CN102230158B - 溅射靶、溅射靶-背衬板组装体以及成膜装置 - Google Patents

溅射靶、溅射靶-背衬板组装体以及成膜装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102230158B
CN102230158B CN201110162696.4A CN201110162696A CN102230158B CN 102230158 B CN102230158 B CN 102230158B CN 201110162696 A CN201110162696 A CN 201110162696A CN 102230158 B CN102230158 B CN 102230158B
Authority
CN
China
Prior art keywords
target
sputtering
backing plate
sputtering target
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201110162696.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102230158A (zh
Inventor
宫下博仁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JX Nippon Mining and Metals Corp
Original Assignee
JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JX Nippon Mining and Metals Corp filed Critical JX Nippon Mining and Metals Corp
Publication of CN102230158A publication Critical patent/CN102230158A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102230158B publication Critical patent/CN102230158B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3423—Shape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)

Abstract

一种溅射靶，是形成有腐蚀部以及非腐蚀部的板状靶，其特征在于，其表面积超过当假定靶为平面时的表面积的100％，并且低于125％。一种溅射靶，是形成有腐蚀部以及非腐蚀部的板状靶，其特征在于，在靶表面区域具有1个或多个凹部，靶的表面积超过当假定靶为平面时的表面积的100％，并且低于125％。通过进行自溅射或高功率溅射，在靶的全部寿命中，通过将溅射电路中的电压变动控制为尽可能小，从而可使用容量较小、价廉的电源装置。

