TWI702685B - 極端均勻加熱基板支撐組件 - Google Patents

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Abstract

本文中所述的實施方式提供了一種跨工件面允許溫度均勻性的基板支撐組件。在一個實施例中，提供了一種基板支撐組件，該基板支撐組件包括主體。該主體由陶瓷製作。該主體具有工件支撐面及安裝面。該工件支撐面及黏合吸盤主體面具有小於10微米的平坦度。第一加熱器被設置在底面上在該主體外部。黏合層被設置在該第一加熱器上方，其中該黏合層是電絕緣的，且冷卻基部具有由金屬製作的主體。該冷卻主體具有上冷卻主體面及下冷卻主體面，其中該上冷卻主體面的平坦度小於約10微米。

Description

極端均勻加熱基板支撐組件
本文中所述的實施方式大致與半導體製造相關，且更詳細而言是與溫度受控的基板支撐組件及使用該基板支撐組件的方法相關。
隨著器件圖案的特徵尺寸變得越來越小，這些特徵的臨界尺度（CD）需求對於穩定及可重複的器件性能而言變成是越來越重要的準則。由於腔室不對稱性（例如腔室及基板的溫度、流導、及RF場），難以實現跨在處理腔室內處理的基板的可允許的CD變化。
在利用靜電吸盤的過程中，由於基板下方的吸盤的不均勻構造，跨基板的表面的溫度控制的均勻性甚至是更有挑戰性的。例如，靜電吸盤的一些區域具有氣孔，而其他區域具有相對於氣孔側向偏移的升降銷孔。又其他的區域具有夾持電極，而其他區域具有相對於夾持電極側向偏移的加熱器電極。因為靜電吸盤的結構可以側向及方位地變化，吸盤與基板之間的導熱的均勻性是複雜的且非常難以獲得，從而跨吸盤表面造成局部熱點及冷點，這從而造成沿著基板表面的處理結果的不均勻性。
吸盤與基板之間的導熱的側向及方位均勻性進一步被靜電吸盤所安裝到的常規基板支撐物中常用的導熱方案複雜化。不均勻性產生了跨基板控制蝕刻速率的特定問題。詳細而言，跨基板的溫度的不均勻性使得難以在形成在基板中具有小的臨界尺度的器件圖案時控制從基板的中心到邊緣的具有選擇性的蝕刻。
因此，需要改善的基板支撐組件。
本文中所述的實施方式提供了一種跨工件面允許溫度均勻性的基板支撐組件。在一個實施例中，提供了一種基板支撐組件，該基板支撐組件包括主體。該主體由陶瓷製作。該主體具有工件支撐面及安裝面。該工件支撐面及黏合吸盤主體面具有小於約10微米的平坦度。至少一個第一加熱器被設置在底面上在該主體外部。黏合層被設置在該第一加熱器上方，其中該黏合層是電絕緣的，且冷卻基部具有由金屬製作的主體。該冷卻主體具有上冷卻主體面及下冷卻主體面，其中該上冷卻主體面的平坦度小於約10微米。
在另一個示例中，提供了一種基板支撐組件，該基板支撐組件包括靜電吸盤、至少一個第一加熱器、絕緣層、及軸桿。該靜電吸盤包括由陶瓷製作的吸盤主體。該吸盤主體具有嵌入的高電壓夾持電極。該吸盤主體具有工件支撐面及黏合吸盤主體面。該工件支撐面及黏合吸盤主體面具有小於約10微米的平坦度。該第一加熱器被設置在該黏合吸盤主體面上在該吸盤主體外部。該絕緣層被設置在該第一加熱器上方。該第一加熱器具有被修整為實現比該第一加熱器的相鄰部分高的所需電阻的一部分，以便提供所需的溫度輸出。該陶瓷軸桿具有引線，該等引線連接到嵌入在該靜電吸盤中的該夾持電極。
本文中所述的其他實施方式提供了一種處理腔室，該處理腔室具有基板支撐組件，該基板支撐組件跨工件面允許側向及方位均勻性。該處理腔室具有腔室主體，該腔室主體具有壁、底部、及蓋，該等壁、該底部、及該蓋包封內部容積。基板支撐組件被設置在該內部容積中。該基板支撐組件具有靜電吸盤，該靜電吸盤具有由陶瓷製作的主體。該主體具有工件支撐面及安裝面。該工件支撐面及黏合吸盤主體面具有小於10微米的平坦度。複數個加熱器被設置在底面上在該主體外部，其中該等加熱器被佈置在多個區中。黏合層被設置在該複數個加熱器上方，其中該黏合層是電絕緣的，且冷卻基部具有由金屬製作的主體。該冷卻主體具有上冷卻主體面及下冷卻主體面，其中該上冷卻主體面的平坦度小於約10微米。
在又另一個實施例中，提供了一種用於控制工件的溫度均勻性的方法。該方法藉由以下步驟開始：向主要電阻式加熱器提供電力，該主要電阻式加熱器具有形成於ESC的底面上的四或更多個區。跨基板用複數個溫度感測器測量溫度。跨基板表面將該基板的溫度均勻性控制在1℃內。該方法包括以下步驟：選擇性地蝕刻設置在基板支撐組件上的該基板。
本文中所述的實施方式提供了一種基板支撐組件，該基板支撐組件允許包括該基板支撐組件的靜電吸盤的側向及方位的溫度均勻性，這轉而允許在該基板支撐組件上處理的基板的側向溫度分佈的側向及方位均勻性。並且，該基板支撐組件也允許選擇性蝕刻。雖然在下文將該基板支撐組件描述為在蝕刻處理腔室中，但可以將該基板支撐組件用在其他類型的電漿處理腔室（例如物理氣相沉積腔室、化學氣相沉積腔室、離子植入腔室等等）及需要側向溫度分佈的方位調整的其他系統中。
在一或更多個實施例中，該基板支撐組件藉由允許將基板溫度用於補償腔室不均勻性（例如溫度、流導、電場、電漿密度等等），允許在真空過程期間（例如蝕刻、沉積、植入等等）的基板邊緣處的臨界尺度（CD）變化的校正。本文中的實施例描述一種靜電吸盤（ESC），該靜電吸盤具有陶瓷成分且具有嵌入的電極及印刷在該靜電吸盤上的一或更多個加熱構件。ESC結構被黏合到鋁冷卻基部。此基部與軸桿及整合元件熱隔離。用複數個溫度探針測量溫度，且藉由閉環腔室溫度控制器來控制基板支撐組件的溫度。
圖1是具有基板支撐組件126的示例性蝕刻處理腔室100的橫截面示意圖。處理腔室可以是蝕刻腔室、電漿處理腔室、退火腔室、物理氣相沉積腔室、化學氣相沉積腔室、及離子植入腔室等等、以及需要控制基板的溫度分佈的能力的其他處理系統。跨基板支撐組件126的離散區域的獨立及局部溫度控制有益地允許溫度分佈的方位調整、溫度分佈的從中心到邊緣的調整、及局部溫度粗糙（例如熱斑及冷斑）的減少以供控制電漿處理速率（例如蝕刻速率）。
處理腔室100包括接地的腔室主體102。腔室主體102包括包封內部容積124的壁104、底部106、及蓋108。基板支撐組件126被設置在內部容積124中且在處理期間將基板134支撐在該基板支撐組件上。
處理腔室100的壁104包括開口（未示出），通過該開口，基板134被機器人傳輸進及出內部容積124。泵送端口110形成於腔室主體102的壁104或底部106中的一者中，且流體連接到泵送系統（未示出）。泵送系統用來在處理腔室100的內部容積124內維持真空環境，同時移除處理副產物。
氣體面板112通過一或更多個入口114向處理腔室100的內部容積124提供過程氣體及/或其他氣體，該一或更多個入口形成通過腔室主體102的蓋108或壁104中的至少一者。由氣體面板112所提供的過程氣體在內部容積124內被通電以形成用來處理設置在基板支撐組件126上的基板134的電漿122。過程氣體是藉由RF電力來通電的，該RF電力從定位在腔室主體102外部的電漿施用器120感應耦接到過程氣體。在圖1中所描繪的實施例中，電漿施用器120是通過匹配電路118耦接到RF電源116的一對同軸線圈。在其他的實施例中，電漿施用器120可以是腔室元件中的一或更多者，例如通過匹配電路118耦接到RF電源116的淋噴頭組件。
控制器148被耦接到處理腔室100以控制處理腔室100的操作及基板134的處理。控制器148可以是可以用於工業環境中以供控制各種子處理器及子控制器的任何形式的通用資料處理系統中的一者。一般而言，控制器148包括與記憶體174及輸入/輸出（I/O）電路系統176等常見元件通訊的中央處理單元（CPU）172。由控制器148的CPU所執行的軟體命令使得處理腔室例如將蝕刻氣體混合物（即處理氣體）引入到內部容積124中、藉由施加來自電漿施用器120的RF電力由處理氣體形成電漿122、及蝕刻基板134上的材料層。
基板支撐組件126可移除地耦接到支撐托座125。支撐托座125包括安裝到腔室主體102的托座基部128。可以從支撐托座125週期性地移除基板支撐組件126以允許翻新基板支撐組件126的一或更多個元件。
基板支撐組件126一般包括至少基板支撐物132。基板支撐物132可以是真空吸盤、靜電吸盤、基座、或其他的工件支撐面。在圖1的實施例中，基板支撐物132是靜電吸盤，且將在下文中描述為靜電吸盤（ESC）132。基板支撐組件126也包括冷卻基部130。基板支撐組件126額外包括隔熱器180及基部板190。靜電吸盤132、冷卻基部130、隔熱器180、及基部板190被邊緣環140圍束。
在一個實施例中，邊緣環140由矽基材料所形成。邊緣環形成間隙（未示出），該間隙被提供為用於邊緣環140與靜電吸盤132之間的吹掃氣體遞送。在邊緣環140與基板134之間提供了額外空間（未示出），使得邊緣環140被配置為提供在基板134下方遞送的吹掃氣體。邊緣環140吹掃氣體背向基板134的中心朝向排氣裝置而引導，使得在基板134的末端邊緣處在邊緣環140上不發生沉積。不像具有多孔插塞及有限的吹掃氣體流量的常規ESC，間隙及額外的空間提供了在基板134下方向上連通的大型傳導吹掃氣體通道，從而在基板134在銷上退火時允許通過16個孔洞的流動的高流量（高達15 slm）。吹掃氣體額外來自設置在靜電吸盤132中的孔洞。基板134在銷上升舉，且接著後側流使得靜電吸盤132保持清潔而不會有任何副產物凝結在表面上。
基部板190被配置為容納配置為升起及降下複數個升降銷的複數個驅動機構。此外，基部板190被配置為容納來自靜電吸盤132及冷卻基部130的複數個流體連接件。基部板190也被配置為容納來自靜電吸盤132的複數個電連接件。無數的連接件可以在基板支撐組件126外部或內部延伸，而基部板190為該等連接件提供了對相應末端的介面。基部板190可以由任何金屬所形成。
隔熱器180被設置在基部板190與冷卻基部130之間。隔熱器180由具有化學及物理穩定性的熱絕緣材料所形成，例如交聯聚苯乙烯、聚醚醚酮、氧化鋁（Al2 O3 ）、或其他合適的材料。
冷卻基部130被設置在隔熱器180與靜電吸盤132之間。冷卻基部130被耦接到導熱流體源144。導熱流體源144提供不導電的導熱流體，該不導電的導熱流體循環通過設置在冷卻基部130中的一或更多個導管160。流動通過相鄰導管160的流體被隔離，以允許局部控制靜電吸盤132與冷卻基部130的不同區域之間的導熱，這有助於控制基板134的側向溫度分佈。
流體分佈器被流體耦接在導熱流體源144的出口與溫度受控的冷卻基部130之間。流體分佈器操作以控制向導管160提供的導熱流體量。流體分佈器被設置在處理腔室100外部、在基板支撐組件126內、在托座基部128內、或在其他合適的位置。
靜電吸盤132具有安裝面131及與安裝面131相反的工件面133。靜電吸盤132一般包括嵌入在介電主體150中的夾持電極136及一或更多個主要電阻式加熱器154。介電主體150由陶瓷材料製造，例如Y2 O3 、Er2 O3 、AlN、或Al2 O3 。或者，介電主體150由一或更多個聚合物層製造，例如聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚芳醚酮等等。
夾持電極136被配置為單極或雙極電極、或其他合適的佈置。夾持電極136被耦接通過RF濾波器182到夾持電源138，該夾持電源提供RF或DC電力以將基板134靜電地固定到介電主體150的工件面133。RF濾波器182防止用來在處理腔室100內形成電漿122的RF電力損傷電氣配備或在處理腔室100外部產生電氣危險。
靜電吸盤132的工件面133可以包括氣體通路（未示出）以供向界定在基板134與靜電吸盤132的工件面133之間的裂隙空間提供後側導熱氣體。靜電吸盤132也包括升降銷孔以供容納升降銷（兩者都未示出），以供將基板134升高到靜電吸盤132的工件面133上方以促進用機器人傳輸進及出處理腔室100。這允許針對設置在工件面133中的基板進行低壓夾持及正壓後側控制。
靜電吸盤132額外具有設置在安裝面131上的一或更多個主要電阻式加熱器154。例如，主要電阻式加熱器154裝設有聚合物片，該聚合物片被附接到該等主要電阻式加熱器或直接印刷在安裝面131上（即在介電主體150與冷卻基部130之間）。提供主要電阻式加熱器154以將基板支撐組件126的溫度升高到用於進行腔室過程的溫度。主要電阻式加熱器154被配置為調整由主要電阻式加熱器154所界定的複數個側向分離的加熱區中的靜電吸盤132的溫度。主要電阻式加熱器154被耦接通過RF濾波器184到主要加熱器電源156。主要加熱器電源156向主要電阻式加熱器154提供電力。控制器148控制主要加熱器電源156的操作，該操作一般被設定為將基板134加熱到大約預先界定的溫度。
在一個實施例中，利用單個主要電阻式加熱器154來產生單個加熱區。在其他的實施例中，利用複數個主要電阻式加熱器154來產生複數個側向分離的加熱區，其中控制器148允許相對於定位在其他區中的一或更多者中的主要電阻式加熱器154優先加熱主要電阻式加熱器154的一個區。例如，主要電阻式加熱器154被同心地佈置在複數個的四個分離的同心加熱區中。
靜電吸盤132包括一或更多個溫度感測器（未示出），以供向控制器148提供溫度反饋資訊以供控制由主要加熱器電源156向主要電阻式加熱器154施加的電力。控制器148也可以控制冷卻基部130的操作。處理腔室100中的基板134的表面的溫度受到由泵進行的過程氣體的排氣、縫閥門、電漿122、及其他因素的影響。冷卻基部130及主要電阻式加熱器154全都有助於控制基板134的表面溫度。
圖2是繪示基板支撐組件126的一部分的部分橫截面示意圖。包括在圖2中的是靜電吸盤（ESC）132、黏合層260、冷卻基部130、及隔熱器180的一部分。ESC 132被配置為用於四個區（或更多個區）的溫度控制，其中該等區之間的均勻性是在約0.3℃與約0.7℃之間。ESC 132對於低溫過程而言能夠在約負20℃與小於正200℃之間的溫度下操作，且對於高溫過程而言能夠在大於約正200℃的溫度下操作。例如，ESC 132能夠在例如在約-20℃與約150℃之間的溫度下操作。
安裝面131及工件面133被設置在ESC 132的主體150的相反側且分離達約2 mm到約7 mm。安裝面131具有約1微米與約10微米之間（例如約2微米）的平坦度。安裝面131相對於工件面133是實質平坦的。工件面133具有約1微米與約10微米之間的平坦度。主體150由陶瓷材料所形成，例如氧化鋁或其他合適的材料。
主要電阻式加熱器154被設置在主體150外部及安裝面131上。主要電阻式加熱器154被佈置在圍繞ESC 132的中心的同心區中，其中第一區（未示出）中的加熱器沿著第一半徑定位，第二區（未示出）中的加熱器沿著大於第一半徑的第二半徑定位，第三區214中的主要電阻式加熱器154B沿著大於第二半徑的第三半徑定位，且第四區216中的外主要加熱器154A沿著大於第三半徑的第四半徑定位。藉由電鍍、噴墨印刷、絲網印刷、物理氣相沉積、沖壓、金屬絲網、圖案聚酰亞胺柔性電路、或藉由其他合適的方式，將主要電阻式加熱器154形成於安裝面131上。例如，將主要電阻式加熱器154印刷到主體150的安裝面131。在其他的示例中，可以藉由物理氣相沉積、化學氣相沉積將主要電阻式加熱器154沉積於安裝面131上、將該等主要電阻式加熱器施用作為預先製造的片材、或藉由其他合適的方法將該等主要電阻式加熱器沉積於該安裝面上。
主要電阻式加熱器154是由鎳鉻合金、錸、鎢、鉭、或其他合適的材料的膜所形成的電阻器。電阻器具有電阻率（ρ），其中低的ρ指示容易允許電荷跨加熱器電阻器移動的材料。電阻（R）取決於ρ乘以導線的長度（I）除以橫截面積，或簡單地是R= ρ•l/A。鉑在20℃下具有約1.06×10− 7 （Ω·m）的ρ。鎢在20℃下具有約6.60×10-8 （Ω·m）的ρ。鎳鉻合金在20℃下具有約1.1 ×10− 8 到約1.5 ×10− 8 （Ω·m）的ρ。因此，可以藉由改變導線的長度或橫截面積中的任一者來變更個別加熱器的電阻及熱輸出。
簡要地額外參照圖4，主要電阻式加熱器154具有膜厚度420或導線厚度，該膜厚度或導線厚度被配置為在電流沿著主要電阻式加熱器154的導線傳遞時充分提供熱。加熱器的膜厚度420的減少造成主要電阻式加熱器154的電阻R的增加及較大的來自該等主要電阻式加熱器的熱輸出。例如，針對主要電阻式加熱器154將膜厚度420選定或修改為減少的膜厚度410，以在已經將主要電阻式加熱器154設置在安裝面131上之後控制主要電阻式加熱器154的部分430中所產生的熱。如此，可以微調每個區中的主要電阻式加熱器154以跨ESC 132的工件面133提供所需的溫度均勻性。
設置在ESC 132的安裝面131上的主要電阻式加熱器154中的一或更多者的電阻被調整。可以測試及進一步調整主要電阻式加熱器154以更精確地滿足所需的溫度分佈控制準則。
黏合層260是電絕緣層。黏合層260將ESC 132黏著到冷卻基部130。黏合層260被塗敷在主要電阻式加熱器154上，且使主要電阻式加熱器154電絕緣以防止與冷卻基部130接觸及防止主要電阻式加熱器154短路。黏合層260是一種黏著劑，例如丙烯酸基黏著劑、環氧樹脂、矽氧烷基黏著劑、氯丁橡膠基黏著劑、或其他合適的黏著劑。黏合層260具有在從0.1到160 W/mK的範圍中選定的導熱係數。包括黏合層260的黏著材料額外可以包括至少一種導熱填料，例如氧化鋁（Al2 O3 ）、氮化鋁（AlN）、及二硼化鈦（TiB2 ）等等。
在一個實施例中，黏合層260具有約0.3 mm與約2.0 mm之間（例如約1.0 mm）的厚度及約1.0 W/m-K與約3.0 W/m-K之間（例如約1.0 W/m-K）的導熱率。隨著黏合層260的厚度增加，送到主要電阻式加熱器154的功率減少。此外，可以控制黏合層260的厚度的變化以精確地設定ESC 132與冷卻基部130之間的間隙。黏合層260的低厚度變化增強了ESC 132與冷卻基部130之間通過黏合層260的導熱速率的均勻性，因此改善了跨ESC 132的主體150的工件面133維持所需溫度分佈的能力且有利地改善了跨在處理期間設置在該工件面上的基板維持所需溫度分佈的能力。
在圖2中所描繪的實施例中，密封件290（例如O形環）被設置在ESC 132與冷卻基部130之間。密封件290圍束黏合層260且將該黏合層與處理腔室的處理區域隔離，因此延長了黏合層260的使用壽命同時防止被侵蝕的黏合材料變成過程污染物。
冷卻基部130具有主體230，該主體具有頂面272及底面274。主體230由金屬材料所形成，例如鋁合金。頂面272及底面274界定了主體230的相反側且隔開約10 mm到約32 mm。頂面272相對於底面274是實質平坦的。頂面272具有小於約10微米的平坦度，例如約1微米或約2微米。底面274具有小於約10微米的平坦度。冷卻基部130的頂面272與黏合層260接觸。冷卻基部130使冷卻流體（例如全氟聚醚氟化（PFPE）流體或水）循環，該冷卻流體適於用約1000 W/m2- K與約1400 W/m2- K之間的有效交換係數將冷卻基部130中的溫度維持在約90℃與約負20℃之間。
底面274與隔熱器180的上表面282接觸。隔熱器180額外具有與上表面282相反的下表面284。上表面282具有小於約10微米的平坦度。
ESC 132、冷卻基部130、及隔熱器180中的每一者的平坦度促進了在ESC 132、冷卻基部130、及隔熱器180中的每一者之間具有小於20微米（例如約1微米）的黏合劑厚度變化的組件。在將ESC 132、冷卻基部130、及隔熱器180的表面維持彼此實質平行的同時實現了此類間隙。基板支撐組件126協同地允許跨約負20℃與約150℃之間的溫度控制範圍的較大溫度均勻性。可以將基板支撐組件126跨工件面133的溫度均勻性維持在小於1℃內。溫度均勻性有利地允許基板的選擇性蝕刻。
終端250連接到至少外主要加熱器154A以供將主要電阻式加熱器154耦接到主要加熱器電源156。終端250藉由硬焊、軟焊、或其他合適的方法連接到外主要加熱器154A。終端250在與冷卻基部130的底面274大致垂直的方向上延伸通過形成於冷卻基部130中的通路252。終端250在與冷卻基部130的底面274大致垂直的方向上延伸。直接在外主要加熱器154A下方的終端250的位置釋放了ESC 132的中心處的空間以用於通往夾持電極136的氣體通路及電連接。隔熱器180也包括通路254以允許終端250延伸通過隔熱器180以促進電連接。其他的主要電阻式加熱器154也可以具有用類似方式耦接到該等主要電阻式加熱器的終端250。
圖3是用於利用基板支撐組件（例如上述的基板支撐組件126等等）來處理基板的方法300的一個實施例的流程圖。方法300在方塊302處開始，在該方塊處，向具有形成於ESC的底面上的四或更多個區的主要電阻式加熱器施加電力。如上所述，靜電吸盤（ESC）具有陶瓷成分且具有嵌入電極及印刷在下側上的四或更多個獨立加熱構件。主要電阻式加熱器被分段成多個區，可獨立控制該等區以允許側向地及方位地調整在基板支撐組件上處理的基板的側向溫度分佈。並且，每個分段區中的主要電阻式加熱器具有被選擇性地移除以微調局部電阻及溫度輸出的材料。因此，允許跨基板實現小於1℃的均勻溫度。
在方塊304處，跨基板用複數個電阻溫度計測量溫度。在一個實施例中，用電阻溫度偵測器（RTD）來測量溫度。
在方塊306處，跨基板表面將基板的溫度均勻性控制在1℃內。溫度計向閉環腔室溫度控制器提供基板的實時溫度資訊以供控制加熱器及跨基板維持溫度均勻性。
在方塊308處，蝕刻設置在基板支撐組件上的基板。基板具有在該基板上受暴的蝕刻層。在一個實施例中，蝕刻層可以是例如含矽材料的介電材料，例如SiO2 、SiN、SiON、SiC、SiOC、SiOCN、SiCN、a-Si。在另一個實施例中，蝕刻層可以是金屬介電材料，例如AlN、HfO2、AlO3、WN、NiSi等等。在又另一個實施例中，蝕刻層可以是金屬材料，例如Cu、Al、W、Ni、Co等等。在實施例中的每一者中，相對於基板上的其他材料或層選擇性地蝕刻蝕刻層。
圖5是基板支撐組件500的另一個示例的部分橫截面示意側視圖。基板支撐組件500包括耦接到軸桿502的靜電吸盤532。軸桿502可以由陶瓷材料（例如AlN）或其他合適的材料所形成。
大致如上文參照靜電吸盤132所論述地製造靜電吸盤532。靜電吸盤532包括具有嵌入的高電壓夾持電極506的陶瓷主體504。夾持電極506被設置在工件面133附近。一或更多個主要電阻式加熱器154被設置在陶瓷主體504的安裝面131上。可以如上文所論述地修整該一或更多個主要電阻式加熱器154以調整該一或更多個主要電阻式加熱器154的電阻且因此調整該一或更多個主要電阻式加熱器的熱輸出。在一些情況下，可以在將軸桿502耦接到陶瓷主體504之後修整主要電阻式加熱器154。
陶瓷主體504的中心被備製為促進在將主體504耦接到軸桿502之後進行電連接。例如，可以藉由在燒製之後將主體504機械加工來備製陶瓷主體504的中心。可以不是在軸桿502的中心被機械加工之前就是之後例如藉由在膜上進行絲網印刷來施用主要電阻式加熱器154，以促進將引線540、550電連接到電極506及主要電阻式加熱器154。
在修整主要電阻式加熱器154之後，將絕緣塗層508設置在主要電阻式加熱器154上方。絕緣塗層508可以是一層陶瓷（例如AlN）、陶瓷、或其他的絕緣帶，例如坯帶或玻璃帶。坯帶是未燒製的陶瓷帶，例如AlN帶。在絕緣塗層508是玻璃帶的一個示例中，玻璃包括選自由以下項目所組成的群組的一或更多種元素：Al、N、O、及Y。絕緣塗層508可以包括孔洞510以允許將軸桿502的末端512直接耦接到陶瓷主體504的安裝面131。可以藉由擴散、高溫膠接、硬焊來將軸桿502的末端512直接黏合到陶瓷主體504的安裝面131，或用另一種合適的方式將該末端直接耦接到該安裝面。
可以替代地用在塗層中具有氧化鋁（Al2 O3 ）、氧化矽（SiO2 ）、氧化鎂（MgO）、氧化釔（Y2 O3 ）（即ASMY）中的一或更多者的塗層來替換絕緣塗層508。絕緣塗層508或ASMY塗層被電漿噴塗到主要電阻式加熱器154上達約300 µm的厚度。應理解到，其他的技術同等適於將ASMY塗層塗敷到主要電阻式加熱器154。可以將絕緣塗層508及陶瓷主體504熱處理。將ASMY的絕緣塗層508熱處理以在絕緣塗層508中產生約4 KV的介電擊穿。
在一個示例中，用於製造基板支撐組件500的製造序列包括以下步驟：將AlN陶瓷主體燒結為具有嵌入的高電壓夾持電極，然後將一或更多個主要電阻式加熱器絲網印刷在陶瓷主體的底部上以形成單個或多個加熱區，燒製具有設置在陶瓷主體上的主要電阻式加熱器的該陶瓷主體。在燒製之後，例如藉由使用雷射來修整主要電阻式加熱器以調整加熱器的電阻。在修整之後，將陶瓷主體的中心機械加工以準備對中心進行電極硬焊。絕緣層被設置在修整過的加熱器上方且被燒製。隨後，使用含AlN的帶或玻璃黏合帶來將軸桿黏合到ESC的陶瓷主體。含AlN的帶或玻璃黏合帶可以形成絕緣層。可以在附接軸桿的同時將絕緣層黏合在加熱器上方。在附接軸桿之後，將高電壓夾持電極的終端硬焊在軸桿內部。
替代於或附加於上述的序列，可以在將軸桿黏合到ESC的陶瓷主體之後修整主要電阻式加熱器。將基板支撐組件500熱處理以產生所需的擊穿電壓。
圖6是基板支撐組件600的另一個示例的部分橫截面示意側視圖。基板支撐組件600基本上與上述的基板支撐組件500相同，除了其中絕緣塗層508延伸於陶瓷主體504的安裝面131與軸桿502的末端512之間使得軸桿502被固定到絕緣塗層508的下受暴面602以外。
有利地，如上所述的基板支撐物要能夠調整一或更多個區中的溫度以提供能夠調整蝕刻速率的溫度均勻性。此外，ESC夾持允許獨立於腔室壓力的各種後側壓力設定點跨晶圓更佳地調整溫度控制。這允許跨晶圓從中心到邊緣地進行蝕刻量徑向調整，從而添加調整產量及腔室性能的能力。
雖然上文是針對本發明的實施方式，但可以設計本發明的其他的及另外的實施方式而不脫離本發明的基本範圍，且本發明的範圍是由隨後的請求項所決定的。
100‧‧‧處理腔室 102‧‧‧腔室主體 104‧‧‧壁 106‧‧‧底部 108‧‧‧蓋 110‧‧‧泵送端口 112‧‧‧氣體面板 114‧‧‧入口 116‧‧‧RF電源 118‧‧‧匹配電路 120‧‧‧電漿施用器 122‧‧‧電漿 124‧‧‧內部容積 125‧‧‧支撐托座 126‧‧‧基板支撐組件 128‧‧‧托座基部 130‧‧‧冷卻基部 131‧‧‧安裝面 132‧‧‧靜電吸盤 133‧‧‧工件面 134‧‧‧基板 136‧‧‧夾持電極 138‧‧‧夾持電源 144‧‧‧導熱流體源 148‧‧‧控制器 150‧‧‧介電主體 154‧‧‧主要電阻式加熱器 156‧‧‧加熱器電源 160‧‧‧導管 172‧‧‧中央處理單元（CPU） 174‧‧‧記憶體 176‧‧‧輸入/輸出（I/O）電路系統 180‧‧‧隔熱器 182‧‧‧RF濾波器 184‧‧‧RF濾波器 190‧‧‧基部板 214‧‧‧第三區 216‧‧‧第四區 250‧‧‧終端 252‧‧‧通路 254‧‧‧通路 260‧‧‧黏合層 272‧‧‧頂面 274‧‧‧底面 282‧‧‧上表面 284‧‧‧下表面 290‧‧‧密封件 300‧‧‧方法 302‧‧‧方塊 304‧‧‧方塊 306‧‧‧方塊 308‧‧‧方塊 410‧‧‧膜厚度 420‧‧‧膜厚度 430‧‧‧主要電阻式加熱器的部分 500‧‧‧基板支撐組件 502‧‧‧軸桿 504‧‧‧陶瓷主體 506‧‧‧夾持電極 508‧‧‧絕緣塗層 510‧‧‧孔洞 512‧‧‧末端 532‧‧‧靜電吸盤 540‧‧‧引線 550‧‧‧引線 600‧‧‧基板支撐組件 602‧‧‧下受暴面 154A‧‧‧外主要加熱器 154B‧‧‧主要電阻式加熱器
可以藉由參照實施方式來獲得可以用來詳細了解上文所載的本發明特徵的方式及上文簡要概述的本發明的更詳細描述，該等實施方式中的一些被繪示在附圖中。然而，應注意，附圖僅繪示此發明的典型實施方式且因此不要將其視為此發明的範圍限制，因為本發明可以接納其他同等有效的實施方式。
圖1是處理腔室的橫截面示意側視圖，該處理腔室具有基板支撐組件的一個實施例；
圖2是詳述基板支撐組件的部分的部分橫截面示意側視圖；
圖3是用於利用基板支撐組件（例如上述的基板支撐組件等等）來處理基板的方法300的一個實施例的流程圖；
圖4是詳述基板支撐組件的修整過的主要電阻式加熱器的示意仰視圖；
圖5是基板支撐組件的另一個示例的部分橫截面示意側視圖；及
圖6是基板支撐組件的又另一個示例的部分橫截面示意側視圖。
為了促進了解，已儘可能使用相同的參考標號來標誌該等圖式共有的相同構件。可以預期，可以有益地將一個實施方式中所揭露的構件用在其他實施方式中而無需具體敘述。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
130‧‧‧冷卻基部
131‧‧‧安裝面
132‧‧‧靜電吸盤
133‧‧‧工件面
134‧‧‧基板
136‧‧‧夾持電極
150‧‧‧介電主體
156‧‧‧加熱器電源
160‧‧‧導管
180‧‧‧隔熱器
184‧‧‧RF濾波器
214‧‧‧第三區
216‧‧‧第四區
250‧‧‧終端
252‧‧‧通路
254‧‧‧通路
260‧‧‧黏合層
272‧‧‧頂面
274‧‧‧底面
282‧‧‧上表面
284‧‧‧下表面
290‧‧‧密封件
154A‧‧‧外主要加熱器
154B‧‧‧主要電阻式加熱器

Claims (19)

  1. 一種基板支撐組件，包括：一靜電吸盤，具有由陶瓷製作的一吸盤主體，該吸盤主體具有一工件支撐面及一黏合吸盤主體面，該工件支撐面及該黏合吸盤主體面具有小於約10微米的一平坦度；及一冷卻基部，具有由金屬或複合物製作的一冷卻主體，該冷卻基部的該冷卻主體具有一上冷卻主體面及一下冷卻主體面，該上冷卻主體面面向該黏合吸盤主體，其中該上冷卻主體面具有小於約10微米的一平坦度。
  2. 如請求項1所述的基板支撐組件，更包括：至少一個第一加熱器，設置在該黏合吸盤主體面上在該吸盤主體外部；及一黏合層，設置在該第一加熱器上方，其中該黏合層是電絕緣的。
  3. 如請求項1所述的基板支撐組件，更包括：一邊緣環，圍束該靜電吸盤、該冷卻基部、及一基部板，該基部板設置在該冷卻基部下方，其中該邊緣環被配置為將一吹掃氣體引導到該工件安裝面。
  4. 如請求項2所述的基板支撐組件，其中該黏合層具有約0.3mm與約2.0mm之間的一厚度及約1.0W/m-K與約3.0W/m-K之間的一導熱率。
  5. 如請求項4所述的基板支撐組件，其中在該靜電吸盤與該冷卻基部之間的該黏合層的該厚度的一變化小於20微米。
  6. 如請求項1所述的基板支撐組件，其中該第一加熱器被修整為實現比該第一加熱器的相鄰部分高的一所需電阻以提供一所需的溫度輸出。
  7. 如請求項1所述的基板支撐組件，更包括：一密封件，設置在該靜電吸盤與該冷卻基部之間。
  8. 一種基板支撐組件，包括：一靜電吸盤，具有由陶瓷製作的一吸盤主體，該吸盤主體具有一嵌入的高電壓夾持電極；該吸盤主體具有一工件支撐面及一黏合吸盤主體面，該工件支撐面及該黏合吸盤主體面具有小於約10微米的一平坦度；至少一個第一加熱器，設置在該黏合吸盤主體面上在該吸盤主體外部，該第一加熱器被修整為實現比該第一加熱器的相鄰部分高的一所需電阻以提供一所需的溫度輸出；一絕緣層，設置在該第一加熱器上方；及 一陶瓷軸桿，具有引線，該等引線連接到該加熱器且連接到嵌入在該靜電吸盤中的該夾持電極。
  9. 如請求項8所述的基板支撐組件，其中該陶瓷軸桿被黏合到該靜電吸盤。
  10. 如請求項8所述的基板支撐組件，其中該陶瓷軸桿被黏合到設置在該第一加熱器上方的該絕緣層。
  11. 如請求項8所述的基板支撐組件，其中該絕緣層包括一層陶瓷、陶瓷帶、及玻璃帶中的一者。
  12. 一種處理腔室，包括：一腔室主體，具有壁、一底部、及一蓋，該等壁、該底部、及該蓋包封一內部容積；及一基板支撐組件，設置在該內部容積中，該基板支撐組件包括：一靜電吸盤，具有由陶瓷製作的一吸盤主體，該吸盤主體具有一工件支撐面及一黏合吸盤主體面，該工件支撐面及該黏合吸盤主體面具有小於10微米的一平坦度；及一冷卻基部，具有由金屬製作的一冷卻主體，該冷卻基部的該冷卻主體具有一上冷卻主體面及一下冷卻主體面，其中該上冷卻主體面的平坦度小於約10微米。
  13. 如請求項12所述的處理腔室，更包括：複數個加熱器，設置在該黏合吸盤主體面上在該吸盤主體外部，其中該等加熱器被佈置在複數個區中；一黏合層，設置在該複數個加熱器上方，其中該黏合層是電絕緣的；一基部板，設置在該冷卻基部下方；及一邊緣環，圍束該靜電吸盤、該冷卻基部、及該基部板，其中該邊緣環被配置為將一吹掃氣體引導到該工件安裝面。
  14. 如請求項12所述的處理腔室，其中該安裝面及該上表面的該平坦度小於約10微米。
  15. 如請求項12所述的處理腔室，其中該黏合層具有約0.3mm與約2.0mm之間的一厚度，該厚度具有小於約20微米的一變化，且該黏合層具有約1.0W/m-K與約3.0W/m-K之間的一導熱率。
  16. 如請求項12所述的處理腔室，其中該等加熱器中的至少一者被修整為實現比該修整過的加熱器的相鄰部分高的一所需電阻以提供一所需的溫度輸出。
  17. 如請求項12所述的處理腔室，更包括：一絕緣層，設置在該第一加熱器上方；及一軸桿，黏合到該吸盤主體。
  18. 一種用於蝕刻一基板上的多個膜的方法，該方法包括以下步驟：向一主要電阻式加熱器施加電力，該主要電阻式加熱器具有形成於一靜電吸盤的一底面上的四或更多個區；用複數個電阻溫度計測量跨一基板的複數個溫度；跨一基板頂面將跨該基板的該等溫度的一均勻性控制在1℃內；及在該基板上選擇性地執行一蝕刻；其中一隔熱層耦接該靜電吸盤，而一冷卻基部設置在該隔熱層與該靜電吸盤之間；且其中該靜電吸盤、該冷卻基部、與該隔熱層之間的複數個表面的平坦度是在約1微米與約10微米之間。
  19. 如請求項18所述的方法，其中該主要電阻式加熱器在每個分段區中被印刷到一定厚度均勻性，且被修整以微調一電阻及溫度輸出，以供跨該基板產生小於1℃的一均勻溫度。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11493551B2 (en) 2020-06-22 2022-11-08 Advantest Test Solutions, Inc. Integrated test cell using active thermal interposer (ATI) with parallel socket actuation
US11549981B2 (en) 2020-10-01 2023-01-10 Advantest Test Solutions, Inc. Thermal solution for massively parallel testing
US11808812B2 (en) 2020-11-02 2023-11-07 Advantest Test Solutions, Inc. Passive carrier-based device delivery for slot-based high-volume semiconductor test system
US11821913B2 (en) 2020-11-02 2023-11-21 Advantest Test Solutions, Inc. Shielded socket and carrier for high-volume test of semiconductor devices
US20220155364A1 (en) * 2020-11-19 2022-05-19 Advantest Test Solutions, Inc. Wafer scale active thermal interposer for device testing
US11567119B2 (en) 2020-12-04 2023-01-31 Advantest Test Solutions, Inc. Testing system including active thermal interposer device
US11573262B2 (en) 2020-12-31 2023-02-07 Advantest Test Solutions, Inc. Multi-input multi-zone thermal control for device testing
US20220248500A1 (en) * 2021-02-04 2022-08-04 Applied Materials, Inc. Multi-zone heater control for wafer processing equipment
US20220282371A1 (en) * 2021-03-03 2022-09-08 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with metal shaft
US11587640B2 (en) 2021-03-08 2023-02-21 Advantest Test Solutions, Inc. Carrier based high volume system level testing of devices with pop structures
TWI768786B (zh) * 2021-03-24 2022-06-21 天虹科技股份有限公司 可準確調整溫度的承載盤及應用該承載盤的薄膜沉積裝置
US20230011261A1 (en) * 2021-07-09 2023-01-12 Applied Materials, Inc. Multi-zone heater with minimum rf loss
US12094748B2 (en) * 2021-08-18 2024-09-17 Applied Materials, Inc. Bipolar esc with balanced RF impedance
US20230060192A1 (en) * 2021-09-02 2023-03-02 Entegris, Inc. Methods and apparatus for processing an electrostatic chuck
US11656273B1 (en) 2021-11-05 2023-05-23 Advantest Test Solutions, Inc. High current device testing apparatus and systems
US20230420274A1 (en) * 2022-06-22 2023-12-28 Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. Radiatively-Cooled Substrate Holder

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170110358A1 (en) * 2014-03-05 2017-04-20 Applied Materials, Inc. Pixelated capacitance controlled esc
US20170173934A1 (en) * 2012-09-19 2017-06-22 Applied Materials, Inc. Methods for bonding substrates

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5801915A (en) * 1994-01-31 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a unidirectionally conducting coupler layer
US5888304A (en) * 1996-04-02 1999-03-30 Applied Materials, Inc. Heater with shadow ring and purge above wafer surface
US5730801A (en) * 1994-08-23 1998-03-24 Applied Materials, Inc. Compartnetalized substrate processing chamber
US6616767B2 (en) * 1997-02-12 2003-09-09 Applied Materials, Inc. High temperature ceramic heater assembly with RF capability
US6159299A (en) * 1999-02-09 2000-12-12 Applied Materials, Inc. Wafer pedestal with a purge ring
US6992876B1 (en) * 1999-07-08 2006-01-31 Lam Research Corporation Electrostatic chuck and its manufacturing method
JP2001244059A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Kyocera Corp セラミックヒーター及びこれを用いたウエハ加熱装置
US6534751B2 (en) * 2000-02-28 2003-03-18 Kyocera Corporation Wafer heating apparatus and ceramic heater, and method for producing the same
JP2002175867A (ja) * 2000-12-08 2002-06-21 Ibiden Co Ltd セラミックヒータ
JP2003224180A (ja) * 2002-01-28 2003-08-08 Kyocera Corp ウエハ支持部材
JP2005317749A (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用保持体及びそれを搭載した半導体製造装置
US8038796B2 (en) * 2004-12-30 2011-10-18 Lam Research Corporation Apparatus for spatial and temporal control of temperature on a substrate
JP4908021B2 (ja) * 2005-03-07 2012-04-04 日本特殊陶業株式会社 静電チャック、静電チャック装置、静電チャックの製造方法、真空チャック、真空チャック装置、真空チャックの製造方法、セラミックヒーター、セラミックヒーター装置、及びセラミックヒーターの製造方法
KR101437522B1 (ko) * 2007-09-05 2014-09-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 반응기 챔버에서 웨이퍼 에지 가스 주입부를 갖는캐소드 라이너
SG187387A1 (en) * 2007-12-19 2013-02-28 Lam Res Corp Film adhesive for semiconductor vacuum processing apparatus
CN102217054B (zh) * 2008-11-25 2013-05-08 京瓷株式会社 晶片加热装置、静电卡盘以及晶片加热装置的制造方法
JP2011061049A (ja) * 2009-09-11 2011-03-24 Ngk Spark Plug Co Ltd 静電チャック
JP5644161B2 (ja) * 2010-04-12 2014-12-24 住友電気工業株式会社 半導体保持用の静電チャックおよびその製造方法
US8633423B2 (en) * 2010-10-14 2014-01-21 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling substrate temperature in a process chamber
US20120309115A1 (en) * 2011-06-02 2012-12-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for supporting and controlling a substrate
JP6223983B2 (ja) * 2011-09-30 2017-11-01 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 温度制御付き静電チャック
US9869392B2 (en) * 2011-10-20 2018-01-16 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
JP6017781B2 (ja) * 2011-12-07 2016-11-02 新光電気工業株式会社 基板温調固定装置及びその製造方法
JP2014049667A (ja) * 2012-09-03 2014-03-17 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びこれを備えた基板処理装置
TW201436091A (zh) * 2013-01-30 2014-09-16 Kyocera Corp 試料保持具及使用其之電漿蝕刻裝置
US9543183B2 (en) * 2013-04-01 2017-01-10 Fm Industries, Inc. Heated electrostatic chuck and semiconductor wafer heater and methods for manufacturing same
JP5860431B2 (ja) * 2013-04-25 2016-02-16 東京エレクトロン株式会社 接合装置、接合システムおよび接合方法
JP6030045B2 (ja) * 2013-12-03 2016-11-24 日本碍子株式会社 セラミックヒータ及びその製法
JP6380177B2 (ja) * 2015-03-12 2018-08-29 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
US10186444B2 (en) * 2015-03-20 2019-01-22 Applied Materials, Inc. Gas flow for condensation reduction with a substrate processing chuck
WO2016153582A1 (en) * 2015-03-20 2016-09-29 Applied Materials, Inc. Ceramic electrostatic chuck bonded with high temperature polymer bond to metal base
US10582570B2 (en) * 2016-01-22 2020-03-03 Applied Materials, Inc. Sensor system for multi-zone electrostatic chuck
JP6496675B2 (ja) * 2016-02-23 2019-04-03 日本碍子株式会社 静電チャックヒータ
JP6560150B2 (ja) * 2016-03-28 2019-08-14 日本碍子株式会社 ウエハ載置装置
US10973088B2 (en) * 2016-04-18 2021-04-06 Applied Materials, Inc. Optically heated substrate support assembly with removable optical fibers
JP6611666B2 (ja) * 2016-05-16 2019-11-27 東京エレクトロン株式会社 載置台システム、基板処理装置及び温度制御方法
JP6708518B2 (ja) * 2016-08-09 2020-06-10 新光電気工業株式会社 基板固定装置及びその製造方法
KR102644272B1 (ko) * 2016-10-31 2024-03-06 삼성전자주식회사 정전척 어셈블리

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170173934A1 (en) * 2012-09-19 2017-06-22 Applied Materials, Inc. Methods for bonding substrates
US20170110358A1 (en) * 2014-03-05 2017-04-20 Applied Materials, Inc. Pixelated capacitance controlled esc

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Publication number Publication date
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