JPS6270568A - スパツタ方法 - Google Patents

スパツタ方法

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JPS6270568A
JPS6270568A JP21001685A JP21001685A JPS6270568A JP S6270568 A JPS6270568 A JP S6270568A JP 21001685 A JP21001685 A JP 21001685A JP 21001685 A JP21001685 A JP 21001685A JP S6270568 A JPS6270568 A JP S6270568A
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JP
Japan
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film forming
target
wafer
forming surface
film
Prior art date
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Application number
JP21001685A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6352109B2 (ja
Inventor
Motohiko Kikkai
元彦 吉開
Yoshifumi Ogawa
芳文 小川
Hiroshi Yamada
浩 山田
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Hitachi Ltd
Hitachi Plant Technologies Ltd
Original Assignee
Hitachi Techno Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6352109B2 publication Critical patent/JPS6352109B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、スパッタ方法４こ関するものである。
〔発明の背景〕
ターゲットをスパッタし、これによりターゲットから放
出されるスパッタ粒子を試料の被膜形成面に被着させて
成膜するスパッタ方法としては、例えば、特開昭５８−
３１０８２号公報に記載のような、ターゲットに対して
試料の被膜形成面を傾斜させるようにしたものが知られ
ている。
しかし、この方法では、試料の被膜形成面内の任意の点
暖こおいてターゲットと試料の被膜形成面内の任意の点
においてターゲットと試料の被膜形成面との間の距離が
異なるため、試料の被膜形成面内での膜厚分布が不均一
となり、また、一定方向の試料の被膜形成面段差暑こ対
してのみステップカバレージが良くなるといった問題が
ある。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、試料の被膜形成面内での膜厚分布を均
一化できると共に、各方向の試料の被膜形成面段差に対
してステップカバレージを向上できるスパッタ方法を提
供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、ターゲットに対する試料の被膜形成面の傾斜
角を、一定の成膜時間内における朋記ターゲットと餌記
試料の被膜形成面との間の距離の平均値を一定値に維持
して周期的に変化させることで、試料の被膜形成面内で
の膜厚分布を均一化すると共−二、各方向の試料の被膜
形成面段差に対してステップカバレージを向上させよう
とするものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第１図〜第３図により説明す
る。
第１図において、ターゲット８とターゲットに対向する
試料ホルダ１に固定ツメ３で、試料、例えば、半導体素
子基板（以下、ウェハと略）２を固定して、試料ホルダ
１の裏面にボールベアリング５によって、試料ホルダ１
と軸６を連結して可変とすると共に、回転台７に取り付
けた複数個のボールベアリング４を試料ホルダ１に接触
させながら、回転台７を回転させることによって、第１
図におけるウェハ２の被膜形成面とターゲット８の傾斜
角θは、ウェハ２の被膜形成面内の任意の点において第
２図に示す如く周期的に変化する。
また、第１図におけるウェハ２の被膜形成面内の任意の
点に対応するウェハ２とターゲット８との間の距１１１
ｉＤの平均値は、第３図に示す如鳴一定の成膜時間を内
において一定値に維持される。
本実施例によれば、ウェハの被膜形成面内の任意の点に
おいて一定の成膜時間内にターゲットとウェハとの間の
距離の平均値を一定値に維持しながら、ターゲットに対
するウェハの被膜形成面の傾斜角を一定の周期で変化さ
せながらスパッタすることによって、段差のあるウェハ
に対してステップカバレージを向上させることができる
と共に膜厚分布を均一化できる。
〔発明の効果〕
本発明は、以上説明したように、試料の被膜形成面内で
の膜厚分布を均一化できると共に、各方向の試料の被膜
形成面段差に対してステップカバレージを向上できるス
パッタ方法を提供できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
′！５１図は、本発明を実施したスパッタ装置の一例を
示す要部正面図、第２因は、第１図に示す装置での傾斜
角θと成膜時間ｔとの関係模式図、第３図は、同じ（距
離りと成膜時間ｔとの関係模式ｌ・・・・・・試料ホル
ダ、２・・・・・・ウェハ、３・・・・・・固定ツメ、
４・・・・・・ボールベアリング、５・・・・・・ポー
ルジツイント、６・・・・・・軸、７・・・・・・回転
台、８・・・・・・ターゲット オｌ凶

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、ターゲットに対する試料の被膜形成面の傾斜角を、
    一定の成膜時間内における前記ターゲットと前記試料の
    被膜形成面との間の距離の平均値を一定値に維持して周
    期的に変化させることを特徴とするスパッタ方法。
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