JPS63238269A - マグネトロンスパツタリング用タ−ゲツト - Google Patents
マグネトロンスパツタリング用タ−ゲツトInfo
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- JPS63238269A JPS63238269A JP7225987A JP7225987A JPS63238269A JP S63238269 A JPS63238269 A JP S63238269A JP 7225987 A JP7225987 A JP 7225987A JP 7225987 A JP7225987 A JP 7225987A JP S63238269 A JPS63238269 A JP S63238269A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、使用途中での割れ発生がなく、使用寿命に
到るまで安定したスパッタリングを行なうことができる
マグネトロンスパッタリング用ターゲット（＝関するも
のである。
到るまで安定したスパッタリングを行なうことができる
マグネトロンスパッタリング用ターゲット（＝関するも
のである。
従来、一般（＝、マグネトロンスパッタリング用ターゲ
ットとしては、Ｓ ｂ ２ Ｓ ｅ ３などのｓｂ系材
料製のものや、Ｂ １２Ｔｅ ａ、重量％（以下％は重
量％を示す）で、８０％Ｔｅ−２０％Ｓｅ合金、８５％
Ｔｅ−１０％Ｓｅ −５％Ｐｂ合金、ＴｅＯｘ、 ７
５％Ｔｅ−２５％ｐｂ合金、８４％Ｔｅ １５ ％
Ｓｅ １ ％ Ｓｎ合金、８５％Ｔｅ １０％Ｓｅ
５％Ｇｅ合金、および４０％Ｔｅ’−２０％５ｅ−
４０％Ｓｎ合金など（７）Ｔｅ系材料製のもの、さらｉ
二ＴｉＣ、ＴｉＮ 、 ５ｉ０２゜Ｍ２Ｏ３、５ｔ３Ｎ
４． ＳｔＣｅ ｚｎｏ 、 Ｔａ２０５１およびＭｇ
Ｏなどのセラミック 系材料製のものやＯｒなどの金属
材料製のものなどが知られ、これが第１図および＠２図
（＝斜視図で例示される形状をもつことも良く知られる
ところである。
ットとしては、Ｓ ｂ ２ Ｓ ｅ ３などのｓｂ系材
料製のものや、Ｂ １２Ｔｅ ａ、重量％（以下％は重
量％を示す）で、８０％Ｔｅ−２０％Ｓｅ合金、８５％
Ｔｅ−１０％Ｓｅ −５％Ｐｂ合金、ＴｅＯｘ、 ７
５％Ｔｅ−２５％ｐｂ合金、８４％Ｔｅ １５ ％
Ｓｅ １ ％ Ｓｎ合金、８５％Ｔｅ １０％Ｓｅ
５％Ｇｅ合金、および４０％Ｔｅ’−２０％５ｅ−
４０％Ｓｎ合金など（７）Ｔｅ系材料製のもの、さらｉ
二ＴｉＣ、ＴｉＮ 、 ５ｉ０２゜Ｍ２Ｏ３、５ｔ３Ｎ
４． ＳｔＣｅ ｚｎｏ 、 Ｔａ２０５１およびＭｇ
Ｏなどのセラミック 系材料製のものやＯｒなどの金属
材料製のものなどが知られ、これが第１図および＠２図
（＝斜視図で例示される形状をもつことも良く知られる
ところである。
しかし、上記の従来マグネ）Ｏンスバツタリング用ター
ゲットにおいては、スパッタリングが磁場中で行なわれ
るために、ターゲットに衝突するイオンは磁力により局
部的に高密度化されることから、第３図に断面図で例示
されるよう（二、その上面がリング状に消耗するように
なり、この傾向は付加電力が高くなるほど著しく、この
ような状態（＝なると熱的歪の発生が著しく、上面外周
縁部に割れが発生し易くなり、一旦ターゲットに割れが
発生すると、スパッタリングが不安定となり、この結果
基体表面に蒸着される被膜形式Ｃ；も安定性を欠くよう
になることから、割れ発生時点で使用寿命となるのが現
状であり、この場合には歩留の著しく悪い、ものとなら
ざるを得ない。
ゲットにおいては、スパッタリングが磁場中で行なわれ
るために、ターゲットに衝突するイオンは磁力により局
部的に高密度化されることから、第３図に断面図で例示
されるよう（二、その上面がリング状に消耗するように
なり、この傾向は付加電力が高くなるほど著しく、この
ような状態（＝なると熱的歪の発生が著しく、上面外周
縁部に割れが発生し易くなり、一旦ターゲットに割れが
発生すると、スパッタリングが不安定となり、この結果
基体表面に蒸着される被膜形式Ｃ；も安定性を欠くよう
になることから、割れ発生時点で使用寿命となるのが現
状であり、この場合には歩留の著しく悪い、ものとなら
ざるを得ない。
この発明は、上記の従来マグネトロンスパッタリング用
ターゲットのもつ問題点を解決するためになされたもの
であって、第４図および第５図に示されるように、上記
のｓｂ系材料製、Ｔｅ系材料製。
ターゲットのもつ問題点を解決するためになされたもの
であって、第４図および第５図に示されるように、上記
のｓｂ系材料製、Ｔｅ系材料製。
セラミック系材料製、あるいは金属材料製のスパッタリ
ング用ターゲットの上面の外周縁部を傾斜面（二形成す
ることによって、第６図に示されるように、スパッタリ
ング（二伴なうターゲット上面の消耗状態を均等化し、
もってターゲット上面（二割れの発生がなく、使用寿命
（二側るまで安定的蒸着被膜の形成を行なうことができ
るようにした点に特徴を有するものである。
ング用ターゲットの上面の外周縁部を傾斜面（二形成す
ることによって、第６図に示されるように、スパッタリ
ング（二伴なうターゲット上面の消耗状態を均等化し、
もってターゲット上面（二割れの発生がなく、使用寿命
（二側るまで安定的蒸着被膜の形成を行なうことができ
るようにした点に特徴を有するものである。
なお、第４図および第５図に例示される本発明ター乞ッ
ト（二おいて、傾斜面（Ｗは傾斜面幅）が形成する傾斜
角θは６０〜８ｆとするのがよく。
ト（二おいて、傾斜面（Ｗは傾斜面幅）が形成する傾斜
角θは６０〜８ｆとするのがよく。
これはその角度が６０°未満では割れ発生を完全に防止
することができず、一方角度が８５°より大きいと、ス
パッタリングに関与しない部分が多くなって、歩留低下
の原因となるという理由（二もとづくものであり、望ま
しくは７０〜８３°がよい。
することができず、一方角度が８５°より大きいと、ス
パッタリングに関与しない部分が多くなって、歩留低下
の原因となるという理由（二もとづくものであり、望ま
しくは７０〜８３°がよい。
つぎに、この発明のターゲットを実施例により説明する
。
。
それぞれ第１表に示される材質、形状、および寸法をも
った各種の本発明ターゲットと従来ターゲットを用意し
、これらターゲットをＭ菅−一厚さ＝５ｆｉの銅製冷却
板にＩｎろ５≦二でろう付は接合した状態で、マグネト
ロンスパッタリング装置（：装着し、同じく第１表に示
される条件（ただしＡｒ雰囲気圧カニ０，５Ｐａ、基体
−ターゲット間距離： ８５ ｍ ）でスパッタリング
を行ない、ターゲット上面に割れが発生するまでのスパ
ッタリング時間を測定した。これらの結果を第１表に示
した。
った各種の本発明ターゲットと従来ターゲットを用意し
、これらターゲットをＭ菅−一厚さ＝５ｆｉの銅製冷却
板にＩｎろ５≦二でろう付は接合した状態で、マグネト
ロンスパッタリング装置（：装着し、同じく第１表に示
される条件（ただしＡｒ雰囲気圧カニ０，５Ｐａ、基体
−ターゲット間距離： ８５ ｍ ）でスパッタリング
を行ない、ターゲット上面に割れが発生するまでのスパ
ッタリング時間を測定した。これらの結果を第１表に示
した。
第１表に示される結果から、本発明ターゲット１〜１２
においては、その上面Ｃ；スパッタリング中の割れ発生
がなく、ターゲットが消耗して寿命に到るまで使用する
ことができるの（二対して、従来ターゲット１〜７は、
それぞれ短時間のスパッタリングで割れが発生し、使用
寿命Ｃ二側るものであることが明らかである。
においては、その上面Ｃ；スパッタリング中の割れ発生
がなく、ターゲットが消耗して寿命に到るまで使用する
ことができるの（二対して、従来ターゲット１〜７は、
それぞれ短時間のスパッタリングで割れが発生し、使用
寿命Ｃ二側るものであることが明らかである。
上述のように、この発明のマグネトロンスパッタリング
用ターゲットは、スパッタリングの進行に伴なう上面消
耗の変化によっても割れの発生がないので、安定した蒸
Ｓ被膜の形成をターゲット本来の使用（二側るまで行な
うことができ、歩留の著しく高いものとなるなどの工業
上有用な特性を有するものである。
用ターゲットは、スパッタリングの進行に伴なう上面消
耗の変化によっても割れの発生がないので、安定した蒸
Ｓ被膜の形成をターゲット本来の使用（二側るまで行な
うことができ、歩留の著しく高いものとなるなどの工業
上有用な特性を有するものである。
第１図および第２図は従来ターゲットの形状を例示する
斜視図、第３図は従来ターゲットの消耗状態を示す断面
図、第４図および第５図は本発明ターゲットの形状を例
示する斜視図、第６図は本発明ターゲットの消耗状態を
示す断面図である。
斜視図、第３図は従来ターゲットの消耗状態を示す断面
図、第４図および第５図は本発明ターゲットの形状を例
示する斜視図、第６図は本発明ターゲットの消耗状態を
示す断面図である。
Claims (1)
- 上面の外周縁部を傾斜面に形成してなるマグネトロンス
パッタリング用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7225987A JPS63238269A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | マグネトロンスパツタリング用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7225987A JPS63238269A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | マグネトロンスパツタリング用タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63238269A true JPS63238269A (ja) | 1988-10-04 |
Family
ID=13484114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7225987A Pending JPS63238269A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | マグネトロンスパツタリング用タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63238269A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS59133369A (ja) * | 1983-01-21 | 1984-07-31 | Hitachi Ltd | スパツタリング用のタ−ゲツト構造体 |
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-
1987
- 1987-03-26 JP JP7225987A patent/JPS63238269A/ja active Pending
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| US8790499B2 (en) | 2005-11-25 | 2014-07-29 | Applied Materials, Inc. | Process kit components for titanium sputtering chamber |
| CN102586744A (zh) * | 2011-12-30 | 2012-07-18 | 余姚康富特电子材料有限公司 | 靶材及其形成方法 |
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