JPH04187765A - マグネトロンスパッタ装置の防着板 - Google Patents
マグネトロンスパッタ装置の防着板Info
- Publication number
- JPH04187765A JPH04187765A JP31403090A JP31403090A JPH04187765A JP H04187765 A JPH04187765 A JP H04187765A JP 31403090 A JP31403090 A JP 31403090A JP 31403090 A JP31403090 A JP 31403090A JP H04187765 A JPH04187765 A JP H04187765A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- plate
- target
- electrode
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 title claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title abstract description 8
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 title abstract 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000750631 Takifugu chinensis Species 0.000 description 1
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、真空中で基板上に薄膜を形成するスパッタリ
ング装置に係り、特に、基板上の表面のシート抵抗分布
が均一になるように薄膜を形成するのに好適な、スパッ
タリング装置に関する。
ング装置に係り、特に、基板上の表面のシート抵抗分布
が均一になるように薄膜を形成するのに好適な、スパッ
タリング装置に関する。
従来のスパッタ装置による薄膜形成は以下のようにして
行なわれる。すなわち、真空容器内に薄膜の材料となる
ターゲットを設けたターゲット電極と、薄膜を形成させ
るべき基板を設置した基板電極を配置し、ターゲットに
直流電源あるいは高周波電源により電圧を印加し、真空
容器内にアルゴンの動作ガスを供給するとターゲット表
面近くで放電が起きプラズマが発生する。そのプラズマ
中のアルゴンイオンの衝撃によりターゲット材料がスパ
ッタ粒子として放出されスパッタ粒子が基板上に付着し
、薄膜を形成する。このような装置において、プラズマ
中のイオンは加速されてターゲット表面に衝突し、その
結果、ターゲットの成膜材料の粒子がはじき出され、基
板に付着し薄膜を形成する、しかも、それと同時に真空
容器内壁にも薄膜が付着する。そのため、基板以外に薄
膜が付着するのを防ぐために真空容器内に防着板を設け
ている。
行なわれる。すなわち、真空容器内に薄膜の材料となる
ターゲットを設けたターゲット電極と、薄膜を形成させ
るべき基板を設置した基板電極を配置し、ターゲットに
直流電源あるいは高周波電源により電圧を印加し、真空
容器内にアルゴンの動作ガスを供給するとターゲット表
面近くで放電が起きプラズマが発生する。そのプラズマ
中のアルゴンイオンの衝撃によりターゲット材料がスパ
ッタ粒子として放出されスパッタ粒子が基板上に付着し
、薄膜を形成する。このような装置において、プラズマ
中のイオンは加速されてターゲット表面に衝突し、その
結果、ターゲットの成膜材料の粒子がはじき出され、基
板に付着し薄膜を形成する、しかも、それと同時に真空
容器内壁にも薄膜が付着する。そのため、基板以外に薄
膜が付着するのを防ぐために真空容器内に防着板を設け
ている。
なお、この種の装置として関連するものには、例えば、
特開昭６２−２５０１７３号公報に記載のように、基板
と略同面積の開口部をもったシャツタ板が可動できるよ
うな箱を取付けたスパッタ源シールドがシールドに取付
ねじて固定されており、この時、基板上以外に飛来した
ターゲット材料は、スパッタ源用シールド内で全て捕え
られ、スパッタ源用シールド外、すなわち、真空容器内
壁及び各駆動機構部等に付着しないようにしている。
特開昭６２−２５０１７３号公報に記載のように、基板
と略同面積の開口部をもったシャツタ板が可動できるよ
うな箱を取付けたスパッタ源シールドがシールドに取付
ねじて固定されており、この時、基板上以外に飛来した
ターゲット材料は、スパッタ源用シールド内で全て捕え
られ、スパッタ源用シールド外、すなわち、真空容器内
壁及び各駆動機構部等に付着しないようにしている。
上記従来技術では、スパッタ源、及び、シャッタ可動範
囲をシールド材で覆い、基板と略同面積の開口部をシー
ルド材に設け、スパッタリングされたターゲット材料が
基板と略同面積にしか飛来しないような構造となってい
る。しかし、この方法ではスパッタ源用シールド内が基
板に対して非対称であるため、ターゲット表面近くで発
生したプラズマがシャツタ板が可動な開口部のほうへ拡
散し、基板上に形成する薄膜のシート抵抗分布の均一性
が悪いという問題があった。
囲をシールド材で覆い、基板と略同面積の開口部をシー
ルド材に設け、スパッタリングされたターゲット材料が
基板と略同面積にしか飛来しないような構造となってい
る。しかし、この方法ではスパッタ源用シールド内が基
板に対して非対称であるため、ターゲット表面近くで発
生したプラズマがシャツタ板が可動な開口部のほうへ拡
散し、基板上に形成する薄膜のシート抵抗分布の均一性
が悪いという問題があった。
本発明の目的は、プラズマ中のイオンにより、ターゲッ
トの成膜材料の粒子がはじき出され、その粒子が真空容
器内壁に付着しないようにし、しかも、基板上に形成さ
れる薄膜のシート抵抗分布を均一にするために防着板に
金網を設けたスパッタ装置を提供することにある。
トの成膜材料の粒子がはじき出され、その粒子が真空容
器内壁に付着しないようにし、しかも、基板上に形成さ
れる薄膜のシート抵抗分布を均一にするために防着板に
金網を設けたスパッタ装置を提供することにある。
上記目的は、真空容器内にターゲット電極と対向して設
けた基板電極側に、基板と対称性をもった円筒形状の基
板とほぼ同面積の開口部をもつ、防着板を設け、しかも
、その防着板の内部も低真空に排気するための排気口部
を設け、その排気口部の上部にメツシュ状の金網を設け
た構成とすることにより達成される。
けた基板電極側に、基板と対称性をもった円筒形状の基
板とほぼ同面積の開口部をもつ、防着板を設け、しかも
、その防着板の内部も低真空に排気するための排気口部
を設け、その排気口部の上部にメツシュ状の金網を設け
た構成とすることにより達成される。
真空容器内にターゲット電極と対向して設けた基板電極
側に、円筒形状の防着板を設け、この排気口にメツシュ
状の金網を設けた構成は、プラズマが防着板外へ拡散す
るのを防止でき、プラズマが基板に対し対称性をもって
放電する。また、防着板内部の圧力を低真空に排気し、
しかも、防着板内部での動作圧力を一定にすることがで
きる。
側に、円筒形状の防着板を設け、この排気口にメツシュ
状の金網を設けた構成は、プラズマが防着板外へ拡散す
るのを防止でき、プラズマが基板に対し対称性をもって
放電する。また、防着板内部の圧力を低真空に排気し、
しかも、防着板内部での動作圧力を一定にすることがで
きる。
そのため基板上に形成される薄膜のシート抵抗の分布を
均一にすることができる。
均一にすることができる。
以下、本発明の一実施例のマグネトロンスパッタ装置を
用いて抵抗ＦＡ （Ｃｒ−３ｊｎ２）ターゲットをスパ
ッタリングする場合について第１図により説明する、ま
ず、スパッタ装置の、構成を説明する。
用いて抵抗ＦＡ （Ｃｒ−３ｊｎ２）ターゲットをスパ
ッタリングする場合について第１図により説明する、ま
ず、スパッタ装置の、構成を説明する。
１はＣｒ−８ｉＯ□ターゲツトで、２は銅製のバッキン
グプレートであり、３は電気的に接地された真空容器（
金属）である。バッキングプレート２はターゲットｌの
裏側に設けられており、ターゲット１はバッキングプレ
ート２の裏側にろう付で固定されている。４は内側電磁
石のコイル、５は外側電磁石のコイルであり、６はその
ヨークである。
グプレートであり、３は電気的に接地された真空容器（
金属）である。バッキングプレート２はターゲットｌの
裏側に設けられており、ターゲット１はバッキングプレ
ート２の裏側にろう付で固定されている。４は内側電磁
石のコイル、５は外側電磁石のコイルであり、６はその
ヨークである。
７は絶縁材のリング、８はケーシング（ステンレス族）
であり、７のリングはケーシング８と３の真空容器とを
絶縁している。９は絶縁材からなる石英の電極カバーで
あり、１０はカバーである。１のターゲットと対する側
には１１の基板電極があり電気的に接地されている。基
板電極１１上には基板１２があり、１３は円筒状の基板
と、はぼ、同面積の開口部をもつ防着板であり、その防
着板の一部には防着板の内部を排気する排気用の切欠き
部１９を設け、その切欠き部１９にメツシュ状の金網１
４を設置している。１５は１１の基板電極と真空容器３
をＯリング（図示省略）でシールするためのプレートで
ある。また、バッキングプレート２は冷却水により冷却
されており（図示省略）、ターゲット１がプラズマにさ
らされることによる熱の上昇を防いでいる。また、電磁
石４．５も冷却水により冷却されている。（図示省略）
電磁石のコイル４゜５は直流電源１５．１６に接続され
て電圧がコイルに印加される。その際、内、外側のコイ
ルにより電磁石は異なる極性に励磁され、内外側電磁石
への供給電力に応じて磁力を変えられるようになってい
る。ケーシング８には高周波電源１７が接続されている
。第３図に防着板を示した図である。
であり、７のリングはケーシング８と３の真空容器とを
絶縁している。９は絶縁材からなる石英の電極カバーで
あり、１０はカバーである。１のターゲットと対する側
には１１の基板電極があり電気的に接地されている。基
板電極１１上には基板１２があり、１３は円筒状の基板
と、はぼ、同面積の開口部をもつ防着板であり、その防
着板の一部には防着板の内部を排気する排気用の切欠き
部１９を設け、その切欠き部１９にメツシュ状の金網１
４を設置している。１５は１１の基板電極と真空容器３
をＯリング（図示省略）でシールするためのプレートで
ある。また、バッキングプレート２は冷却水により冷却
されており（図示省略）、ターゲット１がプラズマにさ
らされることによる熱の上昇を防いでいる。また、電磁
石４．５も冷却水により冷却されている。（図示省略）
電磁石のコイル４゜５は直流電源１５．１６に接続され
て電圧がコイルに印加される。その際、内、外側のコイ
ルにより電磁石は異なる極性に励磁され、内外側電磁石
への供給電力に応じて磁力を変えられるようになってい
る。ケーシング８には高周波電源１７が接続されている
。第３図に防着板を示した図である。
次にこの構成で各部の作用について説明する。
真空容器３内を図示しない排気装置により１８から。
真空排気し同時に防着板の内側も排気し、低真空にして
動作ガスであるアルゴンガスを導入しく図示省略）所定
の圧力に保存する。電磁石のコイル４．５に電圧を印加
し、形成される磁界の磁力線がターゲット１表面のスパ
ッタされる面と平行になるような磁界を発生される。一
方、高周波電源１７からケーシング８に電圧を印加する
とタープ・ント１の表面近傍で垂直な磁界が発生しスバ
・ツタされる面の近傍の磁界と電界とが直交する領域で
マグネトロン放電が起こり、環状のプラズマが発生する
。このプラズマ中のアルコジン（Ａｒ）イオンの衝撃に
よりＣｒ −ＳｉＯ□ターゲット１の表面がスパッタさ
れターゲット１に対向して設置された基板１２上にスパ
ッタ粒子（Ｃｒ−３ｉＯ□）が付着して薄膜を形成する
。電磁石４，５への供給電力を制御することにより、プ
ラズマの発生位置は変えられる。
動作ガスであるアルゴンガスを導入しく図示省略）所定
の圧力に保存する。電磁石のコイル４．５に電圧を印加
し、形成される磁界の磁力線がターゲット１表面のスパ
ッタされる面と平行になるような磁界を発生される。一
方、高周波電源１７からケーシング８に電圧を印加する
とタープ・ント１の表面近傍で垂直な磁界が発生しスバ
・ツタされる面の近傍の磁界と電界とが直交する領域で
マグネトロン放電が起こり、環状のプラズマが発生する
。このプラズマ中のアルコジン（Ａｒ）イオンの衝撃に
よりＣｒ −ＳｉＯ□ターゲット１の表面がスパッタさ
れターゲット１に対向して設置された基板１２上にスパ
ッタ粒子（Ｃｒ−３ｉＯ□）が付着して薄膜を形成する
。電磁石４，５への供給電力を制御することにより、プ
ラズマの発生位置は変えられる。
この時、ターゲット表面近傍で発生したプラズマは、基
板電極１１の上に設けた防着板１３内部で放電し、しか
も、防着板１３の排気口１９をメツシュ状の金網１４で
シールしいてるため、防着板１３の外部へプラズマが拡
散されることが防がれる。また、真空容器３を真空排気
し、低真空にするのに同じように防着板１３内部の圧力
も低真空にすることができ、動作圧力を一定にすること
ができる。
板電極１１の上に設けた防着板１３内部で放電し、しか
も、防着板１３の排気口１９をメツシュ状の金網１４で
シールしいてるため、防着板１３の外部へプラズマが拡
散されることが防がれる。また、真空容器３を真空排気
し、低真空にするのに同じように防着板１３内部の圧力
も低真空にすることができ、動作圧力を一定にすること
ができる。
第２図に動作圧力とシール抵抗との関係を示す。
基板は１２７ Ｘ １２７ｍｍの正方形状のものを使用
し、成膜の条件として内側電磁石と外側電磁石を８Ａ、
ＯＡとした。また高周波電源の電圧を］、、５ｋｗと
し、成膜時間を三分間行なった場合を示す。図の縦軸に
シート抵抗（Ω）、横軸に基板端面からの距離を示す６
ａは動作圧力５ Ｘｌ０− ”Ｔｏｒｒの時を示す。
し、成膜の条件として内側電磁石と外側電磁石を８Ａ、
ＯＡとした。また高周波電源の電圧を］、、５ｋｗと
し、成膜時間を三分間行なった場合を示す。図の縦軸に
シート抵抗（Ω）、横軸に基板端面からの距離を示す６
ａは動作圧力５ Ｘｌ０− ”Ｔｏｒｒの時を示す。
このときシート抵抗が中心部が高く周辺部が低くなった
凸形状の分布となる。Ｃは動作圧力が０．５ＸＩＯ−’
ＴｏｒｒＯ時を示す。中心部が低く、基板の周辺部にい
くにつれて高くなる凹形状の分布となっている。ｂは動
作圧力２ Ｘｌ０− ”Ｔｏｒｒの時を示す。シート抵
抗分布は、はぼ、均一な分布となっている。
凸形状の分布となる。Ｃは動作圧力が０．５ＸＩＯ−’
ＴｏｒｒＯ時を示す。中心部が低く、基板の周辺部にい
くにつれて高くなる凹形状の分布となっている。ｂは動
作圧力２ Ｘｌ０− ”Ｔｏｒｒの時を示す。シート抵
抗分布は、はぼ、均一な分布となっている。
本実施例によれば、防着板にメツシュ状の金網を設けた
ことにより、棒看板内部の圧力を低真空に排気すること
が可能であり、内部の動作圧力を一定にし、第２図で説
明したようにこの場合は２ＸＩＯ−’Ｔｏｒｒで一定に
することにより、基板表面に形成する薄膜のシート抵抗
の分布を均一にする ／ことができる。
ことにより、棒看板内部の圧力を低真空に排気すること
が可能であり、内部の動作圧力を一定にし、第２図で説
明したようにこの場合は２ＸＩＯ−’Ｔｏｒｒで一定に
することにより、基板表面に形成する薄膜のシート抵抗
の分布を均一にする ／ことができる。
また、本発明では高周波を用いた二重磁極のマグネトロ
ンスパッタ装置を説明したが、直流電源を用いたスパッ
タ装置とすることによっても同様な効果がある。
ンスパッタ装置を説明したが、直流電源を用いたスパッ
タ装置とすることによっても同様な効果がある。
本発明によれば、基板電極の上部に基板と対称な円筒状
の基板とほぼ同面積を有する開口部を設けた防着板を設
け、その防着板の内部を低圧力にするための排気口を設
け、その排気口にメツシュ状の金網を設置したことによ
り、防着板内部の圧力を低真空に排気が可能であり、ア
ルゴンの動作ガスを導入し、所定の圧力に一定にするこ
とが出来る。しかもプラズマが防着板の内部で基板と対
称に放電するため基板上に形成される薄膜のシート抵抗
分布を均一にすることができる。また、ターゲット近傍
に発生したプラズマが防着板の外側に拡散するのを防ぐ
ことが、真空容器の内壁にスパッタ粒子が付着するのを
防ぐことができる。
の基板とほぼ同面積を有する開口部を設けた防着板を設
け、その防着板の内部を低圧力にするための排気口を設
け、その排気口にメツシュ状の金網を設置したことによ
り、防着板内部の圧力を低真空に排気が可能であり、ア
ルゴンの動作ガスを導入し、所定の圧力に一定にするこ
とが出来る。しかもプラズマが防着板の内部で基板と対
称に放電するため基板上に形成される薄膜のシート抵抗
分布を均一にすることができる。また、ターゲット近傍
に発生したプラズマが防着板の外側に拡散するのを防ぐ
ことが、真空容器の内壁にスパッタ粒子が付着するのを
防ぐことができる。
第１図は本発明の一実施例のマグネトロンスパッタ装置
の縦断面図、第２図は動作圧力とシート抵抗との関係を
示す特性図、第３図は防着板を示す斜視図である。 １・・・ターゲット ３・・・真空容器４・・・
内側電磁石 ５・・・外側電磁１１・・・基板電
極 １３・・・防着板１４・・・金網
１５，１．６・・・直流電源１７・・・高周波電
源 兇１図 １１１び 罰２ｘ 基ノ反ｆＬ烏■〃・うの距＃ｍｒｎｌ
の縦断面図、第２図は動作圧力とシート抵抗との関係を
示す特性図、第３図は防着板を示す斜視図である。 １・・・ターゲット ３・・・真空容器４・・・
内側電磁石 ５・・・外側電磁１１・・・基板電
極 １３・・・防着板１４・・・金網
１５，１．６・・・直流電源１７・・・高周波電
源 兇１図 １１１び 罰２ｘ 基ノ反ｆＬ烏■〃・うの距＃ｍｒｎｌ
Claims (1)
- １．真空容器と、前記真空容器内に磁界と電界とを発生
させる手段をもち、かつ、前記真空容器内には成膜材料
のターゲット電極と、これに対向する位置に膜形成の基
板の電極とを備え、磁界と電界の相互作用によるプラズ
マの発生を利用して前記基板上にスパッタ薄膜を形成さ
せるマグネトロンスパッタ装置において、 上記真空容器から見て、膜形成対称の基板の電極上に円
筒形状の基板とほぼ同面積の開口部を設けた防着板を設
け、前記防着板の一部分に設けた排気用の開口部にメッ
シュ状の金網を設けた構成により前記基板上に形成する
薄膜のシート抵抗の分布を均一にすることを特徴とする
マグネトロンスパッタ装置の防着板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31403090A JPH04187765A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | マグネトロンスパッタ装置の防着板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31403090A JPH04187765A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | マグネトロンスパッタ装置の防着板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04187765A true JPH04187765A (ja) | 1992-07-06 |
Family
ID=18048371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31403090A Pending JPH04187765A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | マグネトロンスパッタ装置の防着板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04187765A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5393398A (en) * | 1991-06-19 | 1995-02-28 | Sony Corporation | Magnetron sputtering apparatus |
| WO2011132454A1 (ja) * | 2010-04-20 | 2011-10-27 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法および半導体素子の製造方法 |
| JP2016031796A (ja) * | 2014-07-28 | 2016-03-07 | 株式会社Ihi | プラズマ光源システム |
-
1990
- 1990-11-21 JP JP31403090A patent/JPH04187765A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5393398A (en) * | 1991-06-19 | 1995-02-28 | Sony Corporation | Magnetron sputtering apparatus |
| WO2011132454A1 (ja) * | 2010-04-20 | 2011-10-27 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法および半導体素子の製造方法 |
| JP2016031796A (ja) * | 2014-07-28 | 2016-03-07 | 株式会社Ihi | プラズマ光源システム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4564750B2 (ja) | プラズマスパッタリング用回転マグネトロンを組み合わせたマグネットアレイ | |
| AU746645B2 (en) | Method and apparatus for deposition of biaxially textured coatings | |
| KR20020005512A (ko) | 마그네트론 스퍼터링 반응기의 바이어스 차폐판 | |
| US20060090999A1 (en) | Sputter coating system | |
| JPH04187765A (ja) | マグネトロンスパッタ装置の防着板 | |
| JPH08209343A (ja) | 平面マグネトロン・スパッタリングの方法と装置 | |
| JPH11106914A (ja) | 対向マグネトロン複合スパッタ装置 | |
| JP2000156374A (ja) | スパッタ処理応用のプラズマ処理装置 | |
| JP2001220669A (ja) | 酸化マグネシウム膜の製造方法 | |
| JPH08302464A (ja) | スパッタリングカソード及びスパッタリング装置 | |
| JPS59229480A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPS582589B2 (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPS63307272A (ja) | イオンビ−ムスパツタ装置 | |
| US20060081467A1 (en) | Systems and methods for magnetron deposition | |
| JPS6016515B2 (ja) | 低温スパツタリング装置 | |
| JPH0361367A (ja) | マグネトロン方式のスパッタリング装置 | |
| KR930001231B1 (ko) | 다중극 자장억류 원리를 이용한 대용량 이온플레이팅 방법 및 그장치 | |
| JP7263111B2 (ja) | スパッタ成膜装置 | |
| JP3821893B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP2984746B2 (ja) | イオンビームスパッタ装置 | |
| JPS63266065A (ja) | 膜作成装置 | |
| JP2002060939A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置および薄膜形成方法 | |
| JPH0625845A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH02254158A (ja) | 薄膜装置 | |
| JPH04210471A (ja) | 反応性スパッタ装置 |