Description

溅射靶、溅射靶-背衬板组装体以及成膜装置
本申请是申请号为200580039413.X(国际申请号为PCT/JP2005/018922)、申请日为2005年10月14日、发明名称为“溅射靶、溅射靶-背衬板组装体以及成膜装置”的中国发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及溅射靶、溅射靶-背衬板组装体以及成膜装置，该溅射靶通过抑制溅射过程中溅射装置中的靶的消耗所引起的电压或电流的变化，使溅射装置的电源设计具有余地，从而可提供一种价廉的溅射装置。
背景技术
近年来，伴随着电线标准的微细化，以在较大纵横比的通孔或接触孔上形成均一膜为目的的自溅射或高功率溅射成为主流。一般由于溅射中在消耗靶的同时电路的电阻也发生变化，控制电能为一定以使得在靶的全部寿命中维持均质的膜厚分布和成膜速度。
但是，在以往的自溅射或高功率溅射中，在靶的寿命中电流、电压的变动较大，由于极大容量的较大的电源是必需的，因此就会产生成膜装置的价格变得昂贵这样的问题。
至今，以改善膜厚分布或减少粒子为目的，如在专利文献1、专利文献2中已揭示了加工靶的表面形状。
但是，几乎没有通过靶的表面积来控制溅射装置的电流、电压变动的报道。另外，现状是没有对于定量的表面积影响的报道。
专利文献1：日本特开昭62-37369号
专利文献2：日本特开2004-84007号
发明内容
本发明涉及一种溅射靶、溅射靶-背衬板组装体以及使用它们的成膜装置，该溅射靶通过进行自溅射或高功率溅射，在靶的全部寿命中，通过将溅射电路中的电路特性变化控制为尽可能小，从而可使用容量较小、价廉的电源装置。
为解决上述课题，经专心研究板状靶的形状变化对电路特性的变化的影响，结果发现通过适度的增大靶的表面积，可将阴极电路的电阻变化控制为较小。另一方面，发现增大表面积，会使溅射的膜的均匀性发生变化，如果过于增大面积，则均匀性变差。
另外，发现在溅射功率比较高的成膜条件下，在凹部热应力集中，引起靶的变形，有时均匀性异常或与护罩(shield)产生电弧放电，通过增厚凹部部分的BP板厚度，可以解决这样的不理想状况。
基于以上，本发明提供以下的发明。
1)一种溅射靶，是形成有腐蚀部以及非腐蚀部的板状靶，其特征在于，其表面积超过当假定靶为平面时的表面积的100％，并且低于125％。
2)一种溅射靶，是形成有腐蚀部以及非腐蚀部的板状靶，其特征在于，在靶表面区域具有1个或多个凹部，靶的表面积超过当假定靶为平面时的表面积的100％，并且低于125％。
3)如上述2)所述的溅射靶，其特征在于，在靶的表面区域形成的凹部为1个或多个环状的凹部。
4)如上述2)或3)所述的溅射靶，其特征在于，凹部在腐蚀比较缓和的靶表面区域形成。
5)如上述2)～4)中任一项所述的溅射靶，其特征在于，凹部的形状为具有V字形、圆弧形、方形剖面的沟。
6)一种溅射靶-背衬板组装体，是形成有腐蚀部以及非腐蚀部的板状靶和背衬板的组装体，其特征在于，在靶表面区域具有1个或多个凹部，靶的表面积超过当假定靶为平面时的表面积的100％，并且低于125％，并且具有与靶表面的凹部相应位置的背衬板的板厚比其他部分厚的板厚。
7)如上述6)所述的溅射靶-背衬板组装体，其特征在于，在靶表面区域形成的凹部为1个或多个环状的凹部。
8)如上述6)或7)所述的溅射靶-背衬板组装体，其特征在于，凹部在腐蚀比较缓和的靶表面区域形成。
9)如上述6)～8)中任一项所述的溅射靶-背衬板组装体，其特征在于，凹部的形状为具有V字形、圆弧形、方形剖面的沟。
10)一种成膜装置，使用如上述1)～5)中任一项所述的溅射靶。
11)一种成膜装置，使用如上述6)～9)中任一项所述的溅射靶-背衬板组装体。
发明效果
本发明通过适度增大靶的表面积，具有可以将阴极电路的电阻变化控制为较小的优异效果。
另一方面，增大表面积，使溅射的膜的均匀性发生变化，由于过大的面积使均匀性变差，因此适度的面积是必要的，在本发明中可以将其调整为最佳。
另外，在溅射功率比较高的成膜条件下，在凹部热应力集中，引起靶的变形，有时均匀性异常或与护罩产生电弧放电，通过增厚靶的凹部相应部分的背衬板(BP)的板厚，具有可以解决这样的不理想状况的效果。
附图说明
图1是说明本发明的带沟的靶的形状的剖面图(A：具有V字型沟的靶的剖面模式图，B：该靶与厚度变化的背衬板的组装体的剖面模式图)。
具体实施方式
基本的溅射方法，一般是在溅射装置内，在导入Ar气体的同时，在靶和基板(wafer)之间外加电压，使电离的Ar离子碰撞到靶上，由于碰撞将射出的靶材覆盖到与靶相对设置的基板上的方法。
作为最近的溅射方法，有自溅射(self sputtering)方法。这种自溅射方法，是利用使溅射的粒子离子化，离子化的粒子再次溅射靶的现象。即，在该自溅射(self sputtering)方法中，除了Ar离子以外，使来自靶的溅射的原子发生离子化，使用这些离子进行溅射的方法。
当使用该自溅射方法时，具有如下特征：等离子体密度增高，溅射率提高，溅射粒子的线性提高。
在近年来的溅射装置中，一般如果将数十千瓦小时的功率保持为一定，同时对靶进行溅射时，电压、电流也随之变化。
对于电压而言，在靶的寿命中，根据情况，能够承受数百伏的电压变化，如500V以上的电源是必要的，不能无视电源装置在整个装置中的成本。
虽然溅射中使用的靶通常是表面为平面状的圆板状靶，但是随着靶的消耗，在靶的表面产生凹凸，一般认为由此产生电压变化。
因此，对于伴随着靶的消耗由电压的变化动作和靶的消耗所形成的凹凸的形状的因果关系进行了专心研究，结果发现靶的表面积变化和电压的变化有关。如果定性来讲，表面积变化越小，电压的变化越小。
但是，由于磁铁在靶上所形成的凹凸的性状各异，并且在靶的寿命中形状会变化，难以把握定量关系，因此制成具有假想为某种程度溅射的凹凸的表面形状的靶，关注电压的变化量而非电压的绝对值，然后研究其关系，结果发现以平板状的靶为基准，具有其表面积的低于125％的形状的靶的电压变化变小。同时，也发现当靶的表面积增大时，在靶的寿命中，均匀性的变化变大。
即，发现在溅射靶中，使具有腐蚀部分和非腐蚀部分的板状靶的表面积超过平面情况(假定为平面的情况)下的100％，且低于125％时，电压变动变小，并且，可将均匀性的变化控制在允许的范围。
表面积的增加，可以通过在靶表面形成凹凸而完成。并且，该效果不限定于特定的靶材，并且如后面的实施例所示，也不限于靶材的种类，所有种类都适用。
同时发现虽然凹凸的形状或形成于靶的任何部分对于电压的变动都几乎没有影响，但是在腐蚀比较稳定的部分形成凹凸的情况下，均匀性的变动变小。
另外，从由机械加工形成沟的成本的角度考虑，凹凸的形状优选是具有V字形、圆弧形、方形的剖面的一个或多个环状的沟，当然V字型以外的沟，环状以外的凹凸也包括在本发明的范围内。
另外，在最近逐渐成为主流的离子化溅射等进行较高功率的溅射的情况下，前述的凹凸形状中主要是在凹部，由于溅射时的热产生的热应力集中，引起靶变形，有时均匀性变差，有时与护罩发生电弧放电、产生异常粒子，并且在极端情况下发生停止产生等离子体的现象。
为了解决问题，采取提高背衬板的强度或改变材质以减轻热应力等的对策，但是并不怎么有效。
因此，首先第一考虑减少由形状引起的应力集中，持续反复试验通过改变背衬板的形状来解决问题，结果发现单纯的通过加厚应力集中的部分的背衬板厚度就可以大幅抑制变形。
还发现在加厚的部分不仅限于凹部，并且对包括凹部的一定程度的扩展部分的进行加厚时更加有效。这是应力分布的变化变得缓和的缘故。
但是，如前所述，由腐蚀引起的凹凸形状由于磁铁而各异，因此在包括凹部的太大的扩展部分的范围加厚BP，即可以说是减少靶的厚度，这根据情况可能导致缩短靶的寿命，因此不优选。
实施例
以下，基于实施例和比较例进行说明。需要说明的是，本实施例仅是一例，本发明并不限于本例。即，本发明还包括了含有本发明技术思想的其他方式或变形。
实施例4～7、11～14、18～21
本实施例的靶的剖面形状如图1的A所示。在实施例中，使用市售的纯度6N的铜靶、4N5的Ta靶以及5N的Ti靶，并使用8英寸的薄板用Endura溅射装置。
磁铁为2种，溅射条件完全相同，首先仅变化靶表面积，检查在靶的寿命中的电压变化和均匀性的变化。
靶的寿命依据靶材而异，但是在相同的靶材质中将寿命调整在±10％以内。溅射功率为10kw，背衬板为Cu合金。
将靶的表面积和在靶寿命中的电压变动，汇总于表1。均匀性为在靶寿命中的平均值。
对于本实施例4～7、11～14、18～21，电压变化以及均匀性都显示出较小的良好值。由于溅射功率较低为10kw，因此靶的翘曲没有成为特别的问题。
表1
  靶   表面积(％)  电压变化(V)   均匀性(％)
  实施例4   6NCu   105  180   3.4
  实施例5   6NCu   110  170   3
  实施例6   6NCu   120  185   2.5
  实施例7   6NCu   123  175   3.7
  比较例1   6NCu   100  265   3
  比较例2   6NCu   130  190   4.5
  比较例3   6NCu   140  170   5.1
  实施例11   4N5Ta   105  125   4.1
  实施例12   4N5Ta   110  130   3.8
  实施例13   4N5Ta   120  140   3.5
  实施例14   4N5Ta   123  125   3.9
  比较例4   4N5Ta   100  200   3.6
  比较例5   4N5Ta   130  115   5
  比较例6   4N5Ta   140  120   5.5
  实施例18   5NTi   105  110   3.6
  实施例19   5NTi   110  110   3.1
  实施例20   5NTi   120  120   2.8
  实施例21   5NTi   123  115   3.5
  比较例7   5NTi   100  190   2.9
  比较例8   5NTi   130  115   5.2
  比较例9   5NTi   140  115   5.9
比较例1～9
关于本比较例，对于靶材以及溅射条件，和实施例4～7、11～14、18～21为相同条件，仅变化表面积。
靶的表面积和在靶寿命中的电压变化同样汇总于表1。均匀性为在靶寿命中的平均值。
对于本比较例1～9，电压变化以及均匀性都变大，为不良。需要说明的是，由于溅射功率较低为10kw，因此靶的翘曲没有成为特别的问题。
实施例25～27、31～33、37～39
然后提高溅射功率，使用如图1的B所示形状的靶，进行和前述同样的试验，除了电压变化以外，还检查均匀性和靶的翘曲。溅射功率为40kw。并且，背衬板为铜合金。将该结果汇总于表2。
关于本实施例25～27、31～33、37～39，电压变化以及均匀性都显示出较小的良好值。另外，当溅射功率高达40kw，可能会产生靶的翘曲，但是如表2所示，由于图1B所示的背衬板的形状有效，翘曲较小，没有由此产生特别的问题。
表2
  靶   表面积(％)  电压变化(V)   均匀性(％)   翘曲(mm)
  实施例25   6NCu   105  175   2.8   0.4
  实施例26   6NCu   120  170   2.1   0.5
  实施例27   6NCu   124  180   4.1   0.6
  比较例10   6NCu   105  180   5.6   2.1
  比较例11   6NCu   120  170   6.2   3.3
  实施例31   4N5Ta   105  125   3.9   0.2
  实施例32   4N5Ta   120  130   4   0.3
  实施例33   4N5Ta   123  130   4.2   0.4
  比较例12   4N5Ta   105  135   5.7   1.9
  比较例13   4N5Ta   120  125   5.9   2.4
  实施例37   5NTi   105  110   2.7   0.3
  实施例38   5NTi   120  105   3.1   0.3
  实施例39   5NTi   123  110   3.8   0.5
  比较例14   5NTi   105  110   7.3   2.5
  比较例15   5NTi   120  115   6.9   3
比较例10～15
关于本比较例，对于靶材以及溅射条件，和实施例27～39为相同条件，仅变化表面积和形状。靶的形状使用如图1-A所示形状的靶。其结果同样表示于表2。
对于本比较例10～15，电压变化以及均匀性都较大，为不良。
并且，发现由于溅射功率高达40kw，产生靶的翘曲。因此，在溅射功率较高时，没有对厚度下功夫的以往的背衬板就有问题了。
需要说明的是，比较例10～比较例15仅从表面积来看落入到本申请发明的范围内。但是，由于在溅射功率高达40kw，就有翘曲的产生稍微增多的问题。因此，可知在溅射功率较低的情况下，图1A的靶形状就足够了，但在溅射功率增高的情况下，优选为将靶的形状成为图1B的形状。
产业上利用可能性
通过适度增大靶的表面积，可以将阴极电路的电阻变化控制为较小，在自溅射或高功率溅射中，在靶的寿命中，由于可以抑制电流、电压的变动，因此可以使用容量较小、价廉的电源装置，可以以低成本进行效率良好的溅射。
另外，可以将溅射的膜的均匀性进行适度调整，并且在溅射功率较高的成膜条件下，虽然在凹部热应力集中，有时引起靶的变形，均匀性异常或与护罩产生电弧放电，但是通过加厚与靶凹部相应部分的背衬板(BP)的板厚，可以解决这些不理想的问题，作为溅射靶、溅射靶-背衬板组装体以及成膜装置，在产业上是极其有效的。

Claims (4)

1.一种溅射靶-背衬板组装体，是形成有腐蚀部以及非腐蚀部的板状靶和背衬板的组装体，其特征在于，在靶表面区域具有1个或多个凹部，靶的表面积超过当假定靶为平面时的表面积的100％，并且低于125％，并且具有与靶表面的凹部相应位置的背衬板的板厚比其他部分厚的板厚。
2.如权利要求1所述的溅射靶-背衬板组装体，其特征在于，在靶表面区域形成的凹部为1个或多个环状的凹部。
3.如权利要求1或2所述的溅射靶-背衬板组装体，其特征在于，凹部的形状为具有V字形、圆弧形、方形剖面的沟。
4.一种成膜装置，使用如权利要求1～3中任一项所述的溅射靶-背衬板组装体。
CN201110162696.4A 2004-11-17 2005-10-14 溅射靶、溅射靶-背衬板组装体以及成膜装置 Active CN102230158B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004-332532 2004-11-17
JP2004332532 2004-11-17

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA200580039413XA Division CN101065511A (zh) 2004-11-17 2005-10-14 溅射靶、溅射靶－背衬板组装体以及成膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102230158A CN102230158A (zh) 2011-11-02
CN102230158B true CN102230158B (zh) 2014-04-30

Family

ID=36406955

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110162696.4A Active CN102230158B (zh) 2004-11-17 2005-10-14 溅射靶、溅射靶-背衬板组装体以及成膜装置
CNA200580039413XA Pending CN101065511A (zh) 2004-11-17 2005-10-14 溅射靶、溅射靶－背衬板组装体以及成膜装置
CN2010106230441A Pending CN102061450A (zh) 2004-11-17 2005-10-14 溅射靶以及成膜装置

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA200580039413XA Pending CN101065511A (zh) 2004-11-17 2005-10-14 溅射靶、溅射靶－背衬板组装体以及成膜装置
CN2010106230441A Pending CN102061450A (zh) 2004-11-17 2005-10-14 溅射靶以及成膜装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9685307B2 (zh)
EP (2) EP2236644A3 (zh)
JP (1) JP4629051B2 (zh)
KR (1) KR100876573B1 (zh)
CN (3) CN102230158B (zh)
DE (1) DE602005021535D1 (zh)
TW (1) TWI308597B (zh)
WO (1) WO2006054409A1 (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4204978B2 (ja) * 2001-12-19 2009-01-07 日鉱金属株式会社 磁性体ターゲットとバッキングプレートとの接合方法及び磁性体ターゲット
US8157973B2 (en) * 2006-06-29 2012-04-17 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target/backing plate bonded body
CN102367567B (zh) * 2007-02-09 2015-04-01 Jx日矿日石金属株式会社 由难烧结物质构成的靶及其制造方法以及靶-背衬板组件及其制造方法
JP2009144186A (ja) * 2007-12-12 2009-07-02 Takeuchi Kogyo:Kk スパッタリング用ターゲット部材およびその製造法
KR101337306B1 (ko) 2008-04-21 2013-12-09 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 필드-강화 스퍼터링 타겟 및 그 생산 방법
KR20140129250A (ko) 2009-11-20 2014-11-06 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 스퍼터링 타깃-백킹 플레이트 접합체 및 그 제조 방법
KR20160008655A (ko) 2009-12-24 2016-01-22 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 가돌리늄제 스퍼터링 타깃 및 동 타깃의 제조 방법
US8992747B2 (en) * 2010-03-12 2015-03-31 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for improved darkspace gap design in RF sputtering chamber
JP5694360B2 (ja) 2010-10-27 2015-04-01 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法
WO2012101850A1 (ja) * 2011-01-26 2012-08-02 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット
KR20140029532A (ko) 2011-09-30 2014-03-10 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법
US8685214B1 (en) 2011-09-30 2014-04-01 WD Media, LLC Magnetic shunting pads for optimizing target erosion in sputtering processes
TWI605142B (zh) * 2013-01-04 2017-11-11 塔沙Ｓｍｄ公司 具有增進的表面輪廓和改善的性能的矽濺射靶及製造其之方法
US9761420B2 (en) * 2013-12-13 2017-09-12 Praxair S.T. Technology, Inc. Diffusion bonded high purity copper sputtering target assemblies
JP6130075B2 (ja) 2014-07-31 2017-05-17 Ｊｘ金属株式会社 防食性の金属とＭｏ又はＭｏ合金を拡散接合したバッキングプレート、及び該バッキングプレートを備えたスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体
US10984992B2 (en) 2015-05-21 2021-04-20 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target
JP6498527B2 (ja) * 2015-05-21 2019-04-10 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲット
EP3406756A4 (en) 2016-03-09 2019-09-18 JX Nippon Mining & Metals Corporation SPRAY TARGET CAPABLE OF STABILIZING IGNITION
JP6271798B2 (ja) * 2016-07-13 2018-01-31 住友化学株式会社 スパッタリングターゲットの製造方法
JP6764335B2 (ja) * 2016-12-26 2020-09-30 三菱マテリアル電子化成株式会社 シリコンターゲット材
US11244815B2 (en) 2017-04-20 2022-02-08 Honeywell International Inc. Profiled sputtering target and method of making the same
US11424111B2 (en) 2020-06-25 2022-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Sputtering target assembly to prevent overetch of backing plate and methods of using the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1527887A (zh) * 2001-05-30 2004-09-08 S.T. 带凹槽的溅射靶

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0715144B2 (ja) 1985-08-08 1995-02-22 松下電器産業株式会社 スパツタリングタ−ゲツト材
DE3912381A1 (de) 1988-04-15 1989-10-26 Sharp Kk Auffaengereinheit
DE59009549D1 (de) * 1989-06-05 1995-09-28 Balzers Hochvakuum Verfahren zum Kühlen von Targets sowie Kühleinrichtung für Targets.
AU8629491A (en) 1990-08-30 1992-03-30 Materials Research Corporation Pretextured cathode sputtering target and method of preparation thereof and sputtering therewith
CA2098725A1 (en) * 1991-01-28 1992-07-29 Daniel R. Marx Target for cathode sputtering
US5693203A (en) 1992-09-29 1997-12-02 Japan Energy Corporation Sputtering target assembly having solid-phase bonded interface
JPH06140330A (ja) 1992-10-05 1994-05-20 Nippon Steel Corp スパッタリング装置
JPH11193457A (ja) * 1997-12-26 1999-07-21 Japan Energy Corp 磁性体スパッタリングターゲット
US6340415B1 (en) * 1998-01-05 2002-01-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing a sputtering target's lifetime
DE19819933A1 (de) * 1998-05-05 1999-11-11 Leybold Systems Gmbh Target für eine Kathodenzerstäubungsvorrichtung zur Herstellung dünner Schichten
US6086735A (en) * 1998-06-01 2000-07-11 Praxair S.T. Technology, Inc. Contoured sputtering target
JP2001011617A (ja) 1999-07-01 2001-01-16 Nikko Materials Co Ltd スパッタリングターゲット
EP1087033A1 (en) * 1999-09-23 2001-03-28 Praxair Technology, Inc. Extended life sputter targets
US6497797B1 (en) * 2000-08-21 2002-12-24 Honeywell International Inc. Methods of forming sputtering targets, and sputtering targets formed thereby
JP3791829B2 (ja) 2000-08-25 2006-06-28 株式会社日鉱マテリアルズ パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット
JP3905295B2 (ja) 2000-10-02 2007-04-18 日鉱金属株式会社 高純度コバルトターゲットと銅合金製バッキングプレートとの拡散接合ターゲット組立体及びその製造方法
JP3905301B2 (ja) 2000-10-31 2007-04-18 日鉱金属株式会社 タンタル又はタングステンターゲット−銅合金製バッキングプレート組立体及びその製造方法
JP3895277B2 (ja) 2000-11-17 2007-03-22 日鉱金属株式会社 パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲット及びその製造方法
EP1341948A1 (de) * 2000-11-27 2003-09-10 Unaxis Trading AG Target mit dickenprofilierung für rf magnetron
US6638402B2 (en) * 2001-06-05 2003-10-28 Praxair S.T. Technology, Inc. Ring-type sputtering target
JP2003027225A (ja) * 2001-07-13 2003-01-29 Canon Inc スパッタリングターゲットおよびスパッタリング装置
JP4204978B2 (ja) 2001-12-19 2009-01-07 日鉱金属株式会社 磁性体ターゲットとバッキングプレートとの接合方法及び磁性体ターゲット
US20030178301A1 (en) * 2001-12-21 2003-09-25 Lynn David Mark Planar magnetron targets having target material affixed to non-planar backing plates
JP4007010B2 (ja) * 2002-02-04 2007-11-14 ヤマハ株式会社 スパッタリングターゲット
US20040009087A1 (en) * 2002-07-10 2004-01-15 Wuwen Yi Physical vapor deposition targets, and methods of forming physical vapor deposition targets
JP2004084007A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Nec Kyushu Ltd スパッタ装置
US6811657B2 (en) * 2003-01-27 2004-11-02 Micron Technology, Inc. Device for measuring the profile of a metal film sputter deposition target, and system and method employing same
US6702930B1 (en) * 2003-05-08 2004-03-09 Seagate Technology Llc Method and means for enhancing utilization of sputtering targets
KR20060033013A (ko) * 2003-07-14 2006-04-18 토소우 에스엠디, 인크 저 전도 백킹 플레이트를 갖는 스퍼터링 타겟 조립체 및 그제조 방법
JP4331727B2 (ja) 2003-12-25 2009-09-16 日鉱金属株式会社 接合方法及び装置
KR20060123504A (ko) * 2004-02-03 2006-12-01 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 물리증착 표적 구조체
US8157973B2 (en) 2006-06-29 2012-04-17 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target/backing plate bonded body
CN102367567B (zh) 2007-02-09 2015-04-01 Jx日矿日石金属株式会社 由难烧结物质构成的靶及其制造方法以及靶-背衬板组件及其制造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1527887A (zh) * 2001-05-30 2004-09-08 S.T. 带凹槽的溅射靶

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2003-27225A 2003.01.29
JP特开2004-84007A 2004.03.18

Also Published As

Publication number Publication date
CN102230158A (zh) 2011-11-02
KR100876573B1 (ko) 2008-12-31
EP1813693A1 (en) 2007-08-01
US9685307B2 (en) 2017-06-20
KR20070063600A (ko) 2007-06-19
JP4629051B2 (ja) 2011-02-09
CN102061450A (zh) 2011-05-18
DE602005021535D1 (de) 2010-07-08
EP2236644A2 (en) 2010-10-06
EP1813693B1 (en) 2010-05-26
EP2236644A3 (en) 2012-01-04
TWI308597B (en) 2009-04-11
TW200617193A (en) 2006-06-01
CN101065511A (zh) 2007-10-31
WO2006054409A1 (ja) 2006-05-26
EP1813693A4 (en) 2008-09-24
JPWO2006054409A1 (ja) 2008-08-07
US20080116066A1 (en) 2008-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102230158B (zh) 溅射靶、溅射靶-背衬板组装体以及成膜装置
US20090139853A1 (en) Sputtering apparatus and sputtering method
JP4526582B2 (ja) スパッタリング装置およびスパッタリング方法
CN102656289B (zh) 靶-背衬板组装体
JP5921048B2 (ja) スパッタリング方法
US9127356B2 (en) Sputtering target with reverse erosion profile surface and sputtering system and method using the same
CN204529966U (zh) 一种冷却背板及磁控溅射镀膜设备
JP4574616B2 (ja) フッ素ガス放電レーザのためのカソード
KR20060033013A (ko) 저 전도 백킹 플레이트를 갖는 스퍼터링 타겟 조립체 및 그제조 방법
JP5669014B2 (ja) 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
CN102791904B (zh) 溅射靶
JP4571941B2 (ja) フッ素ガス放電レーザのための電極
JP2012219308A (ja) 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP5669015B2 (ja) 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
RU134932U1 (ru) Магнетронная распылительная система
KR100963413B1 (ko) 마그네트론 스퍼터링 장치
JP2015017299A (ja) スパッタリング用銅ターゲット材及びスパッタリング用銅ターゲット材の製造方法
CN218321593U (zh) 溅射设备
US20140174920A1 (en) Evaporation source
KR20090010162U (ko) 타겟 사용효율을 향상시키는 백킹 플레이트 구조
JP2016176125A (ja) マグネトロンスパッタリング装置、および、膜の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: JX Nippon Mining & Metals Co., Ltd.