JP2502271B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理装置に係
り、特に均一なプラズマ処理に好敵なプラズマ処理装置
に関するものである。
り、特に均一なプラズマ処理に好敵なプラズマ処理装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラズマ処理装置は、試料を載置
する試料電極を導電性の物質（例えば、アルミニウム、
ステンレル鋼、カーボン等）で構成し、試料電極の表面
に絶縁材をコーティングもしくは設置したものがある。
する試料電極を導電性の物質（例えば、アルミニウム、
ステンレル鋼、カーボン等）で構成し、試料電極の表面
に絶縁材をコーティングもしくは設置したものがある。
【０００３】例えば、特開昭５８−２１３４２７号公報
に記載のように、放電領域を石英ガラスなどの活性反応
ガス中で安定な材料で作ったカバーで覆うことにより、
エッチング試料に対する反応生成物による汚染を防ぎ、
効率の良いエッチングを行うようにしたものがある。
に記載のように、放電領域を石英ガラスなどの活性反応
ガス中で安定な材料で作ったカバーで覆うことにより、
エッチング試料に対する反応生成物による汚染を防ぎ、
効率の良いエッチングを行うようにしたものがある。
【０００４】また、例えば特公昭５６−５３８５３号公
報に記載のように、強制冷却した試料台と被加工物質と
の間に誘電体膜を介在させ、ガスプラズマの電気伝導性
を利用して構成した直流回路を設け、試料台と被加工物
質との間に電位差を付与して、被加工物質を誘導体膜を
介して試料台に強固に吸着することを特徴とし、高周波
グロー放電を利用したドライエッチングにおいて、被加
工物質と試料台との間の熱移動を促進し、さらに被加工
物質に微細パターンを転写するためのマスクとして用い
られたレジストの温度上昇を防いで前記マスクの変形や
変質などの熱劣化を防止するようにしたものがある。
報に記載のように、強制冷却した試料台と被加工物質と
の間に誘電体膜を介在させ、ガスプラズマの電気伝導性
を利用して構成した直流回路を設け、試料台と被加工物
質との間に電位差を付与して、被加工物質を誘導体膜を
介して試料台に強固に吸着することを特徴とし、高周波
グロー放電を利用したドライエッチングにおいて、被加
工物質と試料台との間の熱移動を促進し、さらに被加工
物質に微細パターンを転写するためのマスクとして用い
られたレジストの温度上昇を防いで前記マスクの変形や
変質などの熱劣化を防止するようにしたものがある。
【０００５】さらに、例えば特公昭５５−９４６４号公
報に記載のように、シリコン基板のシリコンのエッチン
グ速度と、シリコン基板上の酸化シリコンのエッチング
速度との速度比を改善するために、電極上に試料を載置
する試料台を設け、試料台の材質としてフッ素樹脂を用
いて、プラズマエッチングするものがある。
報に記載のように、シリコン基板のシリコンのエッチン
グ速度と、シリコン基板上の酸化シリコンのエッチング
速度との速度比を改善するために、電極上に試料を載置
する試料台を設け、試料台の材質としてフッ素樹脂を用
いて、プラズマエッチングするものがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のプラズ
マ処理装置には、電極部の放電を均一化して均一なプラ
ズマ処理を行うために絶縁材を設けたものはない。
マ処理装置には、電極部の放電を均一化して均一なプラ
ズマ処理を行うために絶縁材を設けたものはない。
【０００７】本発明の目的は、放電を均一化して均一な
エッチングまたは成膜を得ることのできるプラズマ処理
装置を提供することにある。
エッチングまたは成膜を得ることのできるプラズマ処理
装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、処理ガスが導
入され所定の圧力に減圧排気される処理室と、前記処理
室内に設けられ試料を配置する試料電極と、前記処理室
内に設けられ前記試料電極に対向する対向電極と、前記
試料電極と前記対向電極との間にかけられる高周波電力
に３ ＭＨZ以下の周波数の電力を用いる高周波電源と、
前記試料電極と前記試料とが直接接触しないように前記
試料電極表面上に設けた絶縁物とから成り、かつ該絶縁
物の膜厚を前記試料の該絶縁物を設けない場合に得られ
る処理速度の大きい位置で最も厚く処理速度の小さい位
置で薄くなるように変化させたことを特徴とするもので
ある。
入され所定の圧力に減圧排気される処理室と、前記処理
室内に設けられ試料を配置する試料電極と、前記処理室
内に設けられ前記試料電極に対向する対向電極と、前記
試料電極と前記対向電極との間にかけられる高周波電力
に３ ＭＨZ以下の周波数の電力を用いる高周波電源と、
前記試料電極と前記試料とが直接接触しないように前記
試料電極表面上に設けた絶縁物とから成り、かつ該絶縁
物の膜厚を前記試料の該絶縁物を設けない場合に得られ
る処理速度の大きい位置で最も厚く処理速度の小さい位
置で薄くなるように変化させたことを特徴とするもので
ある。
【０００９】
【作用】本発明によれば、試料電極上に絶縁物を設ける
ことにより、周波数３ＭＨｚ以下の高周波電力でエッチ
ング処理した際に生じる局部放電を防ぐことができ、局
部的なレジストの変質やエッチングまたは成膜速度の上
昇をなくすことができる。さらに、絶縁物の膜厚を前記
試料の該絶縁物を設けない場合に得られる処理速度の大
きい位置で最も厚く処理速度の小さい位置で薄くなるよ
うに変化させることにより、放電を均一にでき、エッチ
ングまたは成膜速度を試料の全面に渡って均一化させる
ことができる。
ことにより、周波数３ＭＨｚ以下の高周波電力でエッチ
ング処理した際に生じる局部放電を防ぐことができ、局
部的なレジストの変質やエッチングまたは成膜速度の上
昇をなくすことができる。さらに、絶縁物の膜厚を前記
試料の該絶縁物を設けない場合に得られる処理速度の大
きい位置で最も厚く処理速度の小さい位置で薄くなるよ
うに変化させることにより、放電を均一にでき、エッチ
ングまたは成膜速度を試料の全面に渡って均一化させる
ことができる。
【００１０】低い周波数、例えば３ＭＨｚ以下の周波数
を用いることによって、従来から用いられている１３．
５６ＭＨｚでのエッチングに比べて、エッチレートが上
がることが知られている。しかしながら、３ＭＨｚ以下
の周波数では図６に示すように、集中放電が生じるとい
う問題が生じた。
を用いることによって、従来から用いられている１３．
５６ＭＨｚでのエッチングに比べて、エッチレートが上
がることが知られている。しかしながら、３ＭＨｚ以下
の周波数では図６に示すように、集中放電が生じるとい
う問題が生じた。
【００１１】そこで、図５に示すプラズマ処理装置、こ
の場合はエッチング装置によって、シリコンウエハを材
料として、３ＭＨｚ以下の周波数域で高周波電力密度を
増大させて放電の状態を調べる実験を行った。１は試料
この場合はシリコンウエハ、２は処理室、３は試料電
極、４は試料オサエ、５は絶縁材、７は高周波電源、８
は整合装置、９は対向電極、１０は流量制御弁、１１は
アースシールド、１２は排気口である。実験時の放電条
件としては、処理ガスをＣＨＦ3ガス１００ＳＣＣＭ、
圧力を０．５Ｔｏｒｒ、電極間隔を５０ｍｍ、高周波電
源の周波数を１ＭＨｚとした。高周波電力密度を２ｗ／
cm2以上に上昇させるとシリコンウエハ１の外周部の数
ケ所に放電発光強度の大きい部分が目視で確認された。
また、表面を熱酸化させたシリコンウエハでホトレジス
ト（ＯＦＰＲ−８００）によりパターニングしたシリコ
ンウエハ１を用いた場合も、前記同様シリコンウエハ１
の外周部の数ケ所に放電発光強度の大きい部分が目視さ
れ、スポット的にレジストが変質すると共に、該変質部
でのエッチング速度が増大しているのが確認できた。エ
ッチング速度の増大は他の部分の約１．５倍に増大し
た。
の場合はエッチング装置によって、シリコンウエハを材
料として、３ＭＨｚ以下の周波数域で高周波電力密度を
増大させて放電の状態を調べる実験を行った。１は試料
この場合はシリコンウエハ、２は処理室、３は試料電
極、４は試料オサエ、５は絶縁材、７は高周波電源、８
は整合装置、９は対向電極、１０は流量制御弁、１１は
アースシールド、１２は排気口である。実験時の放電条
件としては、処理ガスをＣＨＦ3ガス１００ＳＣＣＭ、
圧力を０．５Ｔｏｒｒ、電極間隔を５０ｍｍ、高周波電
源の周波数を１ＭＨｚとした。高周波電力密度を２ｗ／
cm2以上に上昇させるとシリコンウエハ１の外周部の数
ケ所に放電発光強度の大きい部分が目視で確認された。
また、表面を熱酸化させたシリコンウエハでホトレジス
ト（ＯＦＰＲ−８００）によりパターニングしたシリコ
ンウエハ１を用いた場合も、前記同様シリコンウエハ１
の外周部の数ケ所に放電発光強度の大きい部分が目視さ
れ、スポット的にレジストが変質すると共に、該変質部
でのエッチング速度が増大しているのが確認できた。エ
ッチング速度の増大は他の部分の約１．５倍に増大し
た。
【００１２】熱酸化されたシリコンウエハの表面は、主
にイオン効果によってエッチングされることから、該変
質部ではイオンの数が増大している、もしくはイオンが
シリコンウエハ１に入射する場合の加速エネルギーが、
増大しているものと考えられる。
にイオン効果によってエッチングされることから、該変
質部ではイオンの数が増大している、もしくはイオンが
シリコンウエハ１に入射する場合の加速エネルギーが、
増大しているものと考えられる。
【００１３】この放電の不均一について調べた結果、該
変質部ではシリコンウエハ１のそれ自体のそりおよび試
料押え４の凹凸により試料電極３との接触があることが
判明した。このことを確認するためシリコンウエハ１の
中心の下で試料電極３上に２×２×０．５ｔのアルミニ
ウムの小片を置き、前記条件と同条件で放電させた。こ
の結果、放電の発光強度の大きい部分は、アルミニウム
の小片を置いたシリコンウエハの中心の表面と、電極外
周に確認された。
変質部ではシリコンウエハ１のそれ自体のそりおよび試
料押え４の凹凸により試料電極３との接触があることが
判明した。このことを確認するためシリコンウエハ１の
中心の下で試料電極３上に２×２×０．５ｔのアルミニ
ウムの小片を置き、前記条件と同条件で放電させた。こ
の結果、放電の発光強度の大きい部分は、アルミニウム
の小片を置いたシリコンウエハの中心の表面と、電極外
周に確認された。
【００１４】このことから試料電極３上のシリコンウエ
ハ１搭載面に絶縁材を設けることにより、放電の不均一
性を改善できる知見を得た。また、ＳｉＨ4（モノシラ
ン）ガスを用いた放電においても、ＣＨＦ3ガスを用い
た放電の場合と同様に放電の発光強度が増大する部位が
あり、前記同様に絶縁物を設けることにより、放電の不
均一性を改善できる見通しを得た。
ハ１搭載面に絶縁材を設けることにより、放電の不均一
性を改善できる知見を得た。また、ＳｉＨ4（モノシラ
ン）ガスを用いた放電においても、ＣＨＦ3ガスを用い
た放電の場合と同様に放電の発光強度が増大する部位が
あり、前記同様に絶縁物を設けることにより、放電の不
均一性を改善できる見通しを得た。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１と図２とによ
り説明する。図１は、図５に示すプラズマ処理装置の試
料電極３部の詳細を示した図で、同一符号は同一部材を
示し、本図が図５と異なる点は試料電極３を絶縁材６ａ
で被った点であり、シリコンウエハ１は試料電極３の絶
縁材６ａ、この場合アルミナ容射（膜厚２００μｍ）さ
れた面に配置される。
り説明する。図１は、図５に示すプラズマ処理装置の試
料電極３部の詳細を示した図で、同一符号は同一部材を
示し、本図が図５と異なる点は試料電極３を絶縁材６ａ
で被った点であり、シリコンウエハ１は試料電極３の絶
縁材６ａ、この場合アルミナ容射（膜厚２００μｍ）さ
れた面に配置される。
【００１６】図１のプラズマ処理装置により、図５のプ
ラズマ処理装置を使用した前記実験のときと同条件で放
電状態を調べてみると、高周波電力密度の最大の５ｗ／
cm2においても、放電集中は発生しなかった。また、高
周波電力密度を３ｗ／cm2とし、シリコンウエハを熱酸
化しホトレジストＯＦＰＲ−８００（東京応化工業社製
品の製品名）によりパターニングしたシリコンウエハ１
を用いた場合にも、レジストの変質やエッチング速度の
部分的な上昇は発生しなかった。
ラズマ処理装置を使用した前記実験のときと同条件で放
電状態を調べてみると、高周波電力密度の最大の５ｗ／
cm2においても、放電集中は発生しなかった。また、高
周波電力密度を３ｗ／cm2とし、シリコンウエハを熱酸
化しホトレジストＯＦＰＲ−８００（東京応化工業社製
品の製品名）によりパターニングしたシリコンウエハ１
を用いた場合にも、レジストの変質やエッチング速度の
部分的な上昇は発生しなかった。
【００１７】次に、絶縁材６ａのアルミナ膜の膜厚を０
〜５ｍｍの間で変化させて、熱酸化したシリコンウエハ
１の表面のエッチング速度の変化を調べた結果を図２に
示す。処理ガスはＣＨＦ3、ガス流量は１００ＳＣＣ
Ｍ、高周波電力密度は３ｗ／cm2、高周波電力周波数は
１ＭＨｚ、圧力は０．５Ｔｏｒｒで行った。絶縁材６ａ
はこの場合アルミナ溶射もしくはアルミナ板とし、図２
に示されているように、膜厚を２ｍｍにした場合、エッ
チング速度は絶縁材６ａを設けないときに比べて約８０
％に低下する。この値以上に低下した場合には、ある一
定膜厚を処理する処理時間が増大し、単位時間当りの処
理枚数の低下（スループットの低下）が無視できなくな
る。したがって、アルミナの膜厚は２ｍｍ以下が好適で
ある。
〜５ｍｍの間で変化させて、熱酸化したシリコンウエハ
１の表面のエッチング速度の変化を調べた結果を図２に
示す。処理ガスはＣＨＦ3、ガス流量は１００ＳＣＣ
Ｍ、高周波電力密度は３ｗ／cm2、高周波電力周波数は
１ＭＨｚ、圧力は０．５Ｔｏｒｒで行った。絶縁材６ａ
はこの場合アルミナ溶射もしくはアルミナ板とし、図２
に示されているように、膜厚を２ｍｍにした場合、エッ
チング速度は絶縁材６ａを設けないときに比べて約８０
％に低下する。この値以上に低下した場合には、ある一
定膜厚を処理する処理時間が増大し、単位時間当りの処
理枚数の低下（スループットの低下）が無視できなくな
る。したがって、アルミナの膜厚は２ｍｍ以下が好適で
ある。
【００１８】また、図２が示すように、アルミナの膜厚
によりエッチング速度を増減できるため、シリコンウエ
ハのエッチング速度のバラツキ（不均一性）を、アルミ
ナの膜圧調整で小さくすることが可能である。例えば、
この場合はシリコンウエハ１の中心部がエッチング速度
最大となり、以下同心円状に低下する分布を示したの
で、アルミナの膜厚をシリコンウエハ１の中心に合わせ
厚くすることによって、エッチング速度の均一性を図る
ことができた。この場合、アルミナの膜は、試料電極３
の表面をフラットにしアルミナを凸形に盛り上げるか、
もしくは試料電極３の表面を凹形に加工しアルミナの表
面をフラットにしても同効果がある。
によりエッチング速度を増減できるため、シリコンウエ
ハのエッチング速度のバラツキ（不均一性）を、アルミ
ナの膜圧調整で小さくすることが可能である。例えば、
この場合はシリコンウエハ１の中心部がエッチング速度
最大となり、以下同心円状に低下する分布を示したの
で、アルミナの膜厚をシリコンウエハ１の中心に合わせ
厚くすることによって、エッチング速度の均一性を図る
ことができた。この場合、アルミナの膜は、試料電極３
の表面をフラットにしアルミナを凸形に盛り上げるか、
もしくは試料電極３の表面を凹形に加工しアルミナの表
面をフラットにしても同効果がある。
【００１９】以上、本実施例によれば、試料電極３上に
膜厚２ｍｍ以下のアルミナ膜を設けることにより、周波
数３ＭＨｚ以下の高周波電力でエッチング処理した際に
生じる局部放電を防ぐことができ、局部的なレジストの
変質やエッチング速度の上昇をなくすことができる。さ
らに、膜厚を変えることにより放電を均一にでき、エッ
チング速度をシリコンウエハ１の全面に渡って均一化さ
せることができる。また、シリコンウエハ１に対して安
全な放電を得ることができるので、それとともにエッチ
ング速度も均一になり、歩留りが向上、例えば、直径１
５０ｍｍのシリコンウエハに対して、歩留りが従来の６
０％から９０％に向上し、生産性を上げることができ
る。また、レジストの変質をなくすことができるので、
外観不良もなくすことができる。
膜厚２ｍｍ以下のアルミナ膜を設けることにより、周波
数３ＭＨｚ以下の高周波電力でエッチング処理した際に
生じる局部放電を防ぐことができ、局部的なレジストの
変質やエッチング速度の上昇をなくすことができる。さ
らに、膜厚を変えることにより放電を均一にでき、エッ
チング速度をシリコンウエハ１の全面に渡って均一化さ
せることができる。また、シリコンウエハ１に対して安
全な放電を得ることができるので、それとともにエッチ
ング速度も均一になり、歩留りが向上、例えば、直径１
５０ｍｍのシリコンウエハに対して、歩留りが従来の６
０％から９０％に向上し、生産性を上げることができ
る。また、レジストの変質をなくすことができるので、
外観不良もなくすことができる。
【００２０】次に、本発明の第２の実施例を図３により
説明する。本図において、図１と同符号は同一部材を示
し、図１と異なる点は、図１の絶縁材６ａ中央部に穴が
あき、シリコンウエハ１の周辺部のみ接するように設け
た絶縁材６ｂとなっていることである。この場合は、シ
リコンウエハ１の周辺から２０ｍｍの幅で絶縁材を設け
た。この場合の放電状態を前記一実施例と同条件で放電
状態を調べてみると、高周波電力密度の最大の５ｗ／cm
2においても、放電集中は発生しなかった。
説明する。本図において、図１と同符号は同一部材を示
し、図１と異なる点は、図１の絶縁材６ａ中央部に穴が
あき、シリコンウエハ１の周辺部のみ接するように設け
た絶縁材６ｂとなっていることである。この場合は、シ
リコンウエハ１の周辺から２０ｍｍの幅で絶縁材を設け
た。この場合の放電状態を前記一実施例と同条件で放電
状態を調べてみると、高周波電力密度の最大の５ｗ／cm
2においても、放電集中は発生しなかった。
【００２１】本第２の実施例においても前記一実施例同
様、局部放電を防ぐことができ、局部的なレジストの変
質やエッチング速度の上昇をなくすことができるので、
レジストの変質による外観不良をなくすことができ、ま
た、エッチング速度も均一になり歩留りを向上させるこ
とができる。
様、局部放電を防ぐことができ、局部的なレジストの変
質やエッチング速度の上昇をなくすことができるので、
レジストの変質による外観不良をなくすことができ、ま
た、エッチング速度も均一になり歩留りを向上させるこ
とができる。
【００２２】次に、本発明の第３の実施例を図４により
説明する。本図において、図１と同符号は同一部材を示
し、図１と異なる点は、図１の絶縁材６ａがシリコンウ
エハ１の裏面全面に接触する範囲にあるのに対し、絶縁
材６ｃはシリコンウエハ１の裏面に部分的に接触するす
るように設けてある点である。絶縁材６ｃはこの場合、
ドーナツ状でシリコンウエハ１の外周部と内部との２ケ
所に設けてあり、シリコンウエハ１を支持する。
説明する。本図において、図１と同符号は同一部材を示
し、図１と異なる点は、図１の絶縁材６ａがシリコンウ
エハ１の裏面全面に接触する範囲にあるのに対し、絶縁
材６ｃはシリコンウエハ１の裏面に部分的に接触するす
るように設けてある点である。絶縁材６ｃはこの場合、
ドーナツ状でシリコンウエハ１の外周部と内部との２ケ
所に設けてあり、シリコンウエハ１を支持する。
【００２３】本第３実施例によれば、前記第２の実施例
と同じ効果を得ることができるとともに、シリコンウエ
ハ１の中央部でのたわみを押えることができるという効
果がある。
と同じ効果を得ることができるとともに、シリコンウエ
ハ１の中央部でのたわみを押えることができるという効
果がある。
【００２４】なお、絶縁材６ｃは、この場合ドーナツ状
であるが、形状は任意に選べるものであり、また、取り
付けも２個とは限らず、２個以上であったり、星形にし
て１個としても良い。
であるが、形状は任意に選べるものであり、また、取り
付けも２個とは限らず、２個以上であったり、星形にし
て１個としても良い。
【００２５】以上、これらの実施例では絶縁材６ａない
し６ｃとしてアルミナを用いて述べてきたが、アルミナ
以外にもＢＮ、ＳｉＯ、ＳｉＮおよびポリテトラフルオ
ルエチレン等を用いても、アルミナ同様に均一な放電を
得ることができる。これら絶縁材を試料電極３に被着す
る場合には、試料電極３との接着性、耐圧およびウエハ
の冷却効果を左右する熱電導度等を考慮する必要があ
る。また、ウエハの冷却に当って、ヘリウムガス等を熱
媒体として用いて、ウエハ裏面の隙間に入れる場合に
は、ヘリウムガス等が処理室へ洩れないように、絶縁材
取り付け時のシール構造を考慮する必要がある。
し６ｃとしてアルミナを用いて述べてきたが、アルミナ
以外にもＢＮ、ＳｉＯ、ＳｉＮおよびポリテトラフルオ
ルエチレン等を用いても、アルミナ同様に均一な放電を
得ることができる。これら絶縁材を試料電極３に被着す
る場合には、試料電極３との接着性、耐圧およびウエハ
の冷却効果を左右する熱電導度等を考慮する必要があ
る。また、ウエハの冷却に当って、ヘリウムガス等を熱
媒体として用いて、ウエハ裏面の隙間に入れる場合に
は、ヘリウムガス等が処理室へ洩れないように、絶縁材
取り付け時のシール構造を考慮する必要がある。
【００２６】また、本実施例ではプラズマ処理装置とし
て、エッチング装置の場合について述べたが、成膜装置
例えばＣＶＤ装置に対しても、放電が一様になるので、
試料への成膜の膜質を均一にすることができるととも
に、従来の膜厚の違いにより生じる干渉色の違いによる
外観不良を無くすことができる。
て、エッチング装置の場合について述べたが、成膜装置
例えばＣＶＤ装置に対しても、放電が一様になるので、
試料への成膜の膜質を均一にすることができるととも
に、従来の膜厚の違いにより生じる干渉色の違いによる
外観不良を無くすことができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、試料電極と試料との間
に絶縁材を設け、かつ該絶縁物の膜厚を試料の絶縁物を
設けない場合に得られる処理速度の大きい位置で最も厚
く処理速度の小さい位置で薄くなるように変化させるこ
とによって、試料電極と対向電極との間の放電を均一化
でき、均一なエッチングまたは成膜を得るプラズマ処理
が行えるという効果がある。
に絶縁材を設け、かつ該絶縁物の膜厚を試料の絶縁物を
設けない場合に得られる処理速度の大きい位置で最も厚
く処理速度の小さい位置で薄くなるように変化させるこ
とによって、試料電極と対向電極との間の放電を均一化
でき、均一なエッチングまたは成膜を得るプラズマ処理
が行えるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例であるプラズマ処理装置を示
す断面図。
す断面図。
【図２】図１により行なった実験結果を示すグラフ。
【図３】本発明の第２の実施例であるプラズマ処理装置
を示す断面図。
を示す断面図。
【図４】本発明の第３の実施例であるプラズマ処理装置
を示す断面図。
を示す断面図。
【図５】従来例であるプラズマ処理装置を示す断面図。
【図６】図５により行なった実験結果を示すグラフであ
る。
る。
１…シリコンウエハ、２…処理室、３…試料電極、６ａ
ないし６ｃ…絶縁材、９…対向電極
ないし６ｃ…絶縁材、９…対向電極
Claims (2)
- 【請求項１】処理ガスが導入され所定の圧力に減圧排気
される処理室と、前記処理室内に設けられ試料を配置す
る試料電極と、前記処理室内に設けられ前記試料電極に
対向する対向電極と、前記試料電極と前記対向電極との
間にかけられる高周波電力に３ ＭＨZ以下の周波数の電
力を用いる高周波電源と、前記試料電極と前記試料とが
直接接触しないように前記試料電極表面上に設けた絶縁
物とから成り、かつ該絶縁物の膜厚を前記試料の該絶縁
物を設けない場合に得られる処理速度の大きい位置で最
も厚く処理速度の小さい位置で薄くなるように変化させ
たことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】前記絶縁物の材料をアルミナとし、該アル
ミナの膜厚を２ｍｍ以下としたことを特徴とする請求項
１載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6184353A JP2502271B2 (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP6184353A JP2502271B2 (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | プラズマ処理装置 |
Related Parent Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP60212443A Division JPH0719770B2 (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | プラズマ処理装置 |
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| JPH07211703A JPH07211703A (ja) | 1995-08-11 |
| JP2502271B2 true JP2502271B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=16151773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6184353A Expired - Lifetime JP2502271B2 (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | プラズマ処理装置 |
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-
1994
- 1994-08-05 JP JP6184353A patent/JP2502271B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH07211703A (ja) | 1995-08-11 |
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