KR101744034B1 - 시료 유지구 및 이것을 사용한 플라즈마 에칭 장치 - Google Patents

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Abstract

시료 유지구는 세라믹스로 이루어지고 일방의 주면에 시료 유지면을 갖는 기체와, 상기 기체의 타방의 주면에 설치된 유리 성분을 포함하는 발열 저항체를 구비하고 있고, 상기 기체는 상기 발열 저항체의 근방 영역에 상기 유리 성분을 포함하고 있다.

Description

시료 유지구 및 이것을 사용한 플라즈마 에칭 장치{SAMPLE HOLDER AND PLASMA ETCHING APPARATUS USING SAME}
본 발명은 시료 유지구 및 이것을 사용한 플라즈마 에칭 장치에 관한 것이다.
반도체 집적회로의 제조 공정 또는 액정 표시 장치의 제조 공정 등에 있어서, 반도체 웨이퍼 등의 각 시료를 유지하기 위한 부품으로서 시료 유지구가 알려져 있다. 시료 유지구로서는, 예를 들면 일본 특허공개 2005-286106호 공보(이하, 특허문헌 1이라고 함)에 기재된 히터 기판을 들 수 있다. 특허문헌 1에 기재된 히터 기판은 세라믹 기체와, 세라믹 기체의 이면에 형성된 발열체 회로를 구비하고 있다. 히터 기판은 세라믹 기체의 주면에 피가열물을 탑재해서 사용된다.
그러나, 특허문헌 1에 기재된 히터 기판은 히트 사이클 하에 두어서 세라믹 기체와 발열체 회로 사이에 열응력이 생기는 경우가 있었다. 이것에 의해, 발열체 회로가 세라믹 기체로부터 박리되어 버릴 가능성이 있었다. 그 결과, 히터 기판의 장기 신뢰성을 향상시키는 것이 곤란했다.
본 발명의 일 형태의 시료 유지구는 세라믹스로 이루어지고 일방의 주면에 시료 유지면을 갖는 기체와, 상기 기체의 타방의 주면에 설치된 유리 성분을 포함하는 발열 저항체를 구비하고 있고, 상기 기체는 상기 발열 저항체의 근방 영역에 상기 유리 성분을 포함하고 있는 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태의 시료 유지구 및 이것을 사용한 플라즈마 에칭 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 시료 유지구의 영역 A를 확대한 부분 확대 단면도이다.
도 3은 본 발명의 시료 유지구의 변형예를 나타내는 부분 확대 단면도이다.
이하, 본 발명의 일 실시형태에 관한 시료 유지구(10) 및 이것을 사용한 플라즈마 에칭 장치(100)에 대해서 도면을 참조해서 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태의 시료 유지구(10) 및 이것을 사용한 플라즈마 에칭 장치(100)를 나타내는 단면도이다. 도 1에 나타나 있는 바와 같이, 본 발명의 일 실시형태의 시료 유지구(10)는 일방의 주면에 시료 유지면(11)을 갖는 기체(1)와, 기체(1)의 타방의 주면에 설치된 발열 저항체(2)와, 기체(1)의 내부에 설치된 흡착 전극(3)을 구비하고 있다. 본 실시형태에 있어서는 「일방의 주면」이 기체(1)에 있어서의 상면이고, 「타방의 주면」이 기체(1)에 있어서의 하면에 대응하고 있다. 그 때문에, 이하에서는 설명의 형편상, 상면 및 하면의 문언을 사용하여 설명한다. 또한, 「일방의 주면」은 상면에 한정되는 것은 아니고, 기체(1)의 방향에 따라 하면 또는 측면 등, 상면 이외의 면이어도 하등 문제없다. 또한, 「타방의 주면」도 하면에 한정되는 것은 아니고, 마찬가지로 기체(1)의 방향에 따라 상면 또는 측면 등, 하면 이외의 면이어도 하등 문제없다.
기체(1)는 상면에 시료 유지면(11)을 갖는 판상의 부재이다. 기체(1)는 상면의 시료 유지면(11)에 있어서, 예를 들면 실리콘 웨이퍼 등의 시료를 유지한다. 시료 유지구(10)는 평면에서 보았을 때의 형상이 원형상의 부재이다. 기체(1)는, 예를 들면 알루미나, 질화 알루미늄, 질화 규소 또는 이트리아 등의 세라믹 재료로 이루어진다. 기체(1)의 하면에는 발열 저항체(2)가 설치되어 있다. 기체(1)의 치수는, 예를 들면 지름을 200∼500mm, 두께를 2∼15mm로 설정할 수 있다.
기체(1)를 사용해서 시료를 유지하는 방법으로서는 여러 가지 방법을 사용할 수 있지만, 본 실시형태의 시료 유지구(10)는 정전기력에 의해 시료를 유지한다. 그 때문에, 시료 유지구(10)는 기체(1)의 내부에 흡착 전극(3)을 구비하고 있다. 흡착 전극(3)은 2개의 전극으로 구성된다. 2개의 전극은 일방이 전원인 정극에 접속되고, 타방이 부극에 접속된다. 2개의 전극은 각각 대략 반원판상으로 형성되고, 반원의 현끼리가 대향하도록 기체(1)의 내부에 배치된다. 그들 2개의 전극이 합쳐져서 흡착 전극(3) 전체의 외형이 원형상으로 되어 있다. 이 흡착 전극(3) 전체에 의한 원형상의 외형의 중심은 마찬가지로 원형상의 기체(1) 외형의 중심과 동일하게 설정된다. 흡착 전극(3)은, 예를 들면 텅스텐 또는 몰리브덴 등의 금속 재료로 이루어진다.
발열 저항체(2)는 기체(1)의 상면의 시료 유지면(11)에 유지된 시료를 가열하기 위한 부재이다. 발열 저항체(2)는 기체(1)의 하면에 설치되어 있다. 발열 저항체(2)에 전압을 인가함으로써, 발열 저항체(2)를 발열시킬 수 있다. 발열 저항체(2)에서 발생한 열은 기체(1)의 내부를 통해서 기체(1)의 상면에 있어서의 시료 유지면(11)에 도달한다. 이것에 의해, 시료 유지면(11)에 유지된 시료를 가열할 수 있다. 발열 저항체(2)는 복수의 만곡부를 갖는 선상의 패턴으로서, 기체(1)의 하면의 거의 전면에 형성되어 있다. 이것에 의해, 시료 유지구(10)의 상면에 있어서 열 분포에 불균일이 생기는 것을 억제할 수 있다.
발열 저항체(2)는 도체 성분 및 유리 성분을 포함하고 있다. 도체 성분으로서는, 예를 들면 은 팔라듐, 백금, 알루미늄 또는 금 등의 금속 재료를 포함하고 있다. 유리 성분이 발포해버리는 것을 억제하기 위해서, 금속 재료로서는 대기 중에서 소결가능한 금속을 선택하는 것이 바람직하다. 또한, 유리 성분으로서는 규소, 알루미늄, 비스무트, 칼슘, 붕소 및 아연 등의 재료의 산화물을 포함하고 있다.
시료 유지구(10)의 온도 제어에는 이하의 방법을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 기체(1)에 열전대를 접촉시켜서 기전력을 측정함으로써 발열 저항체(2)의 온도를 측정할 수 있다. 또한, 기체(1)에 측온 저항체를 접촉시켜서 저항을 측정함으로써도 발열 저항체(2)의 온도를 측정할 수 있다. 이상과 같이 해서 측정한 발열 저항체(2)의 온도에 의거하여 발열 저항체(2)에 인가하는 전압을 조정함으로써, 시료 유지구(10)의 온도가 일정해지도록 발열 저항체(2)의 발열을 제어할 수 있다.
상술한 바와 같이, 발열 저항체(2)는 원료로서 유리 성분을 포함하고 있다. 발열 저항체(2)는 유리 성분을 포함하고 있음으로써, 소결에 필요한 온도가 낮아져 있다. 또한, 발열 저항체(2)는 유리 성분을 가짐으로써, 기체(1)와의 밀착성이 향상되어 있다.
여기에서, 발열 저항체(2)는 소결 후의 기체(1)에 베이킹하여 형성된다. 이 때, 발열 저항체(2)에 포함되는 유리 성분이 확대되어 기체(1)의 표면 요철에 들어간다. 그 결과, 발열 저항체(2)와 기체(1) 사이에 앵커 효과가 생김으로써 발열 저항체(2)를 기체(1)에 견고하게 고정할 수 있다. 또한, 기체(1)의 표면으로 확대된 유리 성분은 기체(1)의 세라믹스와 반응해서 기체(1) 중으로 확산한다. 그 때문에, 도 2에 도 1에 나타낸 시료 유지구의 영역 A를 확대한 부분 확대 단면도에서 나타낸 바와 같이, 기체(1) 중 발열 저항체(2)의 근방 영역이 유리 성분을 포함하게 된다. 이하, 기체(1) 중 발열 저항체(2) 근방의 유리 성분을 포함하는 영역을 유리 확산 영역(12)이라고 한다. 이렇게, 기체(1) 중 발열 저항체(2)의 근방 영역(유리 확산 영역(12)) 및 발열 저항체(2)가 각각 유리 성분을 포함함으로써, 발열 저항체(2)의 유리 성분과 유리 확산 영역(12)의 유리 성분의 밀착성이 향상된다. 그 결과, 기체(1)와 발열 저항체(2)의 열팽창차에 의해서 발열 저항체(2)에 열응력이 생겼다고 해도 발열 저항체(2)가 기체(1)로부터 박리되어 버릴 가능성을 억제할 수 있다. 유리 성분은 발열 저항체(2)에, 예를 들면 5∼30vol% 포함되어 있다.
기체(1)를 체적 고유저항이 상온에서 1016Ωcm 이상인 고절연체로 한 경우에는, 발열 저항체(2) 주변의 유리 확산 영역(12)의 체적 고유저항을 유리가 포함되어 있지 않은 영역과 비교해서 낮게 할 수 있다. 1016Ωcm 이상의 고절연체로서는 알루미나, 질화 알루미늄, 질화 규소 또는 이트리아 등의 고절연 세라믹 재료를 들 수 있다.
시료인 웨이퍼의 흡착은 흡착 전극(3)에 고전압을 인가함으로써 행한다. 그리고, 웨이퍼의 이탈은 흡착 전극(3)을 어스그라운딩(접지)함으로써 행한다. 이 때, 전압을 ON-OFF할 때에 전계 변동이 발생한다. 여기에서, 발열 저항체(2) 주변에 유리 성분을 설치함으로써, 발열 저항체(2) 주변의 저항이 저하하게 된다. 그 결과, 전계 변동이 발생했을 때에, 발열 저항체(2) 주변에 있어서는 전계가 걸리기 어려워진다. 즉, 전계 실드 효과가 발생한다. 이것에 의해, 발열 저항체(2)의 전압에 노이즈가 들어가는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 발열 저항체(2)의 온도 제어를 안정화할 수 있다.
또한, 기체(1) 하면의 발열 저항체(2)의 근방 영역에 있어서의 유리 성분이 발열 저항체(2)로부터 기체(1)의 유리 확산 영역(12)으로 확산함으로써, 기체(1)의 유리 성분과 발열 저항체(2)의 유리 성분을 연결된 것으로 할 수 있다. 그 결과, 기체(1)와 발열 저항체(2) 사이에 박리가 발생해 버릴 가능성을 더욱 억제할 수 있다.
또한, 도 2에 나타나 있는 바와 같이, 유리 확산 영역(12)이 포함되어 있는 유리 성분은 기체(1)의 하면 중 발열 저항체(2)가 접하여 있는 부분으로부터 보아서, 기체(1)의 하면에 대해서 수평한 방향으로 확대되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 기체(1) 중 유리 성분을 포함하고 있는 부분과 포함하고 있지 않은 부분의 경계(120)의 수평 방향에 있어서의 위치와, 발열 저항체(2)의 단부(30)의 수평 방향에 있어서의 위치를 다르게 할 수 있다. 히트 사이클 하에 두어서는, 상기 경계(120)와 단부(30)에 열응력이 집중하기 쉬운 경향이 있지만, 이들 위치를 다르게 함으로써 1개소에 큰 열응력이 가해지는 것을 방지할 수 있다. 이것에 의해, 발열 저항체(2)에 박리가 발생할 가능성을 억제할 수 있다.
또한, 기체(1)의 유리 성분이 기체(1)의 하면에 대해서 수직한 방향에 비해서 수평한 방향에 있어서 보다 확대되어 있는 것이 바람직하다. 즉, 유리 확산 영역(12)이 기체(1)의 하면 중 발열 저항체(2)가 접하여 있는 부분의 단부로부터 보아서, 기체(1)의 하면에 대해서 수직한 방향보다 수평한 방향으로 보다 크게 확대되어 있는 것이 바람직하다. 유리 확산 영역(12)은 기체(1) 중의 세라믹스의 극간을 메우도록 유리가 확대되어 있기 때문에, 기체(1) 중의 유리 확산 영역(12) 이외의 영역과 비교하여 열전도가 양호해진다. 이 열전도가 양호한 영역을 수평 방향으로 크게 형성함으로써, 기체(1)에 있어서의 수평 방향의 균열성을 향상시킬 수 있다. 더욱 구체적으로는, 유리 확산 영역(12)이 수직한 방향에 비해서 수평한 방향으로 2∼5배 정도 확대되어 있는 것이 바람직하다.
이 경우에는, 기체(1)에 사용하는 세라믹 재료로 입경이 작은 것을 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는 2∼10㎛의 입경의 세라믹 재료를 사용하는 것이 바람직하고, 소결 밀도가 98% 이상인 치밀성인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 기체(1)의 하면에 대해서 수직한 방향으로 유리가 확산하는 것을 억제할 수 있다. 기체(1)의 하면에 대해서 수평한 방향에 관해서는, 기체(1)의 하면을 샌드 블라스트 등에 의해 조면으로 해서 미세한 크랙을 발생시켜 두는 것이 바람직하다. 이 크랙에 유리 성분을 전달시킴으로써, 기체(1)의 하면에 대해서 수평한 방향에 대해서 유리 성분을 양호하게 확산시킬 수 있다. 더욱 구체적으로는, 기체(1)의 하면을 로터리 가공기 등으로 가공하면, 하면의 산술 평균 거칠기(Ra)는 0.2∼0.7㎛가 된다. 또한, 기체(1)의 하면에 샌드 블라스트 등을 행함으로써, 하면의 산술 평균 거칠기(Ra)를 1∼5㎛로 할 수 있다. 이것에 의해, 유리 확산 영역(12)의 수평 방향의 확대를 수직 방향의 확대보다 2∼5배 정도 크게 할 수 있다.
또한, 기체(1) 하면의 발열 저항체(2)의 근방 영역이 유리 성분과 함께 발열 저항체(2)의 도체 성분을 포함하고 있는 것이 바람직하다. 도체 성분을 포함하고 있음으로써, 발열 저항체(2)의 근방 영역의 열전도율을 향상시킬 수 있으므로, 복수의 발열 저항체(2) 간의 열전달을 향상시킬 수 있다. 그 결과, 기체(1)의 시료 유지면(11)의 균열성을 향상시킬 수 있다. 그것에 의해서, 플라즈마 에칭 장치(100)에 있어서 에칭 레이트를 보다 균일하게 할 수 있다.
또한, 이 도체 성분의 유리 성분에 대한 비율이 발열 저항체(2)로부터 멀어짐에 따라 작아지고 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 기체(1) 중에 있어서의 발열 저항체(2)의 근방 영역과 그 밖의 영역 간의 열팽창계수를 완만하게 변화시킬 수 있다. 그 결과, 발열 저항체(2)의 근방 영역에 있어서 기체(1)에 발생하는 열응력을 저감할 수 있다. 보다 구체적으로는, 발열 저항체(2)의 근방에 있어서는 도체 성분은 유리 성분에 대해서 약 10% 정도 존재하고 있지만, 발열 저항체(2)로부터 0.1mm 정도 떨어진 영역에서는 약 7%로, 0.2mm 정도 떨어진 곳에서는 약 0% 정도가 되도록 하는 것이 바람직하다.
또한, 발열 저항체(2)가 기체(1) 하면에 있어서의 둘레 가장자리부에 설치되어 있는 것이 바람직하다. 히트 사이클 하에 두어서 기체(1)가 휘도록 열팽창 또는 열수축했을 경우에는 둘레 가장자리부에 있어서 열응력이 특히 커진다. 이 둘레 가장자리부에 있어서, 발열 저항체(2)를 설치함과 아울러, 이 발열 저항체(2)의 근방 영역의 기체(1)에 유리 성분을 포함시켜 둠으로써, 시료 유지구(10)의 기체(1)에 크랙이 생길 가능성을 억제할 수 있다.
또한, 도 3에 나타나 있는 바와 같이, 발열 저항체(2)가 이웃하여 설치된 복수 영역을 가짐과 아울러, 이 복수 영역으로부터 확산한 유리 성분이 서로 연결되어 있는 것이 바람직하다. 즉, 발열 저항체(2)가 이웃하여 설치된 영역이 복수 있고, 이들 복수 영역에 걸쳐서 유리 확산 영역(12)이 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이웃하는 영역 간의 영역, 즉 이웃하여 설치된 영역끼리의 사이에서 이웃하는 발열 저항체(2) 간의 영역에도 유리 성분이 확대되어 있음으로써, 시료 유지구(10)를 플라즈마 중의 프로세스에서 사용할 때에 플라즈마 밀도를 균일하게 할 수 있다. 이하, 이유를 설명한다.
도 1로 되돌아가서, 상술한 시료 유지구(10)를 사용한 플라즈마 에칭 장치(100)의 일부를 설명한다. 플라즈마 에칭 장치(100)는 진공 챔버(도시하지 않음)와, 진공 챔버 내에 배치된 고주파 인가용 전극(도시하지 않음)을 갖는 베이스 플레이트(4)와, 베이스 플레이트(4)에 탑재된 시료 유지구(10)를 구비하고 있다.
베이스 플레이트(4)는 내부에 냉각 매체용 유로(도시하지 않음) 및 시료 유지구(10)의 상면에 헬륨이나 아르곤 등의 전열 가스를 흘리는 전열 가스용 유로 (도시하지 않음)를 내장한 판상 부재이다. 베이스 플레이트(4)로서는, 예를 들면 알루미늄 또는 티타늄 등의 금속 재료, 탄화 규소 등의 세라믹 재료 또는 탄화 규소와 알루미늄의 복합재 등을 사용할 수 있다.
시료 유지구(10)의 하면의 발열 저항체(2)는 절연층(5)에 의해 피복되어 있다. 절연층(5)으로서는 세라믹 필러 함유 접착재 또는 세라믹 재료 등이 사용된다. 이 절연층(5)은 수지층(6)에 의해 베이스 플레이트(4)의 상면에 접착되어 있다.
수지층(6)으로서는 접착성 수지를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 실리콘 수지, 에폭시 수지 또는 아크릴 수지 등을 사용할 수 있다. 또한, 수지층(6)은 필러를 함유하고 있어도 상관없다. 필러를 함유함으로써, 수지층(6)의 열전도성을 향상시킬 수 있다. 필러로서는 세라믹 재료 또는 금속 재료 등의 수지 재료보다 높은 열전도성을 갖고 있는 것이면 좋다. 구체적으로는, 필러가 금속으로 이루어질 경우에는, 예를 들면 알루미늄으로 이루어지는 것을 사용할 수 있다. 또한, 필러가 세라믹 재료로 이루어질 경우에는 알루미나, 탄화 규소, 질화 알루미늄 또는 질화 규소를 사용할 수 있다.
플라즈마 에칭 장치(100)는 베이스 플레이트(4) 및 챔버 내에 대향하는 고주파 인가용 전극(도시하지 않음)을 구비하고 있다. 이 대향하는 고주파 인가용 전극에, 예를 들면 13.56MHz 등의 고주파를 인가해서 플라즈마를 발생시킨다. 고주파는 수지층(6), 절연층(5), 발열 저항체(2) 및 기체(1)를 통과하게 된다. 여기에서, 기체(1)의 하면에는 발열 저항체(2)가 설치되어 있는 부분과 발열 저항체(2)가 설치되어 있지 않은 부분이 존재한다. 이때, 기체(1) 중 발열 저항체(2)의 바로 위에만 유리 성분이 있을 경우에는 기체(1)의 하면 근방에 있어서의 유전율의 차에 의해 플라즈마 밀도가 불균일해져서, 시료 상의 에칭 레이트에 차가 생겨버린다. 그 때문에, 유리 성분을 포함하는 영역을 기체(1)의 하면의 면 방향으로 확대함과 아울러, 발열 저항체(2)가 이웃하여 설치된 복수 영역 중 이웃하는 영역으로부터 확산된 유리 성분이 서로 연결되어 있는 것이 대책으로서 효과적이다. 이것에 의해, 기체(1)의 하면 근방에 있어서의 유전율의 차를 작게 할 수 있기 때문에, 플라즈마 밀도를 균일하게 할 수 있다. 그 결과, 에칭 레이트의 불균일을 억제할 수 있다.
발열 저항체(2)가 이웃하여 설치된 복수 영역에 대해서 이웃하는 영역의 간격은, 예를 들면 0.5∼10mm로 설정하면 좋고, 플라즈마 밀도를 보다 균일하게 하기 위해서는 0.5∼2mm로 설정하는 것이 바람직하다. 발열 저항체(2)의 폭은 0.5∼10mm로 설정하면 좋고, 플라즈마 밀도를 보다 균일하게 하기 위해서는 0.5∼2mm로 설정하는 것이 바람직하다.
이하에서는, 도 1에 나타낸 시료 유지구(10)의 제조 방법의 일례에 대해서 설명한다. 또한, 기체(1)에 알루미나 세라믹스를 사용했을 경우를 예로 들어 설명 하지만, 질화 알루미늄 세라믹스 등의 다른 세라믹 재료의 경우에 있어서도 같은 방법으로 제조할 수 있다.
우선, 주원료가 되는 0.1∼2㎛의 입경의 알루미나 분말과 미량의 소결 조제를 소정량 칭량하고, 볼밀 중에서 이온 교환수 또는 유기 용매 및 고순도 알루미나제 볼과 함께 24∼72시간의 습식 분쇄 혼합을 행한다.
이렇게 해서 분쇄 혼합한 원료 슬러리 중에 폴리비닐알콜, 폴리비닐부티랄 또는 아크릴 수지 등의 유기 바인더 및 보조적인 유기 재료로서 가소제 및 소포제를 소정량 첨가하고, 24∼48시간 더 혼합한다. 혼합한 유기-무기 혼합 슬러리를 닥터 블레이드법, 캘린더 롤법, 프레스 성형법 또는 압출 성형법 등을 사용함으로써, 두께 20㎛∼20mm의 세라믹 그린시트로 성형한다.
그리고, 기체(1)를 형성하는 세라믹 그린시트에 흡착 전극(3)을 형성하기 위한 백금 또는 텅스텐 등의 페이스트상 전극 재료를 공지의 스크린인쇄법 등에 의해 인쇄한다.
여기에서, 기체(1)에 있어서의 소정의 위치에 흡착 전극(3)이 형성되도록 페이스트상 전극 재료가 인쇄되어 있지 않은 세라믹 그린시트와 페이스트상 전극 재료가 인쇄된 전극 형성 그린시트를 적층한다. 적층은 세라믹 그린시트의 항복 응력값 이상의 압력을 인가하면서 소정의 온도에서 적층한다. 압력을 인가하는 방법으로서는 1축 프레스법 또는 등방 가압법 등의 공지의 기술을 사용할 수 있다. 얻어진 적층체를 소정의 온도 및 소정의 분위기 중에서 소성함으로써, 흡착 전극(3)이 매설된 기체(1)를 제작할 수 있다.
다음에, 기체(1)를 머시닝센터, 로터리 가공기 또는 원통 연삭반을 이용하여 소정의 형상, 두께로 가공한다.
다음에, 그 기체(1)의 하면을 샌드 블라스트에 의해 조면으로 한 후에, 은 팔라듐 등의 금속 성분과, 규소, 비스무트, 칼슘, 알루미늄 및 붕소 등의 재료의 산화물로 이루어지는 유리 성분을 첨가한 페이스트를 도포한 후에, 약 800℃의 온도에서 소성함으로써 발열 저항체(2)를 형성한다. 또한, 발열 저항체(2)를 레이저 등의 가공에 의해 트리밍함으로써, 발열 저항체(2)의 저항치를 소망의 저항치로 조정한다. 이상과 같이 하여, 시료 유지구(10)를 제조할 수 있다.
실시예
본 발명의 실시예인 시료 No. 1∼5 및 비교예의 시료를 제작했다. 본 실시예 및 비교예에서는 기체(1)로서 알루미나 세라믹스를 사용했다.
우선, 주원료가 되는 입경이 0.1∼2㎛인 알루미나 분말과 미량의 소결 조제를 소정량 칭량하고, 볼밀 중에서 이온 교환수, 유기 용매 또는 유기 분산제 및 고순도 알루미나제 볼과 함께 48시간 습식 분쇄 혼합을 행했다. 이렇게 해서 분쇄 혼합한 원료 슬러리 중에 폴리비닐알콜, 폴리비닐부티랄, 아크릴 수지 등의 유기 바인더, 보조적인 유기 재료로서 가소제 및 소포제를 소정량 첨가하고, 3시간의 혼합을 더 행했다. 혼합된 유기-무기 혼합 슬러리를 닥터 블레이드법에 의해 100㎛의 세라믹 그린시트로 성형했다.
그리고, 기체(1)를 형성하는 세라믹 그린시트에 흡착 전극(3)을 형성하기 위한 텅스텐의 페이스트상 전극 재료를 스크린 인쇄에 의해 형성했다. 여기에서, 기체(1)에 있어서의 소정의 위치에 흡착 전극(3)이 형성되도록 페이스트상 전극 재료가 인쇄되어 있지 않은 세라믹 그린시트와 페이스트상 전극 재료가 인쇄된 전극 형성 그린시트를 적층하고, 1축 프레스로 가압해서 적층체를 성형했다. 다음에, 얻어진 적층체를 1570℃의 온도에서 수소 가스의 환원 분위기 중에서 소성했다. 기체(1)를 머시닝센터, 로터리 가공기 또는 원통 연삭반을 이용하여 소정의 형상으로 하고, 흡착 전극(3)으로부터 시료 유지면(11)까지의 두께가 0.3mm, 기체(1)의 전체 두께가 2mm가 되도록 가공했다.
Figure 112015073149206-pct00001
그리고, 표 1에 나타나 있는 바와 같은 조건에서 발열 저항체(2)를 형성했다. 구체적으로는, 우선 기체(1)의 하면을 표 1에 나타나 있는 바와 같은 산술 평균 거칠기(Ra)가 되도록 가공했다. 그 후, 발열 저항체(2)가 되는 페이스트를 표 1에 나타내는 간격 및 폭이 되도록 인쇄했다. 여기에서, 시료 No. 1∼5에 관해서는 발열 저항체(2)가 되는 페이스트로서 은 팔라듐을 주성분으로서 포함하고, 유리 성분으로서 규소, 붕소 및 비스무트의 각 산화물을 포함하는 페이스트를 사용했다. 또한, 비교예의 시료에 관해서는 발열 저항체(2)가 되는 페이스트로서 주성분으로서 텅스텐을 포함하는 페이스트를 사용했다. 그리고, 표 1에 나타나 있는 바와 같은 조건에서 발열 저항체(2)를 소성했다. 이 소성에 의해, 발열 저항체(2)를 형성함과 아울러, 시료 No. 1∼5에 관해서는 발열 저항체(2)의 근방 영역에 유리 성분을 확산시켰다.
또한, 기체(1) 하면의 산술 평균 거칠기(Ra)의 조정은 이하의 방법으로 행했다. 구체적으로는, 시료 No. 1, 2와 같이 Ra를 0.05㎛로 할 경우에는 주석제의 랩핑머신 및 평균 입경이 1㎛인 다이아몬드 함유 랩핑액을 사용함으로써 랩핑 가공을 실시했다. 시료 No. 3과 같이 Ra를 0.4㎛로 할 경우에는 주철제의 랩핑머신 및 평균 입경이 15㎛인 다이아몬드 함유 랩핑액을 사용함으로써 랩핑 가공을 실시했다. 또한 시료 No. 4, 5와 같이 Ra를 2.2㎛로 할 경우에는 숫돌가루를 사용함으로써 블라스트 가공을 실시했다.
여기에서, 발열 저항체(2)로부터 기체(1)로 유리 성분을 확산시키기 위해서는 이하의 점이 중요하다. 구체적으로는, 종래에는 은 팔라듐을 소성할 때에는 700∼750℃ 정도에서 가열하는 것이 일반적이었지만, 본 발명의 실시예인 시료 No. 1∼5에 있어서는 780∼850℃에서 가열하고 있다. 이것에 의해, 발열 저항체(2)의 유리 성분을 기체(1)로 양호하게 확산시킬 수 있다.
또한, 발열 저항체(2) 및 발열 저항체(2)의 근방 영역을 집중적으로 가열하기 위해서 이하 방법을 사용했다. 구체적으로는, 기체(1)의 하면에 대향하도록, 또 한 발열 저항체(2)에 접하지 않도록 세라믹판을 배치했다. 이것에 의해, 발열 저항체(2) 부근으로부터 외부로 방사되는 열을 외부로 누출하기 어렵게 할 수 있다. 이것에 의해, 보다 효율적으로 발열 저항체(2)를 가열할 수 있기 때문에, 발열 저항체(2)의 유리 성분을 기체(1)로 보다 양호하게 확산시킬 수 있다.
발열 저항체(2)의 폭은 1.5mm로, 발열 저항체(2)가 이웃하여 설치된 복수 영역 중 이웃하는 영역의 간격은 3mm로 설정했다. 그리고, 기체(1) 하면의 산술 평균 거칠기(Ra)를 조정함으로써, 표 1의 No. 1∼4에 나타나 있는 바와 같이 유리 성분을 포함하는 영역을 기체(1)의 하면에 대해서 수직한 방향과 기체(1)의 하면에 대해서 수평한 방향에서 변화시킨 시료 유지구(10)의 시료를 제작했다.
또한, 비교예로서 제작한 시료는 텅스텐 페이스트를 이용하여 1500℃에서 소성함으로써 발열 저항체를 형성했다.
다음에, 제작한 시료 유지구(10)의 시료에 대해서 내구 시험을 행했다. 여기에서는, 시료 유지구(10)의 하면을 25℃로 냉각한 상태에서, 발열 저항체(2)에 200V의 전압을 인가했다. 구체적으로는, 시료 유지구(10)의 온도가 120℃에 도달할 때까지 전압을 인가하고, 120℃가 된 시점에서 전압의 인가를 정지하고 시료 유지구(10)가 50℃가 될 때까지 냉각을 행하고, 재차 200V의 전압을 인가해서 시료 유지구(10)를 120℃로 하는 것을 1사이클로 하고, 이 사이클을 10000회 반복하는 내구 시험을 행했다. 그리고, 발열 저항체가 파손된 사이클수를 내구 시험 결과로 했다.
그 결과를 표 1에 나타나 있는 바와 같이, 비교예의 시료에 관해서는 500사이클에서 발열 저항체가 파손되어 있었지만, 본 발명의 실시예인 시료 No. 1∼5에 관해서는 시료 No. 1에 관해서는 1500사이클, 시료 No. 2에 관해서는 2200사이클, 시료 No. 3에 관해서는 3000사이클, 시료 No. 4에 관해서는 5000사이클에서 발열 저항체가 파손되고, 시료 No. 5에 관해서는 10000사이클 후에도 발열 저항체가 파손되지 않았다. 이들 결과는 유리 확산 영역(12)이 발열 저항체(2)의 주변에 존재함으로써 기체(1)와 발열 저항체(2)의 밀착성이 향상됨으로써, 발열 저항체(2)의 박리가 발생하기 어려워졌기 때문이라고 생각된다.
또한, 상기 내구 시험을 행한 후에 기체(1)를 절단하고, EPMA의 면 분석에 의해 유리 확산 영역(12)을 확인했다. 그 결과, 표 1에 나타낸 바와 같이 유리 확산 영역(12)이 존재하고 있는 것을 알았다. 여기에서, 표 1에 있어서의 「두께 방향의 확대」란, 기체(1)의 하면으로부터 기체(1)의 하면에 대해서 수직한 방향의 유리 확산 영역(12)의 확대를 의미하고 있다. 또한, 「면 방향의 확대」란, 기체(1)의 하면 중 발열 저항체(2)가 접하고 있는 부분의 단부로부터 보아서, 기체(1)의 하면에 대해서 수평한 방향의 유리 확산 영역(12)의 확대를 의미하고 있다. 표 1에 나타내는 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 산술 평균 거칠기(Ra)가 큰 시료일수록 유리 확산 영역(12)의 면 방향의 확대가 큰 것을 알 수 있다. 그리고, 유리 확산 영역(12)의 면 방향의 확대가 클수록 시료 유지구(10)의 내구성이 향상하고 있는 것을 알 수 있다. 이것은 유리 확산 영역(12)이 면 방향으로 확대됨으로써, 기체(1)에 있어서의 수평 방향의 균열성이 향상되었기 때문이라고 생각된다.
또한, 시료 No. 5에 관해서는 이웃하여 설치된 발열 저항체(2)로부터 확산된 유리 확산 영역(12)이 서로 연결되어 있는 것이 EPMA의 면 분석 결과로부터 확인할 수 있었다. 이웃하는 유리 확산 영역(12)이 서로 연결되어 있음으로써, 각각의 유리 확산 영역(12)의 면 방향의 확대의 정확한 크기를 구하는 것이 곤란했기 때문에, 표 1에 있어서는 이 시료 No. 5의 면 방향의 확대를 발열 저항체(2)의 간격의 절반의 값인 0.75mm를 기준으로 해서 0.75(mm) 이상으로 기재하고 있다. 상기 내구시험의 결과, 시료 No. 1∼4와 비교해서 시료 No. 5의 내구성이 특히 우수한 것은 유리 확산 영역(12)이 서로 연결되어 있는 것에 기인해서 수평 방향의 열전도가 향상됨으로써 기체(1) 중의 균열성이 향상됨으로써 국소적으로 열응력이 생기는 것을 저감할 수 있었기 때문이라고 생각된다.
1: 기체 2: 발열 저항체
3: 흡착 전극 4: 베이스 플레이트
5: 절연층 6: 수지층
10: 시료 유지구 11: 시료 유지면
12: 유리 확산 영역 100: 플라즈마 에칭 장치

Claims (9)

  1. 세라믹스로 이루어지고 일방의 주면에 시료 유지면을 갖는 기체와, 상기 기체의 타방의 주면에 설치된 유리 성분을 포함하는 발열 저항체를 구비하고 있고, 상기 기체는 유리 확산 영역에 상기 유리 성분을 포함하고 있고,
    상기 기체의 상기 유리 확산 영역이 포함하고 있는 상기 유리 성분은 상기 발열 저항체로부터 상기 기체의 상기 유리 확산 영역으로 확산된 것이고,
    상기 발열 저항체는 도체 성분을 포함하고 있음과 아울러, 상기 기체의 상기 유리 확산 영역은 상기 유리 성분과 함께 상기 도체 성분을 포함하고,
    상기 기체의 상기 유리 확산 영역이 포함하고 있는 상기 도체 성분의 상기 유리 성분에 대한 비율은 상기 발열 저항체로부터 멀어짐에 따라 작아지고 있는 시료 유지구.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유리 확산 영역이 포함하고 있는 상기 유리 성분은 상기 기체의 상기 타방의 주면 중 상기 발열 저항체가 접하고 있는 부분으로부터 보아서, 상기 기체의 상기 타방의 주면에 대해서 수평한 방향으로 확대되어 있는 것을 특징으로 하는 시료 유지구.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 유리 성분은 상기 기체의 상기 타방의 주면 중 상기 발열 저항체가 접하고 있는 부분으로부터 보아서, 상기 기체의 상기 타방의 주면에 대해서 수직한 방향보다 상기 기체의 상기 타방의 주면에 대해서 수평한 방향으로 확대되어 있는 것을 특징으로 하는 시료 유지구.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 발열 저항체에 이웃하여 설치된 복수 영역이 존재함과 아울러, 상기 복수 영역으로부터 확산된 상기 유리 성분은 서로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 시료 유지구.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발열 저항체는 상기 기체의 상기 타방의 주면에 있어서의 둘레 가장자리부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 시료 유지구.
  6. 진공 챔버와, 상기 진공 챔버 내에 배치된 고주파 인가용 전극을 갖는 베이스 플레이트와, 상기 베이스 플레이트에 탑재된 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 시료 유지구를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 장치.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6563690B2 (ja) * 2015-05-27 2019-08-21 京セラ株式会社 試料保持具およびこれを用いたプラズマエッチング装置
JP6643353B2 (ja) * 2015-11-12 2020-02-12 京セラ株式会社 ヒータ
CN107534012B (zh) * 2016-03-29 2020-06-09 日本碍子株式会社 静电卡盘加热器
JP6715388B2 (ja) * 2017-03-29 2020-07-01 京セラ株式会社 試料保持具
KR102611059B1 (ko) * 2019-02-21 2023-12-07 교세라 가부시키가이샤 시료 유지구
KR102416660B1 (ko) * 2021-11-30 2022-07-05 주식회사 스탠더드시험연구소 회전 구조를 이용한 사용후핵연료 계측 시스템

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002313890A (ja) * 2001-04-11 2002-10-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 被加熱物搭載用ヒータ部材およびそれを用いた基板処理装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002260832A (ja) * 2001-02-28 2002-09-13 Kyocera Corp セラミックヒーター及びこれを用いたウエハ加熱装置
JP2002313900A (ja) * 2001-04-11 2002-10-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 基板保持構造体および基板処理装置
JP3559549B2 (ja) * 2002-01-29 2004-09-02 京セラ株式会社 ウエハ加熱装置
EP1484787A1 (en) * 2002-03-13 2004-12-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Holder for semiconductor production system
JP3821075B2 (ja) * 2002-09-20 2006-09-13 住友電気工業株式会社 セラミックスヒータ及びその製造方法
WO2004030411A1 (ja) * 2002-09-27 2004-04-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. ウエハー保持体及び半導体製造装置
US7361865B2 (en) * 2003-08-27 2008-04-22 Kyocera Corporation Heater for heating a wafer and method for fabricating the same
JP4479302B2 (ja) 2004-03-30 2010-06-09 住友電気工業株式会社 ヒータユニット及びそれを搭載した装置
JP4548050B2 (ja) 2004-09-03 2010-09-22 株式会社村田製作所 セラミック多層基板
JP4789790B2 (ja) * 2006-12-13 2011-10-12 京セラ株式会社 ウェハ支持部材
JP5108933B2 (ja) * 2008-02-26 2012-12-26 京セラ株式会社 静電チャック
TW201227761A (en) * 2010-12-28 2012-07-01 Du Pont Improved thick film resistive heater compositions comprising ag & ruo2, and methods of making same
JP6441927B2 (ja) * 2013-08-06 2018-12-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 局部的に加熱されるマルチゾーン式の基板支持体

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002313890A (ja) * 2001-04-11 2002-10-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 被加熱物搭載用ヒータ部材およびそれを用いた基板処理装置

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Publication number Publication date
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