JP2604855B2 - 回路板のスルーホール形成方法 - Google Patents
回路板のスルーホール形成方法Info
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- JP2604855B2 JP2604855B2 JP1133936A JP13393689A JP2604855B2 JP 2604855 B2 JP2604855 B2 JP 2604855B2 JP 1133936 A JP1133936 A JP 1133936A JP 13393689 A JP13393689 A JP 13393689A JP 2604855 B2 JP2604855 B2 JP 2604855B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、回路板のスルーホール形成方法に関す
る。
る。
〔従来の技術〕 回路基板の表面に真空蒸着法やスパッタリング法等に
より膜を形成して回路板を得る方法を用いると、メッキ
法等による場合に比べて、セラミック基板に導体膜等
（絶縁体、抵抗体、および誘導体等による成膜も可能）
を比較的容易に形成することができるし、不純物の少な
い高品質の導体膜を形成することもできる。前記真空蒸
着法等によれば、前記メッキ法等による場合に比べて、
回路基板の表面粗さが細かくても導体膜に充分な接合度
が得られるので、導体膜の厚みが充分に薄くなって同膜
部分の導電抵抗が小さくなり、高周波特性に優れた回路
板を得ることができる、等の利点を有している。
より膜を形成して回路板を得る方法を用いると、メッキ
法等による場合に比べて、セラミック基板に導体膜等
（絶縁体、抵抗体、および誘導体等による成膜も可能）
を比較的容易に形成することができるし、不純物の少な
い高品質の導体膜を形成することもできる。前記真空蒸
着法等によれば、前記メッキ法等による場合に比べて、
回路基板の表面粗さが細かくても導体膜に充分な接合度
が得られるので、導体膜の厚みが充分に薄くなって同膜
部分の導電抵抗が小さくなり、高周波特性に優れた回路
板を得ることができる、等の利点を有している。
第４図は、スパッタリング法により、スルーホール用
の孔３…が明けられたアルミナ等の回路基板１の片面に
導体膜を形成するとともに前記孔３…の内周にも同時に
導体膜を形成するようにした方法の一例をあらわしてい
る。同装置は真空容器５を備え、同容器５には、Arガス
の吸気口６と、真空ポンプ７の接続された排気口８とが
開口している。この真空容器５内の空間上位には、ホル
ダー９により前記回路基板１が水平にセットされ、空間
下位には、カソード10上側に設けられたターゲット（飛
散させる部分）２が位置している。前記真空ポンプ７の
作動により、真空容器５内が吸引減圧されて真空状態に
なり、これにより、前記吸気口６を通してArガスが強制
吸引されるようになる。真空容器５内に吸引されたArガ
スにより、回路基板１とターゲット２間にArプラズマを
発生させるとともに、同プラズマにより、ターゲット２
から銅原子（飛散する物質）が飛散するようになる。そ
の結果、銅原子は回路基板１の表面に付着するととも
に、同基板１のスルーホール用孔３…の内周面にも付着
するようになる。
の孔３…が明けられたアルミナ等の回路基板１の片面に
導体膜を形成するとともに前記孔３…の内周にも同時に
導体膜を形成するようにした方法の一例をあらわしてい
る。同装置は真空容器５を備え、同容器５には、Arガス
の吸気口６と、真空ポンプ７の接続された排気口８とが
開口している。この真空容器５内の空間上位には、ホル
ダー９により前記回路基板１が水平にセットされ、空間
下位には、カソード10上側に設けられたターゲット（飛
散させる部分）２が位置している。前記真空ポンプ７の
作動により、真空容器５内が吸引減圧されて真空状態に
なり、これにより、前記吸気口６を通してArガスが強制
吸引されるようになる。真空容器５内に吸引されたArガ
スにより、回路基板１とターゲット２間にArプラズマを
発生させるとともに、同プラズマにより、ターゲット２
から銅原子（飛散する物質）が飛散するようになる。そ
の結果、銅原子は回路基板１の表面に付着するととも
に、同基板１のスルーホール用孔３…の内周面にも付着
するようになる。
ところで、前記方式は、回路基板１をホルダー９で支
持して行なうが、同基板１は、スルーホール用の孔３…
が裏面側において閉止するように支持されていたので、
銅原子は、回路基板１の一側面には比較的容易に到達す
るが、スルーホール用の孔３…内への流入は非常に消極
的になっていた。これを、要部を拡大してみた第５図を
用いてより具体的に説明すると、同図において、回路基
板１の厚みをＴ、スルーホール用の孔３の内径をｄ、回
路基板１の表面に付着した導体膜12の厚みをt0、スルー
ホール用孔３の内周面に付着する導体膜13の厚みをｔと
した場合、 π(d/2)2t0≒πｄ（Ｔ＋t0） …式 と近似するものとなり、 ∴ｔ≒t0×d/4（Ｔ＋t0） …式 となることが判る。式を一例として、たとえば、Ｔ＝
0.635 t0＝0.01を代入して、孔３の内径ｄを変化させた
場合にｔがいくらになるかを第１表に示した。
持して行なうが、同基板１は、スルーホール用の孔３…
が裏面側において閉止するように支持されていたので、
銅原子は、回路基板１の一側面には比較的容易に到達す
るが、スルーホール用の孔３…内への流入は非常に消極
的になっていた。これを、要部を拡大してみた第５図を
用いてより具体的に説明すると、同図において、回路基
板１の厚みをＴ、スルーホール用の孔３の内径をｄ、回
路基板１の表面に付着した導体膜12の厚みをt0、スルー
ホール用孔３の内周面に付着する導体膜13の厚みをｔと
した場合、 π(d/2)2t0≒πｄ（Ｔ＋t0） …式 と近似するものとなり、 ∴ｔ≒t0×d/4（Ｔ＋t0） …式 となることが判る。式を一例として、たとえば、Ｔ＝
0.635 t0＝0.01を代入して、孔３の内径ｄを変化させた
場合にｔがいくらになるかを第１表に示した。
同表にみるように、スルーホール用孔３の内径ｄが小
さくなればなる程、同孔３内に堆積する導体膜13の厚み
ｔは薄くなり、d/Tが１以下、すなわち、回路基板１の
厚みＴに対してｄの方がそれ以下で孔３が細長傾向にな
る場合、回路基板１の平面部分の表面に付着する導体膜
12の厚みt0の２割以下しか得られないことになる。前記
孔３内に堆積して形成される導体膜13は、第６図にみる
ように、ターゲット２側において厚く、それより奥側へ
と次第に薄くなり、これにより、導体膜13の電気抵抗値
が大きくなってしまい、場合によっては、導通不良を生
じることもあった。
さくなればなる程、同孔３内に堆積する導体膜13の厚み
ｔは薄くなり、d/Tが１以下、すなわち、回路基板１の
厚みＴに対してｄの方がそれ以下で孔３が細長傾向にな
る場合、回路基板１の平面部分の表面に付着する導体膜
12の厚みt0の２割以下しか得られないことになる。前記
孔３内に堆積して形成される導体膜13は、第６図にみる
ように、ターゲット２側において厚く、それより奥側へ
と次第に薄くなり、これにより、導体膜13の電気抵抗値
が大きくなってしまい、場合によっては、導通不良を生
じることもあった。
前記事情に鑑みて、この発明の課題とするところは、
スルーホール用孔内周壁に、充分な量でかつ緻密である
とともに導電抵抗が小さくなるように導体膜が形成され
るようにすることにある。
スルーホール用孔内周壁に、充分な量でかつ緻密である
とともに導電抵抗が小さくなるように導体膜が形成され
るようにすることにある。
前記課題を解決するために、この発明にかかる回路板
のスルーホール形成方法は、スルーホール用孔の明けら
れた回路基板を、導電性材料を気化して飛散させる部分
に対向状に配置して固定し、前記回路基板の平面延長上
に、前記回路基板を挟んで対向するように複数対の電磁
石を配置して固定し、前記電磁石を制御して磁界を前記
回路基板のまわりで回転させながら、前記スルーホール
用孔内におよぶように磁場をかけることで、前記飛散物
質を、前記回路基板の表面とスルーホール用孔内周面に
同時に付着させるようにする。
のスルーホール形成方法は、スルーホール用孔の明けら
れた回路基板を、導電性材料を気化して飛散させる部分
に対向状に配置して固定し、前記回路基板の平面延長上
に、前記回路基板を挟んで対向するように複数対の電磁
石を配置して固定し、前記電磁石を制御して磁界を前記
回路基板のまわりで回転させながら、前記スルーホール
用孔内におよぶように磁場をかけることで、前記飛散物
質を、前記回路基板の表面とスルーホール用孔内周面に
同時に付着させるようにする。
スルーホール用孔の開けられた回路基板を、導電性材
料を気化して飛散させる部分に対向状に配置して固定
し、前記回路基板の平面延長上に、前記回路基板を挟ん
で対向するように複数対の電磁石を配置して固定し、前
記電磁石を制御して磁界を前記回路基板のまわりで回転
させながら、前記スルーホール用孔内におよぶように磁
場をかけることで、前記飛散物質を、前記回路基板の表
面とスルーホール用孔内周面に同時に付着させるように
すると、回路基板または電磁石を機械的に回転させるこ
となく回路基板と電磁石とを固定した状態で、磁界を回
路基板のまわりでなめらかに回転させることができるの
で、常に一定の磁界を回路基板にかけることができま
す。また、飛散物質が、磁場効果によりスルーホール用
孔内で曲げられて同孔の内周面に付着するようになり、
飛散する物質が、スルーホール用孔内周面に多くしかも
全体にわたるように付着するようになる。
料を気化して飛散させる部分に対向状に配置して固定
し、前記回路基板の平面延長上に、前記回路基板を挟ん
で対向するように複数対の電磁石を配置して固定し、前
記電磁石を制御して磁界を前記回路基板のまわりで回転
させながら、前記スルーホール用孔内におよぶように磁
場をかけることで、前記飛散物質を、前記回路基板の表
面とスルーホール用孔内周面に同時に付着させるように
すると、回路基板または電磁石を機械的に回転させるこ
となく回路基板と電磁石とを固定した状態で、磁界を回
路基板のまわりでなめらかに回転させることができるの
で、常に一定の磁界を回路基板にかけることができま
す。また、飛散物質が、磁場効果によりスルーホール用
孔内で曲げられて同孔の内周面に付着するようになり、
飛散する物質が、スルーホール用孔内周面に多くしかも
全体にわたるように付着するようになる。
以下に、この発明を、実施例をあらわす図面を参照し
つつ詳しく説明する。
つつ詳しく説明する。
第１図はこの発明にかかる回路板のスルーホール形成
方法の参考となる参考例を装置としてあらわしている。
同参考例は本発明の実施例にいたる過程における重要な
構成を示している。同参考例は、真空容器50が吸気口51
と排気口52を開口したものとされ、同排気口52に真空ポ
ンプ53を接続して、容器50内を真空吸引することで、吸
気口51からArガスを吸引してプラズマを発生するように
してある。容器50の下部にはカソードとターゲット（マ
グネトロンスパッタ）54が配置され、同スパッタ54か
ら、たとえば、銅イオン55…が飛散されるようになって
いる。ターゲット54の上方には縦軸周りに回転し得るホ
ルダー56に支持された回路基板57が設けられ、同基板57
に明けられたスルーホール用孔58…が軸中心を垂直に向
けられるようにセットされている。なお、前記ホルダー
56には、オーステナイト系ステンレス鋼等の非磁性材料
が用いられる。前記回路基板57とマグネトロンスパッタ
54間の間隔は、たとえば、60〜80mmとされる。そして、
回路基板57の面方向に平行になるように磁場をかけるこ
とで、前記銅イオン55…を、前記基板面と同時にスルー
ホール用孔58の内周面にも付着させるようにしたもので
ある。前記磁場をかける方法として、回路基板57の面方
向の両側方には磁石59,59が配され、両磁石59,59は、回
路基板57を挟んでＮ極とＳ極とが対向するようにされ
る。両磁石59,59による磁界の強さは、たとえば、数百
ガウス〜十キロガウスとされる。
方法の参考となる参考例を装置としてあらわしている。
同参考例は本発明の実施例にいたる過程における重要な
構成を示している。同参考例は、真空容器50が吸気口51
と排気口52を開口したものとされ、同排気口52に真空ポ
ンプ53を接続して、容器50内を真空吸引することで、吸
気口51からArガスを吸引してプラズマを発生するように
してある。容器50の下部にはカソードとターゲット（マ
グネトロンスパッタ）54が配置され、同スパッタ54か
ら、たとえば、銅イオン55…が飛散されるようになって
いる。ターゲット54の上方には縦軸周りに回転し得るホ
ルダー56に支持された回路基板57が設けられ、同基板57
に明けられたスルーホール用孔58…が軸中心を垂直に向
けられるようにセットされている。なお、前記ホルダー
56には、オーステナイト系ステンレス鋼等の非磁性材料
が用いられる。前記回路基板57とマグネトロンスパッタ
54間の間隔は、たとえば、60〜80mmとされる。そして、
回路基板57の面方向に平行になるように磁場をかけるこ
とで、前記銅イオン55…を、前記基板面と同時にスルー
ホール用孔58の内周面にも付着させるようにしたもので
ある。前記磁場をかける方法として、回路基板57の面方
向の両側方には磁石59,59が配され、両磁石59,59は、回
路基板57を挟んでＮ極とＳ極とが対向するようにされ
る。両磁石59,59による磁界の強さは、たとえば、数百
ガウス〜十キロガウスとされる。
前記装置において、真空容器50内を真空ポンプ53によ
り真空状態にして吸気口51を通してArガスを導入するよ
うにする。同Arガスは、0.2〜0.8Paの圧力になるように
し、ついで、マグネトロンスパッタ54のカソードに通電
して放電させることで、Arガスのプラズマを形成し、同
プラズマにより、ターゲットから導電性（銅）の金属粒
子、あるいは、銅原子をスパッタさせるようにする。こ
れらは放電プラズマ中を通過して回路基板57に到達して
導体膜を形成するようにするが、放電プラズマ中で金属
粒子の一部がイオン化されて電荷をもつようになる。こ
のイオン化したものが飛散物質として回路基板57の表面
に付着する。回路基板57は水平に回転されながらそのス
ルーホール用孔58内に水平方向の磁界がかけられた状態
にある。飛散物質（銅イオン）55…は、回路基板の底面
側の表面に付着するほかに、スルーホール用孔58…内に
も導かれて付着するようになる。この様子をあらわした
ものが第２図である。このスルーホール用孔58内におい
ては、銅イオン55がその軸心方向に流れるようになる
が、その途中で、磁界が作用するので、図示のようにス
ルーホール用孔58の内周面58aの方向に曲がって同内周
面58aへと角度をもって入射し付着するようになる。こ
のときのイオン55の軌道は円弧を描くものになり、その
回転半径Ｒは、およそ となる。ただし、Ｍは金属の質量数（銅の場合、63.
5）、Ｖは金属粒子のエネルギー（マグネトロンスパッ
タの場合、数eV〜数十eV）、Ｂは磁界の強さである。つ
まり、金属イオンが銅イオンの場合、回転半径は数mm〜
10mm程度になる。このように、スルーホール用孔58内に
入射したイオン55は円弧を描き、その殆ど全てが、スル
ーホール用孔58内を通り抜けてしまうことなく、同孔58
の内周面58aに付着するようになる。これにより、従来
に比べて内周面58aに形成される導体膜が厚くなる。ま
た、入射する角度が大きくなるので、緻密な導体膜が得
られるようになる。なお、イオン55は常に一定の方向に
曲がるようになるが、前記回路基板57の方を回転させる
ようにしてあるので、たとえイオン55が同じ方向に曲が
るだけであっても内周面58aにはその全周に均一にイオ
ン55が付着するようになる。
り真空状態にして吸気口51を通してArガスを導入するよ
うにする。同Arガスは、0.2〜0.8Paの圧力になるように
し、ついで、マグネトロンスパッタ54のカソードに通電
して放電させることで、Arガスのプラズマを形成し、同
プラズマにより、ターゲットから導電性（銅）の金属粒
子、あるいは、銅原子をスパッタさせるようにする。こ
れらは放電プラズマ中を通過して回路基板57に到達して
導体膜を形成するようにするが、放電プラズマ中で金属
粒子の一部がイオン化されて電荷をもつようになる。こ
のイオン化したものが飛散物質として回路基板57の表面
に付着する。回路基板57は水平に回転されながらそのス
ルーホール用孔58内に水平方向の磁界がかけられた状態
にある。飛散物質（銅イオン）55…は、回路基板の底面
側の表面に付着するほかに、スルーホール用孔58…内に
も導かれて付着するようになる。この様子をあらわした
ものが第２図である。このスルーホール用孔58内におい
ては、銅イオン55がその軸心方向に流れるようになる
が、その途中で、磁界が作用するので、図示のようにス
ルーホール用孔58の内周面58aの方向に曲がって同内周
面58aへと角度をもって入射し付着するようになる。こ
のときのイオン55の軌道は円弧を描くものになり、その
回転半径Ｒは、およそ となる。ただし、Ｍは金属の質量数（銅の場合、63.
5）、Ｖは金属粒子のエネルギー（マグネトロンスパッ
タの場合、数eV〜数十eV）、Ｂは磁界の強さである。つ
まり、金属イオンが銅イオンの場合、回転半径は数mm〜
10mm程度になる。このように、スルーホール用孔58内に
入射したイオン55は円弧を描き、その殆ど全てが、スル
ーホール用孔58内を通り抜けてしまうことなく、同孔58
の内周面58aに付着するようになる。これにより、従来
に比べて内周面58aに形成される導体膜が厚くなる。ま
た、入射する角度が大きくなるので、緻密な導体膜が得
られるようになる。なお、イオン55は常に一定の方向に
曲がるようになるが、前記回路基板57の方を回転させる
ようにしてあるので、たとえイオン55が同じ方向に曲が
るだけであっても内周面58aにはその全周に均一にイオ
ン55が付着するようになる。
第３図は、この発明にかかる回路板のスルーホール形
成方法の一実施例を装置としてあらわしている。同実施
例は、回路基板60に機械的な回転を与えずに固定式とす
るとともに、電磁石61…も同様に固定式にして、専ら電
磁石61…を電気的に制御することで、磁界を回転させる
ようにしたものである。すなわち、図示しない真空容器
内には、マグネトロンスパッタ62と、その上方に対向す
るように非磁性材料からなるホルダーで支持された回路
基板60とが設けられている。回路基板60にはスルーホー
ル用孔63…が開口している。前記回路基板60の平面延長
上には、上からみて基板60を挟んで対向し合うポールピ
ース対64,64が合計３対配置されている。各ポールピー
ス64の外側方には、鉄心65と励磁コイル66からなる電磁
石61がそれぞれ配置されている。対向する電磁石61,61
に通電してポールピース対64,64の一方をＮ極に、ま
た、他方をＳ極に励磁することができる。
成方法の一実施例を装置としてあらわしている。同実施
例は、回路基板60に機械的な回転を与えずに固定式とす
るとともに、電磁石61…も同様に固定式にして、専ら電
磁石61…を電気的に制御することで、磁界を回転させる
ようにしたものである。すなわち、図示しない真空容器
内には、マグネトロンスパッタ62と、その上方に対向す
るように非磁性材料からなるホルダーで支持された回路
基板60とが設けられている。回路基板60にはスルーホー
ル用孔63…が開口している。前記回路基板60の平面延長
上には、上からみて基板60を挟んで対向し合うポールピ
ース対64,64が合計３対配置されている。各ポールピー
ス64の外側方には、鉄心65と励磁コイル66からなる電磁
石61がそれぞれ配置されている。対向する電磁石61,61
に通電してポールピース対64,64の一方をＮ極に、ま
た、他方をＳ極に励磁することができる。
真空容器内を排気により真空にし、Arガスを0.2〜0.6
Paとなるように導入する。マグネトロンスパッタ62のカ
ソードに通電して放電させ、カソードに備えたターゲッ
トから銅金属をスパッタさせる。コイル66,66の１対に
直流を流してポールピース対64,64を励磁することで、
回路基板60の空間、すなわち、スルーホール用孔63…に
は基板面と平行に磁界がかけられる。この磁界を、第２
表に示すように、励磁するコイル対と励磁方向を順次変
化させて６方向に変化させるようにする。なお、ポール
ピースには、各対ごとに、A1：A2，B1：B2，C1：C2のよ
うに区別のための符号を付した。
Paとなるように導入する。マグネトロンスパッタ62のカ
ソードに通電して放電させ、カソードに備えたターゲッ
トから銅金属をスパッタさせる。コイル66,66の１対に
直流を流してポールピース対64,64を励磁することで、
回路基板60の空間、すなわち、スルーホール用孔63…に
は基板面と平行に磁界がかけられる。この磁界を、第２
表に示すように、励磁するコイル対と励磁方向を順次変
化させて６方向に変化させるようにする。なお、ポール
ピースには、各対ごとに、A1：A2，B1：B2，C1：C2のよ
うに区別のための符号を付した。
この制御は、磁界を回転させると同じことになる。こ
のようにスパッタとともに磁界を回転させるようにする
ことで、スルーホール用孔63…内に導入された金属イオ
ンは、その殆どが同孔を通過してしまうことなく孔の内
周面に付着するようになる。これにより、内周面の導体
膜が従来よりも厚くなるとともに、前記磁界の回転制御
により周方向に均一に形成されるようになる。前記イオ
ンの内周面への入射角度は大きくなるので、導体膜は緻
密になる。この実施例では、ポールピース１個につき、
コイルを１個備えるようにしたが、たとえば、同図にみ
るように、対向するポールピース64,64（前記A1：A2，B
1：B2，C1：C2の各関係にあるもの）を鉄心でそれぞれ
つないで、各磁路67を形成し、１対のポールピース64,6
4に対して１個のコイルを備えるようにしてもよい。前
記マグネトロンスパッタに代えて、イオンソースまたは
電子ビーム加熱るつぼと熱電子放出用フィラメントの組
み合わせのように、金属粒子をイオン化して供給できる
他のものを用いることができる。
のようにスパッタとともに磁界を回転させるようにする
ことで、スルーホール用孔63…内に導入された金属イオ
ンは、その殆どが同孔を通過してしまうことなく孔の内
周面に付着するようになる。これにより、内周面の導体
膜が従来よりも厚くなるとともに、前記磁界の回転制御
により周方向に均一に形成されるようになる。前記イオ
ンの内周面への入射角度は大きくなるので、導体膜は緻
密になる。この実施例では、ポールピース１個につき、
コイルを１個備えるようにしたが、たとえば、同図にみ
るように、対向するポールピース64,64（前記A1：A2，B
1：B2，C1：C2の各関係にあるもの）を鉄心でそれぞれ
つないで、各磁路67を形成し、１対のポールピース64,6
4に対して１個のコイルを備えるようにしてもよい。前
記マグネトロンスパッタに代えて、イオンソースまたは
電子ビーム加熱るつぼと熱電子放出用フィラメントの組
み合わせのように、金属粒子をイオン化して供給できる
他のものを用いることができる。
この発明にかかる回路板のスルーホール形成方法は、
以上のようにするため、基板表面への導体膜の形成と同
時に、スルーホール用孔内の内周面に、緻密で比較的厚
い導体膜を孔全体にわたるように形成することができ、
これにより、導電抵抗が小さく信頼性の高いスルーホー
ル用孔を形成することができる。
以上のようにするため、基板表面への導体膜の形成と同
時に、スルーホール用孔内の内周面に、緻密で比較的厚
い導体膜を孔全体にわたるように形成することができ、
これにより、導電抵抗が小さく信頼性の高いスルーホー
ル用孔を形成することができる。
第１図は回路板のスルーホール形成方法の参考例を装置
としてあらわす模式図、第２図はその要部を拡大してイ
オンの流れをあらわす断面図、第３図はこの発明にかか
る回路板のスルーホール形成方法の一実施例を装置とし
てあらわす傾視図、第４図は従来のスルーホ ール形成
方法を装置としてあらわす模式図、第５図は同スルーホ
ール用孔内に導体膜が堆積する量を概算により示すため
の拡大模式図、第６図は同孔内の入口側に導体膜が堆積
した様子をあらわす拡大図である。 57,60……回路基板、54,62……飛散させる部分、58,63
……スルーホール用孔、55……飛散物質
としてあらわす模式図、第２図はその要部を拡大してイ
オンの流れをあらわす断面図、第３図はこの発明にかか
る回路板のスルーホール形成方法の一実施例を装置とし
てあらわす傾視図、第４図は従来のスルーホ ール形成
方法を装置としてあらわす模式図、第５図は同スルーホ
ール用孔内に導体膜が堆積する量を概算により示すため
の拡大模式図、第６図は同孔内の入口側に導体膜が堆積
した様子をあらわす拡大図である。 57,60……回路基板、54,62……飛散させる部分、58,63
……スルーホール用孔、55……飛散物質
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭48−41257（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−122196（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−200755（ＪＰ，Ａ) 特開 昭47−1926（ＪＰ，Ａ) 実開 昭51−51457（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】スルーホール用孔の明けられた回路基板
を、導電性材料を気化して飛散させる部分に対向状に配
置して固定し、前記回路基板の平面延長上に、前記回路
基板を挟んで対向するように複数対の電磁石を配置して
固定し、前記電磁石を制御して磁界を前記回路基板のま
わりで回転させながら、前記スルーホール用孔内におよ
ぶように磁場をかけることで、前記飛散物質を、前記回
路基板の表面とスルーホール用孔内周面に同時に付着さ
せるようにする回路板のスルーホール形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1133936A JP2604855B2 (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | 回路板のスルーホール形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1133936A JP2604855B2 (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | 回路板のスルーホール形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02310994A JPH02310994A (ja) | 1990-12-26 |
| JP2604855B2 true JP2604855B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=15116533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1133936A Expired - Fee Related JP2604855B2 (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | 回路板のスルーホール形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2604855B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4583868B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2010-11-17 | 株式会社昭和真空 | スパッタ装置 |
| JP5467220B2 (ja) * | 2009-10-30 | 2014-04-09 | 北川工業株式会社 | 表裏導通フィルム及びその製造方法 |
| JP6965662B2 (ja) * | 2017-09-26 | 2021-11-10 | コニカミノルタ株式会社 | インクジェットヘッド、インクジェットヘッドの製造方法、および画像形成装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2147573C2 (de) * | 1971-09-23 | 1974-06-12 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung von mikroelektronischen Schaltungen |
| JPS5151457U (ja) * | 1974-10-15 | 1976-04-19 | ||
| JPS56122196A (en) * | 1980-02-28 | 1981-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of energizing conductive layer of through hole |
| US4420386A (en) * | 1983-04-22 | 1983-12-13 | White Engineering Corporation | Method for pure ion plating using magnetic fields |
-
1989
- 1989-05-25 JP JP1133936A patent/JP2604855B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02310994A (ja) | 1990-12-26 |
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