KR20050028586A - 반도체 제조 설비의 건식식각장치 - Google Patents

반도체 제조 설비의 건식식각장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20050028586A
KR20050028586A KR1020030065059A KR20030065059A KR20050028586A KR 20050028586 A KR20050028586 A KR 20050028586A KR 1020030065059 A KR1020030065059 A KR 1020030065059A KR 20030065059 A KR20030065059 A KR 20030065059A KR 20050028586 A KR20050028586 A KR 20050028586A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrostatic chuck
edge
screw
ring
dry etching
Prior art date
Application number
KR1020030065059A
Other languages
English (en)
Inventor
신정철
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020030065059A priority Critical patent/KR20050028586A/ko
Publication of KR20050028586A publication Critical patent/KR20050028586A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 생산성을 높일 수 있는 반도체 제조설비의 건식식각장치에 대하여 개시한다. 그 장치는 불활성 기체 및 반응가스가 충만된 챔버 내에서 플라즈마 반응을 발생하는 상부 전극 및 하부 전극과, 상기 하부전극 상에서 상기 플라즈마 반응 시 기판을 안착하는 정전척과, 상기 정전척의 가장자리에 형성된 스크류 홀을 통하여 상기 정전척을 상기 하부전극에 고정하는 복수개의 스크류와, 상기 정전척의 척벽을 둘러싸도록 형성된 절연링과, 상기 절연링 상에 놓여 지지되고, 상기 상부전극에 대응하여 상기 스크류가 체결된 상기 정전척의 가장자리에 설치되는 에지링과, 상기 에지링의 하부에서 상기 스크류 및 상기 스크류 홀을 덮도록 상기 정전척의 가장자리를 둘러싸고, 상기 에지링과 상기 정전척 가장자리 사이의 공극을 메우는 스크류 커버링을 포함하여 이루어진다.

Description

반도체 제조설비의 건식식각장치{Apparatus for dry etching at the semiconductor manufacturing equipment}
본 발명은 반도체 제조설비에 관한 것으로, 상세하게는 식각 공정 중 정전척 가장자리에서 폴리머 성분의 발생을 억제하는 건식식각장치에 관한 것이다.
반도체 제조 과정에 있어서, 공정 중에 반도체 기판이 움직이거나 오정렬되는 것을 방지하기 위해서, 반도체 기판을 지지 또는 잡아두기 위한 척들 (chucks)이 사용된다. 반도체 기판을 잡아두기 위해 정전기 인력 (electrostatic attraction forces)을 사용하는 정전척들은 다른 형태의 척들 (예를 들면, 기계척 그리고 진공척)에 비해 몇몇 이점들을 갖는다. 그러한 이점들 중 하나로서, 정전척들은 메카니컬 클램프들 (mechanical clamps)에 의해서 종종 생기는 스트레스에 관련된 크랙 (stress-related cracks)을 줄일 수 있다.
그러한 정전척들이 'ELECTROSTATIC CHUCK'라는 제목으로 U.S. Patent No. 4,665,463에, 'METHOD OF AND APPARATUS FOR APPLYING VOLTAGE TO ELECTROSTATIC CHUCK'라는 제목으로 U.S. Patent No. 5,117,121에, 그리고 'ELECTROSTATIC CHUCK HAVING A THERMAL TRANSFER REGULATED PAD'라는 제목으로 U.S. Patent No. 5,978,202에 각각 게재되어 있다.
이때, 정전척은 유전 물질 (dielectric material)로 구성된 척몸체 (chuck body) 또는 시트 (sheet) 내에 내장된 한 쌍의 전극들을 포함한다. 실리콘 웨이퍼와 같은 가공품이 상기 정전척 상에 놓인다. 상기 전극들 사이에 전압이 인가될 때, 정전척은 존슨-라벡 효과 (Johnsen-Rahbek effect)에 따라 상기 실리콘 웨이퍼를 정전기적으로 끌어당긴다.
