設状態
    の工作物のフィルム収受面に直交する仮想線(40)と
    の間に上記の角度が画定されている 如き工作物表面へのフィルム析出装置。 [11]上記の角度(a)がほぼ30度である如き特許
    請求の範囲第[10]項記載の装置。 [12]前記の架設手段が所定の経路に沿って工作物を
    析出に対して接近離間させる手段(46、47)を有し
    ている 如き特許請求の範囲第[10]または[11]項記載の
    装置。 [13]前記の経路が直線状である 如き特許請求の範囲第[12]項記載の装置。 [14]前記の架設手段が工作物を第2の位置に回転可
    能に架設する第1の軸(22)とこれに連結された駆動
    手段(24)とを有している 如き特許請求の範囲第[10]〜[13]のいずれかの
    項記載の装置。 [15]前記の架設手段が第1の駆動手段(24)に連
    結されてかつ第1の軸に対して直交する第2の軸(48
    )とこれに連結された第2の駆動手段(42)とを有し
    ている 如き特許請求の範囲第[14]項記載の装置。
JP61221775A 1985-09-24 1986-09-19 工作物表面へのフイルム折出方法と装置 Granted JPS62116764A (ja)

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US06/779,537 US4664935A (en) 1985-09-24 1985-09-24 Thin film deposition apparatus and method
US779537 1985-09-24

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JPS62116764A true JPS62116764A (ja) 1987-05-28
JPH031378B2 JPH031378B2 (ja) 1991-01-10

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AT (1) ATE54339T1 (ja)
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DE (1) DE3672427D1 (ja)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5633081A (en) * 1986-03-24 1997-05-27 Ensci Inc. Coated porous substrates
US5264012A (en) * 1986-03-24 1993-11-23 Ensci Inc. Gas separation process
US5549990A (en) * 1986-03-24 1996-08-27 Ensci Inc Battery element containing porous particles
US5316846A (en) * 1986-03-24 1994-05-31 Ensci, Inc. Coated substrates
US5271858A (en) * 1986-03-24 1993-12-21 Ensci Inc. Field dependent fluids containing electrically conductive tin oxide coated materials
US5204140A (en) * 1986-03-24 1993-04-20 Ensci, Inc. Process for coating a substrate with tin oxide
US5603983A (en) * 1986-03-24 1997-02-18 Ensci Inc Process for the production of conductive and magnetic transitin metal oxide coated three dimensional substrates
US4787125A (en) * 1986-03-24 1988-11-29 Ensci, Inc. Battery element and battery incorporating doped tin oxide coated substrate
US5326633A (en) * 1986-03-24 1994-07-05 Ensci, Inc. Coated substrates
US5601945A (en) * 1986-03-24 1997-02-11 Ensci Inc. Battery element containing porous substrates
US5705265A (en) * 1986-03-24 1998-01-06 Emsci Inc. Coated substrates useful as catalysts
US5167820A (en) * 1986-03-24 1992-12-01 Ensci, Inc. Porous membranes and methods for using same
US4756810A (en) * 1986-12-04 1988-07-12 Machine Technology, Inc. Deposition and planarizing methods and apparatus
US4944961A (en) * 1988-08-05 1990-07-31 Rensselaer Polytechnic Institute Deposition of metals on stepped surfaces
JPH02178630A (ja) * 1988-12-29 1990-07-11 Sharp Corp ポリイミド薄膜の製法及びその装置
KR0170391B1 (ko) * 1989-06-16 1999-03-30 다카시마 히로시 피처리체 처리장치 및 처리방법
US5114556A (en) * 1989-12-27 1992-05-19 Machine Technology, Inc. Deposition apparatus and method for enhancing step coverage and planarization on semiconductor wafers
US5334302A (en) * 1991-11-15 1994-08-02 Tokyo Electron Limited Magnetron sputtering apparatus and sputtering gun for use in the same
US5472592A (en) * 1994-07-19 1995-12-05 American Plating Systems Electrolytic plating apparatus and method
JPH08239765A (ja) * 1995-02-28 1996-09-17 Hitachi Ltd マルチチャンバースパッタリング装置
JPH10116964A (ja) * 1996-10-09 1998-05-06 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置とその製造方法およびスパッタリング装置
JPH10147864A (ja) 1996-11-20 1998-06-02 Nec Corp 薄膜形成方法及びスパッタ装置
DE19701419A1 (de) * 1997-01-17 1998-07-23 Geesthacht Gkss Forschung Substrathaltereinrichtung
EP0860513A3 (en) * 1997-02-19 2000-01-12 Canon Kabushiki Kaisha Thin film forming apparatus and process for forming thin film using same
US7744735B2 (en) * 2001-05-04 2010-06-29 Tokyo Electron Limited Ionized PVD with sequential deposition and etching
US6755945B2 (en) * 2001-05-04 2004-06-29 Tokyo Electron Limited Ionized PVD with sequential deposition and etching
JP4474109B2 (ja) * 2003-03-10 2010-06-02 キヤノン株式会社 スパッタ装置
US7879201B2 (en) * 2003-08-11 2011-02-01 Veeco Instruments Inc. Method and apparatus for surface processing of a substrate
US9206500B2 (en) * 2003-08-11 2015-12-08 Boris Druz Method and apparatus for surface processing of a substrate using an energetic particle beam
US20050056535A1 (en) * 2003-09-15 2005-03-17 Makoto Nagashima Apparatus for low temperature semiconductor fabrication
US6962648B2 (en) * 2003-09-15 2005-11-08 Global Silicon Net Corp. Back-biased face target sputtering
US20060249370A1 (en) * 2003-09-15 2006-11-09 Makoto Nagashima Back-biased face target sputtering based liquid crystal display device
US20060231384A1 (en) * 2005-04-13 2006-10-19 Makoto Nagashima Back-biased face target sputtering
US20060081466A1 (en) * 2004-10-15 2006-04-20 Makoto Nagashima High uniformity 1-D multiple magnet magnetron source
US20060081467A1 (en) * 2004-10-15 2006-04-20 Makoto Nagashima Systems and methods for magnetron deposition
JP4583868B2 (ja) * 2004-10-15 2010-11-17 株式会社昭和真空 スパッタ装置
US7425504B2 (en) * 2004-10-15 2008-09-16 4D-S Pty Ltd. Systems and methods for plasma etching
DE102005035904B4 (de) * 2005-07-28 2012-01-12 Leybold Optics Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
US20070084716A1 (en) * 2005-10-16 2007-04-19 Makoto Nagashima Back-biased face target sputtering based high density non-volatile data storage
US20070084717A1 (en) * 2005-10-16 2007-04-19 Makoto Nagashima Back-biased face target sputtering based high density non-volatile caching data storage
US20070131538A1 (en) * 2005-12-13 2007-06-14 Makoto Nagashima Systems and methods for back-biased face target sputtering
US20070205096A1 (en) * 2006-03-06 2007-09-06 Makoto Nagashima Magnetron based wafer processing
US8395199B2 (en) * 2006-03-25 2013-03-12 4D-S Pty Ltd. Systems and methods for fabricating self-aligned memory cell
US20080011603A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 Makoto Nagashima Ultra high vacuum deposition of PCMO material
US7932548B2 (en) * 2006-07-14 2011-04-26 4D-S Pty Ltd. Systems and methods for fabricating self-aligned memory cell
US8454810B2 (en) * 2006-07-14 2013-06-04 4D-S Pty Ltd. Dual hexagonal shaped plasma source
US8308915B2 (en) 2006-09-14 2012-11-13 4D-S Pty Ltd. Systems and methods for magnetron deposition
TW201236809A (en) * 2011-03-01 2012-09-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Coating device
JP5815743B2 (ja) * 2011-12-28 2015-11-17 キヤノンアネルバ株式会社 真空処理装置
CN105119457B (zh) * 2015-08-12 2018-01-02 杨斌堂 阵列式平板运动系统
US20190189465A1 (en) * 2017-12-18 2019-06-20 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for physical vapor deposition
WO2019177861A1 (en) 2018-03-10 2019-09-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for asymmetric selective physical vapor deposition
US20200135464A1 (en) * 2018-10-30 2020-04-30 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for patterning substrates using asymmetric physical vapor deposition

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3276902A (en) * 1963-10-01 1966-10-04 Itt Method of vapor deposition employing an electron beam
US3391022A (en) * 1965-05-25 1968-07-02 Sony Corp Photoconductive layer and method of making the same
US3464907A (en) * 1967-02-23 1969-09-02 Victory Eng Corp Triode sputtering apparatus and method using synchronized pulsating current
US3573960A (en) * 1968-12-19 1971-04-06 Bell Telephone Labor Inc Torsional mode elastic wave transducers
US3752691A (en) * 1971-06-29 1973-08-14 Xerox Corp Method of vacuum evaporation
DE2412729C3 (de) * 1974-03-16 1982-04-29 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren und Anordnung zur Regelung der Verdampfungsrate und des Schichtaufbaus bei der Erzeugung optisch wirksamer Dünnschichten
CH626654A5 (en) * 1977-03-17 1981-11-30 Balzers Hochvakuum Vacuum vapour deposition system
US4281030A (en) * 1980-05-12 1981-07-28 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Implantation of vaporized material on melted substrates
JPS59172174A (ja) * 1983-03-18 1984-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd デイジタル信号記録再生デイスクの製造方法
JPS59172173A (ja) * 1983-03-18 1984-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd ディジタル信号記録再生ディスクの製造方法
US4599135A (en) * 1983-09-30 1986-07-08 Hitachi, Ltd. Thin film deposition

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