JPS609873A - スパツタ用タ−ゲツトの固定方法 - Google Patents
スパツタ用タ−ゲツトの固定方法Info
- Publication number
- JPS609873A JPS609873A JP11738983A JP11738983A JPS609873A JP S609873 A JPS609873 A JP S609873A JP 11738983 A JP11738983 A JP 11738983A JP 11738983 A JP11738983 A JP 11738983A JP S609873 A JPS609873 A JP S609873A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering
- bonding agent
- backing plate
- fixing
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はインライン型スパッタ装置に係シ、特に処理の
高速化を計ったターゲット固定方法に関する。
高速化を計ったターゲット固定方法に関する。
（ｂ） 抜荷の背景
スパッタ法により形成される金属膜又はシリサイド等の
合金膜は蒸着法に比し組成の制御性に優れ、突起が少な
い等の利点により微細パターンの形成に適し、またステ
ップカバレージも良好であるためスパッタ法が主流とな
ｐつ＼ある。一般的な配線層薄膜の形成にはシリコン（
Ｓｉ）１〜２チ含有するアルミニウムシリコン合金（Ａ
ｌ−８ｔ）ｋターゲットとして用い、製鎖構成は蒸発源
機構が簡単であるため単位体処理（１枚処理型）のイン
ライン方式として連続処理するスパッタ装置が多く用い
られる。
合金膜は蒸着法に比し組成の制御性に優れ、突起が少な
い等の利点により微細パターンの形成に適し、またステ
ップカバレージも良好であるためスパッタ法が主流とな
ｐつ＼ある。一般的な配線層薄膜の形成にはシリコン（
Ｓｉ）１〜２チ含有するアルミニウムシリコン合金（Ａ
ｌ−８ｔ）ｋターゲットとして用い、製鎖構成は蒸発源
機構が簡単であるため単位体処理（１枚処理型）のイン
ライン方式として連続処理するスパッタ装置が多く用い
られる。
（ｃ） 従来技術と問題点
金属膜形成には直流高電圧印加法及び成膜速度の有利性
からマグネトロン方式が用いられる。マグネトロン方式
は成膜生成用のターゲットに磁場を印加し、直交電磁界
全利用し、プラズマをターゲット近傍の局所的空間に閉
じ込めるため電子はターゲット上をサイクロイド運動し
、ガス分子と衝突して密度の高いプラズマが発生する。
からマグネトロン方式が用いられる。マグネトロン方式
は成膜生成用のターゲットに磁場を印加し、直交電磁界
全利用し、プラズマをターゲット近傍の局所的空間に閉
じ込めるため電子はターゲット上をサイクロイド運動し
、ガス分子と衝突して密度の高いプラズマが発生する。
この高密度プラズマの発生する領域がスノくツタされ、
ターゲットに深いエロージョンエリアを生ぜしめる。
ターゲットに深いエロージョンエリアを生ぜしめる。
この時、同時にターゲットは発熱するためターゲラミー
バッキングプレートによシ支持させ水冷してターゲット
を冷却する。またターゲットの有効使用率を向上させる
ためエロージョン領域をターゲット周辺部まで拡大する
磁場構成を用いる。
バッキングプレートによシ支持させ水冷してターゲット
を冷却する。またターゲットの有効使用率を向上させる
ためエロージョン領域をターゲット周辺部まで拡大する
磁場構成を用いる。
第１図は従来のターゲット固定構造を示す断面図である
。
。
図においてターゲット１をバッキングプレート２に接着
固定し直流高電圧を印加して陰極となし対向する陽極側
に半導体ウエノ・等の試料を配置する。陰極の直下に永
久磁石３を配置した回転板４を偏心回転させターゲット
１の中心から周辺部にかけて磁場を構成させる。ターゲ
ット１とノぐツキングプレート２とを固定するボンディ
ング剤５はインジウム（Ｉｎ）又は鉛（Ｐｂ） ’に主
成分とする低融点化合物で構成される。
固定し直流高電圧を印加して陰極となし対向する陽極側
に半導体ウエノ・等の試料を配置する。陰極の直下に永
久磁石３を配置した回転板４を偏心回転させターゲット
１の中心から周辺部にかけて磁場を構成させる。ターゲ
ット１とノぐツキングプレート２とを固定するボンディ
ング剤５はインジウム（Ｉｎ）又は鉛（Ｐｂ） ’に主
成分とする低融点化合物で構成される。
しかしこのような接着固定方法ではターゲット冷却では
十分対応できずボンディング剤５が融解し接合部の端部
より溶出することがある。溶出したボンディング剤５中
の不純物Ｎａ、 Ｋ 、 Ｃａ 、 Ｍｇ等が端部に凝
固し、スパッタされて試料を汚染する。更にインライン
装置では生産効率を向上させる一手段として投入するパ
ワーを増大させて成膜成長速度の高速化を計る場合ター
ゲット１の温度上昇はより顕著となり、試料上の膜質を
著しく低下させる。
十分対応できずボンディング剤５が融解し接合部の端部
より溶出することがある。溶出したボンディング剤５中
の不純物Ｎａ、 Ｋ 、 Ｃａ 、 Ｍｇ等が端部に凝
固し、スパッタされて試料を汚染する。更にインライン
装置では生産効率を向上させる一手段として投入するパ
ワーを増大させて成膜成長速度の高速化を計る場合ター
ゲット１の温度上昇はより顕著となり、試料上の膜質を
著しく低下させる。
（ｄ） 発明の目的
本発明は上記の点に鑑み、ボンディング剤の溶出を阻止
し得るターゲット固定構造を提供し、スパッタ処理の高
速性、安定性を得ることを目的とする。
し得るターゲット固定構造を提供し、スパッタ処理の高
速性、安定性を得ることを目的とする。
（ｅ） 発明の構成
上記目的は本発明によればスパッタ装置内に配設したタ
ーゲットと該ターゲラトラボンディング剤を介して固定
した水冷バッキングプレートとで構成する陰極板の外周
を該ターゲットと同一素材３− のリングで被覆する固定方法もしくは該ターゲットをボ
ンディング剤を介して接着させる該水冷バッキングプレ
ートの外周近傍に溝全設けることによって達せられる。
ーゲットと該ターゲラトラボンディング剤を介して固定
した水冷バッキングプレートとで構成する陰極板の外周
を該ターゲットと同一素材３− のリングで被覆する固定方法もしくは該ターゲットをボ
ンディング剤を介して接着させる該水冷バッキングプレ
ートの外周近傍に溝全設けることによって達せられる。
（ｆ） 発明の実施例
以下本発明の実施例を図面により詳述する。
第２図は本発明の一実施例であるターゲット固定構造を
示す断面図、第３図は本発明の他の実施例を示すターゲ
ット固定構造の断面図である。第２図において、ターゲ
ット１１とバッキングプレート１２とをボンデング接着
して構成される陰極板の外周を、上面を内側に折曲して
形成される金属リング１３で被覆する。金属リング１３
は例えばアルミニウム、シリコン合金（Ａｌ−８ｉ）タ
ーゲツト材とするアルミニウム配線層のスパッタ形成に
はターゲットと同一素材のアルミニウム合金を用いる。
示す断面図、第３図は本発明の他の実施例を示すターゲ
ット固定構造の断面図である。第２図において、ターゲ
ット１１とバッキングプレート１２とをボンデング接着
して構成される陰極板の外周を、上面を内側に折曲して
形成される金属リング１３で被覆する。金属リング１３
は例えばアルミニウム、シリコン合金（Ａｌ−８ｉ）タ
ーゲツト材とするアルミニウム配線層のスパッタ形成に
はターゲットと同一素材のアルミニウム合金を用いる。
この金属カバーによってボンディング剤１４の溶出は阻
止され従来のような汚染を防止し安定したスパッタ処理
が可能となる。更に成膜速度を早めるため投入するパワ
ーを増大させても対４一 応可能である。金属膜を成膜させる場合高速で成長させ
る程真空中の残留ガスの取り込みが少なくなるため抵抗
率や表面形状等の膜質が改善される利点がある。
止され従来のような汚染を防止し安定したスパッタ処理
が可能となる。更に成膜速度を早めるため投入するパワ
ーを増大させても対４一 応可能である。金属膜を成膜させる場合高速で成長させ
る程真空中の残留ガスの取り込みが少なくなるため抵抗
率や表面形状等の膜質が改善される利点がある。
ボンディング剤の溶出を阻止する他の例として第３図に
示すようにバッキングプレート２２のボンディング接着
面に図のような溝２３を接着面の周辺縁に沿って設は融
解したボンディング剤及び不純物をこの溝２３にためて
端部からの溶出全防止することも有効な手段である。
示すようにバッキングプレート２２のボンディング接着
面に図のような溝２３を接着面の周辺縁に沿って設は融
解したボンディング剤及び不純物をこの溝２３にためて
端部からの溶出全防止することも有効な手段である。
（ｇ） 発明の効果
以上詳細に説明したように本発明のターゲット固定方法
とすることによりボンディング剤による汚染は防止され
、高速処理が可能となシしかも安定した膜質を得るのに
効果がある。
とすることによりボンディング剤による汚染は防止され
、高速処理が可能となシしかも安定した膜質を得るのに
効果がある。
第１図は従来のターゲット固定構造を示す断面図、第２
図は本発明の一実施例であるターゲット固定構造を示す
断面図、第３図は本発明の他の実施例を示す断面図であ
る。 図中、１，１１ ターゲット、２，１２．２２バツキン
グプレート、３ 磁石、５ ・回転板、１３ 金属リン
グ、４，１４ ボンディング剤、２３・ ・溝。 ７− 竿 １ 図 竿 ３ 図
図は本発明の一実施例であるターゲット固定構造を示す
断面図、第３図は本発明の他の実施例を示す断面図であ
る。 図中、１，１１ ターゲット、２，１２．２２バツキン
グプレート、３ 磁石、５ ・回転板、１３ 金属リン
グ、４，１４ ボンディング剤、２３・ ・溝。 ７− 竿 １ 図 竿 ３ 図
Claims (2)
- （１）真空処理室内に配置したターゲットに電圧を印加
してプラズマを誘起させ、基板上に所定の薄膜を形成す
るスパッタ装置において該ターゲットと該ターゲットｉ
ボンディング剤を介して固定した水冷バッキングプレー
トとで構成される陰極板の外周を該ターゲットと同一素
材のリングで被覆することを特徴とするスパッタ用ター
ゲットの固定方法占 - （２）上記ターゲットの固定において該ターゲットをボ
ンディング剤を介して接着させる上記バッキングプレー
トの外周近傍に溝を設けることを特徴とするスパッタ用
ターゲットの固定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11738983A JPS609873A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | スパツタ用タ−ゲツトの固定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11738983A JPS609873A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | スパツタ用タ−ゲツトの固定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS609873A true JPS609873A (ja) | 1985-01-18 |
Family
ID=14710437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11738983A Pending JPS609873A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | スパツタ用タ−ゲツトの固定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS609873A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0246855U (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-30 | ||
| US7833387B2 (en) * | 2004-01-07 | 2010-11-16 | Hoya Corporation | Mask blank manufacturing method and sputtering target for manufacturing the same |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP11738983A patent/JPS609873A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0246855U (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-30 | ||
| US7833387B2 (en) * | 2004-01-07 | 2010-11-16 | Hoya Corporation | Mask blank manufacturing method and sputtering target for manufacturing the same |
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