JP4611217B2 - ウエハ載置用電極 - Google Patents
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Description
2〜6 溶射膜
7 伝熱ガス用噴出孔
8 ウエハ
9 冷媒溝
10 伝熱ガス用パイプ
20、21 伝熱ガス用噴出孔
22、23 伝熱ガス用パイプ
24、25 圧力計
26、27 流量計
Claims (4)
- 基材の表面に設けた誘電体層と、基材の内部に設けたウエハ温度調節用の冷媒を流す溝と、前記誘電体層の表面から伝熱用ガスを噴出する伝熱用ガス噴出孔と、伝熱用ガス噴出孔へ伝熱用ガスを供給する伝熱用ガス供給パイプとを備え、前記誘電体層の上にウエハを設置して静電吸着でウエハを固定し、内部にウエハ温度調節用の冷媒を流し、前記誘電体層とウエハ間に伝熱用ガスを供給してウエハの温度を調節しながらウエハの処理を実行するプラズマ処理装置で用いられるウエハを載置するウエハ載置用電極において、
前記誘電体層は、前記基材の表面に環状に形成された複数の誘電体の溶射膜から成り、その誘電体の各溶射膜は、前記基材の中心の溶射膜からその外側の溶射膜に順次環状の溶射膜が互いに接して配置され、該誘電体層の全面がウエハに接触するように配置され、前記各溶射膜の表面粗さを変化させることで、ウエハと誘電体層が接触する領域における前記誘電体層の表面粗さを領域の位置によって変えた
ことを特徴とするウエハ載置用電極。 - 請求項1記載のウエハ載置用電極において、
前記ウエハと前記誘電体間に供給する伝熱用ガスの圧力を、電極上の位置によって異なる圧力で制御する
ことを特徴とするウエハ載置用電極。 - 請求項1または2記載のウエハ載置用電極において、
前記誘電体層がアルミナ(Al2O3)を主成分とした誘電体である
ことを特徴とするウエハ載置用電極。 - 請求項1または2記載のウエハ載置用電極において、
前記誘電体層がイットリア(Y2O3)を主成分とした誘電体であることを特徴とするウエハ載置用電極。
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Cited By (1)
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Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP6555656B2 (ja) * | 2015-02-17 | 2019-08-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置および電子部品の製造方法 |
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60115226A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Hitachi Ltd | 試料の温度制御方法及び装置 |
JPH01251735A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Toshiba Corp | 静電チャック装置 |
JP2001210705A (ja) * | 2000-01-28 | 2001-08-03 | Toshiba Corp | 静電チャック、処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2002141332A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-17 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
JP2004536447A (ja) * | 2001-02-16 | 2004-12-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板からチャックに熱を伝える方法並びに装置 |
JP2005136350A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Tokyo Electron Ltd | 静電吸着装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2007142455A (ja) * | 2000-04-27 | 2007-06-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体デバイス作製プロセス用装置 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60115226A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Hitachi Ltd | 試料の温度制御方法及び装置 |
JPH01251735A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Toshiba Corp | 静電チャック装置 |
JP2680338B2 (ja) * | 1988-03-31 | 1997-11-19 | 株式会社東芝 | 静電チャック装置 |
JP2001210705A (ja) * | 2000-01-28 | 2001-08-03 | Toshiba Corp | 静電チャック、処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2007142455A (ja) * | 2000-04-27 | 2007-06-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体デバイス作製プロセス用装置 |
JP2002141332A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-17 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
JP2004536447A (ja) * | 2001-02-16 | 2004-12-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板からチャックに熱を伝える方法並びに装置 |
JP2005136350A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Tokyo Electron Ltd | 静電吸着装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019179327A1 (zh) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | 武汉华星光电技术有限公司 | 干法刻蚀设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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