JP2615480B2 - ドライエッチング装置およびその方法 - Google Patents
ドライエッチング装置およびその方法Info
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- JP2615480B2 JP2615480B2 JP63284528A JP28452888A JP2615480B2 JP 2615480 B2 JP2615480 B2 JP 2615480B2 JP 63284528 A JP63284528 A JP 63284528A JP 28452888 A JP28452888 A JP 28452888A JP 2615480 B2 JP2615480 B2 JP 2615480B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はドライエッチング装置およびその方法に関す
るものである。
るものである。
従来の技術 薄膜デバイスの製造工程などで使用されるドライエッ
チング装置の反応室構造は、エッチング特性を決定する
一つの大きな要因である。
チング装置の反応室構造は、エッチング特性を決定する
一つの大きな要因である。
従来、試料をエッチングする際、第２図に示すような
反応室構造が用いられてきた。第２図ａは、反応室全体
の構造を示し、１は試料、２は電極、３は電極２とチャ
ンバー４を分離するアルミナリングを示している。第２
図ｂはａの下部電極部付近の拡大図で、実際にエッチン
グした際の電界の乱れを示している。このような反応室
構造は、エッチングした際の電界の乱れの為、試料のエ
ッチング均一性を悪化させる。またエッチングの際に発
生するプラズマにおいて生成されるガスイオンやラジカ
ル等が、電極をスパッタリングすることにより電極の寿
命を縮めてしまう問題があった。
反応室構造が用いられてきた。第２図ａは、反応室全体
の構造を示し、１は試料、２は電極、３は電極２とチャ
ンバー４を分離するアルミナリングを示している。第２
図ｂはａの下部電極部付近の拡大図で、実際にエッチン
グした際の電界の乱れを示している。このような反応室
構造は、エッチングした際の電界の乱れの為、試料のエ
ッチング均一性を悪化させる。またエッチングの際に発
生するプラズマにおいて生成されるガスイオンやラジカ
ル等が、電極をスパッタリングすることにより電極の寿
命を縮めてしまう問題があった。
そこで、従来方法の第２の例として、反応室構造を第
３図に示すような形にしたドライエッチング装置が用い
られるようになった。第３図において、５は試料、６は
電極、７は電極とチャンバーを分離するアルミナリン
グ、８は電界の乱れを補償し、エッチングの均一化を図
るためのフッ素樹脂リングである。第３図に示すような
反応室構造を用いることにより、エッチングの際の電界
の乱れが小さくなり、エッチングの均一性が向上した。
またフッ素樹脂リング８が電極６を覆っているため、電
極６は直接プラズマにさらされないので、プラズマにお
いて生成するガスイオンやラジカル等が電極６をスパッ
タリングすることがなくなり、電極６の寿命を向上させ
ることができた。さらに、フッ素樹脂リング８はプラズ
マ発生中に、フッ素ラジカルを生成するので、エッチン
グ速度の向上もはかることができ、特に被エッチング物
の試料５がシリコン酸化膜の場合、その効果は大なるも
のがある。
３図に示すような形にしたドライエッチング装置が用い
られるようになった。第３図において、５は試料、６は
電極、７は電極とチャンバーを分離するアルミナリン
グ、８は電界の乱れを補償し、エッチングの均一化を図
るためのフッ素樹脂リングである。第３図に示すような
反応室構造を用いることにより、エッチングの際の電界
の乱れが小さくなり、エッチングの均一性が向上した。
またフッ素樹脂リング８が電極６を覆っているため、電
極６は直接プラズマにさらされないので、プラズマにお
いて生成するガスイオンやラジカル等が電極６をスパッ
タリングすることがなくなり、電極６の寿命を向上させ
ることができた。さらに、フッ素樹脂リング８はプラズ
マ発生中に、フッ素ラジカルを生成するので、エッチン
グ速度の向上もはかることができ、特に被エッチング物
の試料５がシリコン酸化膜の場合、その効果は大なるも
のがある。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記のような反応室構造では、プラズ
マ発生中フッ素樹脂リング８は、フッ素ラジカルを生成
することによりフッ素樹脂リング８自身が第４図に示す
ように消耗してしまう。このフッ素樹脂リング８の消耗
は均一なものでなく、電極６との境界線上で最も大きく
消耗する。このフッ素樹脂リング８の不均一な消耗が長
い間繰り返されると、電界が乱れ、当初、得られていた
エッチングの均一性は悪化し、エッチングの再現性が図
られないばかりでなく、電極６とフッ素樹脂リング８の
境界線上で異常放電を起こす場合もあった。そのためフ
ッ素樹脂リング８は短期間の交換サイクルを余儀無くさ
れてきた。
マ発生中フッ素樹脂リング８は、フッ素ラジカルを生成
することによりフッ素樹脂リング８自身が第４図に示す
ように消耗してしまう。このフッ素樹脂リング８の消耗
は均一なものでなく、電極６との境界線上で最も大きく
消耗する。このフッ素樹脂リング８の不均一な消耗が長
い間繰り返されると、電界が乱れ、当初、得られていた
エッチングの均一性は悪化し、エッチングの再現性が図
られないばかりでなく、電極６とフッ素樹脂リング８の
境界線上で異常放電を起こす場合もあった。そのためフ
ッ素樹脂リング８は短期間の交換サイクルを余儀無くさ
れてきた。
課題を解決するための手段 本発明のドライエッチング装置は、反応室内の電極上
に前記電極を覆い、かつ被エッチング基板裏面の外周面
と一部が対向するよう配置されたアルミナリングと、前
記アルミナリングの前記対向部近傍を除いて前記アルミ
ナリングを覆うように配置されたフッ素樹脂リングとを
有するものである。
に前記電極を覆い、かつ被エッチング基板裏面の外周面
と一部が対向するよう配置されたアルミナリングと、前
記アルミナリングの前記対向部近傍を除いて前記アルミ
ナリングを覆うように配置されたフッ素樹脂リングとを
有するものである。
また、他の発明は周囲が、被エッチング基板裏面の外
周部と一部が対向するよう配置されたアルミナリングで
覆われ、かつ前記アルミナリングの前記対向部近傍以外
がフッ素樹脂リングで覆われた電極上で被エッチング基
板をエッチングするドライエッチング方法である。
周部と一部が対向するよう配置されたアルミナリングで
覆われ、かつ前記アルミナリングの前記対向部近傍以外
がフッ素樹脂リングで覆われた電極上で被エッチング基
板をエッチングするドライエッチング方法である。
作用 上記構成によれば、アルミナリングが存在しているた
め電極との境界線でフッ素樹脂リングの消耗が起きない
ため、電界の乱れは発生せず、その結果、フッ素樹脂リ
ングの交換サイクルを長くすることができる。
め電極との境界線でフッ素樹脂リングの消耗が起きない
ため、電界の乱れは発生せず、その結果、フッ素樹脂リ
ングの交換サイクルを長くすることができる。
また、上記方法によれば、長期間使用しても電界の乱
れは発生せず、エッチングの均一性を向上させることが
できる。
れは発生せず、エッチングの均一性を向上させることが
できる。
実施例 本発明の実施例について以下図面を参照しながら、説
明する。
明する。
第１図は本発明の実施例である反応室構造を示すもの
である。同図において、12は試料、13は電界の乱れを補
償し、エッチングの均一化を図るために設けられたテト
ラフルオロエチレン等のフッ素樹脂リング、14はガスイ
オンやラジカルによりエッチングされ難いアルミナリン
グ、15は電極、16は電極15とチャンバーを分離するアル
ミナリングを示している。アルミナリング14は電極15と
フッ素樹脂リング13の間に介在するように配設されてい
る。
である。同図において、12は試料、13は電界の乱れを補
償し、エッチングの均一化を図るために設けられたテト
ラフルオロエチレン等のフッ素樹脂リング、14はガスイ
オンやラジカルによりエッチングされ難いアルミナリン
グ、15は電極、16は電極15とチャンバーを分離するアル
ミナリングを示している。アルミナリング14は電極15と
フッ素樹脂リング13の間に介在するように配設されてい
る。
本実施例によればフッ素樹脂リング13とアルミナリン
グ14が設けられているため、電界の乱れが補償され、エ
ッチングの均一化を図ることができる。
グ14が設けられているため、電界の乱れが補償され、エ
ッチングの均一化を図ることができる。
また、アルミナリング14はプラズマにおいて生成され
るガスイオンやラジカルにエッチングされることがない
ので、長期にわたり使用しても電界の乱れは発生せず、
エッチングの均一性は保たれ、フッ素樹脂の交換サイク
ルを長くすることができる。
るガスイオンやラジカルにエッチングされることがない
ので、長期にわたり使用しても電界の乱れは発生せず、
エッチングの均一性は保たれ、フッ素樹脂の交換サイク
ルを長くすることができる。
発明の効果 以上のように本発明によれば、反応室構造を、電極上
にフッ素樹脂リングとその他の材料からなる２種以上の
リングを配置することにより、フッ素樹脂リングの不均
一な消耗を防ぐことができ、電界の乱れは発生しないた
めエッチングの均一性の悪化を防ぐことができ、フッ素
樹脂リングの交換サイクルを長くすることができるの
で、材料費，人件費等の経済的効果が望める。
にフッ素樹脂リングとその他の材料からなる２種以上の
リングを配置することにより、フッ素樹脂リングの不均
一な消耗を防ぐことができ、電界の乱れは発生しないた
めエッチングの均一性の悪化を防ぐことができ、フッ素
樹脂リングの交換サイクルを長くすることができるの
で、材料費，人件費等の経済的効果が望める。
また、第２の発明によれば電界の乱れは発生しないた
め、エッチングの均一性を向上させることができる。
め、エッチングの均一性を向上させることができる。
第１図は本発明の一実施例におけるドライエッチング装
置の反応室構造の要部を示す縦断正面図、第２図
（ａ），（ｂ）は第１従来例のドライエッチング装置の
反応室構造を示す縦断正面図とその要部の作用説明図、
第３図は第２の従来例のドライエッチング装置の反応室
構造の要部を示す縦断正面図、第４図は第２の従来例の
問題点を示す説明図である。 12……試料、13……フッ素樹脂リング、14……アルミナ
リング、15……電極、16……電極とチャンバーを分離す
るアルミナリング。
置の反応室構造の要部を示す縦断正面図、第２図
（ａ），（ｂ）は第１従来例のドライエッチング装置の
反応室構造を示す縦断正面図とその要部の作用説明図、
第３図は第２の従来例のドライエッチング装置の反応室
構造の要部を示す縦断正面図、第４図は第２の従来例の
問題点を示す説明図である。 12……試料、13……フッ素樹脂リング、14……アルミナ
リング、15……電極、16……電極とチャンバーを分離す
るアルミナリング。
Claims (2)
- 【請求項１】反応室内の電極上に前記電極を覆い、かつ
被エッチング基板裏面の外周部と一部が対向するよう配
置されたアルミナリングと、前記アルミナリングの前記
対向部近傍を除いて前記アルミナリングを覆うように配
置されたフッ素樹脂リングとを有するドライエッチング
装置。 - 【請求項２】周囲が、被エッチング基板裏面の外周部と
一部が対向するよう配置されたアリミナリングで覆わ
れ、かつ前記アルミナリングの前記対向部近傍以外がフ
ッ素樹脂リングで覆われた電極上で被エッチング基板を
エッチングするドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284528A JP2615480B2 (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | ドライエッチング装置およびその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284528A JP2615480B2 (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | ドライエッチング装置およびその方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02130823A JPH02130823A (ja) | 1990-05-18 |
| JP2615480B2 true JP2615480B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=17679643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63284528A Expired - Fee Related JP2615480B2 (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | ドライエッチング装置およびその方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2615480B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03181128A (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ装置 |
| JP3071729B2 (ja) * | 1997-06-20 | 2000-07-31 | 九州日本電気株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP2007273718A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置と方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59139628A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-10 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS63234531A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-09-29 | Nec Corp | 反応性イオンエツチング装置 |
-
1988
- 1988-11-10 JP JP63284528A patent/JP2615480B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02130823A (ja) | 1990-05-18 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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