TW201436091A - 試料保持具及使用其之電漿蝕刻裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之試料保持具具備：基體，其包含陶瓷且於一主面具有試料保持面；及發熱電阻體，其設置於該基體之另一主面且包含玻璃成分；且上述基體係於上述發熱電阻體之附近區域包含上述玻璃成分。

Description

試料保持具及使用其之電漿蝕刻裝置

本發明係關於一種試料保持具及使用其之電漿蝕刻裝置者。

於半導體積體電路之製造步驟或液晶顯示裝置之製造步驟等中，作為用以保持半導體晶圓等各試料之零件，已知有試料保持具。作為試料保持具，例如，可列舉日本專利特開2005-286106號公報(以下，稱為專利文獻1)中記載之加熱器基板。專利文獻1中記載之加熱器基板具備：陶瓷基體；及發熱體電路，其形成於陶瓷基體之背面。加熱器基板係於陶瓷基體之主面搭載被加熱物而使用。

然而，專利文獻1中記載之加熱器基板有於熱循環下，於陶瓷基體與發熱體電路之間產生熱應力的情形。藉此，有發熱體電路自陶瓷基體剝落之可能性。其結果為，難以使加熱器基板之長期可靠性提高。

本發明之一態樣之試料保持具之特徵在於具備：基體，其包含陶瓷且於一主面具有試料保持面；及發熱電阻體，其設置於該基體之另一主面且包含玻璃成分；且上述基體係於上述發熱電阻體之附近區域包含上述玻璃成分。

1‧‧‧基體

2‧‧‧發熱電阻體

3‧‧‧吸附電極

4‧‧‧底板

5‧‧‧絕緣層

6‧‧‧樹脂層

10‧‧‧試料保持具

11‧‧‧試料保持面

12‧‧‧玻璃擴散區域

30‧‧‧端部

100‧‧‧電漿蝕刻裝置

120‧‧‧交界

A‧‧‧試料保持具之區域

圖1係表示本發明之一實施形態之試料保持具及使用其之電漿蝕刻裝置的剖面圖。

圖2係對圖1所示之試料保持具之區域A進行放大之局部放大剖面圖。

圖3係表示本發明之試料保持具之變化例之局部放大剖面圖。

以下，參照圖式，對本發明之一實施形態之試料保持具10及使用其之電漿蝕刻裝置100進行說明。

圖1係表示本發明之一實施形態之試料保持具10及使用其之電漿蝕刻裝置100之剖面圖。如圖1所示，本發明之一實施形態之試料保持具10具備：基體1，其於一主面具有試料保持面11；發熱電阻體2，其設置於基體1之另一主面；及吸附電極3，其設置於基體1之內部。於本實施形態中，「一主面」為基體1之上表面，「另一主面」對應於基體1之下表面。因此，以下為說明之方便起見，使用上表面及下表面之文語進行說明。再者，「一主面」並不限定於上表面，對應於基體1之朝向而即便為下表面或側面等除上表面以外之面亦無任何問題。又，「另一主面」亦並不限定於下表面，相同地，對應於基體1之朝向而即便為上表面或側面等除下表面以外之面亦無任何問題。

基體1係於上表面具有試料保持面11之板狀之構件。基體1係於上表面之試料保持面11中，例如保持矽晶圓等試料。試料保持具10係俯視時形狀為圓形狀之構件。基體1包含例如氧化鋁、氮化鋁、氮化矽或氧化釔等陶瓷材料。於基體1之下表面設置有發熱電阻體2。基體1之尺寸例如可將直徑設定為200~500mm、厚度設定為2~15mm。

作為使用基體1保持試料之方法，可使用各種各樣之方法，本實施形態之試料保持具10係利用靜電力保持試料。因此，試料保持具10於基體1之內部具備吸附電極3。吸附電極3係由2個電極所構成。2個電極之一者與電源之正極連接，另一者與負極連接。2個電極分別形成為大致半圓板狀，且以半圓之弦彼此對向之方式配置於基體1之內 部。該等2個電極合在一起而使吸附電極3整體之外形成為圓形狀。該吸附電極3整體之圓形狀之外形的中心係與同樣地為圓形狀之基體1之外形之中心同一地設定。吸附電極3包含例如鎢或鉬等金屬材料。

發熱電阻體2係用以對保持於基體1之上表面之試料保持面11之試料進行加熱之構件。發熱電阻體2係設置於基體1之下表面。藉由對發熱電阻體2施加電壓，可使發熱電阻體2發熱。由發熱電阻體2發出之熱沿著基體1之內部傳遞，到達至基體1之上表面之試料保持面11。藉此，可對保持於試料保持面11之試料進行加熱。發熱電阻體2係具有複數個彎曲部之線狀之圖案，且形成於基體1之下表面之大致整個表面。藉此，可抑制在試料保持具10之上表面產生熱分佈之不均。

發熱電阻體2包含導體成分及玻璃成分。作為導體成分，包含例如銀鈀、鉑、鋁或金等金屬材料。為抑制玻璃成分發泡，作為金屬材料較佳為選擇於大氣中可燒結之金屬。又，作為玻璃成分，包含矽、鋁、鉍、鈣、硼及鋅等材料之氧化物。

試料保持具10之溫度控制可使用以下方法。具體而言，可藉由使熱電偶接觸於基體1測定電動勢而測定發熱電阻體2之溫度。又，亦可藉由使測溫電阻體接觸於基體1測定電阻而測定發熱電阻體2之溫度。基於以如上方式測定之發熱電阻體2之溫度，調整對發熱電阻體2施加之電壓，藉此，可以試料保持具10之溫度變為固定之方式控制發熱電阻體2之發熱。

如上所述，發熱電阻體2包含玻璃成分作為原料。發熱電阻體2藉由包含玻璃成分，而使燒結所必要之溫度變低。又，發熱電阻體2係藉由具有玻璃成分，而提高與基體1之密接性。

此處，發熱電阻體2係燒結於燒結後之基體1所形成。此時，發熱電阻體2所含之玻璃成分擴展，進入至基體1之表面之凹凸。其結果為，於發熱電阻體2與基體1之間產生投錨效應，藉此，可將發熱電阻 體2牢固地固定於基體1。進而，於基體1之表面擴展之玻璃成分係與基體1之陶瓷反應而於基體1中擴散。因此，如圖2中對圖1所示之試料保持具之區域A進行放大之局部放大剖面圖所示，基體1中發熱電阻體2之附近區域包含玻璃成分。以下，將基體1中發熱電阻體2之附近之包含玻璃成分之區域稱為玻璃擴散區域12。如此，藉由基體1中發熱電阻體2之附近區域(玻璃擴散區域12)及發熱電阻體2分別包含玻璃成分，而提高發熱電阻體2之玻璃成分與玻璃擴散區域12之玻璃成分之密接性。其結果為，即便因基體1與發熱電阻體2之熱膨脹差而對發熱電阻體2產生熱應力，亦可抑制發熱電阻體2自基體1剝落之可能性。玻璃成分於發熱電阻體2中含有例如5~30vol%。

於將基體1設為體積電阻率於常溫下為10¹⁶Ωcm以上之高絕緣體之情形時，可使發熱電阻體2周邊之玻璃擴散區域12之體積電阻率與不含玻璃之區域相比較低。作為10¹⁶Ωcm以上之高絕緣體，可列舉：氧化鋁、氮化鋁、氮化矽或氧化釔等高絕緣陶瓷材料。

作為試料之晶圓之吸附係藉由對吸附電極3施加高電壓而進行。而且，晶圓之脫附係藉由使吸附電極3接地(to earth)而進行。此時，於將電壓接通-斷開(ON-OFF)時產生電場變動。此處，藉由在發熱電阻體2周邊設置玻璃成分，而使發熱電阻體2周邊之電阻下降。其結果為，於產生電場變動時，電場難以及於發熱電阻體2周邊。即，產生電場遮蔽效應。藉此，可抑制雜訊進入至發熱電阻體2之電壓。其結果為，可使發熱電阻體2之溫度控制穩定化。

進而，藉由基體1之下表面之發熱電阻體2之附近區域中之玻璃成分為自發熱電阻體2擴散至基體1之玻璃擴散區域12者，而可實現將基體1之玻璃成分與發熱電阻體2之玻璃成分連接者。其結果為，可進一步抑制在基體1與發熱電阻體2之間產生剝落之可能性。

又，如圖2所示，較佳為自基體1之下表面中接觸發熱電阻體2之 部分觀察，玻璃擴散區域12所包含之玻璃成分於相對於基體1之下表面水平之方向擴展。藉此，可使基體1中包含玻璃成分之部分和不含玻璃成分之部分的交界120之水平方向上之位置、與發熱電阻體2之端部30之水平方向上之位置不同。於熱循環下，有熱應力較易集中於上述交界120與端部30之傾向，但藉由使該等之位置不同，而可防止在一處施加較大之熱應力。藉此，可抑制發熱電阻體2產生剝落之可能性。

進而，基體1之玻璃成分較佳為與相對於基體1之下表面垂直之方向相比而於水平之方向進一步擴展。即，玻璃擴散區域12較佳為自基體1之下表面中接觸發熱電阻體2之部分之端部觀察，玻璃擴散區域12較相對於基體1之下表面垂直之方向而於水平之方向更大幅地擴展。玻璃擴散區域12中，玻璃以填埋基體1中之陶瓷之間隙之方式擴展，故而與基體1中之除玻璃擴散區域12以外之區域相比，導熱良好。藉由在水平方向大幅地形成該導熱良好之區域，而可使基體1之水平方向之均熱性提高。更具體而言，玻璃擴散區域12較佳為與垂直之方向相比而於水平之方向擴展2~5倍左右。

於該情形時，較佳為用於基體1之陶瓷材料使用粒徑較小者。具體而言，較佳為使用2~10μm粒徑之陶瓷材料，較佳為燒結密度為98%以上之緻密性。藉此，可抑制玻璃於相對於基體1之下表面垂直之方向擴散。關於相對於基體1之下表面水平之方向，較佳為預先利用噴砂等使基體1之下表面為粗糙面而使其產生微細之龜裂。藉由沿著該龜裂傳遞玻璃成分，而可對相對於基體1之下表面水平之方向使玻璃成分良好地擴散。更具體而言，若利用旋轉加工機等加工基體1之下表面，則下表面之算術平均粗糙度Ra成為0.2~0.7μm。進而，藉由對基體1之下表面實施噴砂等，而可使下表面之算術平均粗糙度Ra為1~5μm。藉此，可使玻璃擴散區域12之水平方向之擴展較垂直 方向之擴展大2~5倍左右。

又，基體1之下表面之發熱電阻體2之附近區域較佳為包含玻璃成分及發熱電阻體2之導體成分。藉由包含導體成分，可使發熱電阻體2之附近區域之導熱率提高，故而可使複數個發熱電阻體2間之熱傳遞提高。其結果為，可使基體1之試料保持面11之均熱性提高。藉此，於電漿蝕刻裝置100中可使蝕刻速率更均勻。

進而，該導體成分相對於玻璃成分之比率較佳為隨著自發熱電阻體2遠離而變小。藉此，可使基體1中之發熱電阻體2之附近區域與其他區域之間之熱膨脹係數緩慢變化。其結果為，可降低在發熱電阻體2之附近區域中產生於基體1之熱應力。更具體而言，於發熱電阻體2之附近，導體成分相對於玻璃成分存在約10%左右，但較佳為於距發熱電阻體2離開0.1mm左右之區域成為約7%、於離開0.2mm左右之處成為約0%左右。

又，發熱電阻體2較佳為設置於基體1之下表面之周緣部。於在熱循環下基體1以翹曲之方式熱膨脹或熱收縮之情形時，於周緣部，熱應力變得特別大。於該周緣部，預先設置發熱電阻體2並且使該發熱電阻體2之附近區域之基體1包含玻璃成分，藉此，可抑制在試料保持具10之基體1產生龜裂之可能性。

又，如圖3所示，較佳為具有鄰接設置有發熱電阻體2之複數個區域，並且自該複數個區域擴散之玻璃成分互相連接。即，較佳為存在複數個鄰接設置有發熱電阻體2之區域，且跨及該等複數個區域而設置有玻璃擴散區域12。於鄰接區域之間之區域、即鄰接設置之區域彼此之間，玻璃成分亦擴展至鄰接之發熱電阻體2之間之區域，藉此，於在電漿中之製程使用試料保持具10時，可使電漿密度均勻。以下，說明理由。

回到圖1，對使用上述試料保持具10之電漿蝕刻裝置100之一部 分進行說明。電漿蝕刻裝置100具備：真空腔室(未圖示)；底板4，其具有配置於真空腔室內之高頻施加用電極(未圖示)；及試料保持具10，其搭載於底板4。

底板4係於內部內置冷媒用之流路(未圖示)及於試料保持具10之上表面流動氦氣或氬氣等傳熱氣體之傳熱氣體用之流路(未圖示)的板狀之構件。作為底板4，例如可使用鋁或鈦等金屬材料、碳化矽等陶瓷材料或碳化矽與鋁之複合材等。

試料保持具10之下表面之發熱電阻體2係由絕緣層5所覆蓋。作為絕緣層5，使用摻有陶瓷填料之接著材料或陶瓷材料等。該絕緣層5係藉由樹脂層6而接著於底板4之上表面。

作為樹脂層6，可使用接著性之樹脂。具體而言，可使用聚矽氧樹脂、環氧樹脂或丙烯酸系樹脂等。再者，樹脂層6亦可含有填料。藉由含有填料，可使樹脂層6之導熱性提高。作為填料，只要為陶瓷材料或金屬材料等具有高於樹脂材料之導熱性者即可。具體而言，於填料包含金屬之情形時，例如可使用包含鋁者。又，於填料包含陶瓷材料之情形時，可使用氧化鋁、碳化矽、氮化鋁或氮化矽。

電漿蝕刻裝置100係於底板4及腔室內具備對向之高頻施加用電極(未圖示)。對該對向之高頻施加用電極施加例如13.56MHz等之高頻而產生電漿。高頻會通過樹脂層6、絕緣層5、發熱電阻體2及基體1。此處，於基體1之下表面，存在設置有發熱電阻體2之部分與未設置發熱電阻體2之部分。此時，於在基體1中僅發熱電阻體2之正上方存在玻璃成分之情形時，因基體1之下表面附近之介電常數之差而使電漿密度變不均勻，從而試料上產生蝕刻速率差。因此，作為對策而有效的是：使包含玻璃成分之區域於基體1之下表面之面方向擴展，並且鄰接設置有發熱電阻體2之複數個區域中自鄰接之區域擴散之玻璃成分互相連接。藉此，可減小基體1之下表面附近之介電常數之 差，故而可使電漿密度均勻。其結果為，可抑制蝕刻速率之不均。

關於鄰接設置有發熱電阻體2之複數個區域，鄰接之區域之間隔係設定為例如0.5~10mm即可，為使電漿密度更均勻較佳係設定為0.5~2mm。發熱電阻體2之寬度係設定為0.5~10mm即可，為使電漿密度更均勻較佳係設定為0.5~2mm。

以下，對圖1所示之試料保持具10之製造方法之一例進行說明。再者，以基體1使用氧化鋁陶瓷之情形為例進行說明，但即便為氮化鋁陶瓷等其他陶瓷材料之情形亦可利用同樣之手法製造。

首先，將成為主原料之0.1~2μm粒徑之氧化鋁粉末與微量之燒結助劑稱量特定量，於球磨機中與離子交換水或有機溶劑及高純度氧化鋁製球一起進行24~72小時之濕式粉碎混合。

於經如此粉碎混合而成之原料漿料中，添加特定量之聚乙烯醇、聚乙烯丁醛或丙烯酸系樹脂等有機黏合劑及作為輔助性之有機材料之塑化劑以及消泡劑，進而混合24~48小時。藉由使用刮刀法、研光輥法、加壓成形法或擠出成形法等，使經混合之有機-無機混合漿料成形為厚度20μm~20mm之陶瓷生片。

然後，利用公知之絲網印刷法等，對形成基體1之陶瓷生片印刷用以形成吸附電極3之鉑或鎢等糊狀電極材料。

此處，以於基體1中之特定之位置形成吸附電極3之方式，將未印刷糊狀電極材料之陶瓷生片與印刷有糊狀電極材料之電極形成生片予以積層。積層係一面施加陶瓷生片之降伏應力值以上之壓力一面以特定溫度進行積層。作為施加壓力之方法，可使用單軸加壓法或等向性加壓法等公知之技術。藉由將所獲得之積層體於特定之溫度及特定之環境中進行焙燒，而可製作埋設有吸附電極3之基體1。

其次，使用切削機、旋轉加工機或圓筒研磨盤，將基體1加工成特定之形狀、厚度。

其次，於利用噴砂使該基體1之下表面為粗糙面後，塗佈添加有銀鈀等金屬成分、及包含矽、鉍、鈣、鋁及硼等材料之氧化物之玻璃成分而成之糊，其後，以約800℃之溫度加以焙燒，藉此形成發熱電阻體2。進而，藉由利用雷射等加工對發熱電阻體2進行修整，而將發熱電阻體2之電阻值調整為所需之電阻值。以如上之方式，可製造試料保持具10。

[實施例]

製作作為本發明之實施例之試料No.1~5及比較例之試料。於本實施例及比較例中，使用氧化鋁陶瓷作為基體1。

首先，將成為主原料之粒徑為0.1~2μm之氧化鋁粉末與微量之燒結助劑稱量特定量，於球磨機中與離子交換水、有機溶劑或有機分散劑及高純度氧化鋁製球一起進行48小時之濕式粉碎混合。於經如此粉碎混合而成之原料漿料中，添加特定量之聚乙烯醇、聚乙烯丁醛、丙烯酸系樹脂等有機黏合劑、作為輔助性之有機材料之塑化劑及消泡劑，進而進行3小時之混合。利用刮刀法使混合而成之有機-無機混合漿料成形為100μm之陶瓷生片。

然後，利用絲網印刷，於形成基體1之陶瓷生片形成用以形成吸附電極3之鎢之糊狀電極材料。此處，以於基體1中之特定之位置形成吸附電極3之方式，將未印刷糊狀電極材料之陶瓷生片與印刷有糊狀電極材料之電極形成生片積層，利用單軸加壓進行加壓而成形積層體。其次，將所獲得之積層體於1570℃之溫度且氫氣之還原環境中進行焙燒。使用切削機、旋轉加工機或圓筒研磨盤使基體1為特定之形狀，加工成吸附電極3至試料保持面11之厚度為0.3mm、基體1之整體之厚度為2mm。

[表1]

然後，以如表1所示之條件形成發熱電阻體2。具體而言，首先，將基體1之下表面加工成變為如表1所示之算術平均粗糙度Ra。其後，將成為發熱電阻體2之糊印刷成變為表1所示之間隔及寬度。此處，關於試料No.1~5，作為成為發熱電阻體2之糊，使用有包含銀鈀作為主成分、包含矽、硼及鉍之各氧化物作為玻璃成分之糊。又，關於比較例之試料，作為成為發熱電阻體2之糊，使用有包含鎢作為主成分之糊。然後，以如表1所示之條件焙燒發熱電阻體2。藉由該焙燒，而形成發熱電阻體2，並且關於試料No.1~5，使玻璃成分向發熱電阻體2之附近區域擴散。

再者，基體1之下表面之算術平均粗糙度Ra之調整係以如下方法進行。具體而言，於如試料No.1、2般使Ra為0.05μm之情形時，藉由使用錫製之研磨盤及摻有平均粒徑為1μm之金剛石之研磨液而實施研磨加工。於如試料No.3般使Ra為0.4μm之情形時，藉由使用鑄鐵製之研磨盤及摻有平均粒徑為15μm之金剛石之研磨液而實施研磨加工。又，於如試料No.4、5般使Ra為2.2μm之情形時，藉由使用研磨粒而實施噴擊加工。

此處，為使玻璃成分自發熱電阻體2向基體1擴散，以下方面較為重要。具體而言，先前係通常於焙燒銀鈀時以700~750℃左右進行加熱，但於作為本發明之實施例之試料No.1~5中，以780~850℃進行加熱。藉此，可使發熱電阻體2之玻璃成分向基體1良好地擴散。

進而，為對發熱電阻體2及發熱電阻體2之附近區域集中地進行加熱，而使用以下方法。具體而言，以與基體1之下表面對向之方式，又，以未與發熱電阻體2接觸之方式配置陶瓷板。藉此，可使自發熱電阻體2附近向外部放射之熱難以向外部散逸。藉此，可更有效地加熱發熱電阻體2，故而可使發熱電阻體2之玻璃成分向基體1更良好地擴散。

發熱電阻體2之寬度係設定為1.5mm，鄰接設置有發熱電阻體2之複數個區域中鄰接區域之間隔係設定為3mm。然後，藉由調整基體1之下表面之算術平均粗糙度Ra，而如表1之No.1~4所示，製作使包含玻璃成分之區域於相對於基體1之下表面垂直之方向及相對於基體1之下表面水平之方向產生變化的試料保持具10之試料。

再者，作為比較例製作而成之試料係藉由使用鎢糊並以1500℃進行焙燒，而形成發熱電阻體。

其次，對已製作之試料保持具10之試料進行耐久試驗。此處，於將試料保持具10之下表面冷卻至25℃之狀態下，對發熱電阻體2施加200V之電壓。具體而言，於試料保持具10之溫度到達120℃之前施加電壓，於變為120℃之時間點停止電壓之施加，進行冷卻至試料保持具10變為50℃為止，再次施加200V之電壓而使試料保持具10為120℃，將此設為1個循環，進行重複10000次該循環之耐久試驗。然後，將發熱電阻體破損之循環數設為耐久試驗結果。

如將其結果示於表1般，關於比較例之試料係於500個循環下發熱電阻體破損，但關於作為本發明之實施例之試料No.1~5，關於試料No.1係於1500個循環下發熱電阻體破損、關於試料No.2係於2200個循環下發熱電阻體破損、關於試料No.3係於3000個循環下發熱電阻體破損、關於試料No.4係於5000個循環下發熱電阻體破損，關於試料No.5係10000個循環後發熱電阻體亦未破損。可認為該等結果之原因 在於：藉由玻璃擴散區域12存在於發熱電阻體2之周邊而提高基體1與發熱電阻體2之密接性，藉此，難以產生發熱電阻體2之剝落。

進而，於進行上述耐久試驗後切斷基體1，利用EPMA(Electron Probe Micro Analyzer，電子探針微量分析儀)之面分析確認玻璃擴散區域12。其結果可知如表1所示般存在玻璃擴散區域12。此處，所謂表1中之「厚度方向之擴展」，意指自基體1之下表面起相對於基體1之下表面垂直之方向之玻璃擴散區域12之擴展。又，所謂「面方向之擴展」，意指自基體1之下表面中接觸發熱電阻體2之部分之端部觀察，相對於基體1之下表面水平之方向之玻璃擴散區域12之擴展。根據表1所示之結果可知，算術平均粗糙度Ra越大之試料，玻璃擴散區域12之面方向之擴展越大。而且，可知玻璃擴散區域12之面方向之擴展越大，越提高試料保持具10之耐久性。可認為其原因在於：藉由玻璃擴散區域12於面方向上擴展，而提高基體1中之水平方向之均熱性。

進而，關於試料No.5，根據EPMA之面分析之結果而可確認，自鄰接設置之發熱電阻體2擴散之玻璃擴散區域12互相連接。藉由鄰接之玻璃擴散區域12互相連接，而難以求出各玻璃擴散區域12之面方向之擴展之正確大小，故而於表1中，將該試料No.5之面方向之擴展以發熱電阻體2之間隔之一半之值即0.75mm為基準而記載為0.75(mm)以上。上述耐久試驗之結果為，與試料No.1~4相比而試料No.5之耐久性特別優異，可認為其原因在於：因玻璃擴散區域12互相連接而引起水平方向之導熱提高，藉此提高基體1中之均熱性，藉此可降低局部產生熱應力之情況。

1‧‧‧基體

2‧‧‧發熱電阻體

5‧‧‧絕緣層

12‧‧‧玻璃擴散區域

30‧‧‧端部

100‧‧‧電漿蝕刻裝置

120‧‧‧交界

A‧‧‧試料保持具之區域

Claims (9)

1. 一種試料保持具，其具備：基體，其包含陶瓷且於一主面具有試料保持面；發熱電阻體，其設置於該基體之另一主面且包含玻璃成分；且上述基體係於上述發熱電阻體之附近區域包含上述玻璃成分。
2. 如請求項1之試料保持具，其中上述基體之上述附近區域所包含之上述玻璃成分係自上述發熱電阻體擴散至上述基體之上述附近區域者。
3. 如請求項1之試料保持具，其中自上述基體之上述另一主面中接觸上述發熱電阻體之部分觀察，上述附近區域所包含之上述玻璃成分係於相對於上述基體之上述另一主面水平之方向擴展。
4. 如請求項3之試料保持具，其中自上述基體之上述另一主面中接觸上述發熱電阻體之部分觀察，上述玻璃成分係較相對於上述基體之上述另一主面垂直之方向更於相對於上述基體之上述另一主面水平之方向擴展。
5. 如請求項2之試料保持具，其中於上述發熱電阻體存在有鄰接設置之複數個區域，並且自上述複數個區域擴散之上述玻璃成分互相連接。
6. 如請求項1之試料保持具，其中上述發熱電阻體係設置於上述基體之上述另一主面之周緣部。
7. 如請求項1之試料保持具，其中上述發熱電阻體包含導體成分，並且上述基體之上述附近區域包含上述玻璃成分及上述導體成分。
8. 如請求項7之試料保持具，其中上述基體之上述附近區域所包含之上述導體成分相對於上述玻璃成分之比率隨著自上述發熱電 阻體遠離而變小。
9. 一種電漿蝕刻裝置，其包含：真空腔室；底板，其具有配置於該真空腔室內之高頻施加用電極；及如請求項1至8中任一項之試料保持具，其搭載於該底板。