JPS62200530A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、垂直磁気記録用の記録媒体に関するもので
ある。

〔従来の技術〕

従来、垂直磁気記録媒体の垂直磁化層としてはＣｏＣｒ
　１１が知られている。その製法のなかでスパッタリン
グ法は蒸着法等に比較して膜組成の制御が容易であり、
基板温度が比較的低くても良好な垂直硫化膜が得やすい
等の利点がある。更にスパッタリング法の中でマグネト
ロンスパッタリング法は、ターゲット面に平行な成分を
もつ磁界をターゲット表面（被スパツタ面）近傍にもつ
ので、放電により生成したプラズマがターゲット近傍に
閉じ込められる為に低ガス圧での放電が可能である、基
板１こ対するプラズマ粒子の衝撃が少ない、成膜速度が
大きい等の利点をもつ。このことを図を用いて簡単に説
明する。第８図は従来の製法に用いられるマグネトロン
スパッタリング装置］こおけるターゲット近傍の断面図
である。図において、１１）はターゲット、（２）は電
極、（３）は磁石、（４）はアース電極、（６）は基板
である。なお図中矢印で示したＸはターゲット中心から
の距離を示す。このような構造においては、ターゲット
表面近傍をこ図中点線で示されるようなターゲット面に
平行な成分をもつ磁界が生じており、スパッタリングの
際（こは放電プラズマ中の電子はこの磁界のためにサイ
クロトロン運動をし、ターゲット表面近傍に多く存在す
る。従って、電離されるイオンは、ターゲット近傍に多
く存在し、効率よくターゲットに衝突し、スパッタリン
グをおこす。そのために効率よ（スパッタリングが行な
われる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

以上述べたようにマグネトロンスパッタリング法は多く
の利点を持つが、ターゲット表面近傍ｌこおける磁界の
方向に依存してターゲットのスパッタされ易さに分布が
生じ、ひいては基板上音こ成膜される膜厚に分布が生じ
るという問題点があった。

例えば磁石（３）が中心対称性よく配置された場合、タ
ーゲットでスパッタされ易い、いわゆる二ローション・
エリアは環状になる。その為、基板上の膜厚分布も二ロ
ーション・エリアを反映して不均−ｆこなる。ここで膜
厚分布は、基板−ターゲット間距離（Ｔａｒｇｔ／５ｕ
ｂｓｔｒａｔｅ　　、以下Ｔ／Ｓと略す）にも大きく依
存するのでＴ／Ｓを適当にとってやることにより、ある
程度膜厚分布を良好にすることができる。第４図は、基
板をターゲット直上に設置した場合のターゲット中心か
らの距離Ｘ（横軸）と膜厚（縦軸）との関係を示す膜厚
分布図である。曲線Ａ、ＢはいずれもＴ／Ｓを除いて同
条件でスパッタリングを行なった際の膜厚分布を示し、
曲線Ａで示された実険におい１ｈ７ｗ、。

曲線Ｂで示されたそれよりも小さい。図から明らかなよ
うに１゛／Ｓの大きい曲線Ｂの方が、Ｔ／Ｓの小さい曲
線Ａと比較して膜厚分布はより均一になっている。しか
じ膜厚はより小さくなり、これは成膜速度が小さくなっ
ていることを示している。

この発明は、以上のような点に鑑みなされたもので、基
板上の膜厚分布を改善し、かつ成膜速度も大きく、生産
性にすぐれた垂直磁気記録媒体の製造方法を提供するこ
とを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明の垂直磁気記録媒体の製造方法は、基板にＣＯ
とＣｒを主成分とする垂直磁化膜をマグネトロンスパッ
タリング法により形成する際に、ターゲットと基板間で
ターゲット面と垂直方向に直流磁界を印加するようにし
たものである。

〔作用〕

この発明に係るマグネトロン・スパッタリング法におい
ては、ターゲットと基板間でターゲット面と垂直方向に
直流磁界を印加するようにしだので、膜厚の均一性、成
膜速度共沓ζ優れた膜が基板１ζ形成できる。

〔実施例〕

第１図はこの発明の一実施例の垂直磁気記録媒体の製造
方法（こ係るスパッタリング装置のターゲット近傍の断
面図である。図において（６）は直流磁界印加用のコイ
ルである。

なお図中矢印で示した又はターゲット中心からの距離を
示している。第１図の構成のスパッタリング装置におい
て、以下のスパッタリング条件においてＣｏＣ；ｒ腺を
成膜した。

７／ｌ／ゴンカス圧　　　　：　　１ｏｍＴｏｒｒター
ゲット　　　　　　：　　ＣｏＣｒ合金基板基板：　　
アルミニウム合金基板 ’ＩＩ’／ｂ　　　　　　　　：　　６０１１ａＩ（こ
れは直流磁界を印加しない場合において、もつとも 膜厚分布が均一となる距離であ る。） 入力電力　　　　　：　　ａｏｏＷ スパッタ時間　　　　　：　２０分 ターゲット面平行磁界　：　１６０θｅタ一ゲツト面垂
直方向 印加直流磁界　：　１００θｅ なお、比較例として、ターゲット面垂直方向印加直流磁
界の値が０θｅ（即ち印加しない）で、その他のスパッ
タリング条件は同じ（ζしてＣｏＣｒ１ｌｊＪを成膜し
た。

第２図は、上記の条件により成膜された膜の膜厚分布図
で、横軸はターゲット中心からの距離Ｘ。

縦軸には膜厚をとっである。曲線Ｃは直ｍ磁界１００θ
ｅを印加した場合、曲線りは印加しない場合を示したも
のである。図から明らかなように、直流磁界を印加した
Ｃの場合の方が、膜厚の均一性、成膜速度共に優れてい
る。

なお、上記実施例では基板としてアルミニウム合金基板
を用いたが、この基板の表面に周知の方法でアルマイト
層やＮｉｐ／ｉＩを設けてもよい。また高透磁率層を設
けてもよい。

またＣｏＣｒ膜に例えばロジウム、タンタルなどを少量
添加してもよい。

さらに直流磁界印加用コイルは真空槽の内にあっても外
にあってもよい。また直流磁界を印加するのにコイル以
外のもの、例えば永久磁石を用いてもよい。

４　　〔発明の効果〕 この発明は、以上説明したとおり基板にＣＯとＣｒを主
成分とする垂直磁化膜をマグネトロンスパッタリング法
により形成する際１こ、ターゲットと基板間でターゲッ
ト面と垂直方向に直流磁界を印加するようにしたので、
成膜された膜の膜厚分布を改善し、成膜速度を大きくす
ることができ、生産性（こ優れた垂直磁気記録媒体の製
造方法が得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例の垂直磁気記録媒体の製
造方法において用いられるスパッタリング装置のターゲ
ット近傍の断面図、第２図はこの発明の一実施例に用い
られるスパッタリング装置Ｉこよりスパッタリングを行
なった場合と従来の装置によりスパッタリングを行なっ
た場合それぞれのターゲット中心からの距離と膜厚の関
係を示す膜厚分布図、第８図は従来の製方で用いられる
マグネトロンスパッタリング装置のターゲット近傍の断
面図、第４図は従来のマグネトロンスパッタリング装置
を用いてスパッタリングを行なった場合の膜厚分布図で
ある。 ＋ＩＪ・・・ターゲット、（２し・電極、（３）・・・
磁石、（４）・・・アース電極、（６）・・・コイル、
（６）・・・基板なお、図中同一符号は同−又は相当部
分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板にＣｏとＣｒを主成分とする垂直磁化膜をマグネト
   ロンスパッタリング法により形成する際に、ターゲット
   と基板間でターゲット面と垂直方向に直流磁界を印加す
   るようにした垂直磁気記録媒体の製造方法。