JPH0474861A - プレーナマグネトロンスパッタ装置 - Google Patents
プレーナマグネトロンスパッタ装置Info
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- JPH0474861A JPH0474861A JP18883690A JP18883690A JPH0474861A JP H0474861 A JPH0474861 A JP H0474861A JP 18883690 A JP18883690 A JP 18883690A JP 18883690 A JP18883690 A JP 18883690A JP H0474861 A JPH0474861 A JP H0474861A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
プレーナマグネトロンスパッタ装置に関し、ターゲット
の消耗を一様にし基板上へのスパッタ膜の形成で膜厚お
よび膜質を均一にすることを目的とし、 ターゲットの下方に設けられ、かつ、ターゲットの中心
には\一致する回転軸を有する回転円盤上に、ターゲッ
トサイズに比較して小さいリング状閉磁場を形成する少
なくとも3個の磁石をそれぞれ独立して、かつ、円盤回
転時に前記ターゲット全面が前記リング状閉磁場に閉じ
込められたプラズマにより覆われるように配列し、前記
回転軸を中心として前記ターゲツト面に平行に前記回転
円盤を回転するようにプレーナマグネトロンスパッタ装
置を構成する。
の消耗を一様にし基板上へのスパッタ膜の形成で膜厚お
よび膜質を均一にすることを目的とし、 ターゲットの下方に設けられ、かつ、ターゲットの中心
には\一致する回転軸を有する回転円盤上に、ターゲッ
トサイズに比較して小さいリング状閉磁場を形成する少
なくとも3個の磁石をそれぞれ独立して、かつ、円盤回
転時に前記ターゲット全面が前記リング状閉磁場に閉じ
込められたプラズマにより覆われるように配列し、前記
回転軸を中心として前記ターゲツト面に平行に前記回転
円盤を回転するようにプレーナマグネトロンスパッタ装
置を構成する。
本発明はプレーナマグネトロンスパッタ装置とくに、リ
ング状の閉磁場をターゲツト面に沿って回転させる方式
のプレーナマグネトロンスパッタ装置の回転マグネット
構造の改良に関する。
ング状の閉磁場をターゲツト面に沿って回転させる方式
のプレーナマグネトロンスパッタ装置の回転マグネット
構造の改良に関する。
ICなどの半導体装置の大規模、微細構造化にともない
、基板上への各種スパッタ膜の膜厚、膜質(膜組成)、
ステップカバレージなどを高精度に制御することが益々
重要となっており、そのためにターゲットの−様な消耗
、すなわち、ターゲットのスパッタ率の均一化が強く求
められている。
、基板上への各種スパッタ膜の膜厚、膜質(膜組成)、
ステップカバレージなどを高精度に制御することが益々
重要となっており、そのためにターゲットの−様な消耗
、すなわち、ターゲットのスパッタ率の均一化が強く求
められている。
従来のマグネトロンスパッタ装置は高速膜生成を特徴と
して広(用いられ特性的には膜厚が均一であればは一要
求を満たしていた。その理由は主として単一物質、たと
えば、八!などの例に見られるものであるが、最近は複
合組成、たとえば、A I2−5i、 A 1−Cuな
どの金属合金が用いられることが多くなり、それら合金
をターゲットに用いた場合に必然的にスパッタ率の差に
よる組成すれといった膜質の問題がクローズアンプされ
るようになってきた。
して広(用いられ特性的には膜厚が均一であればは一要
求を満たしていた。その理由は主として単一物質、たと
えば、八!などの例に見られるものであるが、最近は複
合組成、たとえば、A I2−5i、 A 1−Cuな
どの金属合金が用いられることが多くなり、それら合金
をターゲットに用いた場合に必然的にスパッタ率の差に
よる組成すれといった膜質の問題がクローズアンプされ
るようになってきた。
これらの問題に対処するために、ターゲット全面を均一
にスパッタして−様な消耗を起こさせるような種々の方
法が試みられている。たとえば、ターゲットの下方に同
心円状の固定マグネ・ントを多重に設けたり、あるいは
、回転マグネ・ントを設けたりする方法が提案されてい
る。
にスパッタして−様な消耗を起こさせるような種々の方
法が試みられている。たとえば、ターゲットの下方に同
心円状の固定マグネ・ントを多重に設けたり、あるいは
、回転マグネ・ントを設けたりする方法が提案されてい
る。
第7図は従来のプレーナマグネトロンスパッタ装置の例
を示す模式図で、ターゲットの下方に回転マグネットを
設は回転するリング状閉磁場によってプラズマを閉し込
め、たとえば、ターゲット金属のスパッタリングを行う
方法の例である。図中、51はターゲット、52は金属
からなる)\・ノキングプレート、53はインジウム合
金などからなる低融点の半田材、54はリング状閉磁場
を形成する磁石、55は絶縁板、56は金属製チャンバ
、57は基板支持腕、58は基板、たとえば、Si基板
、59は防着板、60は真空バッキング、61は真空排
気口、62はガス導入口、63は電源、64は接地を示
す。
を示す模式図で、ターゲットの下方に回転マグネットを
設は回転するリング状閉磁場によってプラズマを閉し込
め、たとえば、ターゲット金属のスパッタリングを行う
方法の例である。図中、51はターゲット、52は金属
からなる)\・ノキングプレート、53はインジウム合
金などからなる低融点の半田材、54はリング状閉磁場
を形成する磁石、55は絶縁板、56は金属製チャンバ
、57は基板支持腕、58は基板、たとえば、Si基板
、59は防着板、60は真空バッキング、61は真空排
気口、62はガス導入口、63は電源、64は接地を示
す。
たとえば、Al1膜のスパッタに際してはAl2からな
るターゲット5工をバッキングプレート52上に半田材
53で固着し、基板支持腕57に、たとえば、Si基板
58を固定した金属製チャンバ56を絶縁板55を介し
てバッキングプレート52上に被せ、真空排気口61を
開いてチャンバ内を高真空に排気し、ガス導入口62を
開いて、たとえば、Arガスを所定量導入してチャンバ
内を、たとえば、10−2〜10−’T。
るターゲット5工をバッキングプレート52上に半田材
53で固着し、基板支持腕57に、たとえば、Si基板
58を固定した金属製チャンバ56を絶縁板55を介し
てバッキングプレート52上に被せ、真空排気口61を
開いてチャンバ内を高真空に排気し、ガス導入口62を
開いて、たとえば、Arガスを所定量導入してチャンバ
内を、たとえば、10−2〜10−’T。
rr程度のArガス圧にし、たとえば、直流電源63に
よりターゲット51とチャンバ56間に所定の電圧を印
加してプラズマを発生させ、バッキングプレート52後
部に配設されたリング状閉磁場を形成する磁石54をそ
の偏心した場所を中心にして回転させ、ターゲット51
の上を前記リング状閉磁場に閉じ込められたプラズマで
走査することによって、ターゲット51材料、たとえば
、Arは急速にス/’?ツタされて基板58面状に被着
される。
よりターゲット51とチャンバ56間に所定の電圧を印
加してプラズマを発生させ、バッキングプレート52後
部に配設されたリング状閉磁場を形成する磁石54をそ
の偏心した場所を中心にして回転させ、ターゲット51
の上を前記リング状閉磁場に閉じ込められたプラズマで
走査することによって、ターゲット51材料、たとえば
、Arは急速にス/’?ツタされて基板58面状に被着
される。
第8図は従来装置の要部を示す図でリング状閉磁場を形
成する同心円形の永久磁石54を模式的に示したもので
、同図(イ)は平面図、同図(ロ)はA−A矢視断面図
である。図中、65は磁性体からなる回転円盤、66は
N極、67はS極、O2は磁石の中心、0.lは回転中
心を示す。
成する同心円形の永久磁石54を模式的に示したもので
、同図(イ)は平面図、同図(ロ)はA−A矢視断面図
である。図中、65は磁性体からなる回転円盤、66は
N極、67はS極、O2は磁石の中心、0.lは回転中
心を示す。
このような磁石54を用いると、破線で示すターゲット
51上にはリング状閉磁場CMF(点線で示す)が形成
され、プラズマ(PL)は図示したごとく閉磁場CMF
のターゲット51と平行な磁力線の領域に閉じ込められ
る。そして、磁石54の偏心回転にともなって上記閉磁
場CMF内に閉じ込められたプラズマ(PL)がターゲ
ット51上を移動照射し、ターゲット51面の異なる領
域が順次プラズマ(PL)に叩かれてスパッタされ基板
58上に被着してスパッタ膜が形成される。
51上にはリング状閉磁場CMF(点線で示す)が形成
され、プラズマ(PL)は図示したごとく閉磁場CMF
のターゲット51と平行な磁力線の領域に閉じ込められ
る。そして、磁石54の偏心回転にともなって上記閉磁
場CMF内に閉じ込められたプラズマ(PL)がターゲ
ット51上を移動照射し、ターゲット51面の異なる領
域が順次プラズマ(PL)に叩かれてスパッタされ基板
58上に被着してスパッタ膜が形成される。
しかし、上記に詳細説明した従来例においては、ターゲ
ット上のスパッタ速度が場所によって大きく異なり一様
な消耗、すなわち、平坦な表面が維持できない。
ット上のスパッタ速度が場所によって大きく異なり一様
な消耗、すなわち、平坦な表面が維持できない。
第6図は従来装置におけるターゲットの消耗状態を示す
模式側断面図で、同図(イ)に上記に説明した従来装置
例の場合を示した。すなわち、ターゲット51面の特定
な領域α、βなどがとくに多量にスパッタされて深く挾
れ、これによってターゲット寿命が大巾に低下し、かつ
、形成されるスパッタ膜の膜厚分布が悪くなる。
模式側断面図で、同図(イ)に上記に説明した従来装置
例の場合を示した。すなわち、ターゲット51面の特定
な領域α、βなどがとくに多量にスパッタされて深く挾
れ、これによってターゲット寿命が大巾に低下し、かつ
、形成されるスパッタ膜の膜厚分布が悪くなる。
これに対して、回転円盤上に多数の磁石を偏心したハー
ト形に配列してターゲットのスパッタ速度の分布を改善
する提案が本発明者らによってなされている(特開昭6
2−60866号)。第6図(ロ)はこの場合のターゲ
ットの消耗状態を模式的に示したもので同図(イ)の場
合に比較して大巾な改善効果が得られているが、一部に
、とくに、中心部に近い部分に図示したごとき突起状の
ヘソ部Tが生じ、最近の高精密半導体デバイスの性能に
悪影響を与える場合があるという問題があり、その解決
が求められていた。
ト形に配列してターゲットのスパッタ速度の分布を改善
する提案が本発明者らによってなされている(特開昭6
2−60866号)。第6図(ロ)はこの場合のターゲ
ットの消耗状態を模式的に示したもので同図(イ)の場
合に比較して大巾な改善効果が得られているが、一部に
、とくに、中心部に近い部分に図示したごとき突起状の
ヘソ部Tが生じ、最近の高精密半導体デバイスの性能に
悪影響を与える場合があるという問題があり、その解決
が求められていた。
上記の課題は、ターゲット51の下方に設けられかつ、
ターゲット51の中心には一一致する回転軸66を有す
る回転円盤65上に、ターゲットサイズに比較して小さ
いリング状閉磁場を形成する少なくとも3個の磁石lを
それぞれ独立して、かつ、円盤回転時に前記ターゲット
51の全面が前記リング状閉磁場に閉じ込められたプラ
ズマにより覆われるように配列し、前記回転軸66を中
心として前記ターゲット51面に平行に前記回転円盤6
5を回転するように構成したプレーナマグネトロンスパ
ッタ装置によって解決することができる。
ターゲット51の中心には一一致する回転軸66を有す
る回転円盤65上に、ターゲットサイズに比較して小さ
いリング状閉磁場を形成する少なくとも3個の磁石lを
それぞれ独立して、かつ、円盤回転時に前記ターゲット
51の全面が前記リング状閉磁場に閉じ込められたプラ
ズマにより覆われるように配列し、前記回転軸66を中
心として前記ターゲット51面に平行に前記回転円盤6
5を回転するように構成したプレーナマグネトロンスパ
ッタ装置によって解決することができる。
本発明によれば、多数(3個以上)の、たとえば、同心
円形の磁石1を回転円盤65上に配列し、それぞれ独立
したリング状閉磁場を形成し、そこにそれぞれ独立した
多数のプラズマ(PL)を発生させ回転円盤65を回転
させるので、プラズマ(PL)密度の均一化が図られ、
上記従来例のごときターゲット51面上に扶れα、βや
ヘソ部γなどが生しにく\なり、ターゲット51の消耗
状態が一様になりターゲット寿命の改善はもとより、ス
パッタ膜の膜厚分布、膜組成分布などの均一化が達成さ
れる。
円形の磁石1を回転円盤65上に配列し、それぞれ独立
したリング状閉磁場を形成し、そこにそれぞれ独立した
多数のプラズマ(PL)を発生させ回転円盤65を回転
させるので、プラズマ(PL)密度の均一化が図られ、
上記従来例のごときターゲット51面上に扶れα、βや
ヘソ部γなどが生しにく\なり、ターゲット51の消耗
状態が一様になりターゲット寿命の改善はもとより、ス
パッタ膜の膜厚分布、膜組成分布などの均一化が達成さ
れる。
〔実施例]
第1図は本発明の実施例を示す図である。
図中、1は磁石、たとえば、同心円形に配置された永久
磁石で、65は回転円盤、たとえば、軟磁性体からなり
ターゲット51の下方に、かつ、ターゲット51に平行
に配設され、その中央部にターゲット51の中心にほゞ
一致する回転軸66を有している。
磁石で、65は回転円盤、たとえば、軟磁性体からなり
ターゲット51の下方に、かつ、ターゲット51に平行
に配設され、その中央部にターゲット51の中心にほゞ
一致する回転軸66を有している。
なお、前記の諸口面で説明したものと同等の部分につい
ては同一符号を付し、かつ、同等部分についての説明は
省略する。
ては同一符号を付し、かつ、同等部分についての説明は
省略する。
第2図は本発明実施例の要部を示す図で、同図(イ)は
回転円盤とその上に配置された磁石群の平面図、同図(
ロ)は磁石とそこに生じたリング状閉磁場(CMF)の
状態を模式的に示したものである。
回転円盤とその上に配置された磁石群の平面図、同図(
ロ)は磁石とそこに生じたリング状閉磁場(CMF)の
状態を模式的に示したものである。
図中、la、lb、lcは3個の異なる大きさの磁石を
示し、いずれもターゲットサイズに比較して小さいリン
グ状閉磁場を形成し、各磁石はそれぞれ独立して、かつ
、円盤回転時に前記ターゲット51の全面が前記リング
状閉磁場(CMF)に閉じ込められたプラズマ(PL)
により覆われるように配列しである。その配列の仕方は
、たとえば、図示したごとく回転円盤65の外側から渦
巻き状に中心部に向かって配列すればよい。同図(ロ)
のNはN極、SはS極を示しリング状閉磁場(CMF)
に閉し込められたプラズマ(PL)の図示は省略しであ
る。
示し、いずれもターゲットサイズに比較して小さいリン
グ状閉磁場を形成し、各磁石はそれぞれ独立して、かつ
、円盤回転時に前記ターゲット51の全面が前記リング
状閉磁場(CMF)に閉じ込められたプラズマ(PL)
により覆われるように配列しである。その配列の仕方は
、たとえば、図示したごとく回転円盤65の外側から渦
巻き状に中心部に向かって配列すればよい。同図(ロ)
のNはN極、SはS極を示しリング状閉磁場(CMF)
に閉し込められたプラズマ(PL)の図示は省略しであ
る。
この回転円盤65を回転軸66の回りに回転するとリン
グ状閉磁場(CMF)に閉じ込められたプラズマ(PL
)、たとえば、3つのリング状のプラズマ(PL)はタ
ーゲット51の表面上をは一一様な密度で回転するので
、全面はヌ゛均一なスパッタ速度でスパッタされるので
ある。
グ状閉磁場(CMF)に閉じ込められたプラズマ(PL
)、たとえば、3つのリング状のプラズマ(PL)はタ
ーゲット51の表面上をは一一様な密度で回転するので
、全面はヌ゛均一なスパッタ速度でスパッタされるので
ある。
第5図は本発明実施例におけるターゲットの消耗状態を
示す模式側断面図である。前記第6図で説明した従来例
の場合に比較して、極めて平坦であり均一なスパッタ速
度が得られることがわかる。
示す模式側断面図である。前記第6図で説明した従来例
の場合に比較して、極めて平坦であり均一なスパッタ速
度が得られることがわかる。
この結果、ターゲット51の寿命が大巾に向上すると共
に、基板58上に形成されるスパッタ膜、たとえば、複
合組成の合金膜の膜厚分布は勿論のこと、その膜組成の
ずれも小さく極めて均一なスパッタ膜が得られる。
に、基板58上に形成されるスパッタ膜、たとえば、複
合組成の合金膜の膜厚分布は勿論のこと、その膜組成の
ずれも小さく極めて均一なスパッタ膜が得られる。
なお、上記実施例では磁石Iは円形のものを用いたが、
本発明はそれに限定されるものでなく楕円形や角形であ
ってもよく、また、磁石は永久磁石でなく電磁石であっ
てもよいことは言うまでもない。
本発明はそれに限定されるものでなく楕円形や角形であ
ってもよく、また、磁石は永久磁石でなく電磁石であっ
てもよいことは言うまでもない。
さらに、磁石1の配列方法も上記の渦巻き形とは限らず
、本発明の趣旨に添うものであれば他の配列法を用いて
もよいことは勿論である。
、本発明の趣旨に添うものであれば他の配列法を用いて
もよいことは勿論である。
第3図は本発明の他の実施例の要部を示す図である。図
中、la’ 、 lb’ 、 lc’は大きさおよび形
状の等しい3個の磁石を示し、いずれもターゲットサイ
ズに比較して小さいリング状閉磁場を形成し、前記実施
例と同様には\渦巻き状に配置したもので、同一形状、
同一サイズの磁石を用いるので設計製作上容易に本発明
を実施できる利点がある。
中、la’ 、 lb’ 、 lc’は大きさおよび形
状の等しい3個の磁石を示し、いずれもターゲットサイ
ズに比較して小さいリング状閉磁場を形成し、前記実施
例と同様には\渦巻き状に配置したもので、同一形状、
同一サイズの磁石を用いるので設計製作上容易に本発明
を実施できる利点がある。
第4図は本発明のさらに他の実施例の要部を示す図であ
る。図中、1a”+lb”、lc”、ld”、le”、
if” 、 1g”は大きさおよび形状の等しい7個
の磁石を示し、いずれもターゲットサイズは勿論のこと
前記2つの実施例の場合よりもさらに小さいリング状閉
磁場を形成し、回転円盤65上に渦巻き状に配置したも
のである。本実施例では小さい形状の磁石を多数用いて
いるので設計の自由度が大きく、より均一なスパッタ速
度を得るのに適している。
る。図中、1a”+lb”、lc”、ld”、le”、
if” 、 1g”は大きさおよび形状の等しい7個
の磁石を示し、いずれもターゲットサイズは勿論のこと
前記2つの実施例の場合よりもさらに小さいリング状閉
磁場を形成し、回転円盤65上に渦巻き状に配置したも
のである。本実施例では小さい形状の磁石を多数用いて
いるので設計の自由度が大きく、より均一なスパッタ速
度を得るのに適している。
以上述べた実施例は例を示したもので、本発明の趣旨に
添うものである限り、使用する素材や各部の形状・寸法
などは適宜好ましいもの、あるいは、その組み合わせを
用いてよいことは言うまでもない。
添うものである限り、使用する素材や各部の形状・寸法
などは適宜好ましいもの、あるいは、その組み合わせを
用いてよいことは言うまでもない。
以上説明したように、本発明装置によれば多数(3個以
上)の、たとえば、同心円形の磁石1を回転円盤65上
に配列し、それぞれ独立したリング状閉磁場を形成し、
そこにそれぞれ独立した多数のプラズマを発生させ回転
円盤65を回転させるので、プラズマ密度の均一化が図
られ、従来例のごときターゲット51面上に扶れα、β
やヘソ部Tなどが生しにく−なり、ターゲット51の消
耗状態が一様になりターゲット寿命の改善はもとより、
スパッタ膜の膜厚分布、膜組成分布などの均一化が達成
され、したがって、半導体装置など製品の性能・品質・
歩留りの向上に寄与するところが極めて大きい。
上)の、たとえば、同心円形の磁石1を回転円盤65上
に配列し、それぞれ独立したリング状閉磁場を形成し、
そこにそれぞれ独立した多数のプラズマを発生させ回転
円盤65を回転させるので、プラズマ密度の均一化が図
られ、従来例のごときターゲット51面上に扶れα、β
やヘソ部Tなどが生しにく−なり、ターゲット51の消
耗状態が一様になりターゲット寿命の改善はもとより、
スパッタ膜の膜厚分布、膜組成分布などの均一化が達成
され、したがって、半導体装置など製品の性能・品質・
歩留りの向上に寄与するところが極めて大きい。
第1図は本発明の実施例を示す図、
第2図は本発明実施例の要部を示す図、第3図は本発明
の他の実施例の要部を示す図、第4図は本発明のさらに
他の実施例の要部を示す図、 第5図は本発明実施例におけるターゲットの消耗状態を
示す模式側断面図、 第6図は従来装置におけるターゲットの消耗状態を示す
模式側断面図、 第7図は従来のプレーナマグネトロンスパッタ装置の例
を示す模式図、 第8図は従来装置の要部を示す図である。 図において、 1 (la、 lb、 lc、 la’ 、 Ib’
、 lc’ 、 la”、 lb”+1c”+1d”+
1e”+1f”、Ig”)は磁石、 51はターゲット、 58は基板、 65は回転円盤、 66は回転軸である。 不発朗芙権ダl/lt死示ず月 好 2 同 第 蜀 暦 (イ) 〔口) イご釆Kll二3う゛)するターリ”゛レトθ消耗1尺
帖を示す榎べ奮Ill剤杓肥 惰 6 ロ 好 目 不e8月/)”St:AY/)’N°e合’l/)eQ
示fl174− 口 第 ワ ■ (イ)平汀白反] (ロ)A−A矢才見−′面Eリ ゲ未装置の聯評を示ず記 ′好 l
の他の実施例の要部を示す図、第4図は本発明のさらに
他の実施例の要部を示す図、 第5図は本発明実施例におけるターゲットの消耗状態を
示す模式側断面図、 第6図は従来装置におけるターゲットの消耗状態を示す
模式側断面図、 第7図は従来のプレーナマグネトロンスパッタ装置の例
を示す模式図、 第8図は従来装置の要部を示す図である。 図において、 1 (la、 lb、 lc、 la’ 、 Ib’
、 lc’ 、 la”、 lb”+1c”+1d”+
1e”+1f”、Ig”)は磁石、 51はターゲット、 58は基板、 65は回転円盤、 66は回転軸である。 不発朗芙権ダl/lt死示ず月 好 2 同 第 蜀 暦 (イ) 〔口) イご釆Kll二3う゛)するターリ”゛レトθ消耗1尺
帖を示す榎べ奮Ill剤杓肥 惰 6 ロ 好 目 不e8月/)”St:AY/)’N°e合’l/)eQ
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Claims (3)
- (1)ターゲット(51)の下方に設けられ、かつ、タ
ーゲット(51)の中心にほゞ一致する回転軸(66)
を有する回転円盤(65)上に、ターゲットサイズに比
較して小さいリング状閉磁場を形成する少なくとも3個
の磁石(1)をそれぞれ独立して、かつ、円盤回転時に
前記ターゲット(51)の全面が前記リング状閉磁場に
閉じ込められたプラズマにより覆われるように配列し、
前記回転軸(66)を中心として前記ターゲット(51
)面に平行に前記回転円盤(65)を回転することを特
徴としたプレーナマグネトロンスパッタ装置。 - (2)前記磁石(1)の大きさが全て同一であることを
特徴とした請求項(1)記載のプレーナマグネトロンス
パッタ装置。 - (3)前記磁石(1)の形状が同心円形であることを特
徴とした請求項(1)および(2)記載のプレーナマグ
ネトロンスパッタ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18883690A JPH0474861A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | プレーナマグネトロンスパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18883690A JPH0474861A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | プレーナマグネトロンスパッタ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0474861A true JPH0474861A (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=16230695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18883690A Pending JPH0474861A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | プレーナマグネトロンスパッタ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0474861A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5439159A (en) * | 1993-08-18 | 1995-08-08 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Lead frame retaining apparatus |
KR100253082B1 (ko) * | 1997-01-16 | 2000-05-01 | 윤종용 | 반도체마그네트론스퍼터링설비의마그네트장치 |
US7114988B2 (en) | 2000-08-22 | 2006-10-03 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | Connector for connecting a flat cable and for securely retaining the same |
JP2009097057A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置 |
CN103849843A (zh) * | 2014-01-17 | 2014-06-11 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种具有五靶头的磁控共溅射设备 |
-
1990
- 1990-07-16 JP JP18883690A patent/JPH0474861A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5439159A (en) * | 1993-08-18 | 1995-08-08 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Lead frame retaining apparatus |
KR100253082B1 (ko) * | 1997-01-16 | 2000-05-01 | 윤종용 | 반도체마그네트론스퍼터링설비의마그네트장치 |
US7114988B2 (en) | 2000-08-22 | 2006-10-03 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | Connector for connecting a flat cable and for securely retaining the same |
US7267573B2 (en) | 2000-08-22 | 2007-09-11 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | Connector for flat cable |
JP2009097057A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置 |
CN103849843A (zh) * | 2014-01-17 | 2014-06-11 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种具有五靶头的磁控共溅射设备 |
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