JP2007073972A - 半導体製造装置用セラミックスヒーター - Google Patents

Abstract

【課題】 加熱処理時に割れが生じることなく、セラミックスヒーターに載置されたウエハの外周面からの熱輻射を抑え、ウエハ表面の均熱性を高めた半導体製造装置用セラミックスヒーターを提供する。
【解決手段】 セラミックス基板２ａ、２ｂの表面又は内部に抵抗発熱体３を有する半導体製造装置用セラミックスヒーター１であって、ウエハを載置する側の面に、ウエハを収容載置できる凹部からなるウエハポケット５を有する。このウエハポケット５は、その外周内側面と底面とがなす角度が９０°を超え１７０°以下であり、及び／又はその外周内側面と底面とを連接する底部外周縁の曲率が０．１ｍｍ以上である。セラミックスヒーター１は、セラミックス基板２ａ、２ｂの表面又は内部に、更にプラズマ電極が配置されていても良い。
【選択図】 図２

Description

本発明は、半導体製造工程においてウエハに所定の処理を行う半導体製造装置に使用され、ウエハを保持して加熱するセラミックスヒーターに関する。

従来から、半導体製造装置に使用されるセラミックスヒーターに関しては、種々の構造が提案なされている。例えば、特公平６−２８２５８号公報には、抵抗発熱体が埋設され、容器内に設置されたセラミックスヒーターと、このヒーターのウエハ加熱面以外の面に設けられ、反応容器との間で気密性シールを形成する凸状支持部材とを備えた半導体ウエハ加熱装置が提案されている。

また、最近では、製造コスト低減のために、ウエハの外径は８インチから１２インチヘ大ロ径化が進められており、これに伴ってウエハを保持するセラミックスヒーターも直径３００ｍｍ以上になってきている。同時に、セラミックスヒーターで加熱されるウエハ表面の均熱性は±１．０％以下、更に望ましくは±０．５％以下が求められている。
特公平０６−０２８２５８号公報

このような均熱性向上の要求に対して、セラミックスヒーターに設ける抵抗発熱体の回路パターンの改良等などが研究されてきた。しかしながら、ウエハ及びセラミックスヒーターの大口径化に伴い、ウエハ表面の均熱性に対する上記要求の実現は困難になりつつある。

例えば、セラミックスヒーターのウエハを載置する面は単一な平面で形成されており、その平らなウエハ載置面上に半導体ウエハを保持して加熱している。しかし、セラミックスヒーターに載置されたウエハの外周面からも熱輻射があるため、ウエハ外周部はウエハ内部と比較して温度が低くなりやすい。そのため、このウエハ外周面からの熱輻射によってもウエハ表面の均熱性が阻害されやすく、ウエハの大口径化が進むにつれて顕著になっていた。

また、セラミックスヒーターにネジ穴等の加工を施すと、ウエハの加熱処理時に、その部分を起点として割れが発生しやすい。そのため、特にウエハを載置する側の面は、特別な加工を施さず、ウエハとの隙間をなくす点からも単一な平面とされていた。

本発明は、このような従来の事情に鑑み、加熱処理時に割れが発生せず、しかもセラミックスヒーターに載置されたウエハの外周面からの熱輻射を抑え、ウエハ表面の均熱性を高めた半導体製造装置用セラミックスヒーターを提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明は、セラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する半導体製造装置用セラミックスヒーターであって、該セラミックスヒーターのウエハを載置する側の面に、ウエハを収容載置できる凹部を有し、該凹部の外周内側面と底面とがなす角度が９０°を超え１７０°以下であり、及び／又は該凹部の外周内側面と底面とを連接する底部外周縁の曲率が０．１ｍｍ以上であることを特徴とする半導体製造装置用セラミックスヒーターを提供するものである。

上記本発明の半導体製造装置用セラミックスヒーターにおいて、前記セラミックス基板は、窒化アルミニウム、窒化珪素、酸窒化アルミニウム、炭化珪素から選ばれた少なくとも１種からなることが好ましい。

また、上記本発明の半導体製造装置用セラミックスヒーターにおいて、前記抵抗発熱体は、タングステン、モリブデン、白金、パラジウム、銀、ニッケル、クロムから選ばれた少なくとも１種からなることが好ましい。

更に、上記本発明の半導体製造装置用セラミックスヒーターは、前記セラミックス基板の表面又は内部に、更にプラズマ電極が配置されていても良い。

本発明によれば、セラミックスヒーターにウエハを収容載置するウエハポケットを設け、その形状を工夫することによって、加熱処理時にセラミックスヒーターに割れがなく、載置されたウエハの外周面からの熱輻射を抑えることができ、ウエハ載置面の均熱性を高めた半導体製造装置用セラミックスヒーターを提供することができる。

本発明者らは、ウエハ外周面からの熱輻射を抑える手段を検討した結果、半導体製造装置用セラミックスヒーターへのウエハ載置方法に着目し、セラミックスヒーターのウエハを載置する側の面に、ウエハを収容載置できる凹部（以下、ウエハポケットとも称する）を設けることとした。尚、ウエハポケットの形状に関しては、セラミックスヒーターのウエハ載置面よりも一段低く窪んでいて、且つウエハを収容載置できる大きさの平らな底面を有していれば良く、例えばウエハと略同一の外径を有する円形の凹状であることが好ましいが、これに限定されるものではない。

例えば、図１に示すように、セラミックスヒーターにウエハ６の厚さとほぼ同じ程度の深さと、ウエハ６を収容できる大きさの外径を有する凹部からなるウエハポケット５を設ける。このウエハポケット５の平らな底面５ａ上にウエハ６を載置することによって、ウエハ６はウエハポケット５内に収容されると共に、ウエハ６の外周面の全て又は大部分がウエハポケット５の外周内側面５ｂと対向する状態になるため、ウエハ６の外周面からの熱輻射を低減させて均熱性を高めることができる。

その結果、本発明においては、ウエハ及びセラミックスヒーターが大口径であっても、加熱処理時におけるウエハ表面の均熱性を改善向上することができる。具体的には、ウエハ表面の均熱性を、熱伝導率１００Ｗ／ｍＫ以上のセラミックスヒーターでは±０．５％以下、及び１０〜１００Ｗ／ｍＫのセラミックスヒーターでは±１．０％以下とすることができる。

しかしながら、このようなウエハポケットをセラミックスヒーターに新たに設けると、ヒーター使用温度である５００℃以上に昇温したとき、ウエハポケットの段差部を基点としてセラミックスヒーターに割れが生じやすい。この割れは、ウエハポケットの外周内側面とウエハとの間隙が小さいため、ウエハポケットの段差部に熱が集中し、その熱応力によって生じるものと考えられる。

そこで、ウエハ表面の均熱性を確保しつつ、セラミックスヒーターに割れの生じないウエハポケットの形状を検討した。その結果、図１に示すように、ウエハポケット５の外周内側面５ｂと底面５ａとがなす角度θが９０°を超え１７０°以下であるとき、所要のウエハ表面の均熱性を維持しながら、ウエハポケット５の段差部を基点としたセラミックスヒーター１の割れを防止することができた。また、ウエハポケット５の外周内側面５ｂと底面５ａとを連接する底部外周縁５ｃの曲率Ｒを０．１ｍｍ以上とした場合にも、同様の効果が得られた。

次に、本発明によるセラミックスヒーターの具体的な構造を、図２〜図３により説明する。図２に示すセラミックスヒーター１は、セラミックス基板２ａの表面上に所定回路パターンの抵抗発熱体３が設けてあり、その表面上に別のセラミックス基板２ｂがガラス又はセラミックスからなる接着層４により接合されている。尚、抵抗発熱体３の回路パターンは、例えば線幅と線間隔が５ｍｍ以下、更に好ましくは１ｍｍ以下になるように形成されている。

また、図３に示すセラミックスヒーター１１は、その内部に抵抗発熱体１３と共にプラズマ電極１６を備えている。即ち、図２のセラミックスヒーターと同様に、表面上に抵抗発熱体１３を有するセラミックス基板１２ａとセラミックス基板１２ｂを接着層１４ａで接合すると共に、そのセラミックス基板１２ａの他表面に、プラズマ電極１６を設けた別のセラミックス基板１２ｃがガラス又はセラミックスからなる接着層１４ｂにより接合してある。

そして、上記図２及び図３のいずれのセラミックスヒーター１、１１においても、そのウエハを載置する側の面には、ウエハを収容載置できる凹部（ウエハポケット５、１５）が設けてある。

尚、図２及び図３に示したセラミックスヒーターの製造においては、それぞれのセラミックス基板を接合する方法以外にも、厚さ約０．５ｍｍのグリーンシートを準備し、各グリーンシート上に導電性ペーストを抵抗発熱体及び／又はプラズマ電極の回路パターンを印刷塗布した後、これらのグリーンシート並びに必要に応じて通常のグリーンシートを所要の厚さが得られるよう積層し、同時に焼結して一体化しても良い。

窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末に、焼結助剤とバインダーを添加し、ボールミルによって分散混合した。この混合粉末をスプレードライ乾燥した後、直径３８０ｍｍ、厚み１ｍｍの円板状にプレス成形した。得られた成形体を非酸化性雰囲気中にて温度８００℃で脱脂した後、温度１９００℃で４時間焼結することにより、ＡｌＮ焼結体を得た。このＡｌＮ焼結体の熱伝導率は１７０Ｗ／ｍＫであった。このＡｌＮ焼結体の外周面を外径３３０ｍｍになるまで研磨して、セラミックスヒーター用のＡｌＮ基板２枚を準備した。

１枚の上記ＡｌＮ基板の表面上に、タングステン粉末と焼結助剤をバインダーに混練したペーストを印刷塗布し、所定の発熱体回路パターンを形成した。このＡｌＮ基板を非酸化雰囲気中にて温度８００℃で脱脂した後、温度１７００℃で焼成して、Ｗの抵抗発熱体を形成した。更に、残り１枚の上記ＡｌＮ基板の表面に、Ｙ_２Ｏ_３系接着剤とバインダーを混練したペーストを印刷塗布し、温度５００℃で脱脂した。このＡｌＮ基板の接着剤の層を、上記ＡｌＮ基板の抵抗発熱体を形成した面に重ね合わせ、温度８００℃に加熱して接合した。

接合後、ウエハを載置する側の面に、ウエハ厚さ０．８ｍｍと同じ深さで、直径が３１５ｍｍの凹部（ウエハポケット）を加工した。その際、試料ごとにウエハポケットの外周内測面とウエハポケットの底面とがなす角度θを、下記表１に示す所定の角度となるように加工した。また、幾つかの試料については、ウエハポケットの外周内測面とウエハポケットの底面とを連接する底部外周縁を、表１に示す曲率Ｒを有する曲面に加工した。このようにして、下記表１に示す各試料のＡｌＮ製のセラミックスヒーター（図２の構造）を得た。

得られた各試料のセラミックスヒーターについて、ウエハ載置面の反対側表面に形成した２つの電極から、２００Ｖの電圧で抵抗発熱体に電流を流すことにより、セラミックスヒーターの温度を５００℃まで昇温した。その際、セラミックスヒーターのウエハポケットに厚み０．８ｍｍ、直径３０４ｍｍのシリコンウエハを載せ、その表面の温度分布を測定して均熱性を求めた。得られた結果を、試料毎に下記表１に示した。

（注）表中の＊を付した試料は比較例である。

上記表１に示す結果から分るように、窒化アルミニウム製のセラミックスヒーターにおいて、ウエハ載置面にウエハポケットを形成し、そのウエハポケットの外周内測面とウエハポケットの底面とがなす角度θを９０°＜θ≦１７０°とするか、又はウエハポケットの底部外周縁に曲率ＲがＲ≧０．１ｍｍの曲面を設けることによって、セラミックスヒーターに割れを生じることなく、ウエハ加熱時におけるウエハ表面の均熱性を±０．５％以下にすることができた。

窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）粉末に、焼結助剤とバインダーを添加して、ボールミルによって分散混合した。この混合粉末をスプレードライ乾燥した後、直径３８０ｍｍ、厚み１ｍｍの円板状にプレス成形した。この成形体を非酸化性雰囲気中にて温度８００℃で脱脂した後、温度１５５０℃で４時間焼結することによって、Ｓｉ_３Ｎ_４焼結体を得た。得られたＳｉ_３Ｎ_４焼結体の熱伝導率は２０Ｗ／ｍＫであった。このＳｉ_３Ｎ_４焼結体の外周面を外径３３０ｍｍになるまで研磨して、セラミックスヒーター用のＳｉ_３Ｎ_４基板２枚を準備した。

１枚の上記Ｓｉ_３Ｎ_４基板の表面上に、タングステン粉末と焼結助剤をバインダーにて混練したペーストを印刷塗布し、非酸化性雰囲気中にて温度８００℃で脱脂した後、温度１６５０℃で焼成して抵抗発熱体を形成した。また、残り１枚の上記Ｓｉ_３Ｎ_４基板の表面にはＳｉＯ_２系接着剤の層を形成し、温度５００℃で脱脂した後、上記Ｓｉ_３Ｎ_４基板の抵抗発熱体を形成した面に重ね合わせ、温度８００℃に加熱して接合した。

接合後、ウエハを載置する側の面に、ウエハ厚さ０．８ｍｍと同じ深さで、直径が３１５ｍｍのウエハポケットを加工した。その際、実施例１と同様に加工して、ウエハポケットの外周内測面とウエハポケットの底面とがなす角度θと、ウエハポケットの外周内測面とウエハポケットの底面とを連接する底部外周縁の曲率Ｒを、試料毎に下記表２に示すように変化させた。

このようにして得られたＳｉ_３Ｎ_４製のセラミックスヒーターについて、ウエハ載置面の反対側表面に形成した２つの電極から、２００Ｖの電圧で抵抗発熱体に電流を流すことにより、セラミックスヒーターの温度を５００℃まで昇温した。その際、セラミックスヒーターのウエハポケットに厚み０．８ｍｍ、直径３０４ｍｍのシリコンウエハを載せ、その表面温度分布を測定して均熱性を求めた。得られた結果を、試料毎に下記表２に示した。

（注）表中の＊を付した試料は比較例である。

上記表２から分るように、窒化珪素製のセラミックスヒーターにおいても、ウエハ載置面に形成したウエハポケットの外周内測面とウエハポケットの底面とがなす角度θを９０°＜θ≦１７０°とするか、又はウエハポケットの底部外周縁の曲率ＲをＲ≧０．１ｍｍとすることによって、セラミックスヒーターに割れを生じることなく、ウエハ加熱時におけるウエハ表面の均熱性を±１．０％以下にすることができた。

酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）粉末に、焼結助剤とバインダーを添加し、ボールミルによって分散混合した。この混合粉末をスプレードライ乾燥した後、直径３８０ｍｍ、厚み１ｍｍの円板状にプレス成形した。この成形体を非酸化性雰囲気中にて温度８００℃で脱脂した後、温度１７７０℃で４時間焼結することによって、ＡｌＯＮ焼結体を得た。このＡｌＯＮ焼結体の熱伝導率は２０Ｗ／ｍＫであった。得られたＡｌＯＮ焼結体の外周面を外径３３０ｍｍになるまで研磨して、セラミックスヒーター用のＡｌＯＮ基板２枚を準備した。

１枚の上記ＡｌＯＮ基板の表面上に、タングステン粉末と焼結助剤をバインダーに混練したペーストを印刷塗布し、所定の発熱体回路パターンを形成した。このＡｌＯＮ基板を非酸化雰囲気中にて温度８００℃で脱脂した後、温度１７００℃で焼成して、抵抗発熱体を形成した。また、残り１枚の上記ＡｌＯＮ基板の表面に、Ｙ_２Ｏ_３系接着剤とバインダーを混練したペーストを印刷塗布して、温度５００℃で脱脂した。このＡｌＯＮ基板の接着の層を、上記ＡｌＯＮ基板の抵抗発熱体を形成した面に重ね合わせ、温度８００℃に加熱して接合した。

接合後、ウエハを載置する側の面に、ウエハ厚さ０．８ｍｍと同じ深さで、直径が３１５ｍｍのウエハポケットを加工した。その際、実施例１と同様に加工して、ウエハポケットの外周内測面とウエハポケットの底面とがなす角度θと、ウエハポケットの外周内測面とウエハポケットの底面とを連接する底部外周縁の曲率Ｒを、試料毎に下記表３に示すように変化させた。

このようにして得られたＡｌＯＮ製のセラミックスヒーターについて、ウエハ載置面の反対側表面に形成した２つの電極から、２００Ｖの電圧で抵抗発熱体に電流を流すことにより、セラミックスヒーターの温度を５００℃まで昇温した。その際、セラミックスヒーターのウエハポケットに厚み０．８ｍｍ、直径３０４ｍｍのシリコンウエハを載せ、その表面温度分布を測定して均熱性を求めた。得られた結果を、試料毎に下記表３に示した。

（注）表中の＊を付した試料は比較例である。

上記表３から分るように、酸窒化アルミニウム製のセラミックスヒーターにおいても、ウエハ載置面に形成したウエハポケットの外周内測面とウエハポケットの底面とがなす角度θを９０°＜θ≦１７０°とするか、又はウエハポケットの底部外周縁の曲率ＲをＲ≧０．１ｍｍとすることによって、セラミックスヒーターに割れを生じることなく、ウエハ加熱時におけるウエハ表面の均熱性を±１．０％以下にすることができた。

実施例１と同様の方法により、窒化アルミニウム焼結体からなる外径３３０ｍｍのセラミックスヒーター用のＡｌＮ基板を２枚作製した。この２枚のＡｌＮ基板を用いてセラミックスヒーターを作製する際に、１枚のＡｌＮ基板の表面上に設ける抵抗発熱体の材料をＭｏ、Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｃｒに変化させ、それぞれのペーストを印刷塗布して非酸化性雰囲気中で焼き付けた。

次に、残り１枚のＡｌＮ基板の表面には、ＳｉＯ_２系接合ガラスを塗布し、非酸化性雰囲気にて温度８００℃で脱脂した。このＡｌＮ基板のガラス層を、上記ＡｌＮ基板の抵抗発熱体を形成した面に重ね合わせ、温度８００℃に加熱して接合することにより、それぞれ抵抗発熱体の材質が異なるＡｌＮ製のセラミックスヒーターを得た。

各セラミックスヒーターのウエハを載置する側の面に、ウエハ厚さ０．８ｍｍと同じ深さで、直径が３１５ｍｍのウエハポケットを加工した。その際、実施例１と同様に加工して、ウエハポケットの外周内測面とウエハポケットの底面とがなす角度θと、ウエハポケットの外周内測面とウエハポケットの底面とを連接する底部外周縁の曲率Ｒを、試料毎に下記表４に示すように変化させた。

このようにして得られたセラミックスヒーターについて、ウエハ載置面の反対側表面に形成した２つの電極から、２００Ｖの電圧で抵抗発熱体に電流を流すことにより、セラミックスヒーターの温度を５００℃まで昇温した。その際、セラミックスヒーターのウエハポケットに厚み０．８ｍｍ、直径３０４ｍｍのシリコンウエハを載せ、その表面温度分布を測定して均熱性を求めた。得られた結果を、試料毎に下記表４に示した。

（注）表中の＊を付した試料は比較例である。

上記表４に示すように、抵抗発熱体がＭｏ、Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｃｒからなるセラミックスヒーターにおいても、実施例１に示したＷの抵抗発熱体の場合と同様に、ウエハ載置面に形成したウエハポケットの外周内測面とウエハポケットの底面とがなす角度θを９０°＜θ≦１７０°とするか、又はウエハポケットの底部外周縁の曲率ＲをＲ≧０．１ｍｍとすることによって、セラミックスヒーターに割れを生じることなく、ウエハ加熱時におけるウエハ表面の均熱性を±０．５％以下にすることができた。

窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末に焼結助剤、バインダー、分散剤、アルコールを添加混練したペーストを用い、ドクターブレード法による成形を行って、厚さ約０．５ｍｍのグリーンシートを得た。

次に、このグリーンシートを８０℃で５時間乾燥した後、タングステン粉末と焼結助剤をバインダーにて混練したペーストを、１枚のグリーンシートの表面上に印刷塗布して、所定回路パターンの抵抗発熱体層を形成した。更に、別の１枚のグリーンシートを同様に乾燥し、その表面上に上記タングステンペーストを印刷塗布して、プラズマ電極層を形成した。これら２枚の導電層を有するグリーンシートと、導電層が印刷されていないグリーンシートを合計５０枚積層し、７０ｋｇ／ｃｍ^２の圧力をかけながら温度１４０℃に加熱して一体化した。

得られた積層体を非酸化性雰囲気中にて６００℃で５時問脱脂した後、１００〜１５０ｋｇ／ｃｍ^２の圧力と１８００℃の温度でホットプレスして、厚さ３ｍｍのＡｌＮ板状体を得た。これを直径３８０ｍｍの円板状に切り出し、その外周部を直径３３０ｍｍになるまで研磨した。

その後、ウエハを載置する側の面に、ウエハ厚さ０．８ｍｍと同じ深さで、直径が３１５ｍｍのウエハポケットを加工した。その際、実施例１と同様に加工して、ウエハポケットの外周内測面とウエハポケットの底面とがなす角度θと、ウエハポケットの外周内測面とウエハポケットの底面とを連接する底部外周縁の曲率Ｒを、試料毎に下記表５に示すように変化させた。このようにして、内部にＷの抵抗発熱体とプラズマ電極を有するＡｌＮ製のセラミックスヒーター（図３の構造）を得た。

得られたセラミックスヒーターについて、ウエハ載置面の反対側表面に形成した２つの電極から、２００Ｖの電圧で抵抗発熱体に電流を流すことにより、セラミックスヒーターの温度を５００℃まで昇温した。その際、セラミックスヒーターのウエハポケットに厚み０．８ｍｍ、直径３０４ｍｍのシリコンウエハを載せ、その表面温度分布を測定して均熱性を求めた。得られた結果を、試料毎に下記表５に示した。

（注）表中の＊を付した試料は比較例である。

上記表５から分るように、抵抗発熱体とプラズマ電極を有する窒化アルミニウム製のセラミックスヒーターであっても、ウエハ載置面に形成したウエハポケットの外周内測面とウエハポケットの底面とがなす角度θを９０°＜θ≦１７０°とするか、又はウエハポケットの底部外周縁の曲率ＲをＲ≧０．１ｍｍとすることによって、セラミックスヒーターに割れを生じることなく、ウエハ加熱時におけるウエハ表面の均熱性を±０．５％以下にすることができた。

本発明によれば、セラミックスヒーターにウエハを収容載置するウエハポケットを設け、その形状を工夫することによって、加熱処理時にセラミックスヒーターに割れがなく、載置されたウエハの外周面からの熱輻射を抑えることができ、ウエハ載置面の均熱性を高めた半導体製造装置用セラミックスヒーターを提供することができる。

本発明におけるセラミックスヒーターのウエハ載置面側に設けたウエハポケットの具体例を示す概略の断面図である。 本発明によるセラミックスヒーターの一具体例を示す概略の断面図である。 本発明によるセラミックスヒーターの別の具体例を示す概略の断面図である。

符号の説明

１、１１ セラミックスヒーター
２ａ、２ｂ、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ セラミックス基板
３、１３ 抵抗発熱体
４、１４ａ、１４ｂ 接着層
５、１５ ウエハポケット
５ａ 底面
５ｂ 外周内側面
５ｃ 底部外周縁
６ ウエハ
１６ プラズマ電極

Claims (4)

1. セラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する半導体製造装置用セラミックスヒーターであって、該セラミックスヒーターのウエハを載置する側の面に、ウエハを収容載置できる凹部を有し、該凹部の外周内側面と底面とがなす角度が９０°を超え１７０°以下であり、及び／又は該凹部の外周内側面と底面とを連接する底部外周縁の曲率が０．１ｍｍ以上であることを特徴とする半導体製造装置用セラミックスヒーター。
2. 前記セラミックス基板が、窒化アルミニウム、窒化珪素、酸窒化アルミニウム、炭化珪素から選ばれた少なくとも１種からなることを特徴とする、請求項１に記載された半導体製造装置用セラミックスヒーター。
3. 前記抵抗発熱体が、タングステン、モリブデン、白金、パラジウム、銀、ニッケル、クロムから選ばれた少なくとも１種からなることを特徴とする、請求項１又は２に記載された半導体製造装置用セラミックスヒーター。
4. 前記セラミックス基板の表面又は内部に、更にプラズマ電極が配置されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載された半導体製造装置用セラミックスヒーター。
   

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