JP2002517610A - 輪郭づけスパッタリングターゲット - Google Patents
輪郭づけスパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JP2002517610A JP2002517610A JP2000552318A JP2000552318A JP2002517610A JP 2002517610 A JP2002517610 A JP 2002517610A JP 2000552318 A JP2000552318 A JP 2000552318A JP 2000552318 A JP2000552318 A JP 2000552318A JP 2002517610 A JP2002517610 A JP 2002517610A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering
- contoured
- annular region
- target member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3423—Shape
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3491—Manufacturing of targets
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
輪郭づけスパッタリングターゲット（１０）は上面（１８、１１８）、底面（２０、１２０）及び外周面（２２、１２２）を具備する、スパッタリング材料から成るターゲット部材（１２、１１２）を含む。前記外周面（２２、１２２）から半径方向内方に且つ底面（２０、１２０）から離れて延在する一つ以上の輪郭づけられた環状領域（２４、１２４、２２４）が、前記ターゲット部材（１２、１１２）上面（１８、１１８）に形成される。ターゲット部材は更に、一つ以上の輪郭づけられた環状領域（２４、１２４、２２４）により取り囲まれる、上面（１８、１１８）に形成された平面状の領域、凹面状の領域（３４、１３４）或いは中央くぼみ領域（３８、１３８）を含みうる。ターゲット部材（１２、１１２）のこの形態は、スパッタリング作業中ターゲットの外周面（２２、１２２）近くに形成されうるノジュールからの汚染源粒子の発生を減じる。輪郭づけスパッタリングターゲットを形成する方法もまた開示される。
Description
【０００１】 （発明の分野） 本発明は、一般にスパッタリングシステムに関するものであり、特にはスパッ
タリング装置において基材若しくはウエハを処理するのに使用するためのスパッ
タリングターゲットに関する。
タリング装置において基材若しくはウエハを処理するのに使用するためのスパッ
タリングターゲットに関する。
【０００２】 （発明の背景） スパッタ被覆は、スパッタリング装置の真空処理室内で半導体ウエハのような
基材を被覆するためのプロセスを言及する。スパッタ被覆プロセスにおいて、印
加電場は、ウエハを、それに対向して取り付けられた、負にバイアスされたスパ
ッタリング材料製のターゲットに対して正にバイアスする。ひとたび処理室が真
空排気されると、不活性気体が低圧で室内に導入され、そして印加電場はプロセ
ス気体をイオン化する。その結果、気体からの正のイオンはターゲットに射突し
てターゲット材料スパッタせしめてウエハ上への薄膜形態での付着をもたらす。
磁石もしくは電磁石をウエハに面するターゲットの表面上方に磁場を与えるべく
ターゲットの背後に配置して、ターゲットに隣り合ってイオン「プラズマ」を閉
じこめ、それによりスパッタ被覆作業を増進させるようにすることができる。
基材を被覆するためのプロセスを言及する。スパッタ被覆プロセスにおいて、印
加電場は、ウエハを、それに対向して取り付けられた、負にバイアスされたスパ
ッタリング材料製のターゲットに対して正にバイアスする。ひとたび処理室が真
空排気されると、不活性気体が低圧で室内に導入され、そして印加電場はプロセ
ス気体をイオン化する。その結果、気体からの正のイオンはターゲットに射突し
てターゲット材料スパッタせしめてウエハ上への薄膜形態での付着をもたらす。
磁石もしくは電磁石をウエハに面するターゲットの表面上方に磁場を与えるべく
ターゲットの背後に配置して、ターゲットに隣り合ってイオン「プラズマ」を閉
じこめ、それによりスパッタ被覆作業を増進させるようにすることができる。
【０００３】 スパッタリングターゲットは代表的に、アルミニウム合金、金、銀、銅、チタ
ン、チタン−タングステン或いは白金のようなターゲット材料製の一般に円形状
のディスクとして形成される。ターゲット材料ディスクは、交換可能なスパッタ
リングターゲット組立体を形成するように支持用のバッキングプレートに半田付
けされるか若しくは別様に結合されうる。スパッタリング作業中、ターゲット材
料は、ターゲットの上面からスパッタされてウエハ上に付着堆積する。スパッタ
リング材料は代表的に、ウエハに対して露出されるターゲットの幅方向即ちター
ゲット面を不均一に横切って侵食を受け、ターゲットのある帯域は他の帯域より
一層急速に侵食される。
ン、チタン−タングステン或いは白金のようなターゲット材料製の一般に円形状
のディスクとして形成される。ターゲット材料ディスクは、交換可能なスパッタ
リングターゲット組立体を形成するように支持用のバッキングプレートに半田付
けされるか若しくは別様に結合されうる。スパッタリング作業中、ターゲット材
料は、ターゲットの上面からスパッタされてウエハ上に付着堆積する。スパッタ
リング材料は代表的に、ウエハに対して露出されるターゲットの幅方向即ちター
ゲット面を不均一に横切って侵食を受け、ターゲットのある帯域は他の帯域より
一層急速に侵食される。
【０００４】 この問題を克服するために、幾つかのスパッタリング装置は、ターゲットの面
を横切って全体的に一様なスパッタリング速度を生み出すように、磁場の変化或
いはターゲット上での多数の非平面状侵食帯域の形成或いは両者を使用している
。代表的に、ターゲットの外側半径方向領域は、ターゲットの中央領域より厚く
された。ターゲットは、ターゲット面に形成された凹入領域或いはターゲットの
中央を貫いて形成された穴さえ含みうる。スパッタリング材料はターゲットから
次第に侵食されていき、ついにはターゲットはもはやウエハ上に所望の被覆特性
を与えることができなくなる。その時点で、侵食されたターゲットとバッキング
プレートから成るターゲット組立体は新しいターゲット組立体と交換される。
を横切って全体的に一様なスパッタリング速度を生み出すように、磁場の変化或
いはターゲット上での多数の非平面状侵食帯域の形成或いは両者を使用している
。代表的に、ターゲットの外側半径方向領域は、ターゲットの中央領域より厚く
された。ターゲットは、ターゲット面に形成された凹入領域或いはターゲットの
中央を貫いて形成された穴さえ含みうる。スパッタリング材料はターゲットから
次第に侵食されていき、ついにはターゲットはもはやウエハ上に所望の被覆特性
を与えることができなくなる。その時点で、侵食されたターゲットとバッキング
プレートから成るターゲット組立体は新しいターゲット組立体と交換される。
【０００５】 例えば、窒化チタン（ＴｉＮ）のスパッタリングにおいては、チタンスパッタ
リングターゲットとバッキングプレート組立体が、ターゲット露出表面をウエハ
と対面させて真空処理室内に装着される。真空室は排気され、そして後窒素気体
で充填される。窒素気体は印加電場の存在下でイオン化する。プラズマプロセス
気体からの正のイオンは、ターゲットの上面に射突しそしてチタン粒子をウエハ
に向けて叩き出す即ちスパッタせしめる。スパッタリングプロセス中、チタン粒
子は窒素プロセス気体と化学的に反応して、ウエハ表面上に窒化チタン薄膜を形
成する。
リングターゲットとバッキングプレート組立体が、ターゲット露出表面をウエハ
と対面させて真空処理室内に装着される。真空室は排気され、そして後窒素気体
で充填される。窒素気体は印加電場の存在下でイオン化する。プラズマプロセス
気体からの正のイオンは、ターゲットの上面に射突しそしてチタン粒子をウエハ
に向けて叩き出す即ちスパッタせしめる。スパッタリングプロセス中、チタン粒
子は窒素プロセス気体と化学的に反応して、ウエハ表面上に窒化チタン薄膜を形
成する。
【０００６】 ウエハのスパッタ被覆における重要な様相は、ウエハ上に付着される皮膜の純
度である。スパッタ処理室内での汚染物の量が増加するにつれ、ウエハに不純物
が形成されるので、ウエハ生産収率は減少する。例えば、窒化チタニウムのスパ
ッタリングにおいて、ターゲットの中央部分からの材料がスパッタされそして、
ウエハ上にではなく、ターゲット面の外周縁部に再付着するにつれ、ＴｉＮノジ
ュールがターゲットのスパッタリング面に形成されることが知られている。スパ
ッタリング作業中、ＴｉＮノジュールが、剥離しそしてウエハ上の付着窒化チタ
ン皮膜の純度に悪影響を与える汚染粒子（パーティクル）を発生する傾向がある
。ＴｉＮ粒子の発生はターゲットの使用の増加に伴い悪化するから、容認しうる
デバイス収率を維持するためにはターゲットは周期的にコンディショニングされ
ねばならない。
度である。スパッタ処理室内での汚染物の量が増加するにつれ、ウエハに不純物
が形成されるので、ウエハ生産収率は減少する。例えば、窒化チタニウムのスパ
ッタリングにおいて、ターゲットの中央部分からの材料がスパッタされそして、
ウエハ上にではなく、ターゲット面の外周縁部に再付着するにつれ、ＴｉＮノジ
ュールがターゲットのスパッタリング面に形成されることが知られている。スパ
ッタリング作業中、ＴｉＮノジュールが、剥離しそしてウエハ上の付着窒化チタ
ン皮膜の純度に悪影響を与える汚染粒子（パーティクル）を発生する傾向がある
。ＴｉＮ粒子の発生はターゲットの使用の増加に伴い悪化するから、容認しうる
デバイス収率を維持するためにはターゲットは周期的にコンディショニングされ
ねばならない。
【０００７】 ターゲットのコンディショニングは、非製品（試用）基材上にチタンのみのス
パッタリングを行うことにより実現される。チタンのみのスパッタリングは、タ
ーゲット上に保持されたＴｉＮノジュールを放離せしめそして非製品基材上に付
着せしめる。周期的なコンディショニングは汚染源としてのＴｉＮノジュールを
除去することによりターゲットの有用寿命を延長するが、これは、ウエハ被覆生
産ラインの中断を必要としそしてスパッタリングシステムの休止をもたらす。従
って、公知のスパッタリングターゲットの輪郭付け（所定の外形を形づくること
）やスパッタリングシステムの操作への改善にもかかわらず、ターゲット上での
ノジュール形成は、特に窒化チタンのスパッタ付着においては、問題となってき
た。
パッタリングを行うことにより実現される。チタンのみのスパッタリングは、タ
ーゲット上に保持されたＴｉＮノジュールを放離せしめそして非製品基材上に付
着せしめる。周期的なコンディショニングは汚染源としてのＴｉＮノジュールを
除去することによりターゲットの有用寿命を延長するが、これは、ウエハ被覆生
産ラインの中断を必要としそしてスパッタリングシステムの休止をもたらす。従
って、公知のスパッタリングターゲットの輪郭付け（所定の外形を形づくること
）やスパッタリングシステムの操作への改善にもかかわらず、ターゲット上での
ノジュール形成は、特に窒化チタンのスパッタ付着においては、問題となってき
た。
【０００８】 過去において、ターゲットの外周面近くでのＴｉＮ粒子の再付着を減じるため
に、ターゲットの外周縁に隣り合って急角度の斜面を含む単体としてのスパッタ
リングターゲットが作製された。例えば、米国特許第５，５３８，６０３号にお
いては、ターゲットの平面に対して少なくとも３０度の角度でそして好ましくは
一層大きな角度、即ち７０度でテーパづけられた斜面をターゲットの外縁に隣り
合って形成され、それにより後方散乱原子の軌道が原子をしてターゲットの外周
面から完全に外れるように為された。斜面の急角度はまた、テーパづけられたタ
ーゲット縁近くでのスパッタ付着速度を増大するべくターゲットの外周縁に隣り
合うターゲットの厚さを減じるようにも選択される。従って、ターゲット上に衝
突しそして再付着する後方散乱ＴｉＮ粒子はウエハ若しくは基材上に一層再スパ
ッタされやすい。しかし、この急角度のテーパ付きターゲットは、ターゲットバ
ッキングプレートに取り付けられたスパッタリングターゲットと関連する同じＴ
ｉＮノジュール形成問題と遭遇しない単体ターゲットである。
に、ターゲットの外周縁に隣り合って急角度の斜面を含む単体としてのスパッタ
リングターゲットが作製された。例えば、米国特許第５，５３８，６０３号にお
いては、ターゲットの平面に対して少なくとも３０度の角度でそして好ましくは
一層大きな角度、即ち７０度でテーパづけられた斜面をターゲットの外縁に隣り
合って形成され、それにより後方散乱原子の軌道が原子をしてターゲットの外周
面から完全に外れるように為された。斜面の急角度はまた、テーパづけられたタ
ーゲット縁近くでのスパッタ付着速度を増大するべくターゲットの外周縁に隣り
合うターゲットの厚さを減じるようにも選択される。従って、ターゲット上に衝
突しそして再付着する後方散乱ＴｉＮ粒子はウエハ若しくは基材上に一層再スパ
ッタされやすい。しかし、この急角度のテーパ付きターゲットは、ターゲットバ
ッキングプレートに取り付けられたスパッタリングターゲットと関連する同じＴ
ｉＮノジュール形成問題と遭遇しない単体ターゲットである。
【０００９】 従って、スパッタリング作業中形成される可能性のあるノジュールからの汚染
源粒子の発生を減じるスパッタリングターゲット及びバッキングプレート組立体
に対する必要性が存在している。ターゲットの寿命中一層少ない周期的コンディ
ショニングで済み、それによりシステム休止時間の短縮と予防的保守の軽減をも
たらすスパッタリングターゲット及びバッキングプレート組立体に対する必要性
もまた存在している。
源粒子の発生を減じるスパッタリングターゲット及びバッキングプレート組立体
に対する必要性が存在している。ターゲットの寿命中一層少ない周期的コンディ
ショニングで済み、それによりシステム休止時間の短縮と予防的保守の軽減をも
たらすスパッタリングターゲット及びバッキングプレート組立体に対する必要性
もまた存在している。
【００１０】 （発明の概要） 本発明は、これまで知られたスパッタリングターゲットの上述の及び他の欠点
や短所を克服する。本発明をある種の具体例と関連して記載するが、本発明はこ
れら具体例に制限されるものでないことが理解されよう。逆に、本発明は、本発
明の精神及び範囲内に含まれうるすべての代替、変更及び均等物を含む。
や短所を克服する。本発明をある種の具体例と関連して記載するが、本発明はこ
れら具体例に制限されるものでないことが理解されよう。逆に、本発明は、本発
明の精神及び範囲内に含まれうるすべての代替、変更及び均等物を含む。
【００１１】 本発明の原理に従えば、上面即ち露出されそして被覆されるウエハ若しくは基
材に対面するよう設定されている表（おもて）面、従来型式のバッキングプレー
トに代表的に結合若しくは別様に接合される平面状底面及び外周面を具備し、そ
してスパッタリング材料からなるターゲット部材を含む輪郭づけられた（所要の
外形を付与された）スパッタリングターゲットが提供される。処理室内でのスパ
ッタリング作業中、スパッタされた材料はターゲット部材の上面から放出されそ
して基材上に薄い被覆即ち薄膜の形で付着される。
材に対面するよう設定されている表（おもて）面、従来型式のバッキングプレー
トに代表的に結合若しくは別様に接合される平面状底面及び外周面を具備し、そ
してスパッタリング材料からなるターゲット部材を含む輪郭づけられた（所要の
外形を付与された）スパッタリングターゲットが提供される。処理室内でのスパ
ッタリング作業中、スパッタされた材料はターゲット部材の上面から放出されそ
して基材上に薄い被覆即ち薄膜の形で付着される。
【００１２】 本発明の一具体例において、ターゲット部材は、上面に形成されそして外周面
から所定の距離半径方向内方に且つ底面から離れる方向に延在する輪郭づけられ
た環状領域を有する。輪郭づけられた環状領域は、半径方向内方にそして底面か
ら離れて延在する平面状表面或いは丸みづけられた（アールをつけた）表面を含
みうる。ターゲット部材はまた輪郭づけられた環状領域により取り囲まれる、タ
ーゲット上面に形成された平面状の領域、凹面状領域或いは中央くぼみ領域をも
含みうる。
から所定の距離半径方向内方に且つ底面から離れる方向に延在する輪郭づけられ
た環状領域を有する。輪郭づけられた環状領域は、半径方向内方にそして底面か
ら離れて延在する平面状表面或いは丸みづけられた（アールをつけた）表面を含
みうる。ターゲット部材はまた輪郭づけられた環状領域により取り囲まれる、タ
ーゲット上面に形成された平面状の領域、凹面状領域或いは中央くぼみ領域をも
含みうる。
【００１３】 本発明の別の具体例において、少なくとも２つの輪郭づけられた環状領域がタ
ーゲット部材の上面に形成されうる。輪郭づけられた環状領域の一つは他の輪郭
づけられた環状領域から半径方向内方に形成される。輪郭づけられた環状領域の
一方乃至両方は、半径方向内方にそして底面から離れて延在する平面状表面或い
は丸みづけられた表面を含みうる。ターゲット部材はまた、輪郭づけられた環状
領域により取り囲まれる、ターゲット上面に形成された、平面状の領域、凹面状
の領域或いは中央くぼみ領域をも含みうる。
ーゲット部材の上面に形成されうる。輪郭づけられた環状領域の一つは他の輪郭
づけられた環状領域から半径方向内方に形成される。輪郭づけられた環状領域の
一方乃至両方は、半径方向内方にそして底面から離れて延在する平面状表面或い
は丸みづけられた表面を含みうる。ターゲット部材はまた、輪郭づけられた環状
領域により取り囲まれる、ターゲット上面に形成された、平面状の領域、凹面状
の領域或いは中央くぼみ領域をも含みうる。
【００１４】 ターゲット部材における輪郭づけられた環状領域の形状即ち輪郭は、ターゲッ
ト縁における再付着物の累積を減ずるのに特に有益である。追加的に、本発明の
輪郭づけスパッタリングターゲットは、外周面近くでのターゲット部材のスパッ
タリング速度、即ち侵食速度を低減するように特に輪郭づけられる。スパッタリ
ング作業中ノジュール（図示無し）が外周面に若しくはその近くに形成されるに
つれ、ターゲットにおいて形成された環状領域近くに存在する低いプラズマ強さ
並びにターゲットの輪郭により生み出される減少したスパッタリング速度が、ス
パッタリング作業中、ノジュールが剥離したりまた再スパッタリングされるのを
防止する。ターゲット部材に形成された輪郭づけられた環状領域は、ターゲット
部材に形成されうるノジュールを有益に安定化して、スパッタリング作業中のノ
ジュールの再スパッタリングと剥離を著しく減じる。
ト縁における再付着物の累積を減ずるのに特に有益である。追加的に、本発明の
輪郭づけスパッタリングターゲットは、外周面近くでのターゲット部材のスパッ
タリング速度、即ち侵食速度を低減するように特に輪郭づけられる。スパッタリ
ング作業中ノジュール（図示無し）が外周面に若しくはその近くに形成されるに
つれ、ターゲットにおいて形成された環状領域近くに存在する低いプラズマ強さ
並びにターゲットの輪郭により生み出される減少したスパッタリング速度が、ス
パッタリング作業中、ノジュールが剥離したりまた再スパッタリングされるのを
防止する。ターゲット部材に形成された輪郭づけられた環状領域は、ターゲット
部材に形成されうるノジュールを有益に安定化して、スパッタリング作業中のノ
ジュールの再スパッタリングと剥離を著しく減じる。
【００１５】 従って、本発明の輪郭づけスパッタリングターゲットは、スパッタリング作業
中のノジュールの累積を減少し、そして更にスパッタリング作業中形成される可
能性のあるノジュールからの汚染源粒子の発生を減じる。本発明の輪郭づけスパ
ッタリングターゲットはまた、ターゲットの寿命中一層少ない周期的コンディシ
ョニングで済み、それによりシステム休止時間の短縮と予防的保守の軽減をもた
らす。
中のノジュールの累積を減少し、そして更にスパッタリング作業中形成される可
能性のあるノジュールからの汚染源粒子の発生を減じる。本発明の輪郭づけスパ
ッタリングターゲットはまた、ターゲットの寿命中一層少ない周期的コンディシ
ョニングで済み、それによりシステム休止時間の短縮と予防的保守の軽減をもた
らす。
【００１６】 本発明の上述した特徴及び利点は添付図面を参照しての以下の記載から一層良
く理解されよう。 本明細書に組み込まれそしてその一部を構成する添付図面は、本発明の具体例
を例示しそして上に述べた本発明の概説及び以下に述べる具体例についての詳細
な説明と併せて、本発明の原理を説明する役目を為すものである。
く理解されよう。 本明細書に組み込まれそしてその一部を構成する添付図面は、本発明の具体例
を例示しそして上に述べた本発明の概説及び以下に述べる具体例についての詳細
な説明と併せて、本発明の原理を説明する役目を為すものである。
【００１７】 （発明の詳細な記述） 図面、特に図１を参照すると、本発明の一具体例に従う輪郭づけスパッタリン
グターゲット組立体１０が示される。スパッタリングターゲット組立体１０は、
スパッタリング材料からなるターゲット部材１２を含み、これはスパッタリング
装置（図示無し）において使用のためターゲットバッキングプレート１４に半田
づけされるか若しくは別様に接合されうる。当業者には理解されるように、スパ
ッタリングターゲット組立体１０は、スパッタリング装置（図示無し）における
真空処理室（図示無し）内に中央螺刻軸１６及び締着具（図示無し）を介して取
り付けられる。スパッタリング装置（図示無し）は、共に本件出願人に譲渡され
た米国特許第４，９０９，６９５号及び第５，１３０，００５号に示される型式
のものであり得る。これらはここに言及することによりその全体を本明細書の一
部となす。
グターゲット組立体１０が示される。スパッタリングターゲット組立体１０は、
スパッタリング材料からなるターゲット部材１２を含み、これはスパッタリング
装置（図示無し）において使用のためターゲットバッキングプレート１４に半田
づけされるか若しくは別様に接合されうる。当業者には理解されるように、スパ
ッタリングターゲット組立体１０は、スパッタリング装置（図示無し）における
真空処理室（図示無し）内に中央螺刻軸１６及び締着具（図示無し）を介して取
り付けられる。スパッタリング装置（図示無し）は、共に本件出願人に譲渡され
た米国特許第４，９０９，６９５号及び第５，１３０，００５号に示される型式
のものであり得る。これらはここに言及することによりその全体を本明細書の一
部となす。
【００１８】 ターゲット部材１２は、限定されるものでないが、チタン、チタン−タングス
テン、白金、アルミニウム合金、金、銀、銅、或いは高融点金属シリサイドを含
めて、スパッタリング材料製の一般に円形のディスクとして形成されうる。ター
ゲット部材１２の直径は被覆されるべきウエハの寸法に依存して変化され、代表
的に１０〜１４インチの範囲である。例えば、１０インチ直径のターゲットが６
インチ直径のウエハをスパッタ被覆するのに使用でき、また１２インチターゲッ
トが８インチウエハをスパッタ被覆するのに使用できる。ターゲット部材１２は
、ここでは、約１０インチの直径を有する円形ディスクとして詳述されるが、他
の形態及び寸法のターゲット部材が本発明の精神及び範囲から逸脱することなく
可能であることが当業者には理解されよう。
テン、白金、アルミニウム合金、金、銀、銅、或いは高融点金属シリサイドを含
めて、スパッタリング材料製の一般に円形のディスクとして形成されうる。ター
ゲット部材１２の直径は被覆されるべきウエハの寸法に依存して変化され、代表
的に１０〜１４インチの範囲である。例えば、１０インチ直径のターゲットが６
インチ直径のウエハをスパッタ被覆するのに使用でき、また１２インチターゲッ
トが８インチウエハをスパッタ被覆するのに使用できる。ターゲット部材１２は
、ここでは、約１０インチの直径を有する円形ディスクとして詳述されるが、他
の形態及び寸法のターゲット部材が本発明の精神及び範囲から逸脱することなく
可能であることが当業者には理解されよう。
【００１９】 図１及び２を参照して最もよく理解されるように、ターゲット部材は、精密に
加工された表（おもて）面、即ち上面１８、平面状底面２０及び外周面２２を具
備する。好ましくは、図面に示されるように、外周面２２は、平面状底面２０に
一般に直交して形成される。スパッタリング作業中、ターゲット部材１２は、タ
ーゲットの１２の上面１８がウエハ（図示無し）に対面するようにしてスパッタ
リング処理室（図示無し）内に設置される。斯界で良く知られるように、スパッ
タリング材料は、ターゲット部材１２の上面１８から叩き出されそしてウエハ（
図示無し）上に薄膜の形態で付着せしめられる。
加工された表（おもて）面、即ち上面１８、平面状底面２０及び外周面２２を具
備する。好ましくは、図面に示されるように、外周面２２は、平面状底面２０に
一般に直交して形成される。スパッタリング作業中、ターゲット部材１２は、タ
ーゲットの１２の上面１８がウエハ（図示無し）に対面するようにしてスパッタ
リング処理室（図示無し）内に設置される。斯界で良く知られるように、スパッ
タリング材料は、ターゲット部材１２の上面１８から叩き出されそしてウエハ（
図示無し）上に薄膜の形態で付着せしめられる。
【００２０】 本発明の一具体例に従えば、図１、１Ａ及び２を参照して最もよく理解される
ように、ターゲット部材１２は、スパッタリング作業中ターゲットの外周面２２
近くに形成されうるノジュール（図示無し）からの汚染源となる粒子の発生を減
じるように輪郭づけられる。ターゲット部材１２の上面１８には、外周面２２か
ら半径方向内方にそして底面２０から離れて延在する輪郭づけられた（所要の外
形を付与された）環状領域２４が形成される。例えば１０インチ直径のターゲッ
トに対しては、輪郭づけられた環状領域２４は、外周面２２から半径方向内方へ
約０．１９５インチから約０．９７５インチまでの範囲にある環状境界２６まで
延在しうる。
ように、ターゲット部材１２は、スパッタリング作業中ターゲットの外周面２２
近くに形成されうるノジュール（図示無し）からの汚染源となる粒子の発生を減
じるように輪郭づけられる。ターゲット部材１２の上面１８には、外周面２２か
ら半径方向内方にそして底面２０から離れて延在する輪郭づけられた（所要の外
形を付与された）環状領域２４が形成される。例えば１０インチ直径のターゲッ
トに対しては、輪郭づけられた環状領域２４は、外周面２２から半径方向内方へ
約０．１９５インチから約０．９７５インチまでの範囲にある環状境界２６まで
延在しうる。
【００２１】 輪郭づけられた環状領域２４の輪郭は特に、外周面２２における若しくはその
近くでの再付着物の累積を減じるように選択される。輪郭づけられた環状領域２
４の輪郭はまた、外周面２２近くでのターゲット部材１２のスパッタリング速度
即ち侵食速度を減じるようにも選択される。こうして、ノジュール（図示無し）
がその位置において若しくはその近傍で形成されるに際して、ターゲット部材１
２の輪郭により生み出されるスパッタリング速度の減少と外周面２２近くに存在
する低めのプラズマ強さがノジュール（図示無し）を安定化しそしてノジュール
が剥離しそして処理室内で基材若しくはウエハ（図示無し）上のスパッタ被膜に
悪影響を及ぼしうる、汚染源となる粒子が発生するのを防止する。ターゲット部
材１２の輪郭は特に窒化チタンスパッタリングプロセスにおいてターゲット上に
生じうるノジュールからの汚染源粒子の発生を減じるが、当業者は、本発明が本
発明の精神及び範囲から逸脱することなく他の種のスパッタリングプロセスにも
応用しうることを理解しよう。
近くでの再付着物の累積を減じるように選択される。輪郭づけられた環状領域２
４の輪郭はまた、外周面２２近くでのターゲット部材１２のスパッタリング速度
即ち侵食速度を減じるようにも選択される。こうして、ノジュール（図示無し）
がその位置において若しくはその近傍で形成されるに際して、ターゲット部材１
２の輪郭により生み出されるスパッタリング速度の減少と外周面２２近くに存在
する低めのプラズマ強さがノジュール（図示無し）を安定化しそしてノジュール
が剥離しそして処理室内で基材若しくはウエハ（図示無し）上のスパッタ被膜に
悪影響を及ぼしうる、汚染源となる粒子が発生するのを防止する。ターゲット部
材１２の輪郭は特に窒化チタンスパッタリングプロセスにおいてターゲット上に
生じうるノジュールからの汚染源粒子の発生を減じるが、当業者は、本発明が本
発明の精神及び範囲から逸脱することなく他の種のスパッタリングプロセスにも
応用しうることを理解しよう。
【００２２】 輪郭づけられた環状領域２４は、外周面２２から半径方向内方の環状境界２６
まで傾斜される。輪郭づけられた環状領域２４は、ターゲットの平面状２０に平
行な面２８（図１Ａ）に対して約５〜２０度の範囲にある角度α（図１Ａ）にお
いて傾斜づけられうる。本発明の一具体例においては、輪郭づけられた環状領域
２４は平面状の表面２８を（図１、図１Ａ、及び図２）含みうる。別様には、図
１Ｂに示されるように、輪郭づけられた環状領域２４は、外周面２２から環状境
界２６へと半径方向内方にそしてターゲット１２の底面２０から離れて延在する
丸みづけられた（アールをつけられた）表面３２を含みうる。図１Ａ及び１Ｂに
示されるような輪郭づけられた環状領域２４のいずれの具体例においても、ター
ゲット部材１２のこの形態は、スパッタリング作業中外周面２２近くで形成され
うるノジュールからの汚染源粒子の発生を減じる。
まで傾斜される。輪郭づけられた環状領域２４は、ターゲットの平面状２０に平
行な面２８（図１Ａ）に対して約５〜２０度の範囲にある角度α（図１Ａ）にお
いて傾斜づけられうる。本発明の一具体例においては、輪郭づけられた環状領域
２４は平面状の表面２８を（図１、図１Ａ、及び図２）含みうる。別様には、図
１Ｂに示されるように、輪郭づけられた環状領域２４は、外周面２２から環状境
界２６へと半径方向内方にそしてターゲット１２の底面２０から離れて延在する
丸みづけられた（アールをつけられた）表面３２を含みうる。図１Ａ及び１Ｂに
示されるような輪郭づけられた環状領域２４のいずれの具体例においても、ター
ゲット部材１２のこの形態は、スパッタリング作業中外周面２２近くで形成され
うるノジュールからの汚染源粒子の発生を減じる。
【００２３】 本発明の原理に従えば、ターゲット部材１２は、輪郭づけられた環状領域２４
により取り囲まれる、上面１８に形成された平面状領域（図示無し）を含むこと
ができる。この平面状領域（図示無し）は、ターゲット部材１２の平面状底面に
一般に平行に形成される。本発明の別の具体例において、図１及び２を参照して
最もよく理解されるように、ターゲット部材１２は、輪郭づけられた環状領域２
４により取り囲まれる、上面１８に形成された実質上凹面状の領域３４を含むこ
とができる。凹入領域３４の周回縁は環状境界２６と合致しうる。
により取り囲まれる、上面１８に形成された平面状領域（図示無し）を含むこと
ができる。この平面状領域（図示無し）は、ターゲット部材１２の平面状底面に
一般に平行に形成される。本発明の別の具体例において、図１及び２を参照して
最もよく理解されるように、ターゲット部材１２は、輪郭づけられた環状領域２
４により取り囲まれる、上面１８に形成された実質上凹面状の領域３４を含むこ
とができる。凹入領域３４の周回縁は環状境界２６と合致しうる。
【００２４】 本発明のまた別の具体例において、図５、５Ａ、５Ｂ、５Ｃ及び６を参照して
最もよく理解されるように、ターゲット部材１２は、環状領域２４により取り囲
まれる、上面１８に形成された平面状領域３６を含むことができる。この平面状
領域３６は、ターゲット部材１２の平面状底面２０に一般に平行である。平面状
領域３６は、上面１８に形成された中央くぼみ領域３８を含み、これはターゲッ
ト部材１２の平面状領域３６と底面２０との間のターゲット部材厚さを約５％〜
約２０％減じる。
最もよく理解されるように、ターゲット部材１２は、環状領域２４により取り囲
まれる、上面１８に形成された平面状領域３６を含むことができる。この平面状
領域３６は、ターゲット部材１２の平面状底面２０に一般に平行である。平面状
領域３６は、上面１８に形成された中央くぼみ領域３８を含み、これはターゲッ
ト部材１２の平面状領域３６と底面２０との間のターゲット部材厚さを約５％〜
約２０％減じる。
【００２５】 例えば、１０インチ直径ターゲットに対しては、中央くぼみ領域３８は好まし
くは、上面１８の約０．１９５〜約３．１０インチ中央部分に形成される。図５
及び５Ａを参照して最もよく理解されるように、中央くぼみ領域３８は、平面状
領域３６から上面１８に形成されたくぼんだ平面状領域４２まで延在する４５度
の段差４０を含みうる。別様には、平面状領域３６からくぼんだ平面状領域４２
への段差の遷移部は９０度段差４４（図５Ｂ）として或いは丸みづけられた（ア
ールをつけられた）段差４６（図５Ｃ）として形成することができる。図１及び
２の凹面領域３４及び図５、５Ａ、５Ｂ、５Ｃ及び６の中央くぼみ領域３８の形
成は、輪郭づけられた環状領域２４と協同して、スパッタリング作業中ターゲッ
ト部材１２の外周面２２近くに形成されうるノジュールからの汚染源粒子の発生
を更に減じる。
くは、上面１８の約０．１９５〜約３．１０インチ中央部分に形成される。図５
及び５Ａを参照して最もよく理解されるように、中央くぼみ領域３８は、平面状
領域３６から上面１８に形成されたくぼんだ平面状領域４２まで延在する４５度
の段差４０を含みうる。別様には、平面状領域３６からくぼんだ平面状領域４２
への段差の遷移部は９０度段差４４（図５Ｂ）として或いは丸みづけられた（ア
ールをつけられた）段差４６（図５Ｃ）として形成することができる。図１及び
２の凹面領域３４及び図５、５Ａ、５Ｂ、５Ｃ及び６の中央くぼみ領域３８の形
成は、輪郭づけられた環状領域２４と協同して、スパッタリング作業中ターゲッ
ト部材１２の外周面２２近くに形成されうるノジュールからの汚染源粒子の発生
を更に減じる。
【００２６】 ここで、図３、３Ａ、３Ｂ及び４を参照すると、ターゲット部材１２の別の具
体例がターゲット部材１１２と表示して示される。ターゲット部材１１２は、表
面即ち上面１１８、平面状底面１２０及び好ましくは平面状底面１２０に直交し
て延在する外周面１２２を具備する。
体例がターゲット部材１１２と表示して示される。ターゲット部材１１２は、表
面即ち上面１１８、平面状底面１２０及び好ましくは平面状底面１２０に直交し
て延在する外周面１２２を具備する。
【００２７】 図３及び４を参照して最もよく理解されるように、ターゲット部材１１２の上
面１１８には、外周面１２２から半径方向内方にそして底面１２０から離れて延
在する第１の輪郭づけられた環状領域１２４が形成される。例えば、１０インチ
直径ターゲットに対しては、この輪郭づけられた環状領域１２４は、外周面１２
２から半径方向内方へ約０．０１９５インチから約０．１９５インチまでの範囲
にある環状境界１２６まで延在しうる。
面１１８には、外周面１２２から半径方向内方にそして底面１２０から離れて延
在する第１の輪郭づけられた環状領域１２４が形成される。例えば、１０インチ
直径ターゲットに対しては、この輪郭づけられた環状領域１２４は、外周面１２
２から半径方向内方へ約０．０１９５インチから約０．１９５インチまでの範囲
にある環状境界１２６まで延在しうる。
【００２８】 本発明のこの具体例においては、ターゲット部材１１２の上面１１８にはまた
、第１環状領域１２４から半径方向内方にそして底面１２０から離れて延在する
第２の輪郭づけられた環状領域２２４が形成される。例えば、１０インチ直径タ
ーゲットに対しては、この第２の輪郭づけられた環状領域２２４は、環状境界１
２６から半径方向内方へ約０．１７５５インチから約０．９９５インチまでの範
囲にある環状境界２２６まで延在しうる。
、第１環状領域１２４から半径方向内方にそして底面１２０から離れて延在する
第２の輪郭づけられた環状領域２２４が形成される。例えば、１０インチ直径タ
ーゲットに対しては、この第２の輪郭づけられた環状領域２２４は、環状境界１
２６から半径方向内方へ約０．１７５５インチから約０．９９５インチまでの範
囲にある環状境界２２６まで延在しうる。
【００２９】 輪郭づけられた環状領域１２４は、ターゲットの平面状底面１２０に平行な面
１２８（図３Ａ）に対して約３０〜６０度の範囲にある角度β（図３Ａ）におい
て傾斜づけられる。本発明の一具体例において、輪郭づけられた環状領域１２４
は、外周面１２２から半径方向内方の環状境界１２６まで傾斜づけられた平面状
表面１３０（図３及び３Ａ）を含む。別様には、図３Ｂに示されるように、輪郭
づけられた環状領域１２４は、外周面１２２から環状境界１２６まで半径方向内
方にそして底面１２０から離れて延在する丸みづけられた（アールをつけられた
）表面１３２を含みうる。
１２８（図３Ａ）に対して約３０〜６０度の範囲にある角度β（図３Ａ）におい
て傾斜づけられる。本発明の一具体例において、輪郭づけられた環状領域１２４
は、外周面１２２から半径方向内方の環状境界１２６まで傾斜づけられた平面状
表面１３０（図３及び３Ａ）を含む。別様には、図３Ｂに示されるように、輪郭
づけられた環状領域１２４は、外周面１２２から環状境界１２６まで半径方向内
方にそして底面１２０から離れて延在する丸みづけられた（アールをつけられた
）表面１３２を含みうる。
【００３０】 輪郭づけられた環状領域２２４は、ターゲット部材１１２の平面状底面１２０
に平行な面２２８（図３Ａ）に対して約５〜２０度の範囲にある角度α（図３Ａ
）において傾斜づけられる。本発明の一具体例において、輪郭づけられた環状領
域２２４は、輪郭づけられた環状領域１２４から半径方向内方の環状境界２２６
まで傾斜される平面状表面２３０（図３及び４）を含みうる。別様には、輪郭づ
けられた環状領域２２４は、環状境界１２６から半径方向内方にそして底面１２
０から離れて延在する丸みづけられた（アールをつけられた）領域（図示無し）
を含みうる。図３Ａ及び３Ｂに示されるような輪郭づけられた環状領域１２４及
び２２４の各具体例において、ターゲット部材１１２のこの形態は、スパッタリ
ング作業中ターゲット部材１１２の外周面１２２近くで形成されうるノジュール
からの汚染源粒子の発生を減じる。
に平行な面２２８（図３Ａ）に対して約５〜２０度の範囲にある角度α（図３Ａ
）において傾斜づけられる。本発明の一具体例において、輪郭づけられた環状領
域２２４は、輪郭づけられた環状領域１２４から半径方向内方の環状境界２２６
まで傾斜される平面状表面２３０（図３及び４）を含みうる。別様には、輪郭づ
けられた環状領域２２４は、環状境界１２６から半径方向内方にそして底面１２
０から離れて延在する丸みづけられた（アールをつけられた）領域（図示無し）
を含みうる。図３Ａ及び３Ｂに示されるような輪郭づけられた環状領域１２４及
び２２４の各具体例において、ターゲット部材１１２のこの形態は、スパッタリ
ング作業中ターゲット部材１１２の外周面１２２近くで形成されうるノジュール
からの汚染源粒子の発生を減じる。
【００３１】 本発明の原理に従えば、ターゲット部材１１２は、環状領域１２４及び２２４
により取り囲まれる、上面１１８に形成された平面状領域（図示無し）を含むこ
とができる。この平面状領域（図示無し）は、ターゲット部材１２の底面１２０
に一般に平行に形成される。本発明の別の具体例において、図３及び４を参照し
て最もよく理解されるように、ターゲット部材１１２は、環状領域１２４及び２
２４により取り囲まれる、上面１１８に形成された実質上凹面状の領域１３４を
含むことができる。本発明のまた別の具体例において、図７及び８を参照して最
もよく理解されるように、ターゲット部材１１２は、環状領域１２４及び２２４
により取り囲まれる、上面１１８に形成された平面状領域１３６を含むことがで
きる。この平面状領域１３６は、底面１２０に一般に平行に形成される。平面状
領域１３６は、上面１１８に形成された、図５、５Ａ、５Ｂ及び５Ｃを参照して
先に詳述した中央くぼみ領域３８に同様の中央くぼみ領域１３８を含んでいる。
により取り囲まれる、上面１１８に形成された平面状領域（図示無し）を含むこ
とができる。この平面状領域（図示無し）は、ターゲット部材１２の底面１２０
に一般に平行に形成される。本発明の別の具体例において、図３及び４を参照し
て最もよく理解されるように、ターゲット部材１１２は、環状領域１２４及び２
２４により取り囲まれる、上面１１８に形成された実質上凹面状の領域１３４を
含むことができる。本発明のまた別の具体例において、図７及び８を参照して最
もよく理解されるように、ターゲット部材１１２は、環状領域１２４及び２２４
により取り囲まれる、上面１１８に形成された平面状領域１３６を含むことがで
きる。この平面状領域１３６は、底面１２０に一般に平行に形成される。平面状
領域１３６は、上面１１８に形成された、図５、５Ａ、５Ｂ及び５Ｃを参照して
先に詳述した中央くぼみ領域３８に同様の中央くぼみ領域１３８を含んでいる。
【００３２】 図７を参照してもっとも理解されるように、中央くぼみ領域１３８は、平面状
領域１３６から上面１１８に形成されたくぼみ内の平面状領域１４２まで延在す
る４５度段差１４０を含みうる。別様には、平面状領域１３６からくぼみ内の平
面状領域１４２までの段差遷移部は、図５Ｂ及び図５Ｃを参照して先に詳述した
ような９０度段差（図示無し）或いは丸みづけ段差（図示無し）として形成され
うる。図３及び４の凹面状の領域１３４及び図７及び８の中央くぼみ領域１３８
の形成は、スパッタリング作業中ターゲット部材１１２の外周面１２２近くに形
成されうるノジュールからの汚染源粒子の発生を更に減じる。
領域１３６から上面１１８に形成されたくぼみ内の平面状領域１４２まで延在す
る４５度段差１４０を含みうる。別様には、平面状領域１３６からくぼみ内の平
面状領域１４２までの段差遷移部は、図５Ｂ及び図５Ｃを参照して先に詳述した
ような９０度段差（図示無し）或いは丸みづけ段差（図示無し）として形成され
うる。図３及び４の凹面状の領域１３４及び図７及び８の中央くぼみ領域１３８
の形成は、スパッタリング作業中ターゲット部材１１２の外周面１２２近くに形
成されうるノジュールからの汚染源粒子の発生を更に減じる。
【００３３】 本発明の一般原理についての先の開示並びにそれに続いての好ましい具体例に
ついての詳しい記述から、当業者は、本発明になし得る様々の改変例を容易に想
起しよう。例えば、中央くぼみ領域３８および１３８は、ターゲット部材の厚さ
を貫通して伸延する中央穴（図示無し）と交換されうる。更に、ここで論議した
１０インチ直径ターゲット部材１２よりもっと大きな或いはもっと小さな直径の
ターゲットに対して、輪郭づけられた勘定領域２４、１２４、２２４の半径方向
内方への広がりの程度について上に呈示した寸法が相応に比例的に増減されるこ
とが理解されよう。従って、本発明は、その広い様相において、図示しそして記
載した特定の細部や例示した具体例に制限されない。従って、出願人の全般的発
明概念の精神及び範囲から逸脱することなく、こうした詳細からの変更をなし得
る。よって、出願人は次の請求項及びその均等技術事項の範囲によってのみ制限
されることを所望する。
ついての詳しい記述から、当業者は、本発明になし得る様々の改変例を容易に想
起しよう。例えば、中央くぼみ領域３８および１３８は、ターゲット部材の厚さ
を貫通して伸延する中央穴（図示無し）と交換されうる。更に、ここで論議した
１０インチ直径ターゲット部材１２よりもっと大きな或いはもっと小さな直径の
ターゲットに対して、輪郭づけられた勘定領域２４、１２４、２２４の半径方向
内方への広がりの程度について上に呈示した寸法が相応に比例的に増減されるこ
とが理解されよう。従って、本発明は、その広い様相において、図示しそして記
載した特定の細部や例示した具体例に制限されない。従って、出願人の全般的発
明概念の精神及び範囲から逸脱することなく、こうした詳細からの変更をなし得
る。よって、出願人は次の請求項及びその均等技術事項の範囲によってのみ制限
されることを所望する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一具体例に従うスパッタリングターゲットの直径に沿っての断面図で
ある。
ある。
【図１Ａ】 図１の円で囲まれた部分の拡大図である。
【図１Ｂ】 本発明の別の具体例を示す、図１Ａと同様の図面である。
【図２】 図１に示したスパッタリングターゲットの上面図である。
【図３】 本発明の第２の具体例に従うスパッタリングターゲットを例示する、図１と同
様の図面である。
様の図面である。
【図３Ａ】 図３に示した円で囲まれた部分の拡大図である。
【図３Ｂ】 本発明の別の具体例を示す、図３Ａと同様の図面である。
【図４】 図３に示したスパッタリングターゲットの上面図である。
【図５】 本発明の第３の具体例に従うスパッタリングターゲットを例示する、図１と同
様の図面である。
様の図面である。
【図５Ａ】 図５に示した円で囲まれた部分の拡大図である。
【図５Ｂ】 本発明の別の具体例を示す、図５Ａと同様の図面である。
【図５Ｃ】 本発明のまた別の具体例を示す、図５Ａと同様の図面である。
【図６】 図５に示したスパッタリングターゲットの上面図である。
【図７】 本発明の第４の具体例に従うスパッタリングターゲットを例示する、図１と同
様の図面である。
様の図面である。
【図８】 図７に示したスパッタリングターゲットの上面図である。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年５月２５日（２０００．５．２５）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】 輪郭づけられた環状領域２４は、外周面２２から半径方向内方の環状境界２６
まで傾斜される。輪郭づけられた環状領域２４は、ターゲットの平面状２０に平
行な面２８（図１Ａ）に対して約５〜２０度の範囲にある角度α（図１Ａ）にお
いて傾斜づけられうる。本発明の一具体例においては、輪郭づけられた環状領域
２４は平面状の表面３０を（図１、図１Ａ、及び図２）含みうる。別様には、図
１Ｂに示されるように、輪郭づけられた環状領域２４は、外周面２２から環状境
界２６へと半径方向内方にそしてターゲット１２の底面２０から離れて延在する
丸みづけられた（アールをつけられた）表面３２を含みうる。図１Ａ及び１Ｂに
示されるような輪郭づけられた環状領域２４のいずれの具体例においても、ター
ゲット部材１２のこの形態は、スパッタリング作業中外周面２２近くで形成され
うるノジュールからの汚染源粒子の発生を減じる。
まで傾斜される。輪郭づけられた環状領域２４は、ターゲットの平面状２０に平
行な面２８（図１Ａ）に対して約５〜２０度の範囲にある角度α（図１Ａ）にお
いて傾斜づけられうる。本発明の一具体例においては、輪郭づけられた環状領域
２４は平面状の表面３０を（図１、図１Ａ、及び図２）含みうる。別様には、図
１Ｂに示されるように、輪郭づけられた環状領域２４は、外周面２２から環状境
界２６へと半径方向内方にそしてターゲット１２の底面２０から離れて延在する
丸みづけられた（アールをつけられた）表面３２を含みうる。図１Ａ及び１Ｂに
示されるような輪郭づけられた環状領域２４のいずれの具体例においても、ター
ゲット部材１２のこの形態は、スパッタリング作業中外周面２２近くで形成され
うるノジュールからの汚染源粒子の発生を減じる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３Ａ
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３Ａ】
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３Ｂ
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３Ｂ】
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５Ａ
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５Ａ】
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５Ｂ
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５Ｂ】
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５Ｃ
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５Ｃ】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図７】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正内容】
【図８】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，Ｅ Ａ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ， ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，Ｇ Ｅ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ， ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，Ｍ Ｎ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ， ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，Ｚ Ｗ (72)発明者 チーフン ロー アメリカ合衆国 07024 ニュージャージ ー、フォート リー、インウッド テラス 1110 (72)発明者 清水 栄一 宮城県仙台市青葉区国見２−５−１ (72)発明者 田村 英雅 宮城県仙台市宮城野区小田原２−２−44− 601 (72)発明者 横山 紀夫 宮城県仙台市太白区金剛沢３−19−23 Ｆターム(参考） 4K029 CA05 DC12
Claims (29)
- 【請求項１】 スパッタリング装置において基材を処理するための輪郭づけ
られたスパッタリングターゲット（１０）であって、 ターゲットバッキングプレート（１４）と、 前記バッキングプレート（１４）に取り付けられそして上面（１８）、底面（
２０）及び外周面（２２）を具備する、スパッタリング材料から成るターゲット
部材（１２）であって、スパッタリング作業中前記スパッタリング材料を前記上
面（１８）から前記基材上に放出せしめるターゲット部材（１２）と を包含し、 前記ターゲット部材（１２）が、前記上面（１８）に形成されそして前記外周
面（２２）から所定の距離半径方向内方に且つ前記底面（２０）から離れて該底
面（２０）に平行な面に対して約５〜２０度の範囲の角度において延在する輪郭
づけられた環状領域（２４）を含み、それにより前記ターゲット部材（１２）が
スパッタリング作業中汚染源粒子の発生を減じる形態を有する輪郭づけスパッタ
リングターゲット（１０）。 - 【請求項２】 前記ターゲット部材（１２）が前記輪郭づけられた環状領域
（２４）により取り囲まれる、前記上面（１８）に形成された実質上凹面状の領
域（３４）を含む請求項１のスパッタリングターゲット（１０）。 - 【請求項３】 前記ターゲット部材（１２）が輪郭づけられた環状領域（２
４）により取り囲まれる、前記上面（１８）に形成された中央くぼみ領域（３８
）を含む請求項１のスパッタリングターゲット（１０）。 - 【請求項４】 前記ターゲット部材（１２）が輪郭づけられた環状領域（２
４）により取り囲まれる、前記上面（１８）に形成された平面状領域（３６）を
含む請求項１のスパッタリングターゲット（１０）。 - 【請求項５】 前記輪郭づけ環状領域（２４）が平面状表面（２８）を有す
る請求項１のスパッタリングターゲット（１０）。 - 【請求項６】 前記輪郭づけ環状領域（２４）が丸みづけ表面（３２）を有
する請求項１のスパッタリングターゲット（１０）。 - 【請求項７】 輪郭づけられた環状領域（２４）は、外周面（２２）から半
径方向内方へ約０．１９５インチから約０．９７５インチまでの範囲で延在する
請求項１のスパッタリングターゲット（１０）。 - 【請求項８】 外周面（２２）が底面（２０）に実質上直交する請求項１の
スパッタリングターゲット（１０）。 - 【請求項９】 スパッタリング装置において基材を処理するための輪郭づけ
られたスパッタリングターゲット（１０）であって、 ターゲットバッキングプレート（１４）と、 前記バッキングプレート（１４）に取り付けられそして上面（１１８）、底面
（１２）及び外周面（１２２）を具備する、スパッタリング材料から成るターゲ
ット部材（１１２）であって、スパッタリング作業中前記スパッタリング材料を
前記上面（１１８）から前記基材上に放出せしめるターゲット部材（１１２）と
を包含し、 前記ターゲット部材（１１２）が、前記上面（１１８）に形成されそして前記
外周面（１２２）から所定の距離半径方向内方に且つ前記底面（１２０）から離
れて該底面（１２０）に平行な面に対して約３０〜６０度の範囲の角度において
延在する第１の輪郭づけられた環状領域（１２４）を含み、 前記ターゲット部材（１１２）が、前記上面（１１８）に形成されそして前記
第１環状領域（１２４）から所定の距離半径方向内方に且つ前記底面（１２０）
から離れて該底面（１２０）に平行な面に対して約５〜２０度の範囲の角度にお
いて延在する第２の輪郭づけられた環状領域（２２４）を更に含み、それにより
前記ターゲット部材（１１２）がスパッタリング作業中汚染源粒子の発生を減じ
る形態を有する輪郭づけスパッタリングターゲット（１０）。 - 【請求項１０】 前記ターゲット部材（１１２）が前記第１及び第２の輪郭
づけられた環状領域（１２４、２２４）により取り囲まれる、前記上面（１１８
）に形成された実質上凹面状の領域（１３４）を含む請求項９のスパッタリング
ターゲット（１０）。 - 【請求項１１】 前記ターゲット部材（１１２）が前記第１及び第２の輪郭
づけられた環状領域（１２４、２２４）により取り囲まれる、前記上面（１１８
）に形成された中央くぼみ領域（１３８）を含む請求項９のスパッタリングター
ゲット（１０）。 - 【請求項１２】 前記ターゲット部材（１１２）が前記第１及び第２の輪郭
づけられた環状領域（１２４、２２４）により取り囲まれる、前記上面（１１８
）に形成された平面状領域（１３６）を含む請求項９のスパッタリングターゲッ
ト（１０）。 - 【請求項１３】 前記第１の輪郭づけられた環状領域（１２４）が平面状表
面（１３０）を有する請求項９のスパッタリングターゲット（１０）。 - 【請求項１４】 前記第１の輪郭づけられた環状領域（１２４）が丸みづけ
られた表面（１３２）を有する請求項９のスパッタリングターゲット（１０）。 - 【請求項１５】 第１の輪郭づけられた環状領域（１２４）は、外周面（１
２２）から半径方向内方へ約０．０１９５インチから約０．１９５インチまでの
範囲で延在する請求項９のスパッタリングターゲット（１０）。 - 【請求項１６】 前記第２の輪郭づけられた環状領域（２２４）が平面状表
面（２３０）を有する請求項９のスパッタリングターゲット（１０）。 - 【請求項１７】 前記第２の輪郭づけられた環状領域（２２４）が丸みづけ
られた表面（１３２）を有する請求項９のスパッタリングターゲット（１０）。 - 【請求項１８】 第２の輪郭づけられた環状領域（２２４）は、第１の輪郭
づけられた環状領域（１２４）から半径方向内方へ約０．１７５５インチから約
０．９５５インチまでの範囲で延在する請求項９のスパッタリングターゲット（
１０）。 - 【請求項１９】 外周面（１２２）が底面（１２０）に実質上直交する請求
項９のスパッタリングターゲット（１０）。 - 【請求項２０】 上面（１１８）、底面（１２０）及び外周面（１２２）を
具備する、スパッタリング材料からなるターゲット部材（１１２）を形成するこ
とと、 前記上面（１１８）上に、前記外周面（１２２）から半径方向内方に且つ前記
底面（１２０）から離れて該底面（１２０）に平行な面に対して約５〜２０度の
範囲の角度において延在する輪郭づけられた環状領域（１２４）を形成すること
とを包含し、それにより前記ターゲット部材（１１２）がスパッタリング作業中
汚染源粒子の発生を減じる形態を有するものとなす輪郭づけスパッタリングター
ゲットを製造する方法。 - 【請求項２１】 前記輪郭づけられた環状領域（１２４）上に平面状表面（
１３０）を形成することを更に含む請求項２０の方法。 - 【請求項２２】 前記輪郭づけられた環状領域（１２４）上に丸みづけられ
た表面（１３２）を形成することを更に含む請求項２０の方法。 - 【請求項２３】 上面（１１８）、底面（１２０）及び外周面（１２２）を
具備する、スパッタリング材料からなるターゲット部材（１１２）を形成するこ
とと、 前記上面（１１８）上に、前記外周面（１２２）から半径方向内方に且つ前記
底面（１２０）から離れて該底面（１２０）に平行な面に対して約３０〜６０度
の範囲の角度において延在する第１の輪郭づけられた環状領域（１２４）を形成
することと、 前記上面（１１８）上に、前記第１の輪郭づけられた環状領域（１２４）から
半径方向内方に且つ前記底面（１２０）から離れて該底面（１２０）に平行な面
に対して約５〜２０度の範囲の角度において延在する第２の輪郭づけられた環状
領域（２２４）を形成することと を包含し、それにより前記ターゲット部材（１１２）がスパッタリング作業中汚
染源粒子の発生を減じる形態を有するものとなす輪郭づけスパッタリングターゲ
ットを製造する方法。 - 【請求項２４】 前記第１の輪郭づけられた環状領域（１２４）上に平面状
表面（１３０）を形成することを更に含む請求項２３の方法。 - 【請求項２５】 前記第１の輪郭づけられた環状領域（１２４）上に丸みづ
けられた表面（１３２）を形成することを更に含む請求項２３の方法。 - 【請求項２６】 前記第２の輪郭づけられた環状領域（２２４）上に平面状
表面（２３０）を形成することを更に含む請求項２３の方法。 - 【請求項２７】 前記第１の輪郭づけられた環状領域（１２４）上に丸みづ
けられた表面（１３２）を形成することを更に含む請求項２３の方法。 - 【請求項２８】 汚染を低減してウエハをスパッタ被覆する方法にして、 上面（１１８）、底面（１２０）及び外周面（１２２）を具備しそしてスパッ
タリング材料から成り、スパッタリング作業中前記スパッタリング材料を前記上
面（１１８）から前記基材上に放出せしめるターゲット部材（１１２）にして、
前記上面（１１８）に形成されそして前記外周面（１２２）から所定の距離半径
方向内方に且つ前記底面（１２０）から離れて該底面（１２０）に平行な面に対
して約５〜２０度の範囲の角度において延在する輪郭づけられた環状領域（１２
４）を含むターゲット部材（１１２）をスパッタリング装置処理室内に取り付け
る段階と、 前記処理室内に真空を創出する段階と、 前記処理室内に不活性気体を導入する段階と、 前記ウエハと前記ターゲット部材との間に電圧ポテンシャルを印加する段階と
を包含する汚染を低減してウエハをスパッタ被覆する方法。 - 【請求項２９】 汚染を低減してウエハをスパッタ被覆する方法にして、 上面（１１８）、底面（１２０）及び外周面（１２２）を具備しそしてスパッ
タリング材料から成り、スパッタリング作業中前記スパッタリング材料を前記上
面（１１８）から前記基材上に放出せしめるターゲット部材（１１２）にして、
前記上面（１１８）に形成されそして前記外周面（１２２）から所定の距離半径
方向内方に且つ前記底面（１２０）から離れて該底面（１２０）に平行な面に対
して約３０〜６０度の範囲の角度において延在する第１の輪郭づけられた環状領
域（１２４）を含み、更に前記上面（１１８）上に、前記第１の輪郭づけられた
環状領域（１２４）から所定の距離半径方向内方に且つ前記底面（１２０）から
離れて該底面（１２０）に平行な面に対して約５〜２０度の範囲の角度において
延在する第２の輪郭づけられた環状領域（２２４）を含むターゲット部材をスパ
ッタリング装置処理室内に取り付ける段階と、 前記処理室内に真空を創出する段階と、 前記処理室内に不活性気体を導入する段階と、 前記ウエハと前記ターゲット部材との間に電圧ポテンシャルを印加する段階と
を包含する汚染を低減してウエハをスパッタ被覆する方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/088,454 US6086735A (en) | 1998-06-01 | 1998-06-01 | Contoured sputtering target |
| US09/088,454 | 1998-06-01 | ||
| PCT/US1999/011604 WO1999063128A1 (en) | 1998-06-01 | 1999-05-26 | Contoured sputtering target |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002517610A true JP2002517610A (ja) | 2002-06-18 |
| JP3979787B2 JP3979787B2 (ja) | 2007-09-19 |
Family
ID=22211482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000552318A Expired - Lifetime JP3979787B2 (ja) | 1998-06-01 | 1999-05-26 | スパッタリングターゲット、その製造方法、および被覆方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6086735A (ja) |
| EP (1) | EP1092050B1 (ja) |
| JP (1) | JP3979787B2 (ja) |
| KR (1) | KR100761592B1 (ja) |
| AU (1) | AU4314399A (ja) |
| DE (1) | DE69926634T2 (ja) |
| WO (1) | WO1999063128A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5364173B2 (ja) * | 2011-01-26 | 2013-12-11 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
| JP2016524049A (ja) * | 2013-07-09 | 2016-08-12 | エリコン サーフェス ソリューションズ アーゲー、 トリュープバッハ | 電気絶縁層の反応スパッタ堆積用のターゲット |
| JP2018076598A (ja) * | 2014-01-21 | 2018-05-17 | 住友化学株式会社 | スパッタリングターゲット |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6113761A (en) | 1999-06-02 | 2000-09-05 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Copper sputtering target assembly and method of making same |
| US6858102B1 (en) * | 2000-11-15 | 2005-02-22 | Honeywell International Inc. | Copper-containing sputtering targets, and methods of forming copper-containing sputtering targets |
| KR20010050590A (ko) * | 1999-09-23 | 2001-06-15 | 로버트 에이. 바쎄트 | 수명이 연장된 스퍼터 타깃 |
| CN1425196A (zh) | 1999-11-24 | 2003-06-18 | 霍尼韦尔国际公司 | 导电互连 |
| US6497797B1 (en) | 2000-08-21 | 2002-12-24 | Honeywell International Inc. | Methods of forming sputtering targets, and sputtering targets formed thereby |
| US6503380B1 (en) * | 2000-10-13 | 2003-01-07 | Honeywell International Inc. | Physical vapor target constructions |
| AU2002236551A1 (en) * | 2001-07-19 | 2003-03-03 | Honeywell International Inc. | Sputtering targets, sputter reactors, methods of forming cast ingots, and methods of forming metallic articles |
| US20040009087A1 (en) * | 2002-07-10 | 2004-01-15 | Wuwen Yi | Physical vapor deposition targets, and methods of forming physical vapor deposition targets |
| KR20040057287A (ko) * | 2002-12-26 | 2004-07-02 | 삼성전자주식회사 | 스퍼터링용 타겟 |
| US6921470B2 (en) * | 2003-02-13 | 2005-07-26 | Cabot Corporation | Method of forming metal blanks for sputtering targets |
| WO2005021828A2 (en) * | 2003-08-21 | 2005-03-10 | Honeywell International Inc. | Copper-containing pvd targets and methods for their manufacture |
| US7910218B2 (en) | 2003-10-22 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings |
| US7670436B2 (en) | 2004-11-03 | 2010-03-02 | Applied Materials, Inc. | Support ring assembly |
| CN102230158B (zh) * | 2004-11-17 | 2014-04-30 | Jx日矿日石金属株式会社 | 溅射靶、溅射靶-背衬板组装体以及成膜装置 |
| US8617672B2 (en) | 2005-07-13 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Localized surface annealing of components for substrate processing chambers |
| US7762114B2 (en) | 2005-09-09 | 2010-07-27 | Applied Materials, Inc. | Flow-formed chamber component having a textured surface |
| US9127362B2 (en) | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
| US8790499B2 (en) * | 2005-11-25 | 2014-07-29 | Applied Materials, Inc. | Process kit components for titanium sputtering chamber |
| DE102006057386A1 (de) * | 2006-12-04 | 2008-06-05 | Uhde Gmbh | Verfahren zum Beschichten von Substraten |
| US7981262B2 (en) | 2007-01-29 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Process kit for substrate processing chamber |
| US7942969B2 (en) | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
| US8968536B2 (en) | 2007-06-18 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target having increased life and sputtering uniformity |
| US7901552B2 (en) * | 2007-10-05 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target with grooves and intersecting channels |
| US20150357169A1 (en) * | 2013-01-04 | 2015-12-10 | Tosoh Smd, Inc. | Silicon sputtering target with enhanced surface profile and improved performance and methods of making the same |
| WO2015178968A1 (en) * | 2014-05-20 | 2015-11-26 | Seagate Technology Llc | Contoured target for sputtering |
| US10115573B2 (en) * | 2014-10-14 | 2018-10-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for high compressive stress film deposition to improve kit life |
| US9960023B2 (en) | 2014-12-31 | 2018-05-01 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for nodule control in a titanium-tungsten target |
| JP6291122B1 (ja) * | 2017-03-29 | 2018-03-14 | 住友化学株式会社 | スパッタリングターゲット |
| US11244815B2 (en) * | 2017-04-20 | 2022-02-08 | Honeywell International Inc. | Profiled sputtering target and method of making the same |
| US20180327897A1 (en) * | 2017-05-12 | 2018-11-15 | Applied Materials, Inc. | Re-deposition free sputtering system |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE150482C (ja) * | ||||
| US3630881A (en) * | 1970-01-22 | 1971-12-28 | Ibm | Cathode-target assembly for rf sputtering apparatus |
| DE2307649B2 (de) * | 1973-02-16 | 1980-07-31 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Anordnung zum Aufstäuben verschiedener Materialien auf einem Substrat |
| DE3335623A1 (de) * | 1983-09-30 | 1985-04-11 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung einer kohlenstoff enthaltenden schicht, kohlenstoff enthaltende schicht, verwendung einer kohlenstoff enthaltenden schicht und vorrichtung zur durchfuehrung eines verfahrens zur herstellung einer kohlenstoff enthaltenden schicht |
| JPH0715144B2 (ja) * | 1985-08-08 | 1995-02-22 | 松下電器産業株式会社 | スパツタリングタ−ゲツト材 |
| JPS6314865A (ja) * | 1986-07-07 | 1988-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタリング装置 |
| JPS63105968A (ja) * | 1986-10-21 | 1988-05-11 | Seiko Epson Corp | スパツタ電極 |
| JPS63153266A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-25 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパツタ装置 |
| DE69129081T2 (de) * | 1990-01-29 | 1998-07-02 | Varian Associates | Gerät und Verfahren zur Niederschlagung durch einen Kollimator |
| CA2098725A1 (en) * | 1991-01-28 | 1992-07-29 | Daniel R. Marx | Target for cathode sputtering |
| EP0625792B1 (en) * | 1993-05-19 | 1997-05-28 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and process for increasing uniformity of sputtering rate in sputtering apparatus |
| JP3852967B2 (ja) * | 1995-07-14 | 2006-12-06 | 株式会社アルバック | 低圧スパッタリング装置 |
| US5658442A (en) * | 1996-03-07 | 1997-08-19 | Applied Materials, Inc. | Target and dark space shield for a physical vapor deposition system |
| US5914018A (en) * | 1996-08-23 | 1999-06-22 | Applied Materials, Inc. | Sputter target for eliminating redeposition on the target sidewall |
-
1998
- 1998-06-01 US US09/088,454 patent/US6086735A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-05-26 WO PCT/US1999/011604 patent/WO1999063128A1/en active IP Right Grant
- 1999-05-26 KR KR1020007013550A patent/KR100761592B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-05-26 JP JP2000552318A patent/JP3979787B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-26 EP EP99955303A patent/EP1092050B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-26 DE DE69926634T patent/DE69926634T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-26 AU AU43143/99A patent/AU4314399A/en not_active Abandoned
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5364173B2 (ja) * | 2011-01-26 | 2013-12-11 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
| JP2016524049A (ja) * | 2013-07-09 | 2016-08-12 | エリコン サーフェス ソリューションズ アーゲー、 トリュープバッハ | 電気絶縁層の反応スパッタ堆積用のターゲット |
| JP2018076598A (ja) * | 2014-01-21 | 2018-05-17 | 住友化学株式会社 | スパッタリングターゲット |
| US11532468B2 (en) | 2014-01-21 | 2022-12-20 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Sputtering target |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1999063128A1 (en) | 1999-12-09 |
| JP3979787B2 (ja) | 2007-09-19 |
| KR20010043955A (ko) | 2001-05-25 |
| EP1092050A4 (en) | 2004-06-09 |
| DE69926634T2 (de) | 2006-06-08 |
| KR100761592B1 (ko) | 2007-09-27 |
| AU4314399A (en) | 1999-12-20 |
| EP1092050B1 (en) | 2005-08-10 |
| EP1092050A1 (en) | 2001-04-18 |
| DE69926634D1 (de) | 2005-09-15 |
| US6086735A (en) | 2000-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002517610A (ja) | 輪郭づけスパッタリングターゲット | |
| US7909949B2 (en) | Sputtering target with few surface defects, and surface processing method thereof | |
| JP3343620B2 (ja) | マグネトロンスパッタリングによる薄膜形成方法および装置 | |
| US5114556A (en) | Deposition apparatus and method for enhancing step coverage and planarization on semiconductor wafers | |
| US4336118A (en) | Methods for making deposited films with improved microstructures | |
| JP4846872B2 (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| US7850829B2 (en) | Sputter targets with expansion grooves for reduced separation | |
| JPH0790568A (ja) | スパッタリング装置におけるスパッタ率の均一性を向上させるための装置及び方法 | |
| EP1036859A1 (en) | Improved copper target for sputter deposition | |
| JP5301531B2 (ja) | パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット | |
| KR20050029223A (ko) | Ｐｖｄ 타겟 및 타겟의 처리방법 | |
| JP2001524753A (ja) | ダメージフリー被覆刻設堆積法 | |
| JP2000199058A (ja) | 銅スパッタリングタ―ゲット | |
| TWI251031B (en) | Sputter target having modified surface texture | |
| US20030178301A1 (en) | Planar magnetron targets having target material affixed to non-planar backing plates | |
| JP2004285471A (ja) | アーク噴霧コーティングアプリケーション及び機能を容易にするハードウェア・フィーチャーの設計 | |
| CA2433033A1 (en) | Topologically tailored sputtering targets | |
| EP1087033A1 (en) | Extended life sputter targets | |
| EP0753600B1 (en) | High vacuum sputtering apparatus and a substrate to be processed | |
| US20040104110A1 (en) | Topologically tailored sputtering targets | |
| JP2917743B2 (ja) | マグネトロンスパッタリング用Ｓｉターゲット材 | |
| JP2005113267A (ja) | 表面構造が改良されたスパッタターゲット及びその製造方法 | |
| US11821077B2 (en) | Sputtering target | |
| JP2006037209A (ja) | スパッタ装置及びそれを用いたスパッタ方法 | |
| KR20030050747A (ko) | 물리기상증착 공정용 금속타겟 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051227 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20060324 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20060331 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060627 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060831 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20061129 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20061206 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070228 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070619 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070626 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100706 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110706 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120706 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120706 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130706 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |