JPH06140330A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH06140330A JPH06140330A JP29077992A JP29077992A JPH06140330A JP H06140330 A JPH06140330 A JP H06140330A JP 29077992 A JP29077992 A JP 29077992A JP 29077992 A JP29077992 A JP 29077992A JP H06140330 A JPH06140330 A JP H06140330A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な構造をもってターゲット材の寿命を向
上することが可能なスパッタリング装置を提供する。 【構成】 ターゲット材の各部の厚みをその摩耗パター
ンに応じた厚みとすることで、摩耗後の交換時にターゲ
ットの各部の厚みを均一化することができ、高価なター
ゲット材の利用効率を向上することができる。
上することが可能なスパッタリング装置を提供する。 【構成】 ターゲット材の各部の厚みをその摩耗パター
ンに応じた厚みとすることで、摩耗後の交換時にターゲ
ットの各部の厚みを均一化することができ、高価なター
ゲット材の利用効率を向上することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスパッタリング装置に関
し、特にターゲットの構造に特徴を有するスパッタリン
グ装置に関するものである。
し、特にターゲットの構造に特徴を有するスパッタリン
グ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】スパッタリング装置にあっては、反応室
内にてターゲット材をスパッタさせて基板上に薄膜を形
成するようになっている。ここで、ターゲット材はスパ
ッタされることにより経時的に摩耗するが、通常その摩
耗パターンは均一でなく、図５に良く示すように、例え
ばターゲット材２１のスパッタ面の周縁部と中心部との
間の部分が極端に抉れたように摩耗する。
内にてターゲット材をスパッタさせて基板上に薄膜を形
成するようになっている。ここで、ターゲット材はスパ
ッタされることにより経時的に摩耗するが、通常その摩
耗パターンは均一でなく、図５に良く示すように、例え
ばターゲット材２１のスパッタ面の周縁部と中心部との
間の部分が極端に抉れたように摩耗する。
【０００３】従来は、上記ターゲット材２１に平板状の
ものを用いていることからターゲット材２１の一部が或
る程度摩耗すると他の部分が摩耗していなくても交換し
なければならず、高価なターゲット材の利用効率が低い
と云う問題があった。
ものを用いていることからターゲット材２１の一部が或
る程度摩耗すると他の部分が摩耗していなくても交換し
なければならず、高価なターゲット材の利用効率が低い
と云う問題があった。
【０００４】そこで、例えばターゲット材がその全面に
亘り可及的に均一に摩耗するようにこのターゲット材の
中心から偏心した軸をもって回転させるものもあるが、
ターゲット材自体及び反応室の大型化、特殊な回転機構
の付加などに伴う装置の複雑化、大型化が問題となる。
亘り可及的に均一に摩耗するようにこのターゲット材の
中心から偏心した軸をもって回転させるものもあるが、
ターゲット材自体及び反応室の大型化、特殊な回転機構
の付加などに伴う装置の複雑化、大型化が問題となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記したよう
な従来技術の問題点に鑑みなされたものであり、その主
な目的は、簡単な構造をもってターゲット材の寿命を向
上することが可能なスパッタリング装置を提供すること
にある。
な従来技術の問題点に鑑みなされたものであり、その主
な目的は、簡単な構造をもってターゲット材の寿命を向
上することが可能なスパッタリング装置を提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した目的は本発明に
よれば、反応室内にターゲット材と、処理を施すべき基
板とを配置してなるスパッタリング装置であって、前記
ターゲット材の各部の厚みがその摩耗パターンに応じた
厚みとなっていることを特徴とするスパッタリング装置
を提供することにより達成される。
よれば、反応室内にターゲット材と、処理を施すべき基
板とを配置してなるスパッタリング装置であって、前記
ターゲット材の各部の厚みがその摩耗パターンに応じた
厚みとなっていることを特徴とするスパッタリング装置
を提供することにより達成される。
【０００７】
【作用】このように、ターゲット材の各部の厚みをその
摩耗パターンに応じた厚みとすることで、摩耗後の交換
時にターゲットの各部の厚みを均一化することができ
る。
摩耗パターンに応じた厚みとすることで、摩耗後の交換
時にターゲットの各部の厚みを均一化することができ
る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の好適実施例を添付の図面につ
いて詳しく説明する。
いて詳しく説明する。
【０００９】図１は、本発明が適用されたスパッタリン
グ装置の第１の実施例を示す模式的な構成を示す断面図
である。
グ装置の第１の実施例を示す模式的な構成を示す断面図
である。
【００１０】装置本体１内に郭成された反応室２内には
回転可能なホルダ電極３に支持された基板Ｂが設けられ
ている。この基板Ｂに対向するように、ホルダ４に支持
されたターゲットユニット電極５が設けられている。ホ
ルダ４内には冷却水が外部との間で循環する冷却水室４
ａが郭成されている。また、ターゲットユニット電極５
には電源６が接続され負極をなしている。
回転可能なホルダ電極３に支持された基板Ｂが設けられ
ている。この基板Ｂに対向するように、ホルダ４に支持
されたターゲットユニット電極５が設けられている。ホ
ルダ４内には冷却水が外部との間で循環する冷却水室４
ａが郭成されている。また、ターゲットユニット電極５
には電源６が接続され負極をなしている。
【００１１】図２に示すように、ターゲットユニット電
極５は、ターゲット材７と、このターゲット材７を支持
するべくその裏面側で密着するバッキングプレート８と
から構成されている。ここで、概ね装置に固有なパター
ンで摩耗するターゲット材７は、その表面は全面に亘り
平面をなしているが、その摩耗パターンに応じて各部分
の厚みが異なり、バッキングプレート８との密着面が凹
凸形状をなしている。例えば比較的外周の摩耗し易い部
分Ｐが厚く、中央の摩耗し難い部分Ｑが薄くなってい
る。また、バッキングプレート８のターゲット材７との
密着面は該ターゲット材７と密着するような凹凸形状を
なしている。
極５は、ターゲット材７と、このターゲット材７を支持
するべくその裏面側で密着するバッキングプレート８と
から構成されている。ここで、概ね装置に固有なパター
ンで摩耗するターゲット材７は、その表面は全面に亘り
平面をなしているが、その摩耗パターンに応じて各部分
の厚みが異なり、バッキングプレート８との密着面が凹
凸形状をなしている。例えば比較的外周の摩耗し易い部
分Ｐが厚く、中央の摩耗し難い部分Ｑが薄くなってい
る。また、バッキングプレート８のターゲット材７との
密着面は該ターゲット材７と密着するような凹凸形状を
なしている。
【００１２】上述した装置に固有なターゲット材７の摩
耗パターンは、主に反応室２内に形成されるプラズマの
密度の粗密に由来して形成されるため、反応室２の形
状、構造やホルダ電極３、ターゲットユニット電極５の
形状等によって変化するものの、これらの幾何学的条件
が一度決まれば、スパッタリング装置の運転条件には殆
ど依らずに、再現性良くスパッタリングゲート材７の面
上に形成される。
耗パターンは、主に反応室２内に形成されるプラズマの
密度の粗密に由来して形成されるため、反応室２の形
状、構造やホルダ電極３、ターゲットユニット電極５の
形状等によって変化するものの、これらの幾何学的条件
が一度決まれば、スパッタリング装置の運転条件には殆
ど依らずに、再現性良くスパッタリングゲート材７の面
上に形成される。
【００１３】一方、反応室２内はガス供給管１２からＡ
ｒガスが供給されると共に図示されない真空ポンプによ
り減圧されることにより、Ａｒガスが所定の圧力で充填
された状態となる。
ｒガスが供給されると共に図示されない真空ポンプによ
り減圧されることにより、Ａｒガスが所定の圧力で充填
された状態となる。
【００１４】次に本実施例の作動要領について説明す
る。まず、従来と同様に反応室２内をＡｒガスで充填し
た状態で、ターゲットユニット電極５に電圧を印加し、
領域Ａにプラズマを発生させてスパッタリングにより基
板Ｂの表面に薄膜を形成する。この作業を繰り返すこと
により、図３に示すようにターゲット材７が徐々に摩耗
する。そして、ターゲット材７が所定量摩耗した時点で
交換する。このとき、上記したように予め摩耗し易い部
分が厚く、摩耗し難い部分が薄くなっていることから、
図３に示すように、交換時点ではターゲット材７の厚み
が一定となり、その利用効率が高くなっている。
る。まず、従来と同様に反応室２内をＡｒガスで充填し
た状態で、ターゲットユニット電極５に電圧を印加し、
領域Ａにプラズマを発生させてスパッタリングにより基
板Ｂの表面に薄膜を形成する。この作業を繰り返すこと
により、図３に示すようにターゲット材７が徐々に摩耗
する。そして、ターゲット材７が所定量摩耗した時点で
交換する。このとき、上記したように予め摩耗し易い部
分が厚く、摩耗し難い部分が薄くなっていることから、
図３に示すように、交換時点ではターゲット材７の厚み
が一定となり、その利用効率が高くなっている。
【００１５】図４は、本発明が適用されたスパッタリン
グ装置の第１の実施例を示す図２と同様な図であり、第
１の実施例と同様な部分には同一の符号を付し、その詳
細な説明を省略する。本実施例ではターゲット材１７と
のバッキングプレート１８との密着面は平面状をなして
いるが、ターゲット材１７の初期の表面が、その摩耗パ
ターンに応じた凹凸形状をなしている。
グ装置の第１の実施例を示す図２と同様な図であり、第
１の実施例と同様な部分には同一の符号を付し、その詳
細な説明を省略する。本実施例ではターゲット材１７と
のバッキングプレート１８との密着面は平面状をなして
いるが、ターゲット材１７の初期の表面が、その摩耗パ
ターンに応じた凹凸形状をなしている。
【００１６】従って、本実施例では円板状をなす従来と
同様なバッキングプレートを用いることができる。それ
以外の構成は第１の実施例と同様である。
同様なバッキングプレートを用いることができる。それ
以外の構成は第１の実施例と同様である。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明によるスパッタリング装置によれば、ターゲット材の
各部の厚みをその摩耗パターンに応じた厚みとすること
で、摩耗後の交換時にターゲットの各部の厚みを均一化
することができ、高価なターゲット材の利用効率を向上
することができる。
明によるスパッタリング装置によれば、ターゲット材の
各部の厚みをその摩耗パターンに応じた厚みとすること
で、摩耗後の交換時にターゲットの各部の厚みを均一化
することができ、高価なターゲット材の利用効率を向上
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用されたスパッタリング装置の第１
の実施例を示す模式的な構成図である。
の実施例を示す模式的な構成図である。
【図２】図１の要部拡大図である。
【図３】ターゲット材の摩耗状態を示す図２と同様な図
である。
である。
【図４】本発明が適用されたスパッタリング装置の第１
の実施例を示す図２と同様な図である。
の実施例を示す図２と同様な図である。
【図５】従来のターゲット材の摩耗状態を示す図であ
る。
る。
１ 装置本体 ２ 反応室 ３ ホルダ電極 ４ ホルダ ４ａ 冷却水室 ５ ターゲットユニット電極 ６ 電源 ７ ターゲット材 ８ バッキングプレート １２ ガス供給管 １７ ターゲット材 １８ バッキングプレート
Claims (3)
- 【請求項１】 反応室内にターゲット材と、処理を施
すべき基板とを配置してなるスパッタリング装置であっ
て、 前記ターゲット材の各部の厚みがその摩耗パターンに応
じた厚みとなっていることを特徴とするスパッタリング
装置。 - 【請求項２】 前記ターゲット材の初期の表面が、略
平面状をなし、かつ前記表面と相反する面が摩耗パター
ンに応じた凹凸形状をなすことを特徴とする請求項１に
記載のスパッタリング装置。 - 【請求項３】 前記ターゲット材の初期の表面が、前
記摩耗パターンに応じた凹凸形状をなし、かつ前記表面
と相反する面が略平面状をなすことを特徴とする請求項
１に記載のスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29077992A JPH06140330A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29077992A JPH06140330A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140330A true JPH06140330A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17760407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29077992A Withdrawn JPH06140330A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06140330A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US11244815B2 (en) | 2017-04-20 | 2022-02-08 | Honeywell International Inc. | Profiled sputtering target and method of making the same |
-
1992
- 1992-10-05 JP JP29077992A patent/JPH06140330A/ja not_active Withdrawn
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TWI512125B (zh) * | 2007-06-18 | 2015-12-11 | Applied Materials Inc | 具有增長使用壽命及濺射均勻度的濺射靶材 |
| JP2011517329A (ja) * | 2007-06-18 | 2011-06-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 寿命を延ばしスパッタリング均一性を高めたスパッタリングターゲット |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |