JPS6164877A - 薄膜成膜装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、薄膜の成膜装置に係り、特に低温成膜に好適
な構造に関するものである。

〔発明の背景〕

近来、半導体等の薄膜部品の生産手段として蒸着法がよ
く使われている。例えば物理的蒸着法がよく採用されて
おり、その中でも特にスパッタ成膜は薄膜の量産に最適
な方法として多用されている。

通常のスパッタ成膜は第１図の如く、グロー放電により
例えばアルゴンガスの正イオンを発生させ、これを蒸着
源となるいわゆるターゲット１に衝突させて蒸着物質を
たたき出し、このたたき出された蒸着粒子が対向する基
板２に付着するものである。このスパッタ成膜に於ては
ターゲット輻射熱、及び蒸着粒子、２次電子（エイオン
衝撃時ターゲットから発生する）、あるいは正イオン自
体の基板への衝突等が基板温度の上昇をもたらす。過大
な温度上昇は当然望ましくなく、これらの影響を軽減す
る必要がある。特に基板への衝突は、蒸着粒子以外は出
来るだけ抑える必要がある。

この方法の代表的なものは、第１図の如く（特開昭５８
−２１０１６５号）、基板周辺に正電位電極３を設けた
もので、これにより２次電子を捕捉して基板の温度上昇
を抑えようとするものである。しかし、前述のように基
板に衝突するものは２次電子だけではなく、特に、いわ
ゆる高周波スパッタの場合は、グロープラズマ中の正イ
オン量が大きくなり、高周波スパッタの原理上、基板側
が負になる半波において正イオンが流入しやすく、これ
も温度上昇に影響していると言われている。したがって
、従来の如く、正電位電極で２次電子のみを捕捉する方
法は、基板温度上昇を抑える対策としては必ずしも充分
とは言えない。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、かかる従来のスパッタ成膜の問題点を
解消し、より低温成膜が可能な薄膜成膜装置を提供する
ことにある。

Ｃ発明の概要〕 本発明は、上記の目的を達成するために、基板周辺に正
電位電極及び負電位電極を併設するものである。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を第２図により説明する。

本例の薄膜成膜装置は、基板２と、これと反対側に蒸着
源であるターゲット１を有し、この間に、正電位電極３
と負電位電極４が配設されている。電極３及び４は、い
ずれも基板２を囲むが如く概略リング状になっている。

電極３は正電位であるから、ターゲット１から飛来する
２次電子を捕捉する。又、電極４は負電位であるから、
基板２に流入しようとする正イオンを捕捉する。したが
って、本発明によれば、前述した基板への衝突は、殆ん
ど中性の蒸着粒子のみとなり、２次電子及び正イオンの
衝突は抑えられる効果がある。

なお、本発明では、電極３及び４の上下方向の位置関係
を限定するものではないが、いずれも中間よりは基板２
に近い方が上述の効果がより大きくなろう。

また、負電位電極４は、電極３より基板寄りである方が
、ターゲット１に衝突すべき正イオンに対する影響が少
なく、本実施例が最良の様態と思われる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、従来のスパッタ成膜の問題点を解消で
きるので、より低温な薄膜成膜が実現されるという効果
がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の薄膜成膜装置の構成図、第２図は本発明
の一実施例の構成図である。 １・・・ターゲット　　　　　２・・・基板３・・・正
電位電極　　　　４・・・負電位電極第　１図 ６２虐

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、基板と、これと反対側に蒸着源を有する薄膜成膜装
   置に於て、基板と蒸着源の間に、正電位電極と負電位電
   極を併せて配設したことを特徴とする薄膜成膜装置。