이하, 도면을 참조하여 종래 기술의 반도체 제조설비의 건식식각장치를 설명하면 다음과 같다.
도1은 종래 기술에 따른 건식 식각장치의 개략적인 구성을 도시한 단면도이고, 도 2는 도1의 정전척 가장자리 부분을 나타낸 상세 단면도이다.
도1 내지 도2를 참조하면, 불활성 기체 및 반응 가스로 충만된 챔버(10) 내부의 상단에 형성된 상부 전극(12)과, 상기 상부 전극(12)의 대향하는 상기 챔버(10)의 하단에 형성된 하부 전극(14)과, 상기 하부전극(14) 상에서 웨이퍼(18)를 고정부착하는 정전척(16)이 있다. 또한, 상기 정전척(16) 하부에 연결되고 상기 챔버(10)의 외부에서 정전압 또는 역전압을 공급하는 정전척 전원공급부(20)가 있다. 또한, 상기 정전척(16)의 가장자리에서 스크류홀(도시하지 않음)을 통해 상기 정전척(16)을 상기 하부 전극(14)에 고정하는 스크류(22)가 있고, 상기 스크류(22) 및 스크류홀을 플라즈마 반응으로부터 보호하고 상기 정전척(16)의 가장자리에 설치되는 에지링(24)이 있고, 상기 에지링(24)을 지지하고 상기 플라즈마 반응 시 상기 정전척(16)의 척벽을 보호하는 절연링(26)이 있다.
여기서, 상기 상부 전극(12) 및 하부 전극(14)에 외부로부터 교류 고전압이 각각 인가되면, 상기 챔버(10)의 내부에서 상기 불활성 기체 및 반응 가스를 이온과 전자로 분리시켜 플라즈마 상태로 만들어 식각 공정이 진행된다.
도시하지는 않았지만, 상기 상부전극(12)의 하부에 상기 불활성 기체 및 반응 가스를 분사하는 노즐이 형성되어 있다.
따라서, 상기 플라즈마 상태의 이온은 상기 반응 가스의 종류에 따라 상기 웨이퍼에 형성된 포토레지스트 또는 식각 방지막을 식각 마스크로 사용하여 상기 식각 마스크에 의해 노출된 상기 웨이퍼(18) 또는 상기 웨이퍼(18) 상에 형성된 박막을 선택적으로 식각한다.
또한, 상기 식각 공정 시 상기 정전척(16) 전원 공급부(20)에서 상기 정천척에 교류 또는 직류의 정전압 또는 역전압을 인가하여 상기 웨이퍼(18)를 상기 정전척(16)에 밀착 고정한다. 이때, 상기 정전척(16)은 각각 상기 웨이퍼(18)에 접촉하는 쎄라믹 재질의 유전막(15)과 상기 유전막(15) 하부의 척바디(17)로 구성되어 상기 식각 공정 시 상기 웨이퍼(18)를 압착하는 역할을 수행한다.
그러나, 식각 공정의 수행 과정에서 공정가스의 반응시 반응에 의한 부산물 즉 폴리머 성분이 생성되고, 상기 폴리머가 상기 챔버의 내부에 증착된다. 이때, 상기 폴리머가 상기 정전척(16)에 부착될 경우, 상기 정전척(16) 상에 척킹(chucking)되는 웨이퍼(18)의 하부에서 단차를 발생시켜 식각 불량을 유발하거나, 상기 웨이퍼(18)의 척킹(chucking) 또는 디척킹(dechucking) 시 웨이퍼(18)의 깨짐을 유발하기도 한다.
따라서, 종래 기술에 따른 건식식각장치는 도2와 같이 상기 웨이퍼(18)의 가장자리에서 연장되는 에지링(24)을 상기 정전척(16)의 가장자리에 위치시켜 상기 정전척(16)에 발생되는 폴리머 성분을 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 에지링(24)은 상기 정전척(16) 상에 척킹되는 웨이퍼(18)의 가장자리와 일부 오버랩되도록 설치되고, 식각 공정 중 플라즈마 반응에 의한 상기 웨이퍼(18)의 중심부분과 상기 웨이퍼(18)의 가장자리에서의 식각율의 차이가 발생하지 않도록 하는 역할을 할 수도 있다.
따라서, 종래 기술에 따른 건식식각장치는 에지링(24)을 이용하여 웨이퍼(18)를 연장할 수 있기 때문에 웨이퍼(18) 가장자리에서의 플라즈마 반응에 의한 동일한 식각율 갖도록 하고, 정전척(16) 상에 폴리머가 부착되는 것을 부착을 방지할 수 있다.
하지만, 종래 기술에 따른 반도체 제조설비의 건식식각장치는 다음과 같은 문제점이 있었다.
종래 기술에 따른 반도체 제조설비의 건식식각장치는 에지링과 스크류 및 스크류 홀이 형성된 상기 정전척의 가장자리에 미세 공극이 발생하고, 상기 공극에 상기 폴리머 성분이 발생되어 상기 미세 공극에 발생된 상기 폴리머 성분을 제거하기 위한 건식식각장치의 정기적 또는 비정기적 세정작업을 빈번하게 요하기 때문에 상기 세정작업에 따른 생산성을 떨어뜨리는 단점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 에지링과 스크류홀 사이에 폴리머 성분의 발생을 억제하고 이에 따른 세정작업을 감소시켜 생산성을 높일 수 있는 반도체 제조설비의 건식식각장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양상(aspect)에 따라, 반도체 제조설비의 건식 식각장치는, 불활성 기체 및 반응가스가 충만된 챔버 내에서 플라즈마 반응을 발생하는 상부 전극 및 하부 전극과, 상기 하부전극 상에서 상기 플라즈마 반응 시 웨이퍼를 안착하는 정전척과, 상기 정전척의 가장자리에 형성된 스크류 홀을 통하여 상기 정전척을 상기 하부전극에 고정하는 복수개의 스크류와, 상기 정전척의 척벽을 둘러싸도록 형성된 절연링과, 상기 절연링 상에 놓여 지지되고, 상기 상부전극에 대응하여 상기 스크류가 체결된 상기 정전척의 가장자리에 설치되는 에지링과, 상기 에지링의 하부에서 상기 스크류 및 상기 스크류 홀을 덮도록 상기 정전척의 가장자리를 둘러싸고, 상기 에지링과 상기 정전척 가장자리 사이의 미세 공극을 메우는 스크류 커버링을 포함함을 특징으로 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 건식식각장치를 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 건식식각장치를 개략적으로 나타낸 구성 단면도이고, 도 4는 도 3의 정전척 가장자리 부분을 나타낸 상세 단면도이다.
도 3 내지 도 4를 참조하면, 불활성 기체 및 반응 가스로 충만된 챔버(100) 내부의 상단에 형성된 상부 전극(112)과, 상기 상부 전극(112)의 대향하는 상기 챔버(10)의 하단에 형성된 하부 전극(114)이 있다. 이때, 상기 상부 전극(112) 및 하부 전극(114)에 외부로부터 교류 고전압(예컨대, 약 수십 MHz의 RF(Radio Frequency), 수 내지 수백만V)이 인가되면, 상기 챔버(110)의 내부에서 상기 불활성 기체 및 반응 가스가 이온과 전자가 분리되어 플라즈마 상태가 되고, 상기 플라즈마 상태의 이온은 상기 반응 가스의 종류에 따라 웨이퍼(118)에 형성된 포토레지스트 또는 식각 방지막을 식각 마스크로 사용하여 상기 식각 마스크에 의해 노출된 상기 웨이퍼 또는 상기 웨이퍼(118) 상에 형성된 박막을 선택적으로 식각하는 식각공정이 수행된다.
또한, 상기 챔버(110) 외부의 정전척 전원공급부(120)에서 인가되는 정전압 또는 역전압을 이용하여 상기 하부 전극(114) 상에서 상기 식각 공정 시 상기 웨이퍼(118)를 고정부착하는 정전척(116)이 있고, 상기 정전척(116)의 가장자리에서 스크류홀(도시하지 않음)을 통해 상기 정전척(116)을 상기 하부 전극(114)에 고정하는 스크류(122)가 있고, 상기 스크류홀 및 상기 스크류(122)를 상기 플라즈마 반응으로부터 보호하고 상기 정전척(116)의 가장자리를 덮는 에지링(124)이 있고, 상기 에지링(124)을 지지하고 상기 플라즈마 반응 시 상기 정전척(116)의 척벽을 보호하는 절연링(126)이 있고, 상기 에지링(124)의 하부에서 상기 스크류(122) 및 상기 스크류 홀을 덮도록 상기 정전척(116)의 가장자리를 둘러싸고, 상기 에지링(124)과 상기 정전척(116)의 미세 공극을 메우는 스크류 커버링(128)가 형성되어 있다.
여기서, 상기 정전척(116)은 상기 웨이퍼(118)의 접촉 시 신축성을 부여하는 세라믹 재질의 유전막(115)과, 상기 유전막(115)의 하부에서 상기 정전척 전원 공급부(120)로부터 교류 또는 직류의 정전압 또는 역전압이 인가되는 정전척 바디(117)로 구성되고, 모자모양을 갖도록 형성되어 있다.
또한, 상기 정전척 바디(117) 가장자리의 하부에는 상기 유전막의 수직 단면에서 외부로 돌출되어 스크류홀이 형성되어 있고, 상기 스크류홀을 통해 상기 하부전극과 결합하는 스크류(122)가 체결되어 있다.
이때, 상기 에지링(124)은 상기 정전척 바디(117)의 가장자리에 형성된 스크류 홀 및 스크류(122)에 오버랩하고, 상기 플라즈마 반응에 의한 상기 웨이퍼(118) 중심에서의 식각율과 상기 웨이퍼(118) 가장자리의 식각율의 차이를 감소시키기기 위해 상기 정전척(116)에 밀착 고정되는 상기 웨이퍼(118)의 가장자리에서 상기 웨이퍼(118)의 두께와 거의 동일한 수직 단면을 갖고 상기 웨이퍼(118)의 바깥으로 연장된다. 도시하지는 않았지만, 상기 정전척(116) 상에 웨이퍼(118)가 위치할 경우, 플라즈마 반응시 상기 웨이퍼(118)의 가장자리 부분의 식각을 우수하게 하고, 상기 웨이퍼(118)의 가장자리 후면에서의 폴리머 성분을 발생시키지 않도록 상기 웨이퍼(118)의 측벽에 대응하는 상기 에지링(124)의 수직 단면을 경사지게 할 수도 있다.
또한, 상기 에지링(124)은 내열성이 높은 석영(quartz) 재질로 형성되고, 상기 정전척(116)의 외측을 둘러싸는 절연링(126)에 의해 지지되고, 상기 정전척(116)의 상부 즉 유전막(115)의 측벽에 접촉하여 맞대어 질 수 있다.
하지만, 상기 에지링(124)은 분리될 수 있는 구조물이기 때문에 상기 챔버 내부의 폴리머 성분을 제거하기 위한 세정작업 시에 정확한 위치에 삽입되지 않을 경우 상기 정전척(116)의 상부에 걸쳐지거나, 일부 유격이 발생하여 상기 에지링(124) 하부의 상기 정전척(116) 가장자리에 형성되는 상기 스크류(122) 또는 스크류홀에 폴리머가 더 형성될 수도 있다.
즉, 상기 유전막(115)의 측벽 및 상기 정전척 바디(117) 상부의 가장자리와 측벽에서 상기 에지링(124)과 접하는 부분에서 생기는 미세 공극을 따라 상기 스크류(122) 또는 스크류홀 상에 폴리머가 생성될 수 있다.
이때, 상기 스크류(122) 또는 스크류홀 상에 생성되는 폴리머 성분은 세정작업 시 상기 하부 전극(114)으로부터 상기 정전척을 분리하여 세정작업이 이루어져야 하는 문제점을 야기하기 때문에 상기 세정작업이 보다 용이하게 실시할 수 있도록 상기 폴리머 성분이 상기 스크류(122) 또는 스크류홀에 발생되지 않도록 해야한다.
따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 건식 식각장치는 상기 스크류(122)가 체결되는 정전척(116) 가장자리와 상기 에지링(124) 사이에 소정두께(예를 들어 약 0.3mm 내지 0.4mm정도)를 갖는 스크류 커버링(128)를 위치하여 미세 공극이 발생하지 않게 하여 상기 스크류(122) 또는 스크류홀에 폴리머가 발생되는 것을 억제할 수 있다.
이때, 상기 스크류 커버링(128)은 전기 절연성 및 내열연성의 기계적, 물리적, 화학적, 전기적 특성을 갖는 캡톤(CAPTON)을 이용할 수 있다. 또한, 상기 캡톤은 신축성을 갖도록 제작하여 상기 정전척(116)의 가장자리와 에지링(124) 사이에서 유격이 맞도록 설계될 수 있다.
도시하지는 않았지만, 상기 유전막(115)의 측벽 및 상기 정전척 바디(117) 상부의 측벽에서 상기 에지링(124)과 접하는 부분에서 생기는 미세 공극을 메우기 위한 캡톤 재질의 패드를 더 구비할 수도 있다.
따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 건식식각장치는 상기 정전척의 가장자리와 상기 에지링(124) 사이의 미세 공극을 상기 스크류 커버링(128)로 메움으로써, 상기 스크류(122) 또는 스크류홀 상에서 폴리머 성분의 발생을 억제하여 상기 폴리머 성분을 제거하는 정기적 또는 비정기적 세정작업을 줄일 수 있기 때문에 생산성을 높일 수 있다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 건식식각장치는에지링 하부의 정전척 가장자리에 형성된 스크류 또는 스크류홀 상에서 폴리머의 발생을 억제하여 상기 폴리머 제거에 따른 세정작업을 감소시킬 수 있기 때문에 생산성을 높일 수 있는 효과가 있다.
도1은 종래 기술에 따른 건식 식각장치의 개략적인 구성을 도시한 단면도이고, 도 2는 도1의 정전척 가장자리 부분을 자세하게 나타낸 상세 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 건식식각장치를 개략적으로 나타낸 구성 단면도이고, 도 4는 도 3의 정전척 가장자리 부분을 자세히 나타낸 상세 단면도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
110 : 챔버 112 : 상부 전극
114 : 하부 전극 115 : 유전막
116 : 정전척 117 :정전척 바디
118 : 웨이퍼 120 : 정전척 전원 공급부
122 : 스크류 124 : 에지링
126 : 절연링 128 : 스크류 커버링

Claims (7)

  1. 불활성 기체 및 반응가스가 충만된 챔버 내에서 플라즈마 반응을 발생하는 상부 전극 및 하부 전극과,
    상기 하부전극 상에서 상기 플라즈마 반응 시 웨이퍼를 안착하는 정전척과,
    상기 정전척의 가장자리에 형성된 스크류 홀을 통하여 상기 정전척을 상기 하부전극에 고정하는 복수개의 스크류와,
    상기 정전척의 척벽을 둘러싸도록 형성된 절연링과,
    상기 절연링 상에 놓여 지지되고, 상기 상부전극에 대응하여 상기 스크류가 체결된 상기 정전척의 가장자리에 설치되는 에지링과,
    상기 에지링의 하부에서 상기 스크류 및 상기 스크류 홀을 덮도록 상기 정전척의 가장자리를 둘러싸고, 상기 에지링과 상기 정전척 가장자리 사이의 미세 공극을 메우는 스크류 커버링을 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 건식식각장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 스크류 커버링은 0.3mm 내지 0.4mm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 건식식각장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 스크류 커버링은 캡톤으로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 건식식각장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 캡톤은 전기 절연성 및 내열연성의 기계적, 물리적, 화학적, 전기적 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 건식식각장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 스크류 커버링은 상기 유격을 맞추도록 신축성을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 건식식각장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 정전척은 상기 웨이퍼에 접촉하는 유전막과, 상기 유전막의 하부에서 상기 유전막을 고정하는 정전척 바디로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 건식식각장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 유전막의 측벽 및 상기 척 바디 상부의 측벽에서 상기 에지링과 접하는 부분에 생성되는 미세 공극을 메우는 패드를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 건식식각장치.
KR1020030065059A 2003-09-19 2003-09-19 반도체 제조 설비의 건식식각장치 KR20050028586A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030065059A KR20050028586A (ko) 2003-09-19 2003-09-19 반도체 제조 설비의 건식식각장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030065059A KR20050028586A (ko) 2003-09-19 2003-09-19 반도체 제조 설비의 건식식각장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20050028586A true KR20050028586A (ko) 2005-03-23

Family

ID=37385506

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030065059A KR20050028586A (ko) 2003-09-19 2003-09-19 반도체 제조 설비의 건식식각장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20050028586A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100622844B1 (ko) * 2004-10-13 2006-09-19 주식회사 에이디피엔지니어링 플라즈마 처리장치
KR100832335B1 (ko) * 2006-12-27 2008-05-26 세메스 주식회사 기판 지지 장치 및 플라즈마 식각 장치
KR101146132B1 (ko) * 2005-09-01 2012-05-16 주성엔지니어링(주) 플라즈마 처리 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100622844B1 (ko) * 2004-10-13 2006-09-19 주식회사 에이디피엔지니어링 플라즈마 처리장치
KR101146132B1 (ko) * 2005-09-01 2012-05-16 주성엔지니어링(주) 플라즈마 처리 장치
KR100832335B1 (ko) * 2006-12-27 2008-05-26 세메스 주식회사 기판 지지 장치 및 플라즈마 식각 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8387562B2 (en) Plasma processor and plasma processing method
US7678225B2 (en) Focus ring for semiconductor treatment and plasma treatment device
JP7200101B2 (ja) 静電気的にクランプされたエッジリング
KR101415551B1 (ko) 정전척, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP4935143B2 (ja) 載置台及び真空処理装置
JP5035884B2 (ja) 熱伝導シート及びこれを用いた被処理基板の載置装置
CN101405857B (zh) 承载基片的装置和方法
KR100505035B1 (ko) 기판을 지지하기 위한 정전척
US20180358253A1 (en) Electrostatic chuck, a plasma processing apparatus having the same, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same
KR19980024679A (ko) 정전 척과 그것을 이용한 시료처리방법 및 장치
JP2002033376A (ja) 被処理体の載置装置
KR20210119296A (ko) 에지 링, 기판 지지대, 플라즈마 처리 시스템 및 에지 링의 교환 방법
JP2007110023A (ja) 基板保持装置
JP2000124299A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JPH11340309A (ja) 導電体内蔵型セラミック製リフトピンとそれを用いた静電チャック
KR20050028586A (ko) 반도체 제조 설비의 건식식각장치
JPH01200625A (ja) 半導体ウェーハ処理装置
JP2851766B2 (ja) 静電チャック
JP2001210705A (ja) 静電チャック、処理装置および半導体装置の製造方法
KR20050049585A (ko) 반도체 제조설비의 건식식각장치
KR100500248B1 (ko) 정전기 척
KR100787384B1 (ko) 정전척
KR200265546Y1 (ko) 캐소드 전극 접합부
JP3104893U (ja) 静電チャックの接着部
KR200205176Y1 (ko) 반도체 웨이퍼 식각장비의 정전척

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination