JPS6352110B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6352110B2 JPS6352110B2 JP56077441A JP7744181A JPS6352110B2 JP S6352110 B2 JPS6352110 B2 JP S6352110B2 JP 56077441 A JP56077441 A JP 56077441A JP 7744181 A JP7744181 A JP 7744181A JP S6352110 B2 JPS6352110 B2 JP S6352110B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- target
- thickness distribution
- film thickness
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスパツタ装置に係り、特にターゲツト
の改良に関する。
の改良に関する。
近年に至りマグネトロン方式のスパツタ装置が
多く用いられているが、上記方式は本来膜厚分布
に難がある。そこで膜厚分布を改善するため従来
よりターゲツトの直径を試料の倍程度とし、更に
試料とターゲツトとの距離を大きくしていた。そ
のためスパツリングの効率が悪く、また装置の小
型化が困難である。しかしこのようにしてもなお
且つ試料上に形成された膜の膜厚分布は必ずも満
足し得るものとは言い難い。
多く用いられているが、上記方式は本来膜厚分布
に難がある。そこで膜厚分布を改善するため従来
よりターゲツトの直径を試料の倍程度とし、更に
試料とターゲツトとの距離を大きくしていた。そ
のためスパツリングの効率が悪く、また装置の小
型化が困難である。しかしこのようにしてもなお
且つ試料上に形成された膜の膜厚分布は必ずも満
足し得るものとは言い難い。
本発明の目的は均一な膜厚分布の得られるスパ
ツタ装置を提供することにあり、この目的は本発
明により真空容器中に配置された平面状資料に
は、中央部に貫通孔を有する椀状ターゲツトの凹
面側が対向する如く配置され、貫通孔に対し資料
と反対側の真空容器壁に排気口が設けられている
ことを特徴とするスパツタ装置によつて達成され
る。
ツタ装置を提供することにあり、この目的は本発
明により真空容器中に配置された平面状資料に
は、中央部に貫通孔を有する椀状ターゲツトの凹
面側が対向する如く配置され、貫通孔に対し資料
と反対側の真空容器壁に排気口が設けられている
ことを特徴とするスパツタ装置によつて達成され
る。
第１図は本発明の一実施例を示す要部断面図
で、１は真空容器、２はターゲツト、３はマグネ
ツト、４は試料、６は排気口を示す。図に見られ
る如く本実施例ではターゲツト２を椀状とし且つ
その中央部に貫通孔５を設け、凹面側を試料に向
けて配設した。
で、１は真空容器、２はターゲツト、３はマグネ
ツト、４は試料、６は排気口を示す。図に見られ
る如く本実施例ではターゲツト２を椀状とし且つ
その中央部に貫通孔５を設け、凹面側を試料に向
けて配設した。
従来の装置においては平坦なターゲツトを試料
と平行に配置して用いたが、このようにすると、
ターゲツトの中央部及び周縁部はスパツタレート
が低く、試料面に被着した膜は双頭型の膜厚分布
を示す。例えばクロム（Cr）を1000〔Å〕程度の
厚さに被着せしめた場合、試料の中央部、周縁部
とその中間部との膜厚の差は数100〔Å〕に達する
こともある。
と平行に配置して用いたが、このようにすると、
ターゲツトの中央部及び周縁部はスパツタレート
が低く、試料面に被着した膜は双頭型の膜厚分布
を示す。例えばクロム（Cr）を1000〔Å〕程度の
厚さに被着せしめた場合、試料の中央部、周縁部
とその中間部との膜厚の差は数100〔Å〕に達する
こともある。
本実施例においてはターゲツト２を椀状とする
ことにより、試料４の中央部に対しては周囲から
スパツタされ、試料４の周縁部に対してはターゲ
ツト２との距離が近くなつたことにより膜厚分布
が均一化する。更に本実施例においては前記椀状
ターゲツト２のスパツタレートの低い中央部を取
り除いて貫通孔５とした。このようにしても膜厚
分布には何ら悪影響はなく、むしろ一点鎖線の矢
線で示すようにこの貫通孔５を通つて試料４とタ
ーゲツト２の間の領域の排気が容易となるので、
プラズマ領域がより清浄化され、試料２面に被着
した膜の質が向上する。
ことにより、試料４の中央部に対しては周囲から
スパツタされ、試料４の周縁部に対してはターゲ
ツト２との距離が近くなつたことにより膜厚分布
が均一化する。更に本実施例においては前記椀状
ターゲツト２のスパツタレートの低い中央部を取
り除いて貫通孔５とした。このようにしても膜厚
分布には何ら悪影響はなく、むしろ一点鎖線の矢
線で示すようにこの貫通孔５を通つて試料４とタ
ーゲツト２の間の領域の排気が容易となるので、
プラズマ領域がより清浄化され、試料２面に被着
した膜の質が向上する。
本実施例においてもターゲツト２の中央部及び
周縁部のスパツタレートは低く、その中間部が高
く、ターゲツト２は破線Ａで示すように消耗して
行く。しかしターゲツトを椀状としたことにより
スパツタ方向は矢線Ｂで示すように試料４の中央
部に向かう成分が増加し、また試料４の周縁部は
ターゲツト２との距離が近くなる。その結果試料
４に被着した膜の膜厚分布は第２図に示すように
きわめて均一となる。因みにクロム（Cr）を約
1000〔Å〕被着した場合、膜厚の最大と最小の差
は凡そ数10〔Å〕程度となつた。
周縁部のスパツタレートは低く、その中間部が高
く、ターゲツト２は破線Ａで示すように消耗して
行く。しかしターゲツトを椀状としたことにより
スパツタ方向は矢線Ｂで示すように試料４の中央
部に向かう成分が増加し、また試料４の周縁部は
ターゲツト２との距離が近くなる。その結果試料
４に被着した膜の膜厚分布は第２図に示すように
きわめて均一となる。因みにクロム（Cr）を約
1000〔Å〕被着した場合、膜厚の最大と最小の差
は凡そ数10〔Å〕程度となつた。
以上説明した如く本発明のスパツタ装置によれ
ば試料面に被着する膜の膜厚分布が改善され、し
かも膜質が向上する。
ば試料面に被着する膜の膜厚分布が改善され、し
かも膜質が向上する。
第１図は本発明の一実施例を示す要部断面図、
第２図は上記一実施例により得られた膜厚分布を
定性的に示す曲線図である。 図において、２はターゲツト、４は試料、５は
貫通孔を示す。
第２図は上記一実施例により得られた膜厚分布を
定性的に示す曲線図である。 図において、２はターゲツト、４は試料、５は
貫通孔を示す。
Claims (1)
- １ 真空容器中に配置された平面状資料には、中
央部に貫通孔を有する椀状ターゲツトの凹面側が
対向する如く配置され、貫通孔に対し資料と反対
側の真空容器壁に排気口が設けられていることを
特徴とするスパツタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7744181A JPS57192262A (en) | 1981-05-21 | 1981-05-21 | Spatter apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7744181A JPS57192262A (en) | 1981-05-21 | 1981-05-21 | Spatter apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57192262A JPS57192262A (en) | 1982-11-26 |
| JPS6352110B2 true JPS6352110B2 (ja) | 1988-10-18 |
Family
ID=13634107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7744181A Granted JPS57192262A (en) | 1981-05-21 | 1981-05-21 | Spatter apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57192262A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5861461U (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-25 | 富士通株式会社 | スパツタリング装置 |
| DE69133275T2 (de) * | 1990-01-26 | 2004-04-29 | Varian Semiconductor Equipment Associates Inc., Gloucester | Sputtervorrichtung mit rotierender Magnetanordnung, deren Geometrie ein vorgegebenes Targetabtragsprofil erzeugt |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5560869U (ja) * | 1978-10-20 | 1980-04-25 |
-
1981
- 1981-05-21 JP JP7744181A patent/JPS57192262A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5560869U (ja) * | 1978-10-20 | 1980-04-25 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57192262A (en) | 1982-11-26 |
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