JPWO2006054409A1 - スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体及び成膜装置 - Google Patents
スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体及び成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2006054409A1 JPWO2006054409A1 JP2006544811A JP2006544811A JPWO2006054409A1 JP WO2006054409 A1 JPWO2006054409 A1 JP WO2006054409A1 JP 2006544811 A JP2006544811 A JP 2006544811A JP 2006544811 A JP2006544811 A JP 2006544811A JP WO2006054409 A1 JPWO2006054409 A1 JP WO2006054409A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering
- surface area
- sputtering target
- backing plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 5
- YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 1-(2H-benzotriazol-5-yl)-3-methyl-8-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carbonyl]-1,3,8-triazaspiro[4.5]decane-2,4-dione Chemical compound CN1C(=O)N(c2ccc3n[nH]nc3c2)C2(CCN(CC2)C(=O)c2cnc(NCc3cccc(OC(F)(F)F)c3)nc2)C1=O YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- WYEMLYFITZORAB-UHFFFAOYSA-N boscalid Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C1=CC=CC=C1NC(=O)C1=CC=CN=C1Cl WYEMLYFITZORAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000001364 causal effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3423—Shape
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
しかし、スパッタ装置の電流、電圧変動がターゲットの表面積により制御され得ることに触れている報告は殆んどない。ましてや、定量的な表面積の影響については、全く知見が得られていないのが現状である。
さらに、スパッタパワーが比較的高い成膜条件においては、凹部に熱応力が集中してターゲットの変形を引き起こし、ユニフォーミテイ異常やシールドとのアーキングを生じることが有り、凹部部分のBP板厚を厚くすることで、このような不都合を解決できることも判明した。
1)エロージョン部及び非エロージョン部が形成される板状ターゲットであって、その表面積が、ターゲットが平面であると仮定した場合の表面積の100%を超え、125%未満であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
2)エロージョン部及び非エロージョン部が形成される板状ターゲットであって、ターゲット表面領域に1又は複数の凹部を備え、ターゲットが平面であると仮定した場合の表面積の100%を超え、125%未満であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
3)ターゲット表面領域に形成された凹部が1又は複数の環状の凹部であることを特徴とする上記2記載のスパッタリングターゲット。
4)凹部が、エロージョンが比較的緩やかなターゲット表面領域に形成されていることを特徴とする上記2又は3記載のスパッタリングターゲット。
5)凹部の形状がV字型、円弧型、角型の断面を有する溝であることを特徴とする上記2〜4のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
7)ターゲット表面領域に形成された凹部が1又は複数の環状の凹部であることを特徴とする上記6記載のスパッタリングターゲット。
8)凹部が、エロージョンが比較的緩やかなターゲット表面領域に形成されていることを特徴とする上記6又は7記載のスパッタリングターゲット。
9)凹部の形状がV字型、円弧型、角型の断面を有する溝であることを特徴とする上記6〜8のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
10)上記1〜5のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを用いた成膜装置。
11)上記6〜9のいずれかに記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレートを用いた成膜装置。
一方、表面積を大きくすることは、スパッタリングした膜のユニフォーミテイが変化し、過大な面積はユニフォーミテイが悪化するので、適度な面積が必要であるが、本発明においては、これを最適に調整することができる。
さらに、スパッタパワーが比較的高い成膜条件においては、凹部に熱応力が集中してターゲットの変形を引き起こし、ユニフォーミテイ異常やシールドとのアーキングを生じることがあるが、ターゲット凹部相当のバッキングプレート(BP)の板厚を厚くすることにより、このような不都合を解決できるという効果を有する。
近年のスパッタ装置においては、通常数十kwhの電力を一定に保持しながらターゲットをスパッタリングすると、それにつれて電圧、電流が変化していく。
電圧については500V以上からターゲットのライフを通じて、場合によっては数百Vの電圧変動を支える電源が必要となり、装置に占める電源装置のコストは無視できないものがある。
そこで、ターゲットの消耗に伴う電圧の変動挙動とターゲットの消耗により形成される凹凸の形状についての因果関係を鋭意研究した結果、ターゲットの表面積変化が電圧の変動と関係があることが判明した。定性的に表現すれば、表面積の変化が少ないほど電圧の変動が少なくなることが見出された。
表面積の増加は、ターゲット表面に凹凸を形成することにより達成することができる。また、この効果は、特定のターゲット材料に限定されるものではなく、後述する実施例に示すように、ターゲット材料の種類によらず、共通して言えることである。
凹凸の形状やターゲットのどの部分に形成するかは電圧の変動に対してあまり影響は及ぼさないが、エロージョンが比較的穏やかな部分に凹凸を形成したほうがユニフォーミテイの変動が小さくなることも同時に判明した。
また、凹凸の形状は機械加工による溝形成のコストの観点からV字型、円弧型、角型の断面を有する1又は複数の環状の溝であることが望ましいが、当然のことながらV字以外の溝や、環状以外の凹凸も本発明の範囲に含まれることは言うまでもない。
問題解決のため、バッキングプレートの強度を高める、あるいは材質変更して熱応力を軽減させる等の対策をとったが、あまり効果的ではなかった。
そこでまず、形状による応力集中を軽減させることを第一に考え、バッキングプレートの形状を変更することで問題を解決すべく試行錯誤を続けた結果、応力が集中する部分のバッキングプレート厚みを単純に厚くすることで変形が大幅に抑制できることがわかった。
しかしながら、前述したようにエロージョンにより生じる凹凸形状にはマグネットにより様々なものが有るため、凹部を含むあまり広い範囲でBPを厚くすることは、すなわちターゲットの厚みが減少することであり、場合によってはターゲットの寿命が短くなることにつながるため、好ましくないと言える。
本実施例のターゲットの断面形状を図1のAに示す。実施例においては、市販の純度6Nの銅ターゲット、4N5のTaターゲット及び5NのTiターゲットを用いて8“ウエハー用のEnduraスパッタリング装置を使用した。
マグネットは2種類であり、スパッタ条件は全て同一として、まず、ターゲットの表面積のみを変化させ、ターゲットの寿命を通じての電圧変化とユニフォーミテイの変化を調べた。
ターゲットの寿命はターゲット材により異なるが、同じターゲット材質においては±10%以内に入るように調整した。スパッタパワーは10kwであり、バッキングプレートはCu合金である。
ターゲットの表面積とターゲット寿命を通じての電圧変動を、表1にまとめた。ユニフォーミテイはターゲットの寿命を通じての平均値である。
本実施例1−21については、電圧変化及びユニフォーミテイは、いずれも小さく良好な値を示した。スパッタパワーが10kwと低いので、ターゲットの反りは特に問題となることはなかった。
本比較例については、ターゲット材料及びスパッタ条件については、実施例1−21と同一条件とし、表面積のみを変化させた。
ターゲットの表面積とターゲット寿命を通じての電圧変動を、同様に表1にまとめた。ユニフォーミテイはターゲットの寿命を通じての平均値である。
本比較例1−9については、電圧変化及びユニフォーミテイは、いずれも大きくなり不良となった。なお、スパッタパワーが10kwと低いので、ターゲットの反りは特に問題となることはなかった。
次に、スパッタパワーを上げて、図1のBに示される形状のターゲットを用いて、前述と同様の試験を行い、電圧変動に加えて、ユニフォーミテイとターゲットの反りを調べた。スパッタパワーは40kwである。また、バッキングプレートは銅合金である。この結果を表2にまとめた。
本実施例22−39については、電圧変化及びユニフォーミテイは、いずれも小さく良好な値を示した。また、スパッタパワーが40kwと高く、ターゲットの反りが生ずるおそれがあったが、表2に示す通り、図1Bに示すバッキングプレートの形状効果により、反りが小さく、これによる問題は特に発生しなかった。
本比較例については、ターゲット材料及びスパッタ条件については、実施例22−39と同一条件とし、表面積及びターゲット形状を変化させた。ターゲット形状は、図1−Aに示す形状のターゲットを使用した。この結果を、同様に表2に示す。
本比較例10−15については、電圧変化及びユニフォーミテイは、いずれも大きくなり、不良であった。
また、スパッタパワーが40kwと高いため、ターゲットの反りが発生した。これによって、スパッタパワーが高い場合には、厚さの工夫のない従前のバッキングプレートでは問題があることが分かった。
また、スパッタリングした膜のユニフォーミテイを適度に調整することが可能であり、
さらに、スパッタパワーが比較的高い成膜条件においては、凹部に熱応力が集中してターゲットの変形を引き起こし、ユニフォーミテイ異常やシールドとのアーキングを生じることがあるが、ターゲット凹部相当のバッキングプレート(BP)の板厚を厚くすることにより、このような不都合を解決でき、スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体及び成膜装置として、産業上極めて有効である。
【技術分野】
[0001] 本発明は、スパッタリングにおいてスパッタ中のターゲットの消耗により生じる電圧や電流の変化を抑えることにより、スパッタ装置の電源設計に余裕を持たせ、安価なスパッタ装置を提供できるスパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体及び成膜装置に関するものである。
【背景技術】
[0002] 近年、配線ルールの微細化に伴いアスペクト比の大きなビアやコンタクトホールに均一な膜を成膜する目的のため自己スパッタやハイパワーでのスパッタが主流となっている。通常、スパッタにおいてはターゲットの消耗とともに回路のインピーダンスが変化するため、電力量を一定に制御してターゲットの全寿命を通じて均質な膜厚分布や成膜速度を維持するようにしている。
[0003] ところが、昨今の自己スパッタやハイパワースパッタにおいては、ターゲットの寿命を通じての電流、電圧の変動が大きく、極めて容量の大きな電源を必要とするため、成膜装置が非常に高価なものになってしまうという問題が生じてきた。
[0004] これまで、膜厚分布を改善する又はパーテイクルの低減の目的でターゲットの表面形状を加工することが、例えば特許文献1や特許文献2に示されている。
しかし、スパッタ装置の電流、電圧変動がターゲットの表面積により制御され得ることに触れている報告は殆んどない。ましてや、定量的な表面積の影響については、全く知見が得られていないのが現状である。
【特許文献1】特開昭62−37369号
【特許文献2】特開2004−84007号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
[0005] 本発明は、自己スパッタやハイパワースパッタ化により、ターゲットの全寿命を通し
【実施例】
[0017] 以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例のみに制限されるものではない。すなわち、本発明に含まれる他の態様または変形を包含するものである。
[0018] (実施例4−7、11−14、18−21)
本実施例のターゲットの断面形状を図1のAに示す。実施例においては、市販の純度6Nの銅ターゲット、4N5のTaターゲット及び5NのTiターゲットを用いて8“ウエハー用のEnduraスパッタリング装置を使用した。
マグネットは2種類であり、スパッタ条件は全て同一として、まず、ターゲットの表面積のみを変化させ、ターゲットの寿命を通じての電圧変化とユニフォーミテイの変化を調べた。
ターゲットの寿命はターゲット材により異なるが、同じターゲット材質においては±10%以内に入るように調整した。スパッタパワーは10kwであり、バッキングプレートはCu合金である。
ターゲットの表面積とターゲット寿命を通じての電圧変動を、表1にまとめた。ユニフォーミテイはターゲットの寿命を通じての平均値である。
本実施例4−7、11−14、18−21については、電圧変化及びユニフォーミテイは、いずれも小さく良好な値を示した。スパッタパワーが10kwと低いので、ターゲットの反りは特に問題となることはなかった。
[0019]
【表1】
[0020](比較例1−9)
本比較例については、ターゲット材料及びスパッタ条件については、実施例4−7、11−14、18−21と同一条件とし、表面積のみを変化させた。
ターゲットの表面積とターゲット寿命を通じての電圧変動を、同様に表1にまとめた。ユニフォーミテイはターゲットの寿命を通じての平均値である。
本比較例1−9については、電圧変化及びユニフォーミテイは、いずれも大きくなり不良となった。なお、スパッタパワーが10kwと低いので、ターゲットの反りは特に問題となることはなかった。
[0021](実施例25−27、31−33、37−39)
次に、スパッタパワーを上げて、図1のBに示される形状のターゲットを用いて、前述と同様の試験を行い、電圧変動に加えて、ユニフォーミテイとターゲットの反りを調べた。スパッタパワーは40kwである。また、バッキングプレートは銅合金である。この結果を表2にまとめた。
本実施例25−27、31−33、37−39については、電圧変化及びユニフォーミテイは、いずれも小さく良好な値を示した。また、スパッタパワーが40kwと高く、ターゲットの反りが生ずるおそれがあったが、表2に示す通り、図1Bに示すバッキングプレートの形状効果により、反りが小さく、これによる問題は特に発生しなかった。
[0022]
【表2】
[0023](比較例10−15)
本比較例についでは、ターゲット材料及びスパッタ条件については、実施例27−3
Claims (11)
- エロージョン部及び非エロージョン部が形成される板状ターゲットであって、その表面積が、ターゲットが平面であると仮定した場合の表面積の100%を超え、125%未満であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- エロージョン部及び非エロージョン部が形成される板状ターゲットであって、ターゲット表面領域に1又は複数の凹部を備え、ターゲットが平面であると仮定した場合の表面積の100%を超え、125%未満であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- ターゲット表面領域に形成された凹部が1又は複数の環状の凹部であることを特徴とする請求項2記載のスパッタリングターゲット。
- 凹部が、エロージョンが比較的緩やかなターゲット表面領域に形成されていることを特徴とする請求項2又は3記載のスパッタリングターゲット。
- 凹部の形状がV字型、円弧型、角型の断面を有する溝であることを特徴とする請求項2〜4のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
- エロージョン部及び非エロージョン部が形成される板状ターゲットとバッキングプレートとの組立体であって、ターゲット表面領域に1又は複数の凹部を備え、ターゲットが平面であると仮定した場合の表面積の100%を超え、125%未満であり、かつターゲット表面の凹部に相当する位置のバッキングプレートの板厚が他の部分より厚い板厚を備えていることを特徴とするスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
- ターゲット表面領域に形成された凹部が1又は複数の環状の凹部であることを特徴とする請求項6記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
- 凹部が、エロージョンが比較的緩やかなターゲット表面領域に形成されていることを特徴とする請求項6又は7記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
- 凹部の形状がV字型、円弧型、角型の断面を有する溝であることを特徴とする請求項6〜8のいずれかに記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。
- 請求項1〜5のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを用いた成膜装置。
- 請求項6〜9のいずれかに記載のスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体を用いた成膜装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004332532 | 2004-11-17 | ||
JP2004332532 | 2004-11-17 | ||
PCT/JP2005/018922 WO2006054409A1 (ja) | 2004-11-17 | 2005-10-14 | スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット-バッキングプレート組立体及び成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006054409A1 true JPWO2006054409A1 (ja) | 2008-08-07 |
JP4629051B2 JP4629051B2 (ja) | 2011-02-09 |
Family
ID=36406955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006544811A Active JP4629051B2 (ja) | 2004-11-17 | 2005-10-14 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体及び成膜装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9685307B2 (ja) |
EP (2) | EP1813693B1 (ja) |
JP (1) | JP4629051B2 (ja) |
KR (1) | KR100876573B1 (ja) |
CN (3) | CN102061450A (ja) |
DE (1) | DE602005021535D1 (ja) |
TW (1) | TWI308597B (ja) |
WO (1) | WO2006054409A1 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100396812C (zh) * | 2001-12-19 | 2008-06-25 | 日矿金属株式会社 | 连接磁性靶和背衬板的方法以及磁性靶 |
US8157973B2 (en) * | 2006-06-29 | 2012-04-17 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target/backing plate bonded body |
CN101542011B (zh) * | 2007-02-09 | 2011-11-23 | Jx日矿日石金属株式会社 | 由高熔点难烧结物质构成的靶、靶-背衬板组件的制造方法 |
JP2009144186A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Takeuchi Kogyo:Kk | スパッタリング用ターゲット部材およびその製造法 |
US8398833B2 (en) | 2008-04-21 | 2013-03-19 | Honeywell International Inc. | Use of DC magnetron sputtering systems |
JP5175976B2 (ja) | 2009-11-20 | 2013-04-03 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法 |
EP2518179B1 (en) | 2009-12-24 | 2016-11-16 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Gadolinium sputtering target and method for manufacturing the target |
US8992747B2 (en) * | 2010-03-12 | 2015-03-31 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for improved darkspace gap design in RF sputtering chamber |
SG189977A1 (en) | 2010-10-27 | 2013-06-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target backing plate assembly and method for producing same |
JP5364173B2 (ja) * | 2011-01-26 | 2013-12-11 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
US8685214B1 (en) | 2011-09-30 | 2014-04-01 | WD Media, LLC | Magnetic shunting pads for optimizing target erosion in sputtering processes |
EP2733235B1 (en) | 2011-09-30 | 2017-05-03 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target and manufacturing method therefor |
CN105008582A (zh) * | 2013-01-04 | 2015-10-28 | 东曹Smd有限公司 | 具有增强的表面轮廓和改善的性能的硅溅射靶及其制造方法 |
US9761420B2 (en) * | 2013-12-13 | 2017-09-12 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Diffusion bonded high purity copper sputtering target assemblies |
CN106536787B (zh) | 2014-07-31 | 2019-02-22 | 捷客斯金属株式会社 | 将防腐蚀性金属与Mo或Mo合金扩散接合而得到的背衬板、以及具备该背衬板的溅射靶-背衬板组件 |
KR102389342B1 (ko) * | 2015-05-21 | 2022-04-22 | 제이엑스금속주식회사 | 스퍼터링 타깃 |
JP6498527B2 (ja) * | 2015-05-21 | 2019-04-10 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
SG11201807455XA (en) | 2016-03-09 | 2018-09-27 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target capable of stabilizing ignition |
JP6271798B2 (ja) * | 2016-07-13 | 2018-01-31 | 住友化学株式会社 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP6764335B2 (ja) * | 2016-12-26 | 2020-09-30 | 三菱マテリアル電子化成株式会社 | シリコンターゲット材 |
US11244815B2 (en) * | 2017-04-20 | 2022-02-08 | Honeywell International Inc. | Profiled sputtering target and method of making the same |
US11424111B2 (en) | 2020-06-25 | 2022-08-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Sputtering target assembly to prevent overetch of backing plate and methods of using the same |
CN115572955B (zh) * | 2020-12-14 | 2024-04-26 | 上海超导科技股份有限公司 | 靶材凹坑测试装置及其反馈控制走靶方法 |
TWI832292B (zh) * | 2022-06-17 | 2024-02-11 | 南臺學校財團法人南臺科技大學 | 簇式多孔隙金屬氧化物的製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11193457A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Japan Energy Corp | 磁性体スパッタリングターゲット |
JP2001011617A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-16 | Nikko Materials Co Ltd | スパッタリングターゲット |
JP2003027225A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-29 | Canon Inc | スパッタリングターゲットおよびスパッタリング装置 |
JP2004084007A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Nec Kyushu Ltd | スパッタ装置 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0715144B2 (ja) | 1985-08-08 | 1995-02-22 | 松下電器産業株式会社 | スパツタリングタ−ゲツト材 |
DE3912381A1 (de) | 1988-04-15 | 1989-10-26 | Sharp Kk | Auffaengereinheit |
ATE126931T1 (de) * | 1989-06-05 | 1995-09-15 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zum kühlen von targets sowie kühleinrichtung für targets. |
AU8629491A (en) * | 1990-08-30 | 1992-03-30 | Materials Research Corporation | Pretextured cathode sputtering target and method of preparation thereof and sputtering therewith |
AU1151592A (en) * | 1991-01-28 | 1992-08-27 | Materials Research Corporation | Target for cathode sputtering |
US5693203A (en) | 1992-09-29 | 1997-12-02 | Japan Energy Corporation | Sputtering target assembly having solid-phase bonded interface |
JPH06140330A (ja) * | 1992-10-05 | 1994-05-20 | Nippon Steel Corp | スパッタリング装置 |
US6340415B1 (en) * | 1998-01-05 | 2002-01-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for enhancing a sputtering target's lifetime |
DE19819933A1 (de) * | 1998-05-05 | 1999-11-11 | Leybold Systems Gmbh | Target für eine Kathodenzerstäubungsvorrichtung zur Herstellung dünner Schichten |
US6086735A (en) * | 1998-06-01 | 2000-07-11 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Contoured sputtering target |
IL138642A0 (en) * | 1999-09-23 | 2001-10-31 | Praxair Technology Inc | Extended life sputter targets |
US6497797B1 (en) * | 2000-08-21 | 2002-12-24 | Honeywell International Inc. | Methods of forming sputtering targets, and sputtering targets formed thereby |
JP3791829B2 (ja) | 2000-08-25 | 2006-06-28 | 株式会社日鉱マテリアルズ | パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット |
JP3905295B2 (ja) | 2000-10-02 | 2007-04-18 | 日鉱金属株式会社 | 高純度コバルトターゲットと銅合金製バッキングプレートとの拡散接合ターゲット組立体及びその製造方法 |
JP3905301B2 (ja) | 2000-10-31 | 2007-04-18 | 日鉱金属株式会社 | タンタル又はタングステンターゲット−銅合金製バッキングプレート組立体及びその製造方法 |
DE60139406D1 (de) | 2000-11-17 | 2009-09-10 | Nippon Mining Co | Sputtering-target, das wenig partikel produziert, belagträgerplatte mit dem target und verfahren zur herstellung des targets |
WO2002042518A1 (de) * | 2000-11-27 | 2002-05-30 | Unaxis Trading Ag | Target mit dickenprofilierung für rf manetron |
US6599405B2 (en) * | 2001-05-30 | 2003-07-29 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Recessed sputter target |
US6638402B2 (en) * | 2001-06-05 | 2003-10-28 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Ring-type sputtering target |
CN100396812C (zh) | 2001-12-19 | 2008-06-25 | 日矿金属株式会社 | 连接磁性靶和背衬板的方法以及磁性靶 |
US20030178301A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-09-25 | Lynn David Mark | Planar magnetron targets having target material affixed to non-planar backing plates |
JP4007010B2 (ja) * | 2002-02-04 | 2007-11-14 | ヤマハ株式会社 | スパッタリングターゲット |
US20040009087A1 (en) * | 2002-07-10 | 2004-01-15 | Wuwen Yi | Physical vapor deposition targets, and methods of forming physical vapor deposition targets |
US6811657B2 (en) * | 2003-01-27 | 2004-11-02 | Micron Technology, Inc. | Device for measuring the profile of a metal film sputter deposition target, and system and method employing same |
US6702930B1 (en) * | 2003-05-08 | 2004-03-09 | Seagate Technology Llc | Method and means for enhancing utilization of sputtering targets |
KR20060033013A (ko) * | 2003-07-14 | 2006-04-18 | 토소우 에스엠디, 인크 | 저 전도 백킹 플레이트를 갖는 스퍼터링 타겟 조립체 및 그제조 방법 |
US9472383B2 (en) | 2003-12-25 | 2016-10-18 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper or copper alloy target/copper alloy backing plate assembly |
KR20060123504A (ko) * | 2004-02-03 | 2006-12-01 | 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 | 물리증착 표적 구조체 |
US8157973B2 (en) | 2006-06-29 | 2012-04-17 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target/backing plate bonded body |
CN101542011B (zh) | 2007-02-09 | 2011-11-23 | Jx日矿日石金属株式会社 | 由高熔点难烧结物质构成的靶、靶-背衬板组件的制造方法 |
-
2005
- 2005-10-14 CN CN2010106230441A patent/CN102061450A/zh active Pending
- 2005-10-14 EP EP05793199A patent/EP1813693B1/en active Active
- 2005-10-14 CN CN201110162696.4A patent/CN102230158B/zh active Active
- 2005-10-14 JP JP2006544811A patent/JP4629051B2/ja active Active
- 2005-10-14 WO PCT/JP2005/018922 patent/WO2006054409A1/ja active Application Filing
- 2005-10-14 EP EP10161892A patent/EP2236644A3/en not_active Ceased
- 2005-10-14 US US11/719,013 patent/US9685307B2/en active Active
- 2005-10-14 CN CNA200580039413XA patent/CN101065511A/zh active Pending
- 2005-10-14 KR KR1020077011166A patent/KR100876573B1/ko active IP Right Grant
- 2005-10-14 DE DE602005021535T patent/DE602005021535D1/de active Active
- 2005-11-02 TW TW094138344A patent/TWI308597B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11193457A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Japan Energy Corp | 磁性体スパッタリングターゲット |
JP2001011617A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-16 | Nikko Materials Co Ltd | スパッタリングターゲット |
JP2003027225A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-29 | Canon Inc | スパッタリングターゲットおよびスパッタリング装置 |
JP2004084007A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Nec Kyushu Ltd | スパッタ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2236644A2 (en) | 2010-10-06 |
DE602005021535D1 (de) | 2010-07-08 |
CN102230158A (zh) | 2011-11-02 |
CN101065511A (zh) | 2007-10-31 |
EP1813693A1 (en) | 2007-08-01 |
WO2006054409A1 (ja) | 2006-05-26 |
US20080116066A1 (en) | 2008-05-22 |
CN102230158B (zh) | 2014-04-30 |
EP1813693B1 (en) | 2010-05-26 |
KR20070063600A (ko) | 2007-06-19 |
US9685307B2 (en) | 2017-06-20 |
KR100876573B1 (ko) | 2008-12-31 |
CN102061450A (zh) | 2011-05-18 |
TW200617193A (en) | 2006-06-01 |
EP2236644A3 (en) | 2012-01-04 |
TWI308597B (en) | 2009-04-11 |
JP4629051B2 (ja) | 2011-02-09 |
EP1813693A4 (en) | 2008-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4629051B2 (ja) | スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体及び成膜装置 | |
EP1312695B1 (en) | Sputtering target producing few particles, backing plate provided with the target, and a method of producing the target | |
US4606802A (en) | Planar magnetron sputtering with modified field configuration | |
TWI400350B (zh) | Target support plate assembly | |
TWI612163B (zh) | 濺鍍靶 | |
TW200538569A (en) | Sputtering method and sputtering system | |
EP2960356B1 (en) | Sputtering target/backing plate assembly | |
JP6847076B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
US10381203B2 (en) | Backing plate obtained by diffusion-bonding anticorrosive metal and Mo or Mo alloy, and sputtering target-backing plate assembly provided with said backing plate | |
TW201610197A (zh) | 濺鍍靶-背板接合體 | |
WO2017154888A1 (ja) | イグニッションを安定化することが可能なスパッタリングターゲット | |
CN102791904B (zh) | 溅射靶 | |
JP2020117772A (ja) | スパッタリング装置及び成膜方法 | |
JP5995811B2 (ja) | 銅膜の成膜方法 | |
JP2016191109A (ja) | タンタルスパッタリングターゲット | |
JP2020143356A (ja) | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 | |
JPH01162766A (ja) | マグネトロン・スパッタリング装置 | |
JP2012104681A (ja) | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100803 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100813 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100913 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101109 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101110 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4629051 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |