JP2001210705A - 静電チャック、処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラズマ処理装置の静電チャックを、コンパ
クトで、かつ、着脱が容易な保守構造に形成すること。 【解決手段】 静電チャック２８の基体３１には、吸着
電極に接続しているチャック給電端子３４ａ、３４ｂに
接続する給電端子３９ａ、３９ｂを案内する少なくとも
一方が座ぐり孔３５である２つの孔を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置や液晶
ディスプレイ用ガラス基板等の製造プロセスの薄膜処理
工程等に用いられているプラズマ処理等の半導体製造装
置に関し、特に、反応室内で半導体ウエハや液晶ディス
プレイ用ガラス基板等を保持する静電チャックや、それ
を用いた処理装置および半導体装置の製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体装置や液晶ディスプレイ
用ガラス基板の製造プロセスでの薄膜の処理に用いられ
ているプラズマエッチング装置やプラズマＣＶＤ装置で
は、反応室（反応容器）内で被処理物、例えば、半導体
ウエハ（以下単に「ウエハ」と言う）の保持に静電チャ
ックが用いられている。これらの処理装置では反応室内
に搬入されたウエハを静電チャック上に載置し、静電チ
ャックに設けられた電極間に直流電力を印加することに
より電気力線を形成させて、それによりウエハと静電チ
ャックとの間に静電引力を発生させ、ウエハを吸着保持
している。

【０００３】この静電チャックの構造は、例えば、特開
平１０−１８９６９７号公報に開示されている。それを
図５（ａ）に示す静電チャックとその給電系を示す概略
図と、図５（ｂ）に示す配線端子部の拡大図とを参照し
て説明すると、静電チャック７１は基体７２の上面に、
正電圧を印加するための第１の吸着用電極７４ａと、負
電圧を印加するための第２の吸着用電極７４ｂとを備え
ている。そして、これらの電極７４ａ、７４ｂを覆うよ
うに基体７２の上面にはセラミック誘電体層７３が被覆
されており、その上面をウエハ８０を支持する保持面７
５としている。

【０００４】各電極７４ａ、７４ｂは、基体７２にねじ
７９ａ、７９ｂによりリード線８１ａ、８１ｂと固定さ
れている給電端子７６ａ、７６ｂを介して高圧電源７８
ａ、７８ｂから直流電圧が印加される。このとき、給電
端子７６ａ、７６ｂと高圧電源７８ａ、７８ｂとの間に
設けた電流計７７ａ、７７ｂにより電流値を測定し、各
電極７４ａ、７４ｂに流れる電流値の絶対値が略等しく
なるように演算処理装置７９により制御している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た静電チャックでは、２つの給電端子７６ａ、７６ｂが
基体７２表面で面一に形成されているので、これらの端
子間距離を電気絶縁耐圧距離（１０ｍｍ／１ｋＶ程度）
×安全率分だけの絶縁距離を確保する必要があるため、
装置の大型化が避けられない。さらに、給電端子には半
導体処理室本体に設けられた高圧電源から供給される電
線との接合部をねじ止めにより固定した端子台が用いら
れていることが多いため、静電チャックを保守する際に
容易に着脱することができない。

【０００６】本発明はこれらの事情に基づいてなされた
もので、静電チャックを、コンパクトで、かつ、着脱が
容易な構造に形成すること、および、それを用いた処理
装置や半導体装置の製造方法を目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明による手
段によれば、所定形状をなす少なくとも２つの吸着用電
極を有する基体と、前記基体に埋め込まれ一端側が前記
各吸着用電極とそれぞれ接続され他端側が前記基体表面
に露出するように設けられたチャック給電端子と、前記
各チャック給電端子の他端側とそれぞれ接続し前記吸着
用電極に電力を供給する給電端子と、前記各チャック給
電端子のうち少なくとも１つのチャック給電端子の他端
側は前記基体に設けられた座ぐり孔内で露出され、該チ
ャック給電端子と対応する給電端子は座ぐり孔内に挿入
された状態で前記チャック給電端子と接続されることを
特徴とする静電チャックである。

【０００８】また請求項２の発明による手段によれば、
前記給電端子は絶縁カラー内に挿入され、該絶縁カラー
の前記チャック給電端子と接続される端部は前記給電端
子と前記チャック給電端子とを電気的に導通可能に設け
られていることを特徴とする静電チャックである。

【０００９】また請求項３の発明による手段によれば、
内部に被処理物が配置される反応容器と、前記反応容器
内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記反応容器
内の気体を排気する排気手段とを有し、前記被処理物
は、所定形状をなす少なくとも２つの吸着用電極を有す
る基体と、前記基体に埋め込まれ一端側が前記各吸着用
電極とそれぞれ接続され他端側が前記基体表面に露出す
るように設けられたチャック給電端子と、前記各チャッ
ク給電端子の他端側とそれぞれ接続し前記吸着用電極に
電力を供給する給電端子とを備え、前記各チャック給電
端子のうち少なくとも１つのチャック給電端子の他端側
は前記基体に設けられた座ぐり孔内で露出され、該チャ
ック給電端子と対応する給電端子は座ぐり孔内に挿入さ
れた状態で前記チャック給電端子と接続されていること
を特徴とする処理装置である。

【００１０】また請求項４の発明による手段によれば、
前記給電端子は絶縁カラー内に挿入され、該絶縁カラー
の前記チャック給電端子と接続される端部は前記給電端
子と前記チャック給電端子とを電気的に導通可能に設け
られていることを特徴とする処理装置である。

【００１１】また請求項５の発明による手段によれば、
前記チャック給電端子と前記給電端子とは大気圧雰囲気
で接続されていることを特徴とする処理装置である。

【００１２】また請求項６の発明による手段によれば、
半導体ウエハを反応容器内に搬入し、所定形状をなす少
なくとも２つの吸着用電極を有する基体と、前記基体に
埋め込まれ一端側が前記各吸着用電極とそれぞれ接続さ
れ他端側が前記基体表面に露出するように設けられたチ
ャック給電端子と、前記各チャック給電端子の他端側と
それぞれ接続し前記吸着用電極に電力を供給する給電端
子とを備え、前記各チャック給電端子のうち少なくとも
１つのチャック給電端子の他端側は前記基体に設けられ
た座ぐり孔内で露出され、該チャック給電端子と対応す
る給電端子は座ぐり孔内に挿入された状態で前記チャッ
ク給電端子と接続されている静電チャックに保持させる
工程と、前記反応容器内の気体を排気する工程と、前記
反応容器内に触媒ガスを供給する工程と、前記触媒ガス
をプラズマ化して前記半導体ウエハ表面を処理する工程
とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法であ
る。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体製造装置の
実施の形態として、マイクロ波励起プラズマ処理装置を
エッチングに適用した例を図面を参照して説明する。

【００１４】図１はマイクロ波励起プラズマ処理装置の
構成を示す側断面図である。このマイクロ波励起プラズ
マ処理装置２０はマイクロ波を反応容器２１の内部に入
射し、この入射されたマイクロ波を利用して反応容器２
１内部に設けられている半導体ウエハや液晶ディスプレ
イ用ガラス基板等の被処理体２２に対して処理を行うも
のである。

【００１５】反応容器２１内部には、この上方側をプラ
ズマ生成室２３、下方側を処理室２４に区分する拡散板
２５が設けられている。この拡散板２５の上方側はプラ
ズマ生成室２３が形成されており、後述する媒質ガス供
給管路２７によって媒質ガスが供給された後にマイクロ
波が導入され、この媒質ガスがプラズマ化される。ま
た、拡散板２５は、メッシュ状パンチドメタルから形成
されており、この拡散板２５によって処理室２４におけ
る活性種の濃度は適度に均一化され、拡散板２５により
拡散された活性種が被処理体２２に対してエッチングな
どの処理を行う。

【００１６】処理室２１内部の底部には、他端側が図示
されない真空ポンプに連結された排気管路２６（排気手
段）が接続されており、反応容器２１内部の気体の吸引
を行い高真空としている。また、プラズマ生成室２３の
側壁には、一端側が図示されない媒質ガス供給源に連結
された媒質ガス供給管路２７（ガス供給手段）の他端が
接統されている。したがって、排気管路２６によって反
応容器２１内部を高真空とした後に、媒質ガス供給管路
２７により反応容器２１内部に、例えば酸素のような媒
質ガスを供給するように構成されている。

【００１７】処理室２４の底部には、処理室２４の底板
と密閉シール材を介して被処理体２２を載置するウエハ
ホルダである静電チャック２８が設けられている。この
静電チャック２８は、下部が静電チャック支持体２９に
支持されている。静電チャック支持体２９は処理室２４
の外部に延在しており、内部に後述する吸着用電極への
給電線が収納されている。プラズマ生成室２３の上部に
は、金属製の天板１０がプラズマ生成室２３を閉塞する
ように設けられている。さらにこの天板１０の上方には、
図示いない他端側にマイクロ波発生器が接続された矩形
状の導波管１１の一端部が天板１０の一部を覆うように
設けられている。天板１０には、導波管１１の長手方向に
沿って、天板１０を連通するスリット１４が形成され、
導波管１１側にはＯリングを介して、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２
Ｏ_３、ＡｌＮ、フッ素樹脂等からなる誘電体窓１３が設
けられている。このような構成とすることで、導波管１１
を伝播してきたマイクロ波はプラズマ生成室２３に導入
される。図２は、静電チャックとその給電系を示す概略
図で、静電チャック２８は基体３１の上面に、正電圧を
印加するための第１の吸着用電極３２ａと、負電圧を印
加するための第２の吸着用電極３２ｂとを備え、これら
の吸着用電極３２ａ、３２ｂを覆うように基体３１の上
面にセラミック誘電体層３３が被覆されて一体化されて
いる。基体は３１は、全体がセラミックスで形成された
ものでも、後述するチャック給電端子３４ａ、３４ｂの
周辺のみをセラミックスで形成し、全体をアルミニウム
等の金属で形成されたものを用いてもよい。基体３１の
両電極３２ａ、３２ｂと対応する位置には、第１および
第２のチャック給電端子３４ａ、３４ｂが埋設してあ
り、各給電端子３４ａ、３４ｂ一端側がそれぞれ、第１
および第２の吸着電極３２ａ、３２ｂと電気的に接続さ
れている。第１の給電端子３４ａの他端側は、基体３１
の下面まで延在し、端面が基体３１の下面と面一となっ
て露出している。また、第２のチャック給電端子３４ｂ
は、基体３１に下面側から設けられた座ぐり孔３５の底
部まで延在し、端面が露出している。従って、各チャッ
ク給電端子３４ａ、３４ｂは、いずれも端面に外部から
の機械的な接触によって電気的な導通が得られるように
形成されている。図３に基体３１の下面図を示すが、中
心部に第１のチャック給電端子３４ａが露出する孔３６
と、第２のチャック給電端子３４ｂが露出する座ぐり孔
３５とが並んで設けれていることになる。電気的な導通
が得られた状態で、第１の吸着用電極３２ａと第２の吸
着用電極３２ｂとの間に、数百ボルトから数千ボルトの
直流電圧を印加する。それにより、静電チャック２８に
接触する被処理体であるウエハ２２（被処理体）表面で
は、分極の現象が起き、このとき静電引力を発生する。

【００１８】また、それらの２つの孔３５、３６を囲む
ように空気孔である溝３７が設けられている。このよう
に第２のチャック給電端子３４ｂを座ぐり孔３５の底部
で露出させることにより、後述する給電端子３９ａ、３
９ｂが装着される際、両給電端子３９ａ、３９ｂの縁面
距離が延びて２本の給電端子間の絶縁耐圧を保持するこ
とができる。

【００１９】なお、このような静電チャック２８を構成
するセラミック誘電体層３３としては、アルミナ、窒化
アルミニウム、イットリウム−アルミニウム−ガーネッ
ト、イットリア、窒化珪素、炭化珪素等を主成分とする
セラミックスにより形成すれば良いが、この静電チャッ
ク２８を成膜装置やエッチング装置などプラズマ発生下
で使用する場合は、上記のセラミックスの中でも、特
に、耐プラズマ性に優れるアルミナ含有量が９９重量％
以上で、焼結助剤としてシリカ、マグネシアを若干近含
有するアルミナセラミックスや、窒化アルミニウムの含
有量が９９重量％以上である窒化アルミニウム質セラミ
ックスが好適である。

【００２０】また、吸着用電極３２ａ、３２ｂの材質と
しては、静電チャック２８を構成する基体３１及びセラ
ミック誘電体層３３の熱膨張係数と近似しているととも
に、高い耐熱性を有するものが良く、例えば、モリブデ
ン、コバール、タングステン等の金属を用いれば良い。

【００２１】また、吸着用電極３２ａ、３２ｂのパター
ン形状としては、図４（ａ）に示すような半円状をした
ものや、図４（ｂ）に示すような櫛歯状をしたもの、あ
るいは図４（ｃ）に示すようなリング状をした第１の吸
着用電極３２ａと第２の吸着用電極３２ｂを同心円状に
形成したものや、図４（ｄ）に示すような扇状の第１の
吸着用電極３２ａと第２の吸着用電極３２ｂとを放射状
に交互に形成したものなど、さまざまなパターン形状を
有するものを使用することができる。

【００２２】また、第１の吸着用電極３２ａと第２の吸
着用電極３２ｂはそれぞれ同等面積のものが良いが、若
干であればいずれか一方が大きくても構わない。

【００２３】一方、図２に示すように、静電チャック２
８を装着する装置の静電チャック支持体２９側は、静電
チャック支持体２９の上部が静電チャック２８に合わせ
てフランジ部３８が形成されている。そのフランジ部３
８の内側には、静電チャック２８に設けられている第１
および第２のチャック給電端子３４ａ、３４ｂに対応し
た、第１および第２の給電端子３９ａ、３９ｂが設けら
れている。この給電端子３９ａ、３９ｂの各チャック給
電端子３４ａ、３４ｂに接する側の端面は、電気的な導
通が良好になるように金めっきが施されている。

【００２４】また、この給電端子３９ａ、３９ｂは、セ
ラミック等で形成された第１および第２の絶縁カラー４
０ａ、４０ｂ内を移動自在に第１および第２のばね４１
ａ、４１ｂで上方へ付勢されている。また、第２の絶縁
カラー４０ｂは静電チャック支持体２９の上面側（静電
チャック２８との接触面側）より突出して、静電チャッ
ク２８の座ぐり孔３５へ進入している。従って、この第
２の絶縁カラー４０ｂが静電チャック２８の座ぐり孔３
５へ進入して嵌合した際に、第２の絶縁カラー４０ｂ内
の第２の給電端子３９ｂは、第２のばね４１ｂにより上
方に付勢されているので、静電チャック２８内の第２の
チャック給電端子３４ｂに加圧状態で接触し、電気的な
導通が得られる。同時に、第１の給電端子３９ａも、同
様に第１の絶縁カラー４０ａ内の第１の給電端子３９ａ
は、第１のばね４１ａにより上方に付勢されているの
で、静電チャック２８内のチャック給電端子３４ａに加
圧状態で接触し、電気的な導通が得られる。なお、給電
端子３９ａ、３９ｂは、いずれも、ビニール被覆電線４
２ａ、４２ｂを介して高圧電源（不図示）に接続されて
いる。

【００２５】このように、第２の給電端子３９ｂが、静
電チャック２８の座ぐり孔３５の中でチャック給電端子
３４ｂに接合し、他方の給電端子が静電チャック２８の
平面で第２のチャック給電端子３４ａに接合することに
より、相互の縁面距離を延ばすことができるため、水平
距離では近くても良好な絶縁耐圧を保持することができ
る。

【００２６】さらに、第２の給電端子３９ｂが、静電チ
ャック２８の座ぐり孔３５の中で第２のチャック給電端
子３４ｂに接合していることは、第２の給電端子３４ｂ
を保持している第２の絶縁カラー４０ｂが座ぐり孔３５
に進入して嵌合しているので、静電チャック２８を静電
チャック支持体２９に装着する際にガイドの役目を果た
すため、誤装着が発生することを防止することができ
る。

【００２７】また、静電チャック支持体２９の上面側に
は、２本の給電端子３９ａ、３９ｂの外側に環状の溝４
３が形成され、この溝４３に密閉シール用のＯリング４
４が挿入されている。このＯリング４４による密閉シー
ルにより、大気側の給電端子３９ａ、３９ｂ側と真空側
の静電チャック２８側が分離されている。それにより、
給電端子３９ａ、３９ｂは減圧雰囲気になることなく絶
縁耐圧を保持することができる。なお、静電チャック２
８と静電チャック支持体２９との固定は、静電チャック
支持体２９のフランジ部３８側から締結用ボルト４５
ａ、４５ｂ…により固定している。なお、上述の実施の
形態では基体３１に、一方のみ座ぐり孔を設ける構成と
したが、双方を座ぐり孔にして、座ぐり孔相互のその座
ぐり深さを変えてもよい。また、基体の内部に、ヒータ
電極やプラズマ発生用電極を内蔵することもでき、さら
には上記吸着用電極にプラズマ発生用電極としての機能
を兼用させることもできる。

【００２８】なお、このような静電チャックを製造する
場合には、セラミック原料からセラミック誘電体層及
や、基体をなすグリーンシートをそれぞれ作製し、基体
をなすグリーンシートに吸着用電極や給電端子を固定す
るためのビアホールを形成し、上記吸着用電極を覆うよ
うにセラミック誘電体層をなすグリーンシートを積層し
たあと、一体焼成することにより得ることができる。

【００２９】また、セラミック誘電体層のみを成膜法に
よって形成することもでき、この場合、給電端子を固定
するためのビアホールを備えた基体を上述したグリーン
シートの積層法を用いて製作し、上面に露出したビアホ
ールと導通がとれるように正電圧印加用の第１の吸着用
電極と、負電圧印加用の第２の吸着用電極をそれぞれ形
成する。なお、各吸着用電は、金属箔のロウ付け、ＣＶ
Ｄ法等の成膜、導電ぺーストを印刷しての焼付けなどの
方法で形成すれば良い。しかるのち、両吸着用電極を覆
うようにＰＶＤ法やＣＶＤ法等の成膜方法によりセラミ
ック膜からなる誘電体層を形成し、その上面に保持面を
形成すれば良い。

【００３０】これらの構成によって、エッチングプロセ
スを行なう場合は、ウエハを反応容器内に搬入して、静電
チャック上の所定位置に載置した後、吸着用電極に通電
してウエハを静電チャック上に固定する。次いで、真空チ
ャンバ内と連通する真空系を作動させ、真空チャンバ内
の圧力を所定レベルまで減じる。その後に、媒質ガス供給
源（不図示）から媒質ガス（通常はアルゴンガス）を反
応容器内に導入する。そして、高周波バイアス電源を投
入して電極間に高周波電力を印加すると、媒質ガスに放
電が起こってプラズマが発生する。この発生したプラズ
マ中の正イオンは、負にバイアスがかけられた静電チャ
ックに向かって加速されるので、それにより静電チャッ
ク上のウエハがエッチングされる。以上に述べたように
本発明によれば、座ぐり孔を用いた給電端子構造を形成
することで、端子間の縁面距離が延びるために、高電圧
に対する絶縁性能が高くなる（安全率が高くなる）。こ
のことは、同じ安全率で設計する場合、給電端子部分を
コンパクトに設計できることでもある。

【００３１】また、給電端子が嵌合するための、基体に
設けられた座ぐり深さが異なる（一方の座ぐりはなくて
も良い）ため、静電チャック保守等による着脱の際に、
給電端子のほかに新たに誤装着防止の構造が不要になっ
た。

【００３２】また、ばねの弾性力を用いた給電端子の構
造であるので、通常用いるような端子台によるスぺース
やねじ止め作業が不要になった。

【００３３】また、給電端子部分をＯリングシールで大
気雰囲気下にすることで他の領域と遮断した構造である
ので、給電端子部の絶縁性能が安定したと共に、チャンバ
内の雰囲気も安定し、チャンバ内が減圧雰囲気になるこ
はない。

【００３４】

【発明の効果】本発明によれば、半導体製造装置でそれ
に用いる静電チャックを、絶縁性能を向上させると共
に、コンパクトに設計でき、また、保守性を向上させる
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】マイクロ波励起プラズマ処理装置の構成を示す
側断面図。

【図２】本発明の静電チャックとその給電系を示す概略
図。

【図３】本発明のセラミック基板の中央部の下面図。

【図４】（ａ）から（ｄ）は、吸着用電極のパターン形
状を示す平面図。

【図５】（ａ）従来に静電チャックの構成図、（ｂ）は
その配線端子部の拡大図。

【符号の説明】

２０…マイクロ波励起プラズマ処理装置、２１…反応容
器、２２…被処理体（ウエハ）、２３…プラズマ生成
室、２４…処理室、２８…静電チャック、２９…静電チ
ャック支持体、３１…基体、３４ａ、３４ｂ…チャック
給電端子、３５…座ぐり孔、３９ａ、３９ｂ…給電端
子、４４…Ｏリング

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定形状をなす少なくとも２つの吸着用
   電極を有する基体と、 前記基体に埋め込まれ一端側が前記各吸着用電極とそれ
   ぞれ接続され他端側が前記基体表面に露出するように設
   けられたチャック給電端子と、 前記各チャック給電端子の他端側とそれぞれ接続し前記
   吸着用電極に電力を供給する給電端子と、 前記各チャック給電端子のうち少なくとも１つのチャッ
   ク給電端子の他端側は前記基体に設けられた座ぐり孔内
   で露出され、該チャック給電端子と対応する給電端子は
   座ぐり孔内に挿入された状態で前記チャック給電端子と
   接続されることを特徴とする静電チャック。
2. 【請求項２】 前記給電端子は絶縁カラー内に挿入さ
   れ、該絶縁カラーの前記チャック給電端子と接続される
   端部は前記給電端子と前記チャック給電端子とを電気的
   に導通可能に設けられていることを特徴とする請求項１
   記載の静電チャック。
3. 【請求項３】 内部に被処理物が配置される反応容器
   と、 前記反応容器内に処理ガスを供給するガス供給手段と、 前記反応容器内の気体を排気する排気手段とを有し、 前記被処理物は、所定形状をなす少なくとも２つの吸着
   用電極を有する基体と、前記基体に埋め込まれ一端側が
   前記各吸着用電極とそれぞれ接続され他端側が前記基体
   表面に露出するように設けられたチャック給電端子と、
   前記各チャック給電端子の他端側とそれぞれ接続し前記
   吸着用電極に電力を供給する給電端子とを備え、前記各
   チャック給電端子のうち少なくとも１つのチャック給電
   端子の他端側は前記基体に設けられた座ぐり孔内で露出
   され、該チャック給電端子と対応する給電端子は座ぐり
   孔内に挿入された状態で前記チャック給電端子と接続さ
   れていることを特徴とする処理装置。
4. 【請求項４】 前記給電端子は絶縁カラー内に挿入さ
   れ、該絶縁カラーの前記チャック給電端子と接続される
   端部は前記給電端子と前記チャック給電端子とを電気的
   に導通可能に設けられていることを特徴とする請求項３
   記載の処理装置。
5. 【請求項５】 前記チャック給電端子と前記給電端子と
   は大気圧雰囲気で接続されていることを特徴とする請求
   項３記載の処理装置。
6. 【請求項６】 半導体ウエハを反応容器内に搬入し、所
   定形状をなす少なくとも２つの吸着用電極を有する基体
   と、前記基体に埋め込まれ一端側が前記各吸着用電極と
   それぞれ接続され他端側が前記基体表面に露出するよう
   に設けられたチャック給電端子と、前記各チャック給電
   端子の他端側とそれぞれ接続し前記吸着用電極に電力を
   供給する給電端子とを備え、前記各チャック給電端子の
   うち少なくとも１つのチャック給電端子の他端側は前記
   基体に設けられた座ぐり孔内で露出され、該チャック給
   電端子と対応する給電端子は座ぐり孔内に挿入された状
   態で前記チャック給電端子と接続されている静電チャッ
   クに保持させる工程と、 前記反応容器内の気体を排気する工程と、 前記反応容器内に触媒ガスを供給する工程と、 前記触媒ガスをプラズマ化して前記半導体ウエハ表面を
   処理する工程とを有することを特徴とする半導体装置の
   製造方法。