JPS6260864A - スパツタリングタ−ゲツト - Google Patents
スパツタリングタ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS6260864A JPS6260864A JP19949185A JP19949185A JPS6260864A JP S6260864 A JPS6260864 A JP S6260864A JP 19949185 A JP19949185 A JP 19949185A JP 19949185 A JP19949185 A JP 19949185A JP S6260864 A JPS6260864 A JP S6260864A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering
- silicon
- composite target
- composite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はスパッタリングターゲット、特に複数のターゲ
ット材を組み合わせて構成した複合ターゲット材を用い
たスパッタリングターゲットに関するものである。
ット材を組み合わせて構成した複合ターゲット材を用い
たスパッタリングターゲットに関するものである。
かかる複合ターゲットは例えば超ＬＳＩのゲート電極配
線電極として使用される高融点金属シリサイド膜の形成
に好適である。
線電極として使用される高融点金属シリサイド膜の形成
に好適である。
従来一般に知られている高融点金属シリサイド膜の形成
技術には、 （１） シリコンターゲットと高融点金属ターゲット
を同時にスパッタリングするＣｏ−Ｓｐｕ ｔ ｔｅｒ
ｉｎｇ法 （２）電子ビーム蒸着により同時に蒸着するＣｏ −ｅ
ｖａｐｏｒａｔｉｏｎ法 （３）ＣＶＤ法 などがある。しかしこれらの形成方法はシリコンと高融
点金属との組成比を変えることは可能であるが、安定し
た組成比の制御は困難である。
技術には、 （１） シリコンターゲットと高融点金属ターゲット
を同時にスパッタリングするＣｏ−Ｓｐｕ ｔ ｔｅｒ
ｉｎｇ法 （２）電子ビーム蒸着により同時に蒸着するＣｏ −ｅ
ｖａｐｏｒａｔｉｏｎ法 （３）ＣＶＤ法 などがある。しかしこれらの形成方法はシリコンと高融
点金属との組成比を変えることは可能であるが、安定し
た組成比の制御は困難である。
そこで、最近ではシリコンと高融点金属を適当に分割し
て組合せ、かつこれらを機械的に一体化することにより
形成された複合ターゲットが用いられるようになってき
た。
て組合せ、かつこれらを機械的に一体化することにより
形成された複合ターゲットが用いられるようになってき
た。
ここで、一般的な複合ターゲットを用いたスパッタリン
グターゲットの例を第３図〜第７図に示す。
グターゲットの例を第３図〜第７図に示す。
第３図に示すように、複合ターゲット１は複数のシリコ
ン片（以下、シリコンビームという。）２と高融点金属
片（以下高融点金属ビームという。）３とがモザイク状
に寄せ集めこれで円板状に一体化させている。シリコン
ビーム２および高融点金属ビーム３は第４図に示すよう
にそれぞれ断面扇状に形成されている。かくして構成さ
れた複合ターゲット１は第５図に示す内周押えリング４
と外周押えリング５により基板である銅製バッキングプ
レート６上に機械的に固定される。（第６図参照）固定
方法はネジ止めが一般的である。より詳細には第７図に
第６図の従断面図を示す。
ン片（以下、シリコンビームという。）２と高融点金属
片（以下高融点金属ビームという。）３とがモザイク状
に寄せ集めこれで円板状に一体化させている。シリコン
ビーム２および高融点金属ビーム３は第４図に示すよう
にそれぞれ断面扇状に形成されている。かくして構成さ
れた複合ターゲット１は第５図に示す内周押えリング４
と外周押えリング５により基板である銅製バッキングプ
レート６上に機械的に固定される。（第６図参照）固定
方法はネジ止めが一般的である。より詳細には第７図に
第６図の従断面図を示す。
以上のように構成された複合ターゲットによるターゲッ
トはシリコンビーム２と高融点金属ビーム３の組み合せ
を変えることにより、形成された膜の組成比を自由に変
えることが出来るという利点を有す−る。しかしながら
、かかるターゲットにおいては、使用期間の経過ととも
に第２図（至）のように組成比がシリコンリッチになっ
てくるという問題がある。このことは安定した組成比が
失なわれ、超ＬＳＩの製品の品質に大きな影響を与える
ことになる。
トはシリコンビーム２と高融点金属ビーム３の組み合せ
を変えることにより、形成された膜の組成比を自由に変
えることが出来るという利点を有す−る。しかしながら
、かかるターゲットにおいては、使用期間の経過ととも
に第２図（至）のように組成比がシリコンリッチになっ
てくるという問題がある。このことは安定した組成比が
失なわれ、超ＬＳＩの製品の品質に大きな影響を与える
ことになる。
そこで、本発明は長期間にわたり安定した組成比を得る
ことができるスパッタリングターゲットを提供すること
を目的とする。
ことができるスパッタリングターゲットを提供すること
を目的とする。
上記目的を達成するために本発明によるスパッタリング
ターゲットは複合ターゲット材の深さ方向への比を変え
ることにより、組成比の経時変化、面内での均−性等を
制御出来る点を特徴としたものである。
ターゲットは複合ターゲット材の深さ方向への比を変え
ることにより、組成比の経時変化、面内での均−性等を
制御出来る点を特徴としたものである。
本発明によれば、シリコンと高融点金属のターゲット片
の厚さ方向への比を変えることにより、安定した組成比
のスパッタ膜を形成することが出第１図（ａ）は、本発
明によるスパッタリングターゲット斜視図、（ｂ）はそ
のＡ−Ａ’断面図を示したものである。第６図における
一組のビームを示している。上記原因としては、第２図
◎を克てもわかる様に、スパッタリング回数が多くなる
と、シリコンリッチになっていく為である。
の厚さ方向への比を変えることにより、安定した組成比
のスパッタ膜を形成することが出第１図（ａ）は、本発
明によるスパッタリングターゲット斜視図、（ｂ）はそ
のＡ−Ａ’断面図を示したものである。第６図における
一組のビームを示している。上記原因としては、第２図
◎を克てもわかる様に、スパッタリング回数が多くなる
と、シリコンリッチになっていく為である。
この原因としては、ターゲットの目減りによりターゲッ
ト１ｇ圧がｍｈ間距離の増大に従って減少し、スパッタ
率の大きいシリコンの飛来率が増える等が考えられる。
ト１ｇ圧がｍｈ間距離の増大に従って減少し、スパッタ
率の大きいシリコンの飛来率が増える等が考えられる。
シリコンビーム２との比を変える事により、組成比の経
時変化を第２図囚の様に安定させることが出来る。
時変化を第２図囚の様に安定させることが出来る。
以上の実施例では、高融点金属ビーム３は１シさ方向に
対し広がっているが、両辺が広がっていても一方の辺が
よい。
対し広がっているが、両辺が広がっていても一方の辺が
よい。
又、深さ方向の途中から広がってもよい。
また、α合ターゲット１の形状は、先に示した態様に限
定されるものではなく、種々変形が可能である。
定されるものではなく、種々変形が可能である。
第１図（ａ）は、本発明によるスパッタリングターゲッ
トの部分的な斜視図、（ｂ）はその断面図、第２図は本
発明のスパッタリングターゲットと従来のスパッタリン
グターゲットによる形成膜の組成比の経時変化を比較し
て示した説明図、第３図は複合ターゲットの例を示す斜
視図、第４図はシリコンビーム又は、高融点金属ビーム
の形状を示す斜視図、 第５図は内周および外周押えリングを示す斜視図、 第６図は一体化されたスパッタリングターゲットを示す
斜視図、 第７図は、第６図の中央断面図である。 図において、 （１）・・・複合ターゲット （２）・・・シリコン
片（３）・・・高融点金属片 （４）・・・内周押
えリング（５）・・・外周押えリング （６）・・・
パッキングプレート（Ｑノ 第１図 スパツ７ソンク勺ｉ数 第 ２ 図 冨 ５ 図 第 ６ 図 第７図
トの部分的な斜視図、（ｂ）はその断面図、第２図は本
発明のスパッタリングターゲットと従来のスパッタリン
グターゲットによる形成膜の組成比の経時変化を比較し
て示した説明図、第３図は複合ターゲットの例を示す斜
視図、第４図はシリコンビーム又は、高融点金属ビーム
の形状を示す斜視図、 第５図は内周および外周押えリングを示す斜視図、 第６図は一体化されたスパッタリングターゲットを示す
斜視図、 第７図は、第６図の中央断面図である。 図において、 （１）・・・複合ターゲット （２）・・・シリコン
片（３）・・・高融点金属片 （４）・・・内周押
えリング（５）・・・外周押えリング （６）・・・
パッキングプレート（Ｑノ 第１図 スパツ７ソンク勺ｉ数 第 ２ 図 冨 ５ 図 第 ６ 図 第７図
Claims (2)
- （１）互いに異なる材料を組み合せて一体化してなる複
合ターゲット材を用いたスパッタリングターゲットにお
いて、前記複合ターゲット材は、その深さ方向において
材料間の組成比を変化させてなることを特徴とするスパ
ッタリングターゲット。 - （２）前記複合ターゲットを構成する各材料の断面は互
いに台形状に組あわされていることを特徴とする前記特
許請求の範囲第１項記載のスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19949185A JPS6260864A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | スパツタリングタ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19949185A JPS6260864A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | スパツタリングタ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6260864A true JPS6260864A (ja) | 1987-03-17 |
Family
ID=16408694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19949185A Pending JPS6260864A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | スパツタリングタ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6260864A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5055246A (en) * | 1991-01-22 | 1991-10-08 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method of forming high purity metal silicides targets for sputtering |
| US5118661A (en) * | 1989-11-21 | 1992-06-02 | Nec Corporation | Sputtering target for use in fabricating integrated circuit device |
-
1985
- 1985-09-11 JP JP19949185A patent/JPS6260864A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5118661A (en) * | 1989-11-21 | 1992-06-02 | Nec Corporation | Sputtering target for use in fabricating integrated circuit device |
| US5055246A (en) * | 1991-01-22 | 1991-10-08 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method of forming high purity metal silicides targets for sputtering |
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