KR19980034188A - 반도체 식각설비의 하측전극판 - Google Patents

Abstract

식각챔버 내부에 웨이퍼의 밑면을 받쳐 지지하며 R·F 파워가 인가되는 반도체 식각설비의 하측전극판에 관한 것이다.

본 발명은 웨이퍼가 놓이는 가장자리 부위를 받쳐 지지하도록 환형 받침대를 갖는 반도체 식각설비의 하측 전극판에 있어서, 상기 환형 받침대의 재질이 실리콘임을 특징으로 한다.

따라서, 본 발명에 의하면, 웨이퍼의 가장 자리 부위에 반도체 재질의 실리콘으로 제작된 환형 받침대를 사용함에 따라 하측 전극판의 중심 부위와 가장자리 부위 사이에 R·F 파워의 인가 정도를 조절하게 되어 웨이퍼의 식각 정도를 균일하게 하고, 금속성 오염물이 발생되지 않으며, 웨이퍼 가장자리 부위의 식각 정도를 향상시키는 효과가 있다.

Description

반도체 식각설비의 하측전극판

본 발명은 반도체 식각설비의 하측전극판에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 식각챔버 내부에 웨이퍼의 밑면을 받쳐 지지하며 R·F 파워가 인가되는 반도체 식각설비의 하측전극판에 관한 것이다.

통상적으로 웨이퍼는 사진, 확산, 식각, 화학기상증착 및 금속증착 등의 공정이 반복 수행됨에 따라 반도체장치로 제작되고, 이들 반도체장치 제조공정 가운데 빈번히 이루어지는 공정 중 하나가 식각 공정이다.

이러한 식각공정은 포토리소그래피 (photolithography) 공정에 의해 형성된 패턴을 통해 웨이퍼의 상면층의 특정 부위를 선택적으로 제거하는 공정으로서, 여러 가지 방식이 있으며, 이들 방식은 크게 건식식각과 습식식각, 물리적식각과 화학적식각 등으로 분류된다.

그리고, 이들 식각공정은 정밀도를 요구하는 반도체장치가 정상적으로 기능을 수행할 수 있도록 하기 위해서 엄격하게 관리되고 있으며, 특히 공정 진행에 따른 식각 정도는 웨이퍼 상면에 대하여 균일하게 형성되는 것이 강조되고 있다.

상술한 바와 같이 식각공정을 수행하기 위한 식각챔버 내부에는 애노드(anode)와 케소드(cathode) 즉, 상측 전극판과 하측 전극판이 설치되어 웨이퍼를 사이에 두고 R·F 파워를 인가하여 공급된 가스를 여기 상태로 형성하여 식각하도록 되어 있다.

한편, 하측 전극판은 알루미늄 합금으로 제작되며 상면에 식각 반응을 방지하도록 통상 애노다이징(anodizing) 처리된 코팅막을 형성하고 있다.

이러한 코팅막 중 웨이퍼 외측 부위 즉, 하측 전극판 가장자리 부위의 코팅막은 계속적인 식각 공정에 의해 식각된다.

이렇게 식각되어 노출되는 하측 전극판은 R·F 파워의 인가시 아킹을 유발하게 되고, 이렇게 발생된 아킹은 근접한 웨이퍼 소정 부위의 식각 정도를 심화시켜 공정 불량을 유발하게 된다.

따라서, 도1에 도시된 바와 같이 하측 전극판(10) 중심 부위의 척(12)에 위치되는 웨이퍼(16)의 가장자리 부위에 세라믹 재질의 환형 받침대(14)를 설치하고 있다.

그러나, 이렇게 설치된 세라믹 재질의 환형 받침대는 하측 전극판의 중심 부위와 R·F 파워의 인가 정도가 심한 차이를 발생함에 따라 균일한 식각을 이루지 못하고, 금속성의 오염물이 발생되며, 선택성 불량에 의해 측변 부위의 식각 정도가 다르게 형성되는 문제가 있었다.

본 발명의 목적은, 하측 전극판의 전면에 인가되는 R·F 파워에 의한 아킹 현상을 방지하도록 할 뿐 아니라 R·F 파워가 균일하게 인가되도록 하여 균일하게 식각하도록 하고, 금속서의 오염물의 발생을 방지하며, 가장자리 부위의 식각 정도를 향상시키도록 하는 반도체 식각설비의 하측 전극판을 제공함에 있다.

도1은 종래의 반도체 식각챔버의 하측전극판을 나타낸 평면도이다.

도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 식각챔버의 하측전극을 나타낸 평면도이다.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

10, 20: 하측 전극판 12, 22: 척

14, 24: 환형 받침대 16, 26: 웨이퍼

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 웨이퍼가 놓이는 가장자리 부위를 받쳐 지지하도록 환형 받침대를 갖는 반도체 식각설비의 하측 전극판에 있어서, 상기 환형 받침대의 재질이 실리콘임을 특징으로 한다.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 식각설비의 하측 전극판을 나타낸 평면도로서, 종래와 동일한 부분에 대하여 상세한 설명은 생략하기로 한다.

도2를 참조하여 설명하면, 웨이퍼(26)가 위치되며, 상측 전극판(도시 안됨)과 함께 R·F 파워를 인가하도록 형성된 원형의 하측 전극판(20)이 설치되어 있다.

이러한 하측 전극판(20)의 중심 부위에 위치된 척(22)의 상면에 웨이퍼(26)가 위치되고, 이 하측 전극판(20)의 가장자리 부위에는 웨이퍼(26)의 밑면 가장자리 부위를 받쳐 지지하도록 형성된 환형 받침대(24)가 설치되어 있으며, 이 환형 받침대(24)는 실리콘으로 제작된 것으로 웨이퍼(26) 가장자리 부위에 소정의 R·F 파워가 인가되도록 한다.

따라서, 본 발명에 의하면, 웨이퍼의 가장 자리 부위에 반도체 재질의 실리콘으로 제작된 환형 받침대를 사용함에 따라 하측 전극판의 중심 부위와 가장자리 부위 사이에 R·F 파워의 인가 정도를 조절하게 되어 웨이퍼의 식각 정도를 균일하게 하고, 금속성 오염물이 발생되지 않으며, 웨이퍼 가장자리 부위의 식각 정도를 향상시키는 효과가 있다.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (1)

1. 웨이퍼가 놓이는 가장자리 부위를 받쳐 지지하도록 환형 받침대를 갖는 반도체 식각설비의 하측 전극판에 있어서,

   상기 환형 받침대의 재질이 실리콘임을 특징으로 하는 반도체 식각설비의 하측 전극판.