JP4908021B2 - 静電チャック、静電チャック装置、静電チャックの製造方法、真空チャック、真空チャック装置、真空チャックの製造方法、セラミックヒーター、セラミックヒーター装置、及びセラミックヒーターの製造方法 - Google Patents
静電チャック、静電チャック装置、静電チャックの製造方法、真空チャック、真空チャック装置、真空チャックの製造方法、セラミックヒーター、セラミックヒーター装置、及びセラミックヒーターの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4908021B2 JP4908021B2 JP2006061850A JP2006061850A JP4908021B2 JP 4908021 B2 JP4908021 B2 JP 4908021B2 JP 2006061850 A JP2006061850 A JP 2006061850A JP 2006061850 A JP2006061850 A JP 2006061850A JP 4908021 B2 JP4908021 B2 JP 4908021B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- back surface
- recess
- ceramic substrate
- pin terminal
- brazing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 215
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 210
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 101
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 34
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 25
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 24
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 16
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 16
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co] Chemical compound [Fe].[Co] QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
前記ピン端子又は前記軸部材をロウ付けによって接合するロウ付け部をなすメタライズ層が、前記裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で該凹部の底面にのみ形成されており、
前記ピン端子又は前記軸部材が、
自身の先端が前記裏面から突出せず該裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で前記メタライズ層にロウ付けされた基端部材と、該基端部材に対して前記セラミック基板に変形を発生させない接合手段によって接合された先端側部材とで形成されてなることを特徴とする。
前記ピン端子又は前記軸部材をロウ付けによって接合するロウ付け部をなすメタライズ層が、前記裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で該凹部の底面にのみ形成されており、
前記ピン端子又は前記軸部材が、
自身の先端が前記裏面から突出せず該裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で前記メタライズ層にロウ付けされた基端部材と、該基端部材にねじ込みによって接合された先端側部材とで形成されてなることを特徴とする。
前記ピン端子又は前記軸部材をロウ付けによって接合するロウ付け部をなすメタライズ層が、前記裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で該凹部の底面にのみ形成されており、
前記ピン端子又は前記軸部材が、
自身の先端が前記裏面から突出せず該裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で前記メタライズ層にロウ付けされた基端部材と、該基端部材に対して前記セラミック基板に変形を発生させない接合手段によって接合された先端側部材とで形成されてなることを特徴とする。
前記ピン端子又は前記軸部材をロウ付けによって接合するロウ付け部をなすメタライズ層が、前記裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で該凹部の底面にのみ形成されており、
前記ピン端子又は前記軸部材が、
自身の先端が前記裏面から突出せず該裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で前記メタライズ層にロウ付けされた基端部材と、該基端部材にねじ込みによって接合された先端側部材とで形成されてなることを特徴とする。
前記ピン端子又は前記軸部材をロウ付けによって接合するロウ付け部をなすメタライズ層が、前記裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で該凹部の底面にのみ形成されており、
前記ピン端子又は前記軸部材が、
自身の先端が前記裏面から突出せず該裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で前記メタライズ層にロウ付けされた基端部材と、該基端部材に対して前記セラミック基板に変形を発生させない接合手段によって接合された先端側部材とで形成されてなることを特徴とする。
前記ピン端子又は前記軸部材をロウ付けによって接合するロウ付け部をなすメタライズ層が、前記裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で該凹部の底面にのみ形成されており、
前記ピン端子又は前記軸部材が、
自身の先端が前記裏面から突出せず該裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で前記メタライズ層にロウ付けされた基端部材と、該基端部材にねじ込みによって接合された先端側部材とで形成されてなることを特徴とする。
第1に、セラミック基板に静電電極が形成されてなる静電チャックであって、その基板の裏面に凹部を備えるとともに該凹部内に該裏面から突出する状態でピン端子又は軸部材がロウ付けによって接合されてなる静電チャックを製造する方法において、
裏面に凹部を備えるとともに該裏面から該凹部の底面側に引き下がった状態で該凹部の底面にのみ、前記ピン端子又は軸部材のロウ付け部をなすメタライズ層を備えた前記セラミック基板を焼成し、焼成後のそのセラミック基板の前記凹部の底面におけるロウ付け部をなす前記メタライズ層に、自身の先端がその裏面から突出せず該裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で、ピン端子又は軸部材をなす基端部材をロウ付けし、その後、セラミック基板の表面及び裏面を研磨し、その後、セラミック基板に変形を発生させない接合手段によって、前記基端部材に先端部材を接合することにより、基端部材と先端部材とからなるピン端子又は軸部材を形成することを特徴とする。
裏面に凹部を備えるとともに該裏面から該凹部の底面側に引き下がった状態で該凹部の底面にのみ、前記ピン端子又は軸部材のロウ付け部をなすメタライズ層を備えた前記セラミック基板を焼成し、焼成後のそのセラミック基板の前記凹部の底面におけるロウ付け部をなす前記メタライズ層に、自身の先端がその裏面から突出せず該裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で、ピン端子又は軸部材をなす基端部材をロウ付けし、その後、セラミック基板の表面及び裏面を研磨し、その後、セラミック基板に変形を発生させない接合手段によって、前記基端部材に先端部材を接合することにより、基端部材と先端部材とからなるピン端子又は軸部材を形成することを特徴とする。
裏面に凹部を備えるとともに該裏面から該凹部の底面側に引き下がった状態で該凹部の底面にのみ、前記ピン端子又は軸部材のロウ付け部をなすメタライズ層を備えた前記セラミック基板を焼成し、焼成後のそのセラミック基板の前記凹部の底面におけるロウ付け部をなす前記メタライズ層に、自身の先端がその裏面から突出せず該裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で、ピン端子又は軸部材をなす基端部材をロウ付けし、その後、セラミック基板の表面及び裏面を研磨し、その後、セラミック基板に変形を発生させない接合手段によって、前記基端部材に先端部材を接合することにより、基端部材と先端部材とからなるピン端子又は軸部材を形成することを特徴とする。
1a 静電チャック(真空チャック、セラミックヒーター)
2 セラミック基板
3 基板の表面
4 基板の裏面
5 静電電極(抵抗発熱体)
6 基板の裏面の凹部
7 ロウ付け部(電極端子、メタライズ層)
11 ガス流路(真空形成用のガス排気流路)
21 ベース部材21
31、231 ピン端子
32、232 基端部材
36、236 先端側部材
41 軸部材
501 真空チャック装置(セラミックヒーター装置)
Claims (21)
- セラミック基板に静電電極が形成されてなる静電チャックであって、その基板の裏面に凹部を備えるとともに該凹部内に該裏面から突出する状態でピン端子又は軸部材がロウ付けによって接合されてなるものにおいて、
前記ピン端子又は前記軸部材をロウ付けによって接合するロウ付け部をなすメタライズ層が、前記裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で該凹部の底面にのみ形成されており、
前記ピン端子又は前記軸部材が、
自身の先端が前記裏面から突出せず該裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で前記メタライズ層にロウ付けされた基端部材と、該基端部材に対して前記セラミック基板に変形を発生させない接合手段によって接合された先端側部材とで形成されてなることを特徴とする静電チャック。 - セラミック基板に静電電極が形成されてなる静電チャックであって、その基板の裏面に凹部を備えるとともに該凹部内に該裏面から突出する状態でピン端子又は軸部材がロウ付けによって接合されてなるものにおいて、
前記ピン端子又は前記軸部材をロウ付けによって接合するロウ付け部をなすメタライズ層が、前記裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で該凹部の底面にのみ形成されており、
前記ピン端子又は前記軸部材が、
自身の先端が前記裏面から突出せず該裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で前記メタライズ層にロウ付けされた基端部材と、該基端部材にねじ込みによって接合された先端側部材とで形成されてなることを特徴とする静電チャック。 - 請求項2に記載の静電チャックにおいて、ねじ込みに代えて圧入としたことを特徴とする静電チャック。
- 請求項2に記載の静電チャックにおいて、ねじ込みに代えて接着剤による接着としたことを特徴とする静電チャック。
- 前記セラミック基板に変形を発生させない接合手段が、前記基端部材をロウ付けしているロウより融点が低く、しかもその融点が270℃以下のハンダによるハンダ付けであることを特徴とする請求項1に記載の静電チャック。
- 請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の静電チャックをなすセラミック基板が、その裏面をベース部材の表面に接合してなることを特徴とする静電チャック装置。
- セラミック基板に静電電極が形成されてなる静電チャックであって、その基板の裏面に凹部を備えるとともに該凹部内に該裏面から突出する状態でピン端子又は軸部材がロウ付けによって接合されてなる静電チャックを製造する方法において、
裏面に凹部を備えるとともに該裏面から該凹部の底面側に引き下がった状態で該凹部の底面にのみ、前記ピン端子又は軸部材のロウ付け部をなすメタライズ層を備えた前記セラミック基板を焼成し、焼成後のそのセラミック基板の前記凹部の底面におけるロウ付け部をなす前記メタライズ層に、自身の先端がその裏面から突出せず該裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で、ピン端子又は軸部材をなす基端部材をロウ付けし、その後、セラミック基板の表面及び裏面を研磨し、その後、セラミック基板に変形を発生させない接合手段によって、前記基端部材に先端部材を接合することにより、基端部材と先端部材とからなるピン端子又は軸部材を形成することを特徴とする静電チャックの製造方法。 - セラミック基板に真空形成用のガス排気流路が形成されてなる真空チャックであって、その基板の裏面に凹部を備えるとともに該凹部内に該裏面から突出する状態でピン端子又は軸部材がロウ付けによって接合されてなるものにおいて、
前記ピン端子又は前記軸部材をロウ付けによって接合するロウ付け部をなすメタライズ層が、前記裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で該凹部の底面にのみ形成されており、
前記ピン端子又は前記軸部材が、自身の先端が前記裏面から突出せず該裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で前記メタライズ層にロウ付けされた基端部材と、該基端部材に対して前記セラミック基板に変形を発生させない接合手段によって接合された先端側部材とで形成されてなることを特徴とする真空チャック。 - セラミック基板に真空形成用のガス排気流路が形成されてなる真空チャックであって、その基板の裏面に凹部を備えるとともに該凹部内に該裏面から突出する状態でピン端子又は軸部材がロウ付けによって接合されてなるものにおいて、
前記ピン端子又は前記軸部材をロウ付けによって接合するロウ付け部をなすメタライズ層が、前記裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で該凹部の底面にのみ形成されており、
前記ピン端子又は前記軸部材が、自身の先端が前記裏面から突出せず該裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で前記メタライズ層にロウ付けされた基端部材と、該基端部材にねじ込みによって接合された先端側部材とで形成されてなることを特徴とする真空チャック。 - 請求項9に記載の真空チャックにおいて、ねじ込みに代えて圧入としたことを特徴とする真空チャック。
- 請求項9に記載の真空チャックにおいて、ねじ込みに代えて接着剤による接着としたことを特徴とする真空チャック。
- 前記セラミック基板に変形を発生させない接合手段が、前記基端部材をロウ付けしているロウより融点が低く、しかもその融点が270℃以下のハンダによるハンダ付けであることを特徴とする請求項8に記載の真空チャック。
- 請求項8〜請求項12のいずれか1項に記載の真空チャックをなすセラミック基板が、その裏面をベース部材の表面に接合してなることを特徴とする真空チャック装置。
- セラミック基板に真空形成用のガス排気流路が形成されてなる真空チャックであって、その基板の裏面に凹部を備えるとともに該凹部内に該裏面から突出する状態でピン端子又は軸部材がロウ付けによって接合されてなる真空チャックを製造する方法において、
裏面に凹部を備えるとともに該裏面から該凹部の底面側に引き下がった状態で該凹部の底面にのみ、前記ピン端子又は軸部材のロウ付け部をなすメタライズ層を備えた前記セラミック基板を焼成し、焼成後のそのセラミック基板の前記凹部の底面におけるロウ付け部をなす前記メタライズ層に、自身の先端がその裏面から突出せず該裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で、ピン端子又は軸部材をなす基端部材をロウ付けし、その後、セラミック基板の表面及び裏面を研磨し、その後、セラミック基板に変形を発生させない接合手段によって、前記基端部材に先端部材を接合することにより、基端部材と先端部材とからなるピン端子又は軸部材を形成することを特徴とする真空チャックの製造方法。 - セラミック基板に抵抗発熱体が形成されてなるセラミックヒーターであって、その基板の裏面に凹部を備えるとともに該凹部内に該裏面から突出する状態でピン端子又は軸部材がロウ付けによって接合されてなるものにおいて、
前記ピン端子又は前記軸部材をロウ付けによって接合するロウ付け部をなすメタライズ層が、前記裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で該凹部の底面にのみ形成されており、
前記ピン端子又は前記軸部材が、自身の先端が前記裏面から突出せず該裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で前記メタライズ層にロウ付けされた基端部材と、該基端部材に対して前記セラミック基板に変形を発生させない接合手段によって接合された先端側部材とで形成されてなることを特徴とするセラミックヒーター。 - セラミック基板に抵抗発熱体が形成されてなるセラミックヒーターであって、その基板の裏面に凹部を備えるとともに該凹部内に該裏面から突出する状態でピン端子又は軸部材がロウ付けによって接合されてなるものにおいて、
前記ピン端子又は前記軸部材をロウ付けによって接合するロウ付け部をなすメタライズ層が、前記裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で該凹部の底面にのみ形成されており、
前記ピン端子又は前記軸部材が、自身の先端が前記裏面から突出せず該裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で前記メタライズ層にロウ付けされた基端部材と、該基端部材にねじ込みによって接合された先端側部材とで形成されてなることを特徴とするセラミックヒーター。 - 請求項16に記載のセラミックヒーターにおいて、ねじ込みに代えて圧入としたことを特徴とするセラミックヒーター。
- 請求項16に記載のセラミックヒーターにおいて、ねじ込みに代えて接着剤による接着としたことを特徴とするセラミックヒーター。
- 前記セラミック基板に変形を発生させない接合手段が、前記基端部材をロウ付けしているロウより融点が低く、しかもその融点が270℃以下のハンダによるハンダ付けであることを特徴とする請求項15に記載のセラミックヒーター。
- 請求項15〜請求項19のいずれか1項に記載のセラミックヒーターをなすセラミック基板が、その裏面をベース部材の表面に接合してなることを特徴とするセラミックヒーター装置。
- セラミック基板に抵抗発熱体が形成されてなるセラミックヒーターであって、その基板の裏面に凹部を備えるとともに該凹部内に該裏面から突出する状態でピン端子又は軸部材がロウ付けによって接合されてなるセラミックヒーターを製造する方法において、
裏面に凹部を備えるとともに該裏面から該凹部の底面側に引き下がった状態で該凹部の底面にのみ、前記ピン端子又は軸部材のロウ付け部をなすメタライズ層を備えた前記セラミック基板を焼成し、焼成後のそのセラミック基板の前記凹部の底面におけるロウ付け部をなす前記メタライズ層に、自身の先端がその裏面から突出せず該裏面から前記凹部の底面側に引き下がった状態で、ピン端子又は軸部材をなす基端部材をロウ付けし、その後、セラミック基板の表面及び裏面を研磨し、その後、セラミック基板に変形を発生させない接合手段によって、前記基端部材に先端部材を接合することにより、基端部材と先端部材とからなるピン端子又は軸部材を形成することを特徴とするセラミックヒーターの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006061850A JP4908021B2 (ja) | 2005-03-07 | 2006-03-07 | 静電チャック、静電チャック装置、静電チャックの製造方法、真空チャック、真空チャック装置、真空チャックの製造方法、セラミックヒーター、セラミックヒーター装置、及びセラミックヒーターの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005063159 | 2005-03-07 | ||
JP2005063159 | 2005-03-07 | ||
JP2006061850A JP4908021B2 (ja) | 2005-03-07 | 2006-03-07 | 静電チャック、静電チャック装置、静電チャックの製造方法、真空チャック、真空チャック装置、真空チャックの製造方法、セラミックヒーター、セラミックヒーター装置、及びセラミックヒーターの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006287213A JP2006287213A (ja) | 2006-10-19 |
JP4908021B2 true JP4908021B2 (ja) | 2012-04-04 |
Family
ID=37408719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006061850A Active JP4908021B2 (ja) | 2005-03-07 | 2006-03-07 | 静電チャック、静電チャック装置、静電チャックの製造方法、真空チャック、真空チャック装置、真空チャックの製造方法、セラミックヒーター、セラミックヒーター装置、及びセラミックヒーターの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4908021B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4905375B2 (ja) * | 2008-01-30 | 2012-03-28 | 住友電気工業株式会社 | ウエハ保持体の支持構造 |
JP2010114351A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 静電チャック装置 |
JP5214414B2 (ja) * | 2008-11-21 | 2013-06-19 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体製造装置用接続部及び半導体製造装置用接続部の形成方法 |
JP5642722B2 (ja) * | 2012-02-06 | 2014-12-17 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体製造装置用接続部及び半導体製造装置用接続部の形成方法 |
JP5936165B2 (ja) * | 2014-11-07 | 2016-06-15 | Toto株式会社 | 静電チャックおよびウェーハ処理装置 |
JP6497248B2 (ja) | 2015-07-13 | 2019-04-10 | 住友電気工業株式会社 | ウェハ保持体 |
TW202224081A (zh) * | 2015-08-06 | 2022-06-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於晶圓處理系統的熱管理系統及方法 |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
JP7001446B2 (ja) * | 2017-12-01 | 2022-01-19 | 京セラ株式会社 | 構造体 |
WO2019231614A1 (en) * | 2018-05-31 | 2019-12-05 | Applied Materials, Inc. | Extreme uniformity heated substrate support assembly |
JP7257899B2 (ja) * | 2019-07-05 | 2023-04-14 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体製造装置用部品の製造方法 |
CN115116920A (zh) * | 2021-03-19 | 2022-09-27 | 烟台睿瓷新材料技术有限公司 | 静电吸盘及其加工方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2518962B2 (ja) * | 1990-07-27 | 1996-07-31 | 日本碍子株式会社 | セラミックスヒ―タ― |
JP3447495B2 (ja) * | 1996-12-26 | 2003-09-16 | 京セラ株式会社 | ウエハ保持装置の給電構造 |
JP3650248B2 (ja) * | 1997-03-19 | 2005-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP3771722B2 (ja) * | 1998-07-31 | 2006-04-26 | 京セラ株式会社 | ウエハ支持部材 |
JP3859914B2 (ja) * | 1999-10-08 | 2006-12-20 | 東芝セラミックス株式会社 | 金属端子を有するセラミック−金属複合部品、及びその製造方法 |
JP4548928B2 (ja) * | 2000-10-31 | 2010-09-22 | 京セラ株式会社 | 電極内蔵体及びこれを用いたウエハ支持部材 |
JP2002260829A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Ibiden Co Ltd | ホットプレートユニット |
JP2003059628A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ |
JP2003179129A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 静電チャック装置 |
-
2006
- 2006-03-07 JP JP2006061850A patent/JP4908021B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006287213A (ja) | 2006-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4908021B2 (ja) | 静電チャック、静電チャック装置、静電チャックの製造方法、真空チャック、真空チャック装置、真空チャックの製造方法、セラミックヒーター、セラミックヒーター装置、及びセラミックヒーターの製造方法 | |
JP6463938B2 (ja) | 静電チャック | |
JP4767788B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
JP3154629U (ja) | 静電チャック | |
JP4909704B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
JP5554525B2 (ja) | 静電チャック | |
JP6110159B2 (ja) | 複合部材及びその製造方法 | |
JP6325424B2 (ja) | 静電チャック | |
JP2000077508A (ja) | 静電チャック | |
JP2002293655A (ja) | 金属端子とセラミック部材との接合構造、金属部材とセラミック部材との接合構造および金属端子とセラミック部材との接合材 | |
JP4858319B2 (ja) | ウェハ保持体の電極接続構造 | |
JP2018006737A (ja) | 保持装置および保持装置の製造方法 | |
JP6317183B2 (ja) | 半導体製造装置用部品 | |
JP4331983B2 (ja) | ウェハ支持部材およびその製造方法 | |
JP6758175B2 (ja) | 静電チャック | |
JP5214414B2 (ja) | 半導体製造装置用接続部及び半導体製造装置用接続部の形成方法 | |
JP3970714B2 (ja) | 複合ヒータ | |
JP2019153708A (ja) | 保持装置、および、保持装置の製造方法 | |
JP7139165B2 (ja) | 保持装置 | |
JP2008153701A (ja) | 静電チャック | |
JP5642722B2 (ja) | 半導体製造装置用接続部及び半導体製造装置用接続部の形成方法 | |
JP2019220537A (ja) | 保持装置 | |
JP2019040939A (ja) | ウエハ載置台 | |
JP2021111662A (ja) | 保持装置 | |
JP2020077761A (ja) | 静電チャック |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100921 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110510 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110705 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111220 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120112 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150120 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4908021 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |